JPH04349644A - 半導体デバイス評価方法 - Google Patents

半導体デバイス評価方法

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Publication number
JPH04349644A
JPH04349644A JP12347491A JP12347491A JPH04349644A JP H04349644 A JPH04349644 A JP H04349644A JP 12347491 A JP12347491 A JP 12347491A JP 12347491 A JP12347491 A JP 12347491A JP H04349644 A JPH04349644 A JP H04349644A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bump
silicon chip
shear strength
lead frame
semiconductor device
Prior art date
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Pending
Application number
JP12347491A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroyuki Shiosaki
潮崎　裕行
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
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Filing date
Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体デバイスにおけ
るシリコンチップとリードフレームの接合部であるバン
プのシリコンチップとの接合せん断強度を測定する半導
体デバイス評価方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化，多機能化に伴
い、半導体装置の小型化，薄型化が進み、シリコンチッ
プとリードフレームの電気的接続材料の主流であったリ
ードワイヤーに代えて、バンプが使われるようになって
きた。
【０００３】従来のバンプを介し、シリコンチップとリ
ードフレームが接合された後のシリコンチップとバンプ
の接合せん断強度の測定方法を図２を参照し、以下に示
す。
【０００４】図２は、バンプを介しシリコンチップとリ
ードフレームを接続したものであり、１はシリコンチッ
プ、２はバンプ、３はリードフレーム、４はせん断強度
評価治具である。
【０００５】上記構成において、せん断強度評価治具４
を横方向に押すことでバンプ２とシリコンチップ１の接
合せん断強度を測定するものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このような従来のせん
断強度測定方法では、せん断強度評価治具４が先にリー
ドフレーム３に当たり、正確な再現性のあるバンプ２と
シリコンチップ１の接合せん断強度が得られない。また
、リードフレーム３と直角方向から押すと、バンプ間隔
が約５０μｍのため、隣接バンプに当たり、同様正確な
せん断強度が得られない。
【０００７】本発明は上記課題を解決するもので、正確
なバンプとシリコンチップの接合せん断強度を測定でき
る半導体デバイス評価方法を提供することを目的として
いる。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、バンプに横方向から鍵型の評価治具を当て
圧力を加えることでバンプとシリコンチップの接合せん
断強度を測定するものである。
【０００９】
【作用】本発明は上記した構成により、リードフレーム
や、隣接バンプに評価治具が当たったりしないので、正
確なバンプとシリコンチップの接合せん断強度が測定で
きる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例について図１を参照し
ながら説明する。図１において図２の従来例と同一部分
には同一番号を付し、説明を省略する。すなわち本発明
の特徴は鍵型の評価治具１１をバンプ２の横方向から押
すことで、バンプ２とシリコンチップ１の接合せん断強
度を測定することである。せん断強度評価治具１１はス
テンレス性であり、厚さ約１５μｍのものである。
【００１１】このように本発明の実施例の接合せん断強
度測定方法によれば、リードフレーム３とバンプ２を接
合した後、リードフレーム３に当たることなくバンプ２
とシリコンチップ１の正確な接合せん断強度が得られる
ものである。
【００１２】
【発明の効果】以上の実施例から明らかなように本発明
によれば、バンプに横方向から鍵型の評価治具を当て圧
力を加えることで、バンプとシリコンチップの接合せん
断強度を測定するのでバンプとシリコンチップの正確な
接合せん断強度が測定できる半導体デバイス評価方法を
提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の半導体デバイス評価方法を
説明するための図
【図２】従来の半導体デバイス評価方法を説明するため
の図
【符号の説明】
１　　　　シリコンチップ ２　　　　バンプ ３　　　　リードフレーム １１　　評価治具

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　シリコンチップ，リードフレーム等を
    有する半導体デバイスの前記シリコンチップとリードフ
    レームの接合部を構成するバンプに横方向から鍵型の評
    価治具を当て圧力を加えることで前記バンプとシリコン
    チップの接合せん断強度を測定する半導体デバイス評価
    方法。
JP12347491A 1991-05-28 1991-05-28 半導体デバイス評価方法 Pending JPH04349644A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08304269A (ja) * 1995-04-28 1996-11-22 Nec Corp 半導体チップ接着剤の強度測定治具及び破断予測方法
US7997147B2 (en) 2004-08-10 2011-08-16 Nordson Corporation Shear test device

Cited By (3)

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