JPS62293625A - 半導体チツプのボンデイング構造 - Google Patents
半導体チツプのボンデイング構造Info
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- JPS62293625A JPS62293625A JP13660886A JP13660886A JPS62293625A JP S62293625 A JPS62293625 A JP S62293625A JP 13660886 A JP13660886 A JP 13660886A JP 13660886 A JP13660886 A JP 13660886A JP S62293625 A JPS62293625 A JP S62293625A
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- JP
- Japan
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- semiconductor chip
- chip
- bonding
- supporting board
- bonding materials
- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
(産業上の利用分野)
本発明は、レーザチップやLEDチップなどの半導体の
能動素子チップをサブマウントやステム等の支持台上に
ボンディングする構造に関する。
能動素子チップをサブマウントやステム等の支持台上に
ボンディングする構造に関する。
(従来の技術)
従来、例えば200μ〜300μ角のレーザチップをサ
ブマウントもしくはステム上にボンディングする場合、
チップ面積とほぼ同じ、ししくはそれより少し大きい面
積にわたって塗布したボンディング材を介して全面的に
貼着するのが一般となっている。ボンディング材として
は、通常AuとSnの合金が使用される。
ブマウントもしくはステム上にボンディングする場合、
チップ面積とほぼ同じ、ししくはそれより少し大きい面
積にわたって塗布したボンディング材を介して全面的に
貼着するのが一般となっている。ボンディング材として
は、通常AuとSnの合金が使用される。
(発明が解決しようとする問題点)
上記従来のホンディング構造においては、ボンディング
材が凝固するときに、ボンディング材の収縮に伴ってレ
ーザチップに応力集中が発生し、これに伴ってチップが
歪んで、ダークスポット、すなわち、局部的な輝度低下
が発生しやすくなった。
材が凝固するときに、ボンディング材の収縮に伴ってレ
ーザチップに応力集中が発生し、これに伴ってチップが
歪んで、ダークスポット、すなわち、局部的な輝度低下
が発生しやすくなった。
また、レーザ発振に伴う発熱と冷却の繰り返しによって
、ボンディング材とチップとの熱膨張係数の差異が原因
で、チップに応力集中が働いて同様なトラブルに発展す
ることもあった。
、ボンディング材とチップとの熱膨張係数の差異が原因
で、チップに応力集中が働いて同様なトラブルに発展す
ることもあった。
従来、このような場合、レーザチップを駆動する電力量
を増大することにより、その欠陥を補償するようにして
いたが、それは更にレーザチップの発熱を増すことにな
り、レーザの寿命低下の一因となっていた。
を増大することにより、その欠陥を補償するようにして
いたが、それは更にレーザチップの発熱を増すことにな
り、レーザの寿命低下の一因となっていた。
本発明は、ボンディング構造の改良によって、応力集中
に伴なう歪発生を抑制することを目的とする。
に伴なう歪発生を抑制することを目的とする。
(問題点を解決するための手段)
上記目的を達成するために、本発明においては、サブマ
ウントもしくはステム等の支持台上に点在させたボンデ
ィング材を介して半導体チップを前記支持台に貼イ」け
た構造とした。
ウントもしくはステム等の支持台上に点在させたボンデ
ィング材を介して半導体チップを前記支持台に貼イ」け
た構造とした。
(作用)
上記構造によると、ボンディング材が凝固するとき、点
在する各ボンディング材の収縮に伴ってチップに応力が
かかるが、この応力は小さく、かつ、チップ全体に亙っ
て均一に働くことになる。
在する各ボンディング材の収縮に伴ってチップに応力が
かかるが、この応力は小さく、かつ、チップ全体に亙っ
て均一に働くことになる。
また、チップの作動に伴って発熱し、冷却する場合も、
熱応力は各ボンディング部分に分散されることになる。
熱応力は各ボンディング部分に分散されることになる。
(実施例)
第1図および第2図において、1は200μ〜300μ
角の半導体チップ(例えばレーザチップ)であり、この
半導体チップlは、サブマウントもしくはステム等の支
持台2の表面にボンディング材3を介して貼付けられる
。
角の半導体チップ(例えばレーザチップ)であり、この
半導体チップlは、サブマウントもしくはステム等の支
持台2の表面にボンディング材3を介して貼付けられる
。
このボンディング材3は、マスクもしくはスクリーン印
刷によって支持台2上に点在状に配備されている。ボン
ディング材3としては、AuとSnの合金が使用される
。
刷によって支持台2上に点在状に配備されている。ボン
ディング材3としては、AuとSnの合金が使用される
。
(効果)
以上のように、本発明によれば、ボンディング材の凝固
時における収縮に伴う応力、およびチップ作動時の熱膨
張・収縮に伴う応力を点在された各ボンディング部分に
分散させて、チップ自体の歪発生を抑制することが可能
となり、輝度低下などの機能低下を回避することができ
るようになった。
時における収縮に伴う応力、およびチップ作動時の熱膨
張・収縮に伴う応力を点在された各ボンディング部分に
分散させて、チップ自体の歪発生を抑制することが可能
となり、輝度低下などの機能低下を回避することができ
るようになった。
第1図は本発明に係る半導体チップのボンディング構造
を示す正面図、第2図は分解斜視図である。 l・・・半導体チップ、2・・・支持台、3・・・ボン
ディング材。
を示す正面図、第2図は分解斜視図である。 l・・・半導体チップ、2・・・支持台、3・・・ボン
ディング材。
Claims (2)
- (1)サブマウントもしくはステム等の支持台上に点在
させたボンディング材を介して半導体チップを前記支持
台に貼付けてある半導体チップのボンディング構造。 - (2)半導体チップがレーザチップである特許請求の範
囲第1項に記載の半導体チップのボンディング構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13660886A JPS62293625A (ja) | 1986-06-12 | 1986-06-12 | 半導体チツプのボンデイング構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13660886A JPS62293625A (ja) | 1986-06-12 | 1986-06-12 | 半導体チツプのボンデイング構造 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62293625A true JPS62293625A (ja) | 1987-12-21 |
Family
ID=15179275
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13660886A Pending JPS62293625A (ja) | 1986-06-12 | 1986-06-12 | 半導体チツプのボンデイング構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62293625A (ja) |
-
1986
- 1986-06-12 JP JP13660886A patent/JPS62293625A/ja active Pending
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