JPH04171949A - 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置Info
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- JPH04171949A JPH04171949A JP2300885A JP30088590A JPH04171949A JP H04171949 A JPH04171949 A JP H04171949A JP 2300885 A JP2300885 A JP 2300885A JP 30088590 A JP30088590 A JP 30088590A JP H04171949 A JPH04171949 A JP H04171949A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野1
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
[従来の技術]
従来、半導体装置の製造方法に関しては、特開昭61−
97143号公報に記載され、第2図に示されるような
方法が知られていた。第2図において、6の半導体素子
の能動面上に形成された電極4上に形成された金属突起
3は、それに相対する・ように1の基板上に形成された
配線パターン2との間に、電気的接続を発現させる時に
、lOの加圧用治具によって加圧を行い、絶縁樹脂5を
金属突起3と配線パターン2との間から排除し、絶縁樹
脂5の硬化メカニズムに従った方法のエネルギーを加え
、半導体素子と基板の電気的接続を保ったまま、機械的
にもこれらを保持させる。
97143号公報に記載され、第2図に示されるような
方法が知られていた。第2図において、6の半導体素子
の能動面上に形成された電極4上に形成された金属突起
3は、それに相対する・ように1の基板上に形成された
配線パターン2との間に、電気的接続を発現させる時に
、lOの加圧用治具によって加圧を行い、絶縁樹脂5を
金属突起3と配線パターン2との間から排除し、絶縁樹
脂5の硬化メカニズムに従った方法のエネルギーを加え
、半導体素子と基板の電気的接続を保ったまま、機械的
にもこれらを保持させる。
[発明が解決しようとする課題]
しかし、従来の方法では一つの半導体素子の接続を完了
させるために、一つの加圧用治具を用いるため、複数個
の半導体素子を接続するために、複数個の加圧用治具を
同時に用いるか、1個づつ複数回の加圧操作によって接
続を行わねばならず、接続用装置の構造が複雑になった
り、半導体装置の生産効率が低下するという問題点を有
していた。
させるために、一つの加圧用治具を用いるため、複数個
の半導体素子を接続するために、複数個の加圧用治具を
同時に用いるか、1個づつ複数回の加圧操作によって接
続を行わねばならず、接続用装置の構造が複雑になった
り、半導体装置の生産効率が低下するという問題点を有
していた。
そこで1本発明の半導体装置の製造方法では、複数の半
導体素子と基板の接続を行う時でも、簡略な接続装置で
、かつ半導体装置の生産効率が低下しないような製造方
法を提供することを目的とする。
導体素子と基板の接続を行う時でも、簡略な接続装置で
、かつ半導体装置の生産効率が低下しないような製造方
法を提供することを目的とする。
(課題を解決するための手段]
上記課題を解決するため、本発明の半導体装置の製造方
法では、半導体素子と前記半導体素子能動素子形成面上
に形成された電極と、絶縁基板と前記絶縁基板上に前記
電極と一部分が相対するように形成された配線パターン
とが導電性物質によって前記電極と導電性を有するよう
に、前記半導体素子の能動素子形成面と前記絶縁基板上
の前記配線パターンとが相対して載置される構造が、同
一の前記絶縁基板上に複数存在する半導体装置が、複数
の前記半導体素子と、前記絶縁基板を加圧して前記電極
と前記配線パターンとの導電性を発現させる際に、少く
とも2つの前記半導体素子を加圧することを特徴とする
。
法では、半導体素子と前記半導体素子能動素子形成面上
に形成された電極と、絶縁基板と前記絶縁基板上に前記
電極と一部分が相対するように形成された配線パターン
とが導電性物質によって前記電極と導電性を有するよう
に、前記半導体素子の能動素子形成面と前記絶縁基板上
の前記配線パターンとが相対して載置される構造が、同
一の前記絶縁基板上に複数存在する半導体装置が、複数
の前記半導体素子と、前記絶縁基板を加圧して前記電極
と前記配線パターンとの導電性を発現させる際に、少く
とも2つの前記半導体素子を加圧することを特徴とする
。
[作 用]
本発明では、半導体素子と基板とを加圧する際に、複数
個、同時に加圧する方法としたので、1個づつ半導体素
子と基板を加圧する方法と比較して、同し個数の半導体
素子を加圧する時間が短くて済み、生産性が向上する。
個、同時に加圧する方法としたので、1個づつ半導体素
子と基板を加圧する方法と比較して、同し個数の半導体
素子を加圧する時間が短くて済み、生産性が向上する。
[実 施 例]
以下に、本発明の実施例を図を用いて、詳細に説明する
。
。
第1図は、本発明による半導体装置の製造方法を示した
断面図である6第1図において、lは基板であり、少く
とも表面が絶縁物で形成されており、ガラス、セラミク
ス、ホウロウ、ガラスエポキシ等であることが多い、そ
の上に、2の配線パターンが形成されている。配線パタ
ーンは、金。
断面図である6第1図において、lは基板であり、少く
とも表面が絶縁物で形成されており、ガラス、セラミク
ス、ホウロウ、ガラスエポキシ等であることが多い、そ
の上に、2の配線パターンが形成されている。配線パタ
ーンは、金。
銀、クロム、ニッケル等の金属か、ITO等の金1&:
#化物を蒸着、スパッタ、メツキ等で形成し。
#化物を蒸着、スパッタ、メツキ等で形成し。
フォト−エツチング工程で目的のパターンにパターニン
グされることが多い、6は半導体素子であり、能動面は
基板側と対向して載置されている。
グされることが多い、6は半導体素子であり、能動面は
基板側と対向して載置されている。
半導体素子6の能動素子形成面上には、Ti−Pd、C
r等で蒸着、スパッタ等の方法を用いて電極4が形成さ
れ、その上にAu、ハンダ等の金属突起3が電気メツキ
、リフロー等で形成されている。1の基板上に形成され
ている配線パターン2は、3の金属突起に1部が相対す
るように形成されており、3の金属突起により、半導体
素子6上の電極4と、基板1上の配線パターン2とは電
気的な接続が得られている。5は絶縁樹脂であって、加
熱あるいは光等の外部エネルギーによって硬化あるいは
接着力を発現するメカニズムを持っており、半導体素子
6上の金属突起3と基板1上の配線パターン2を半導体
素子6の上から8の一括圧普治具で加圧することによっ
て、間に存在する絶縁樹脂5を押しのけ、電気的な導通
がはがられた時に、前述の外部エネルギーを加え、絶縁
樹脂5を硬化又は接着させることで、電気的接続と1機
械的接続を同時に保持させ続ける。この時、第1図中に
示すように、複数個の半導体素子を、同時に、8の一括
圧看用治具を用いて加圧を行う、こうすることで、同時
に複数個の半導体素子の導通、接続保持をはかるのであ
る。さらに、半導体素子6の厚さのバラツキ、3の金属
突起のバラツキ、基板lや、−括圧看治具8の平坦度の
バラツキを吸収するために、半導体素子6と、−抽圧着
用治具8の間にテフロンシート7を載置しても良い、テ
フロンシートに限らず、ポリイミドのシート、シリコン
ゴムシートでもかまわない。
r等で蒸着、スパッタ等の方法を用いて電極4が形成さ
れ、その上にAu、ハンダ等の金属突起3が電気メツキ
、リフロー等で形成されている。1の基板上に形成され
ている配線パターン2は、3の金属突起に1部が相対す
るように形成されており、3の金属突起により、半導体
素子6上の電極4と、基板1上の配線パターン2とは電
気的な接続が得られている。5は絶縁樹脂であって、加
熱あるいは光等の外部エネルギーによって硬化あるいは
接着力を発現するメカニズムを持っており、半導体素子
6上の金属突起3と基板1上の配線パターン2を半導体
素子6の上から8の一括圧普治具で加圧することによっ
て、間に存在する絶縁樹脂5を押しのけ、電気的な導通
がはがられた時に、前述の外部エネルギーを加え、絶縁
樹脂5を硬化又は接着させることで、電気的接続と1機
械的接続を同時に保持させ続ける。この時、第1図中に
示すように、複数個の半導体素子を、同時に、8の一括
圧看用治具を用いて加圧を行う、こうすることで、同時
に複数個の半導体素子の導通、接続保持をはかるのであ
る。さらに、半導体素子6の厚さのバラツキ、3の金属
突起のバラツキ、基板lや、−括圧看治具8の平坦度の
バラツキを吸収するために、半導体素子6と、−抽圧着
用治具8の間にテフロンシート7を載置しても良い、テ
フロンシートに限らず、ポリイミドのシート、シリコン
ゴムシートでもかまわない。
−抽圧着用治具は、平坦性にすぐれるように、ステンレ
ス、CBN、SiN等の金属や、セラミクスで形成され
ることが多い、5の絶縁樹脂の硬化又は接着に熱エネル
ギーを要する場合等は、−抽圧着用治具の中にヒーター
のような発熱源を入れ、治具を加圧と同時に加熱用とし
て用いても良い、前述の接着によって電気的・機械的保
持を行う方式でなく、例えば、金属突起がハンダ等で形
成され、配線パターンがニッケル等で形成され、金属共
晶で電気的・機械的保持を行う場合でも、手順は前述と
同様の方式でかまわない。また、絶縁樹脂5中に、導電
性を有する物質を存在させ、さらに接続信顛性を向上さ
せる場合や、導電性を有する物質を金属突起のかわりに
存在させる場合も手順は同様である。
ス、CBN、SiN等の金属や、セラミクスで形成され
ることが多い、5の絶縁樹脂の硬化又は接着に熱エネル
ギーを要する場合等は、−抽圧着用治具の中にヒーター
のような発熱源を入れ、治具を加圧と同時に加熱用とし
て用いても良い、前述の接着によって電気的・機械的保
持を行う方式でなく、例えば、金属突起がハンダ等で形
成され、配線パターンがニッケル等で形成され、金属共
晶で電気的・機械的保持を行う場合でも、手順は前述と
同様の方式でかまわない。また、絶縁樹脂5中に、導電
性を有する物質を存在させ、さらに接続信顛性を向上さ
せる場合や、導電性を有する物質を金属突起のかわりに
存在させる場合も手順は同様である。
また、−抽圧着用治具を取付ける装置は、従来の加圧用
治具を複数取付けて生産効率を上げる必要が無いため、
簡略化された構造で済ますこともできる。
治具を複数取付けて生産効率を上げる必要が無いため、
簡略化された構造で済ますこともできる。
[発明の効果]
以上、説明したように、本発明の半導体装置の製造方法
では、複数個の半導体素子を基板に同時に加圧する方法
としたので、加圧に要する製造装置が簡略化されるため
、製造装置に対する投資が少くて済み、また、装置の保
守も簡略化されるという効果を有する。さらに、複数個
の半導体素子の接続を完了するのが少い回数の加圧で済
むので、特に半導体素子の個数が多い半導体装置では、
生産効率が著しく向上するという効果をも有する。
では、複数個の半導体素子を基板に同時に加圧する方法
としたので、加圧に要する製造装置が簡略化されるため
、製造装置に対する投資が少くて済み、また、装置の保
守も簡略化されるという効果を有する。さらに、複数個
の半導体素子の接続を完了するのが少い回数の加圧で済
むので、特に半導体素子の個数が多い半導体装置では、
生産効率が著しく向上するという効果をも有する。
第1図は、本発明による半導体装置の製造方法を示す断
面図であり、第2図は従来の半導体装置の製造方法を示
す断面図である。 l・・・・・基板 2・・・・・配線パターン 3・・・・・金属突起 4・・・・・電極 5・・・・・絶縁樹脂 6・・・・・半導体素子 7・・・・・テフロンシート 8・・・・・−括圧看用治具 10・・・・・加圧用治具 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴 木 喜三部(他1名)加圧方向 第2図 10、加圧用治具 6、半導体素子 5、絶縁樹脂 4、電極 3、金属突起 2、配線パターン 1、基板
面図であり、第2図は従来の半導体装置の製造方法を示
す断面図である。 l・・・・・基板 2・・・・・配線パターン 3・・・・・金属突起 4・・・・・電極 5・・・・・絶縁樹脂 6・・・・・半導体素子 7・・・・・テフロンシート 8・・・・・−括圧看用治具 10・・・・・加圧用治具 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴 木 喜三部(他1名)加圧方向 第2図 10、加圧用治具 6、半導体素子 5、絶縁樹脂 4、電極 3、金属突起 2、配線パターン 1、基板
Claims (1)
- 半導体素子と前記半導体素子能動素子形成面上に形成
された電極と、絶縁基板と前記絶縁基板上に前記電極と
一部分が相対するように形成された配線パターンとが導
電性物質によって前記電極と導電性を有するように、前
記半導体素子の能動素子形成面と前記絶縁基板上の前記
配線パターンとが相対して載置される構造が、同一の前
記絶縁基板上に複数存在する半導体装置が、複数の前記
半導体素子と、前記絶縁基板を加圧して前記電極と前記
配線パターンとに導電性を発現させる際に、少くとも2
つの前記半導体素子を加圧することを特徴とする半導体
素子の製造方法。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
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