JPH03151651A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は評価用（以下センス用と呼ぶ）パットを有する
半導体装置に関する。

〔従来の技術〕

従来、半導体チップ上のパット部は、センス部とワイヤ
ーボンデインク部などを共用していた。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来の半導体装置は第３図、第４図に示すように、半導
体チップ」二にはワイヤーボンディングをする目的のみ
のパットしか備えていなかったため、レーサートリミン
グ］二程やウェハテスト工程などでパットに検針を当て
る際、かなりパットを傷付け、ウェハテストや解析に支
障を来たし、またウェハテスト後、アセンブリをする際
、パットが傷付いているため、ワイヤーボンディングの
信頼性を損ねてしまうという問題点があった。

本発明は上記のような問題点に鑑みてなされたもので、
他にセンス用パット部を設けてアセンブリ工程に支障を
来たさないことを目的としている。

〔課題を解決するための手段〕

本発明に係る半導体装置は、半導体チップ」二のパット
部をボンディングパット部とセンス用パット・部に分け
て形成したものである。

〔作用〕

本発明における半導体装置は、半導体チップ」−のパッ
ト部をボンディングパット部とセンス用パット部に分け
て形成されているので、レーザートリミングやウェハテ
ストや、解析等で検針を当てる際、センス用パット部に
のみ検針当てをすれば、センス用パッド部を傷付けるだ
けでワイヤーボンデインク部は傷付かず、その後のアセ
ンブリ工程などワイヤーボンディングが正確に行なえ、
ボンディング強度などの信頼性に影響を与える事がない
。

〔実施例〕

以下、本発明に係る半導体装置の一実施例を図について
説明する。第１図、第２図本発明の一実施例を示す半導
体装置の平面図および断面図である。まず第１図のよう
に、パット部をボンディングパット部（１）とセンス用
パット部（２）に分ける。

第２図は第１図の縦断面構造であるが、前記従来のもの
との相違点はセンス用パット部（２）の下部構造をＰｏ
１ｙ−３ｉ（４）と第１のＰｏ１ｙ−３Ｈ５）に変えて
、Ｓ　ｉ　０２　ｆ６）を形成することにある。これに
よって単に同じ縦構造のボンディングパット部（１）と
センス用パット部（２）を設けた場合に対して、パット
部の容量増加を最少域に抑える事ができ、入力信号波形
等へのパット部の容量による影響をかなり減少させる事
が可能となる。

〔発明の効果〕

以上のように本発明によれば、パット部をボンディング
パット部とセンス用パット部に分けて形成し、しかもセ
ンス用パット部分の下部構造を変えたので、レーザート
リミングやウエノ１テストでセンスパット部に検針光て
をしてもワイヤーボンディング部は傷付かないため、ア
センブリ工程で支障をきたすことがなくなり、またワイ
ヤーボンディングの信頼性に悪影響を与える事もない。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る半導体装置の一実施例の平面図、
第２図は第１図の縦断面図、第３図は従来の半導体装置
の平面図、第４図は第３図の縦断面図である。 図において、ｌはボンディングパット部、２はセンス用
パット部、３はアルミ、４はＰｏ１ｙ−Ｓｉ、５は第１
のＰｏ１ｙ−３ｔ、６はＳｉＯ□、７はフィールド酸化
膜である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　半導体チップ上のパット部にボンディングパット部と
   評価用パット部を備え、前記ボンディングパット部と、
   評価用パット部を異なる縦構造としたことを特徴とする
   半導体装置。