JPH0269954A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0269954A JPH0269954A JP63222814A JP22281488A JPH0269954A JP H0269954 A JPH0269954 A JP H0269954A JP 63222814 A JP63222814 A JP 63222814A JP 22281488 A JP22281488 A JP 22281488A JP H0269954 A JPH0269954 A JP H0269954A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pads
- semiconductor device
- pad
- region
- measuring
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- 210000000577 adipose tissue Anatomy 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特にパットの構造に特徴を
有する半導体装置に関する。
有する半導体装置に関する。
従来、半導体装置のパットは、第３図に示すようにウェ
ハー状態の電気的測定をするパットと実装用のボンディ
ングパットは同一であった。それは、ウェハーに対する
チップの取り数を、最大にするためであった。
ハー状態の電気的測定をするパットと実装用のボンディ
ングパットは同一であった。それは、ウェハーに対する
チップの取り数を、最大にするためであった。
上述した従来の半導体装置は、ウェハー状態の電気的測
定をするパットとボンディングパットは同一であるので
、劣る方の技術で最小ピッチが決定されていた。従って
、組み立ての技術が発達してきた現在、チップの大きさ
がプローブカードの組み立て技術に依り制限され、十分
小さくならないという欠点がある。
定をするパットとボンディングパットは同一であるので
、劣る方の技術で最小ピッチが決定されていた。従って
、組み立ての技術が発達してきた現在、チップの大きさ
がプローブカードの組み立て技術に依り制限され、十分
小さくならないという欠点がある。
本発明の半導体装置は、半導体素子が形成され周辺部に
実装用のボンディングパットを有する第１の領域と、前
記第１の領域をかこむ第２の領域とを有し、前記第２の
領域の周囲にウェハー状態で前記半導体素子の電気的測
定をするパットが設けられていることを特徴とする。
実装用のボンディングパットを有する第１の領域と、前
記第１の領域をかこむ第２の領域とを有し、前記第２の
領域の周囲にウェハー状態で前記半導体素子の電気的測
定をするパットが設けられていることを特徴とする。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の平面図である。
チップ１はボンディングパット２を有し、チップ１の周
囲にはウェハー状態の電気・的測定をするパット３が存
在する領域４を有する。ウェハーはチップ１の周囲で切
断され、組み立てられる。
囲にはウェハー状態の電気・的測定をするパット３が存
在する領域４を有する。ウェハーはチップ１の周囲で切
断され、組み立てられる。
ボンディング技術は、ＴＡＢ技術等により５０μｍピッ
チのボンディングパットに対応出来る所迄発達してきた
。一方ブローブカードの方は、測定針の強度を確保する
ための太さが必要となり、又針立ての技術により、パッ
トのピッチは８０μｍピッチが限界である。そのため、
例えば２００ｐｉｎのチップの場合従来技術であるなら
ば、４ｍｍｍｍ口程きさのチップが限界であった。本発
明によれば、２．５ ｍｍ口程の大きさのチップが出来
る。
チのボンディングパットに対応出来る所迄発達してきた
。一方ブローブカードの方は、測定針の強度を確保する
ための太さが必要となり、又針立ての技術により、パッ
トのピッチは８０μｍピッチが限界である。そのため、
例えば２００ｐｉｎのチップの場合従来技術であるなら
ば、４ｍｍｍｍ口程きさのチップが限界であった。本発
明によれば、２．５ ｍｍ口程の大きさのチップが出来
る。
第２図は本発明の他の実施例の平面図である。
組み立てるチップ１はボンディングパット２を有し、チ
ップ１の周囲にはウェハー状態の電気的測定をするパッ
ト３が存在する領域４を有する。
ップ１の周囲にはウェハー状態の電気的測定をするパッ
ト３が存在する領域４を有する。
ウェハーはチップ１の周囲で切断され、組み立てられる
。このとき異なる半導体装置第２図（Ａ）と第牛図（Ｂ
）でぶ１丁定パット数が同じならば、ウェハー状態の電
気的測定をするパット３の配置を統一化することにより
、同一の測定パット数の品種を、同一のプローブカード
で測定出来る様になる。
。このとき異なる半導体装置第２図（Ａ）と第牛図（Ｂ
）でぶ１丁定パット数が同じならば、ウェハー状態の電
気的測定をするパット３の配置を統一化することにより
、同一の測定パット数の品種を、同一のプローブカード
で測定出来る様になる。
以上説明したように本発明はウェハー状態の電気的測定
をするパットとボンディングパットを、別々に有するこ
とにより、半導体装置の実効的な大きさは、ウェハー状
態の電気的測定のための制約を受けず、小さく出来る。
をするパットとボンディングパットを、別々に有するこ
とにより、半導体装置の実効的な大きさは、ウェハー状
態の電気的測定のための制約を受けず、小さく出来る。
第１図は本発明の一実施例の半導体装置の平面図、第２
図（Ａ） 、 （Ｂ）はそれぞれ本発明の他の実施例の
半導体装置の平面図、第３図は従来の半導体装置の平面
図である。 １・・・・・・半導体装置、２・・・・・・ボンディン
グパット、３・・・・・・測定用パット、４・・・・・
・測定用パットを含む半導体装置。 代理人 弁理士 内 原 晋
図（Ａ） 、 （Ｂ）はそれぞれ本発明の他の実施例の
半導体装置の平面図、第３図は従来の半導体装置の平面
図である。 １・・・・・・半導体装置、２・・・・・・ボンディン
グパット、３・・・・・・測定用パット、４・・・・・
・測定用パットを含む半導体装置。 代理人 弁理士 内 原 晋
Claims (1)
- 半導体素子が形成され周辺部に実装用のボンディングパ
ットを有する第１の領域と、前記第１の領域をかこむ第
２の領域とを有し、前記第２の領域の周囲にウェハー状
態で前記半導体素子の電気的測定をするパットが設けら
れていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63222814A JPH0269954A (ja) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63222814A JPH0269954A (ja) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0269954A true JPH0269954A (ja) | 1990-03-08 |
Family
ID=16788326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63222814A Pending JPH0269954A (ja) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0269954A (ja) |
-
1988
- 1988-09-05 JP JP63222814A patent/JPH0269954A/ja active Pending
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