JPH06213733A - 力・モーメント検出装置の製造方法 - Google Patents
力・モーメント検出装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH06213733A JPH06213733A JP5004013A JP401393A JPH06213733A JP H06213733 A JPH06213733 A JP H06213733A JP 5004013 A JP5004013 A JP 5004013A JP 401393 A JP401393 A JP 401393A JP H06213733 A JPH06213733 A JP H06213733A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- crystal substrate
- substrate
- lead
- lead frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Force Measurement Appropriate To Specific Purposes (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 低コストであり且つ量産性に優れた力・モー
メント検出装置を提供すること。 【構成】 単結晶基板が張設される基板取付部とこれを
取囲むべく配列された多数のリードとこれら相互を繋ぐ
接続部を有するリードフレームを、前記単結晶基板の熱
膨張率に近い熱膨張率を有する金属板により製作する工
程と、機械的変化により電気抵抗が変化する検出素子を
有した単結晶基板を上記基板取付部に張設する工程と、
前記検出素子とリード相互間を適正にワイヤーボンディ
ングする工程と、基板取付部及びリードの内方部分を包
囲すべく樹脂をモールディングする工程と、前記モール
ディングの工程後にリードフレームの接続部を分離する
工程とを具備するものとしている。
メント検出装置を提供すること。 【構成】 単結晶基板が張設される基板取付部とこれを
取囲むべく配列された多数のリードとこれら相互を繋ぐ
接続部を有するリードフレームを、前記単結晶基板の熱
膨張率に近い熱膨張率を有する金属板により製作する工
程と、機械的変化により電気抵抗が変化する検出素子を
有した単結晶基板を上記基板取付部に張設する工程と、
前記検出素子とリード相互間を適正にワイヤーボンディ
ングする工程と、基板取付部及びリードの内方部分を包
囲すべく樹脂をモールディングする工程と、前記モール
ディングの工程後にリードフレームの接続部を分離する
工程とを具備するものとしている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、力・モーメント検出
装置の製造方法に関するものである。
装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】力・モーメント検出装置としては、例え
ば図１３に示すようなものがある。この検出装置は、同
図に示すように、機械的変形により電気抵抗が変化する
４個の検出素子を直線状に備えた単結晶基板２（シリコ
ンチップ）と、中央部をダイヤフラム部９１とした皿状
体９０を有し且つ前記ダイヤフラム部９１の底面中央か
ら突出させた軸部９２を有する起歪体９とから構成され
ており、前記単結晶基板２を皿状体９０の上面中央部に
張設している。
ば図１３に示すようなものがある。この検出装置は、同
図に示すように、機械的変形により電気抵抗が変化する
４個の検出素子を直線状に備えた単結晶基板２（シリコ
ンチップ）と、中央部をダイヤフラム部９１とした皿状
体９０を有し且つ前記ダイヤフラム部９１の底面中央か
ら突出させた軸部９２を有する起歪体９とから構成され
ており、前記単結晶基板２を皿状体９０の上面中央部に
張設している。
【０００３】このものでは、軸部９２に外力が加わる
と、この外力の大きさ及び方向に応じて皿状体９０の上
面と単結晶基板２とが一体的に変形し、単結晶基板２の
変形態様に応じて各検出素子の電気抵抗が変化する。し
たがって、上記検出素子の電気抵抗の変化を電圧変化と
して図１８に示すＦＰＣ９３を介して取出すようにすれ
ば、軸部９２に作用する外力の方向及びその大きさを検
出することができる。
と、この外力の大きさ及び方向に応じて皿状体９０の上
面と単結晶基板２とが一体的に変形し、単結晶基板２の
変形態様に応じて各検出素子の電気抵抗が変化する。し
たがって、上記検出素子の電気抵抗の変化を電圧変化と
して図１８に示すＦＰＣ９３を介して取出すようにすれ
ば、軸部９２に作用する外力の方向及びその大きさを検
出することができる。
【０００４】上記装置は、以下の〜に示すようにし
て製造されている。 図１４に示すようなコバール（住友特殊金属（株）の
製造材料）で構成された丸棒９０’を切削加工して図１
５や図１６に示した起歪体９を製作する。この際、ダイ
ヤフラム部９１の加工には精度が非常に要求される。 上記起歪体９を金メッキする。 図１７に示すように、単結晶基板２を皿状体９０の上
面中央部にダイボンディングする。 図１８に示すように、ＦＰＣ９３を起歪体９の上面側
に取付け、ワイヤーＷをボンディングする。 図１３に示すように、単結晶基板２の表面を覆うべく
保護材Ｈを塗布し、キュアを行った後、同図に示すよう
に、金属キャップＣを溶接すると装置は完成する。
て製造されている。 図１４に示すようなコバール（住友特殊金属（株）の
製造材料）で構成された丸棒９０’を切削加工して図１
５や図１６に示した起歪体９を製作する。この際、ダイ
ヤフラム部９１の加工には精度が非常に要求される。 上記起歪体９を金メッキする。 図１７に示すように、単結晶基板２を皿状体９０の上
面中央部にダイボンディングする。 図１８に示すように、ＦＰＣ９３を起歪体９の上面側
に取付け、ワイヤーＷをボンディングする。 図１３に示すように、単結晶基板２の表面を覆うべく
保護材Ｈを塗布し、キュアを行った後、同図に示すよう
に、金属キャップＣを溶接すると装置は完成する。
【０００５】しかしながら、上記力・モーメント検出装
置は、高コストであり、量産性に欠けるという問題があ
る。
置は、高コストであり、量産性に欠けるという問題があ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】そこで、この発明で
は、低コストであり且つ量産性に優れた力・モーメント
検出装置を提供することを課題とする。
は、低コストであり且つ量産性に優れた力・モーメント
検出装置を提供することを課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この請求項１記載の発明
の力・モーメント検出装置の製造方法は、単結晶基板が
張設される基板取付部とこれを取囲むべく配列された多
数のリードとこれら相互を繋ぐ接続部を有するリードフ
レームを、前記単結晶基板の熱膨張率に近い熱膨張率を
有する金属板により製作する工程と、機械的変化により
電気抵抗が変化する検出素子を有した単結晶基板を上記
基板取付部に張設する工程と、前記検出素子とリード相
互間を適正にワイヤーボンディングする工程と、基板取
付部及びリードの内方部分を包囲すべく樹脂をモールデ
ィングする工程と、前記モールディングの工程後にリー
ドフレームの接続部を分離する工程とを具備するものと
している。
の力・モーメント検出装置の製造方法は、単結晶基板が
張設される基板取付部とこれを取囲むべく配列された多
数のリードとこれら相互を繋ぐ接続部を有するリードフ
レームを、前記単結晶基板の熱膨張率に近い熱膨張率を
有する金属板により製作する工程と、機械的変化により
電気抵抗が変化する検出素子を有した単結晶基板を上記
基板取付部に張設する工程と、前記検出素子とリード相
互間を適正にワイヤーボンディングする工程と、基板取
付部及びリードの内方部分を包囲すべく樹脂をモールデ
ィングする工程と、前記モールディングの工程後にリー
ドフレームの接続部を分離する工程とを具備するものと
している。
【０００８】又、請求項２記載の発明の力・モーメント
検出装置の製造方法は、単結晶基板が張設される複数の
基板取付部とこれらをそれぞれ取囲むべく配列された多
数のリードとこれら相互を繋ぐ接続部から成るリードフ
レームを、前記単結晶基板の熱膨張率に近い熱膨張率を
有する金属板により製作する工程と、機械的変化により
電気抵抗が変化する検出素子を有した単結晶基板を上記
した各基板取付部に張設する工程と、前記検出素子とリ
ード相互間を適正にワイヤーボンディングする工程と、
各基板取付部及びリードの内方部分を包囲すべく樹脂を
同時にモールディングする工程と、前記モールディング
の工程後にリードフレームの全接続部を分離する工程と
を具備するものとしている。
検出装置の製造方法は、単結晶基板が張設される複数の
基板取付部とこれらをそれぞれ取囲むべく配列された多
数のリードとこれら相互を繋ぐ接続部から成るリードフ
レームを、前記単結晶基板の熱膨張率に近い熱膨張率を
有する金属板により製作する工程と、機械的変化により
電気抵抗が変化する検出素子を有した単結晶基板を上記
した各基板取付部に張設する工程と、前記検出素子とリ
ード相互間を適正にワイヤーボンディングする工程と、
各基板取付部及びリードの内方部分を包囲すべく樹脂を
同時にモールディングする工程と、前記モールディング
の工程後にリードフレームの全接続部を分離する工程と
を具備するものとしている。
【０００９】
【作用】この発明は次の作用を有する。 （請求項１記載の発明の作用）単結晶基板の熱膨張率に
近い熱膨張率を有する金属板がそのまま基板取付部とな
るから、従来の技術に記載したもののように非常に精度
が要求されるダイヤフラム部１１の切削加工が不要とな
り、又、リードフレームのリードがそのまま端子となる
からＦＰＣが不要となり、その結果、コストダウンでき
ると共に量産性が優れたものとなる。 （請求項２記載の発明の作用）上記請求項１記載の発明
の作用を有すると共に、この発明では、樹脂モールドに
より同時にボディとなる部分を複数個形成できるから、
更に、コストダウン化及び量産性の向上が図れる。
近い熱膨張率を有する金属板がそのまま基板取付部とな
るから、従来の技術に記載したもののように非常に精度
が要求されるダイヤフラム部１１の切削加工が不要とな
り、又、リードフレームのリードがそのまま端子となる
からＦＰＣが不要となり、その結果、コストダウンでき
ると共に量産性が優れたものとなる。 （請求項２記載の発明の作用）上記請求項１記載の発明
の作用を有すると共に、この発明では、樹脂モールドに
より同時にボディとなる部分を複数個形成できるから、
更に、コストダウン化及び量産性の向上が図れる。
【００１０】
【実施例】以下、この発明の構成を実施例として示した
図面に従って説明する。この実施例の力・モーメント検
出装置では、起歪体１を、図１〜図３に示すように、裏
面中央部を凹ませて薄肉部１１を形成した皿状部１０
と、前記薄肉部１１の裏面側中央に立設された軸部１２
と、前記皿状部１０における表面中央部に設けられ且つ
単結晶基板２の熱膨張率に近い熱膨張率を有する金属板
により構成された基板取付部３０とから構成してあり、
前記基板取付部３０上に検出素子を具備させた単結晶基
板２をダイボンディングすると共に、上記皿状部１０に
おける基板取付部３０の外方部分に多数のリード３２を
配置させ、前記単結晶基板２に具備させた検出素子とリ
ード３２とを適正にワイヤーＷをボンディングしてい
る。そして、図１に示すように、単結晶基板２をこれの
回りに小空間Ｋを形成させるようにしてキャップ４で被
蓋してある。
図面に従って説明する。この実施例の力・モーメント検
出装置では、起歪体１を、図１〜図３に示すように、裏
面中央部を凹ませて薄肉部１１を形成した皿状部１０
と、前記薄肉部１１の裏面側中央に立設された軸部１２
と、前記皿状部１０における表面中央部に設けられ且つ
単結晶基板２の熱膨張率に近い熱膨張率を有する金属板
により構成された基板取付部３０とから構成してあり、
前記基板取付部３０上に検出素子を具備させた単結晶基
板２をダイボンディングすると共に、上記皿状部１０に
おける基板取付部３０の外方部分に多数のリード３２を
配置させ、前記単結晶基板２に具備させた検出素子とリ
ード３２とを適正にワイヤーＷをボンディングしてい
る。そして、図１に示すように、単結晶基板２をこれの
回りに小空間Ｋを形成させるようにしてキャップ４で被
蓋してある。
【００１１】起歪体１のうち、単結晶基板２を除いた部
分である皿状部１０と軸部１２とは合成樹脂で一体的に
成型してある。基板取付部３０及びリード３２は、コバ
ールや４２アロイ等が使用されている。キャップ４は、
上記した起歪体１を構成する合成樹脂と同様の合成樹脂
で構成されている。
分である皿状部１０と軸部１２とは合成樹脂で一体的に
成型してある。基板取付部３０及びリード３２は、コバ
ールや４２アロイ等が使用されている。キャップ４は、
上記した起歪体１を構成する合成樹脂と同様の合成樹脂
で構成されている。
【００１２】この実施例の検出装置は上記の如く構成さ
れており、以下に示す工程により製作できる。第１工程 先ず、単結晶基板２の熱膨張率に近い熱膨張率を有する
金属板（コバール，４２アロイ等）から、図４に示すよ
うな、単結晶基板２が張設される複数の基板取付部３０
とこれらをそれぞれ取囲むべく配列された多数のリード
３１とこれら相互を繋ぐ接続部３２から成るリードフレ
ーム３を製作する。第２工程 次ぎに、図５や図６に示すように、機械的変化により電
気抵抗が変化する検出素子を有した単結晶基板２を上記
した各基板取付部３０に張設し、前記検出素子とリード
３１相互間を適正にワイヤーＷをボンディングする。第３工程 続いて、図７に示すように、表面保護材５を塗布し、キ
ャップ４となる上部側を合成樹脂でモールディングす
る。第４工程 そして、図８に示すように、皿状部１０と軸部１２とな
る下部側を樹脂でモールディングする。
れており、以下に示す工程により製作できる。第１工程 先ず、単結晶基板２の熱膨張率に近い熱膨張率を有する
金属板（コバール，４２アロイ等）から、図４に示すよ
うな、単結晶基板２が張設される複数の基板取付部３０
とこれらをそれぞれ取囲むべく配列された多数のリード
３１とこれら相互を繋ぐ接続部３２から成るリードフレ
ーム３を製作する。第２工程 次ぎに、図５や図６に示すように、機械的変化により電
気抵抗が変化する検出素子を有した単結晶基板２を上記
した各基板取付部３０に張設し、前記検出素子とリード
３１相互間を適正にワイヤーＷをボンディングする。第３工程 続いて、図７に示すように、表面保護材５を塗布し、キ
ャップ４となる上部側を合成樹脂でモールディングす
る。第４工程 そして、図８に示すように、皿状部１０と軸部１２とな
る下部側を樹脂でモールディングする。
【００１３】尚、この工程におけるモールディングは第
３工程のそれと同時に行うようにしてもよい。第５工程 その後、図９に示すように、リードフレーム３から接続
部３２を分離（二点鎖線ｎを切断）し、リード３１をフ
ォーミングすると、力・モーメント検出装置は完成す
る。
３工程のそれと同時に行うようにしてもよい。第５工程 その後、図９に示すように、リードフレーム３から接続
部３２を分離（二点鎖線ｎを切断）し、リード３１をフ
ォーミングすると、力・モーメント検出装置は完成す
る。
【００１４】尚、上記実施例にかえて、図１０に示すよ
うに、基板取付部３０の下面中央に金属棒８０を溶接
し、この金属棒８０を軸部１２内に位置させたものとす
ることができる。又、上記実施例にかえて、図１１に示
すように、小空間Ｋ内にシリコンゲル，シリコンオイル
を充填したものとすることもできる。
うに、基板取付部３０の下面中央に金属棒８０を溶接
し、この金属棒８０を軸部１２内に位置させたものとす
ることができる。又、上記実施例にかえて、図１１に示
すように、小空間Ｋ内にシリコンゲル，シリコンオイル
を充填したものとすることもできる。
【００１５】更に、上記実施例にかえて、軸部１２全体
を金属で構成させ、図１２に示すように基板取付部３０
の下面中央に溶接したものとすることもできる。そし
て、上記実施例ではＤＩＰタイプの計上の工程を説明し
たが、用途に応じてＰＬＣＣ，ＳＭＤ等の計上に仕上げ
ることも可能である。
を金属で構成させ、図１２に示すように基板取付部３０
の下面中央に溶接したものとすることもできる。そし
て、上記実施例ではＤＩＰタイプの計上の工程を説明し
たが、用途に応じてＰＬＣＣ，ＳＭＤ等の計上に仕上げ
ることも可能である。
【００１６】
【発明の効果】この発明は、上述の如くの構成を有する
ものであるから、次の効果を有する。作用に記載した内
容から、低コストであり且つ量産性に優れた力・モーメ
ント検出装置を提供できた。
ものであるから、次の効果を有する。作用に記載した内
容から、低コストであり且つ量産性に優れた力・モーメ
ント検出装置を提供できた。
【図１】この発明の実施例の力・モーメント検出装置の
断面図。
断面図。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図。
【図３】前記力・モーメント検出装置の側面図。
【図４】前記力・モーメント検出装置の製作に使用され
るリードフレームの平面図。
るリードフレームの平面図。
【図５】前記リードフレームの基板取付部の上面に単結
晶基板をボンディングすると共に前記単結晶基板とリー
ド相互間をワイヤーボンディングした状態を示す平面
図。
晶基板をボンディングすると共に前記単結晶基板とリー
ド相互間をワイヤーボンディングした状態を示す平面
図。
【図６】前記リードフレームの基板取付部の上面に単結
晶基板をダイボンディングした状態を示す側面図。
晶基板をダイボンディングした状態を示す側面図。
【図７】前記単結晶基板等に表面保護材を塗布し、キャ
ップとなる上部側を樹脂でモールディングした状態を示
す断面図。
ップとなる上部側を樹脂でモールディングした状態を示
す断面図。
【図８】前記リードフレームに皿状部と軸部となる下部
側を樹脂でモールディングした状態を示す断面図。
側を樹脂でモールディングした状態を示す断面図。
【図９】前記リードフレームにおける接続部の切離し位
置を示す図。
置を示す図。
【図１０】他の形態を示す第１番目の力・モーメント検
出装置の断面図。
出装置の断面図。
【図１１】他の形態を示す第２番目の力・モーメント検
出装置の断面図。
出装置の断面図。
【図１２】他の形態を示す第３番目の力・モーメント検
出装置の断面図。
出装置の断面図。
【図１３】従来の力・モーメント検出装置の断面図。
【図１４】従来の起歪体を形成するための素材を示す
図。
図。
【図１５】従来の起歪体の外観斜視図。
【図１６】従来の起歪体の断面図。
【図１７】従来の起歪体に単結晶基板をダイボンディン
グした状態を示す断面図。
グした状態を示す断面図。
【図１８】従来の力・モーメント検出装置におけるＦＰ
Ｃ、ワイヤー、単結晶基板を示した斜視図。
Ｃ、ワイヤー、単結晶基板を示した斜視図。
Ｗ ワイヤー ２ 単結晶基板 ３ リードフレーム ３０ 基板取付部 ３１ リード ３２ 接続部
Claims (2)
- 【請求項１】 単結晶基板が張設される基板取付部とこ
れを取囲むべく配列された多数のリードとこれら相互を
繋ぐ接続部を有するリードフレームを、前記単結晶基板
の熱膨張率に近い熱膨張率を有する金属板により製作す
る工程と、機械的変化により電気抵抗が変化する検出素
子を有した単結晶基板を上記基板取付部に張設する工程
と、前記検出素子とリード相互間を適正にワイヤーボン
ディングする工程と、基板取付部及びリードの内方部分
を包囲すべく樹脂をモールディングする工程と、前記モ
ールディングの工程後にリードフレームの接続部を分離
する工程とを具備する力・モーメント検出装置の製造方
法。 - 【請求項２】 単結晶基板が張設される複数の基板取付
部とこれらをそれぞれ取囲むべく配列された多数のリー
ドとこれら相互を繋ぐ接続部から成るリードフレーム
を、前記単結晶基板の熱膨張率に近い熱膨張率を有する
金属板により製作する工程と、機械的変化により電気抵
抗が変化する検出素子を有した単結晶基板を上記した各
基板取付部に張設する工程と、前記検出素子とリード相
互間を適正にワイヤーボンディングする工程と、各基板
取付部及びリードの内方部分を包囲すべく樹脂を同時に
モールディングする工程と、前記モールディングの工程
後にリードフレームの全接続部を分離する工程とを具備
する力・モーメント検出装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00401393A JP3265488B2 (ja) | 1993-01-13 | 1993-01-13 | 力・モーメント検出装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00401393A JP3265488B2 (ja) | 1993-01-13 | 1993-01-13 | 力・モーメント検出装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06213733A true JPH06213733A (ja) | 1994-08-05 |
| JP3265488B2 JP3265488B2 (ja) | 2002-03-11 |
Family
ID=11573092
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00401393A Expired - Fee Related JP3265488B2 (ja) | 1993-01-13 | 1993-01-13 | 力・モーメント検出装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3265488B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013019895A (ja) * | 2011-07-12 | 2013-01-31 | Sensata Technologies Inc | 力センサアッセンブリおよび力センサアッセンブリの組立方法 |
-
1993
- 1993-01-13 JP JP00401393A patent/JP3265488B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013019895A (ja) * | 2011-07-12 | 2013-01-31 | Sensata Technologies Inc | 力センサアッセンブリおよび力センサアッセンブリの組立方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3265488B2 (ja) | 2002-03-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5394751A (en) | Method of producing semiconductor pressure sensor | |
| KR100730906B1 (ko) | 리드 프레임 장치와 그 제조 방법 | |
| JPH04258176A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPH08193897A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| US4282498A (en) | Circuit package | |
| JPH0582977B2 (ja) | ||
| JPH06213733A (ja) | 力・モーメント検出装置の製造方法 | |
| JPH038113B2 (ja) | ||
| US20030080405A1 (en) | Semiconductor device and method for producing the same | |
| JP2634249B2 (ja) | 半導体集積回路モジュール | |
| JP2788011B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH07280832A (ja) | 加速度検出装置 | |
| JPH07249729A (ja) | 電子装置 | |
| JP2000162076A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPH0727785A (ja) | 加速度センサー | |
| JPH06216396A (ja) | 加速度センサ | |
| KR0155441B1 (ko) | 지지바를 이용한 다이패드구조로 이루어지는 반도체패키지 | |
| JPH04312980A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JP2726523B2 (ja) | リードフレーム及びそれを用いた半導体装置 | |
| JPH02222569A (ja) | リードフレーム，半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH02246143A (ja) | リードフレーム | |
| JPS6197842A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05322918A (ja) | 半導体加速度検出装置並びに加速度検出梁の製造方法 | |
| JPH0797647B2 (ja) | 半導体圧力センサの製造方法 | |
| JPH04180255A (ja) | 固体撮像素子のサーディップ型パッケージ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090111 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100111 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110111 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |