JPH04168422A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH04168422A JPH04168422A JP29626390A JP29626390A JPH04168422A JP H04168422 A JPH04168422 A JP H04168422A JP 29626390 A JP29626390 A JP 29626390A JP 29626390 A JP29626390 A JP 29626390A JP H04168422 A JPH04168422 A JP H04168422A
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Classifications
-
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- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
- C09K19/52—Liquid crystal materials characterised by components which are not liquid crystals, e.g. additives with special physical aspect: solvents, solid particles
- C09K19/54—Additives having no specific mesophase characterised by their chemical composition
- C09K19/542—Macromolecular compounds
- C09K19/544—Macromolecular compounds as dispersing or encapsulating medium around the liquid crystal
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本発明は、液晶表示装置に関する。
(ロ)従来の技術
従来、電気光学効果を利用しf二表示素子としてネマテ
ィック液晶を用いたTN型や、STN型のものが実用化
されている。まに強誘電性液晶を用い1こものも提案さ
れている。これらは偏光板を要するものであり、また配
向処理を必要とするものである。一方、偏光板を要さず
液晶の散乱を利用したものとして、動的散乱(DS)効
果および相転移(PC)効果がある。近年、偏光板を要
さずしかも配向処理を不要とするものとして液晶の散乱
を利用し1こ高分子物質中に液晶か分散した表示素子が
提案されている。
ィック液晶を用いたTN型や、STN型のものが実用化
されている。まに強誘電性液晶を用い1こものも提案さ
れている。これらは偏光板を要するものであり、また配
向処理を必要とするものである。一方、偏光板を要さず
液晶の散乱を利用したものとして、動的散乱(DS)効
果および相転移(PC)効果がある。近年、偏光板を要
さずしかも配向処理を不要とするものとして液晶の散乱
を利用し1こ高分子物質中に液晶か分散した表示素子が
提案されている。
例えば、特表昭58−501631号公報には、ポリビ
ニルアルコール水溶液中に正の誘電率異方性を有するネ
マティック液晶を混合して液晶が懸濁したエマルジョン
をつくり、これを透明電極を有する基板に塗布し、水分
を蒸発させPVA膜中に正の誘電率異方性を有する液晶
を分散した膜を作製し1こ後、これに透明電極を有する
基板を貼り合わせて液晶表示素子にした提案がなされて
いる。
ニルアルコール水溶液中に正の誘電率異方性を有するネ
マティック液晶を混合して液晶が懸濁したエマルジョン
をつくり、これを透明電極を有する基板に塗布し、水分
を蒸発させPVA膜中に正の誘電率異方性を有する液晶
を分散した膜を作製し1こ後、これに透明電極を有する
基板を貼り合わせて液晶表示素子にした提案がなされて
いる。
ま1:特表昭61−502128号公報には、エボキノ
樹脂、硬化剤及び液晶を混合して溶解し、これを−対の
透明電極を有する基板により挟持し1こ後、加熱してエ
ポキノ樹脂を硬化させ、エポキノ樹脂中に正の誘電率異
方性を有する液晶を分散させfこ液晶表示素子が提案さ
れている。
樹脂、硬化剤及び液晶を混合して溶解し、これを−対の
透明電極を有する基板により挟持し1こ後、加熱してエ
ポキノ樹脂を硬化させ、エポキノ樹脂中に正の誘電率異
方性を有する液晶を分散させfこ液晶表示素子が提案さ
れている。
分散剤としては、上記以外にはアクリル系、ウレタン系
等の一般的な高分子物質を用いた液晶表示素子も提案さ
れている。
等の一般的な高分子物質を用いた液晶表示素子も提案さ
れている。
(ハ)発明が解決しようとする課題
従来の代表的なボリヒニルアルコール、エボキノ系、ア
クリル系、ウレタン系等の透明な高分子物質中に正の誘
電率異方性を有する液晶を分散させた素子は、スタティ
ック駆動が可能でコントラストの良好な表示特性が得ら
れる理想的な等価回路(第4図)で表わされるものでな
く、第6図に示すように、コンデンサCLCの役目をす
る液晶層6には外部からの混入、あるいは液晶化合物の
分解等による導電性不純物に起因する大きい抵抗成分子
(等価的に抵抗RLCの役目をする)が存在する。この
ために液晶層6に充電された電圧Vつは第7図に示すよ
うに液晶層を通して放電し、時間と共に減衰することに
なり、液晶層に加わる実効値電圧は低下することになる
。液晶は電圧に対して累積応答効果を示す1こめに、表
示特性は液晶に印加され1こ実効値電圧に依存し、実効
値電圧か小さくなる種表示コントラストは低下すること
になる。そこで液晶層に印加される実効値電圧の低下の
程度を評価するためのパラメーターとして、■D電圧の
実効値と液晶層の抵抗成分が無限に高いと想定した場合
に於けるvl)’!圧の実効値の比を保持率として定義
する。
クリル系、ウレタン系等の透明な高分子物質中に正の誘
電率異方性を有する液晶を分散させた素子は、スタティ
ック駆動が可能でコントラストの良好な表示特性が得ら
れる理想的な等価回路(第4図)で表わされるものでな
く、第6図に示すように、コンデンサCLCの役目をす
る液晶層6には外部からの混入、あるいは液晶化合物の
分解等による導電性不純物に起因する大きい抵抗成分子
(等価的に抵抗RLCの役目をする)が存在する。この
ために液晶層6に充電された電圧Vつは第7図に示すよ
うに液晶層を通して放電し、時間と共に減衰することに
なり、液晶層に加わる実効値電圧は低下することになる
。液晶は電圧に対して累積応答効果を示す1こめに、表
示特性は液晶に印加され1こ実効値電圧に依存し、実効
値電圧か小さくなる種表示コントラストは低下すること
になる。そこで液晶層に印加される実効値電圧の低下の
程度を評価するためのパラメーターとして、■D電圧の
実効値と液晶層の抵抗成分が無限に高いと想定した場合
に於けるvl)’!圧の実効値の比を保持率として定義
する。
上記従来の透明な高分子物質を用いた液晶素子は、第1
表に示すように、保持率か低く、表示コントラストが悪
くなるという問題点かあった。また第1表は素子を作製
した初期の保持率(室温25°C)であるが、時間が経
つにつれて、保持率かさらに低下するという問題点も確
認し1こ。
表に示すように、保持率か低く、表示コントラストが悪
くなるという問題点かあった。また第1表は素子を作製
した初期の保持率(室温25°C)であるが、時間が経
つにつれて、保持率かさらに低下するという問題点も確
認し1こ。
第1表
この発明は、上記問題を解決するためになされrこもの
であって、保持率が高く表示コントラストの良好な液晶
表示装置を提供しようとするものである。
であって、保持率が高く表示コントラストの良好な液晶
表示装置を提供しようとするものである。
(ニ)課題を解決するための手段
この発明によれば、信号電極及び走査電極の絶縁層を介
した各交点にスイッチンクトランジスタと表示絵素電極
が形成され1こ第一の基板と、少なくとも表示絵素電極
に対向する範囲に対向電極か形成され1こ第二の基板を
相対向するように配置し、該基板間に液晶層を配置し、
その液晶層が透明なフッソ系高分子物質中に正の誘電率
異方性を有する液晶を分散又は含浸してなることを特徴
とする液晶表示装置が提供される。
した各交点にスイッチンクトランジスタと表示絵素電極
が形成され1こ第一の基板と、少なくとも表示絵素電極
に対向する範囲に対向電極か形成され1こ第二の基板を
相対向するように配置し、該基板間に液晶層を配置し、
その液晶層が透明なフッソ系高分子物質中に正の誘電率
異方性を有する液晶を分散又は含浸してなることを特徴
とする液晶表示装置が提供される。
この発明においては、液晶層が透明なフッソ系高分子物
質中に正の誘電率異方性を有する液晶を分散してなる。
質中に正の誘電率異方性を有する液晶を分散してなる。
上記透明なフッソ系高分子物質は、分極性か小さくイオ
ン発生か少ないと共に化学的にも不活性て誘電特性に優
れ1こものがよく、例えばフッ化ビニリデン−テトラフ
ルオロエチレン共重合物、フッ化ヒニリデンークロロト
リフルオロエチレン共重合物、フッ化ヒニリデノーテト
ラフルオロエチレンーヘキサフルオロプロピレン共重合
物、フッ化ビニリデン−ヘキサフルオロプロピレン共重
合物、ポリトリフルオロエチレン、ポリテトラフルオロ
エチレン、ポリフルオロアルキルメタクリレート、テト
ラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合
物、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルコキン
エチレン共重合物等を用いることかできる。
ン発生か少ないと共に化学的にも不活性て誘電特性に優
れ1こものがよく、例えばフッ化ビニリデン−テトラフ
ルオロエチレン共重合物、フッ化ヒニリデンークロロト
リフルオロエチレン共重合物、フッ化ヒニリデノーテト
ラフルオロエチレンーヘキサフルオロプロピレン共重合
物、フッ化ビニリデン−ヘキサフルオロプロピレン共重
合物、ポリトリフルオロエチレン、ポリテトラフルオロ
エチレン、ポリフルオロアルキルメタクリレート、テト
ラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合
物、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルコキン
エチレン共重合物等を用いることかできる。
上記正の誘電率異方性を有する液晶は、公知の液晶を用
いることかでき、例えばZLI−3219(メルり社製
)、E7、E8 (BDH社製)、GR−63(チッソ
社製)等を挙げることができる。
いることかでき、例えばZLI−3219(メルり社製
)、E7、E8 (BDH社製)、GR−63(チッソ
社製)等を挙げることができる。
上記透明なフッソ系高分子物質中へ、の正の誘電率異方
性を有する液晶の分散は、例えば次の方法を用いて行う
ことができる。
性を有する液晶の分散は、例えば次の方法を用いて行う
ことができる。
第1は、正の誘電率異方性を有する液晶とフッソ系重合
性組成物とからなる均一な混合溶液を第一、第二の基板
間に満たした後、フッソ系重合性組成物を重合させ硬化
させることで液晶を透明なフッソ系高分子物質中に分散
する方法である。
性組成物とからなる均一な混合溶液を第一、第二の基板
間に満たした後、フッソ系重合性組成物を重合させ硬化
させることで液晶を透明なフッソ系高分子物質中に分散
する方法である。
フッソ系の重合性組成物としては、例えば、テトラフル
オロエチレン、ヘキサフルオロプロピレンからなる組成
物等を用いることができる。第一、第二の基板は公知の
方法によって作製することができる。
オロエチレン、ヘキサフルオロプロピレンからなる組成
物等を用いることができる。第一、第二の基板は公知の
方法によって作製することができる。
第2は、あらかじめ第−及び第二の基板間に透明なフッ
ソ系の高分子物質よりなる多孔体を形成し、多孔体中に
正の誘電率異方性を有する液晶を含浸させる方法である
。フッソ系の高分子物質よりなる多孔体の形成は、公知
の方法によって行うことができる。
ソ系の高分子物質よりなる多孔体を形成し、多孔体中に
正の誘電率異方性を有する液晶を含浸させる方法である
。フッソ系の高分子物質よりなる多孔体の形成は、公知
の方法によって行うことができる。
第3は、フッソ系高分子物質、正の誘電率異方性を有す
る液晶及び溶媒とを混合して塗布液を作製し、この塗布
液を第−及び/又は第二の基板に塗布し、溶媒を揮発に
よって除去して液晶を透明な高分子物質中に分散する方
法である。
る液晶及び溶媒とを混合して塗布液を作製し、この塗布
液を第−及び/又は第二の基板に塗布し、溶媒を揮発に
よって除去して液晶を透明な高分子物質中に分散する方
法である。
この発明においては、信号電極及び走査電極の絶縁膜を
介した各交点にスイッチングトランジスタと表示絵素電
極が形成された第一の基板と、少なくとも表示絵素電極
に対向する範囲に対向電極が形成された第二の基板を相
対向するように配置し、これらの基板間に正の誘電率異
方性を有する液晶か透明なフッソ系高分子物質中に分散
又は含浸した上記液晶層を配置してアクティブマトリク
ス型液晶表示装置を構成することができる。
介した各交点にスイッチングトランジスタと表示絵素電
極が形成された第一の基板と、少なくとも表示絵素電極
に対向する範囲に対向電極が形成された第二の基板を相
対向するように配置し、これらの基板間に正の誘電率異
方性を有する液晶か透明なフッソ系高分子物質中に分散
又は含浸した上記液晶層を配置してアクティブマトリク
ス型液晶表示装置を構成することができる。
(ホ)作用
透明なフッソ系高分子物質が、液晶層の電圧保持率を高
くし、液晶層に充電された電圧の放電量を低減する。こ
れにより良好な表示特性を有し、信頼性の観点からも優
れた液晶表示装置が実現できる。
くし、液晶層に充電された電圧の放電量を低減する。こ
れにより良好な表示特性を有し、信頼性の観点からも優
れた液晶表示装置が実現できる。
(へ)実施例
以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。
尚、これによって本発明か限定されるものではない。
実施例1
液晶層用塗布液の作製
フッ化ビニリデン−テトラフルオロエチレン共重合体4
0部、正の誘電率異方性を有する液晶ZL1−3219
(メルク社製)60部及び溶媒のテトラヒドロフラン
150部を混合し均一に溶解して液晶層用塗布液を作製
する。
0部、正の誘電率異方性を有する液晶ZL1−3219
(メルク社製)60部及び溶媒のテトラヒドロフラン
150部を混合し均一に溶解して液晶層用塗布液を作製
する。
液晶層の形成
第1図(a)及び(b)に示すように、複屈折性のない
ガラスからなる透明絶縁基板4の上にITOによって形
成された信号電極1、走査電極2などのパスラインのほ
かに絵素電極3とこれに対応付けられたスイッチングト
ランジスタ1oをマトリクス状に配列して形成してアク
ティブマトリクス駆動方式の表示電極基板(第一の基板
)7を構成する。上記スイッチングトランジスタ10と
しては、a−Si薄膜トランジスタ(TPT)を形成す
る。
ガラスからなる透明絶縁基板4の上にITOによって形
成された信号電極1、走査電極2などのパスラインのほ
かに絵素電極3とこれに対応付けられたスイッチングト
ランジスタ1oをマトリクス状に配列して形成してアク
ティブマトリクス駆動方式の表示電極基板(第一の基板
)7を構成する。上記スイッチングトランジスタ10と
しては、a−Si薄膜トランジスタ(TPT)を形成す
る。
この上に、上記液晶層用塗布液を塗布し加熱乾燥して正
の誘電率異方性を有する液晶がフッ化ビニリデン−テト
ラフルオロエチレン共重合体中に分散した液晶層を形成
する。
の誘電率異方性を有する液晶がフッ化ビニリデン−テト
ラフルオロエチレン共重合体中に分散した液晶層を形成
する。
液晶表示装置の作製
第1図(a)及び(b)に示すように、上記液晶層が形
成された第一の基板上に、同じくガラスからなる透明絶
縁基板4°上にITOによって形成された対向電極5を
有する第二の基板を配置する。
成された第一の基板上に、同じくガラスからなる透明絶
縁基板4°上にITOによって形成された対向電極5を
有する第二の基板を配置する。
この後、エボキノ樹脂からなるシール6によって液晶層
を封止して液晶表示装置を作製する。
を封止して液晶表示装置を作製する。
液晶表示装置の作動
−つの表示絵素に着目した場合には、その等価回路及び
駆動電圧波形は第4図、及び第5図(a)から(c)に
示すようになる。同図において、走査電極2に印加され
た走査信号vc、によりトランジスタlOがON状態に
なると信号電極Vsか液晶層6(等価的にコンデンサC
LCの役目をする)に充電され、再びトランジスタ10
がON状態になるまでの時間保持されることになる。こ
の結果、液晶層6にはVoの電圧が加わることになり、
スタティック駆動と同様の良好な表示特性が得られる。
駆動電圧波形は第4図、及び第5図(a)から(c)に
示すようになる。同図において、走査電極2に印加され
た走査信号vc、によりトランジスタlOがON状態に
なると信号電極Vsか液晶層6(等価的にコンデンサC
LCの役目をする)に充電され、再びトランジスタ10
がON状態になるまでの時間保持されることになる。こ
の結果、液晶層6にはVoの電圧が加わることになり、
スタティック駆動と同様の良好な表示特性が得られる。
保持率の測定
この液晶表示装置を用いて第3図に示す保持率測定装置
により保持率の値を測定した。この測定装置は、電極間
に電圧を印加するためのスイッチングトランジスタ(F
ET)と駆動回路、さらに液晶層に蓄えられた電荷の放
電を測定するための回路により構成されている。この液
晶セルの保持率(室温25℃)は、98.0%であった
。また、上記以外のフッソ系高分子としてフッ化ビニリ
デン−クロロトリフルオロエチレン共重合物、フッ化ビ
ニリデン−テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプ
ロピレン共重合物、フッ化ビニリデン−へキサフルオロ
プロピレン共重合物についても同様に98%以上の高い
値を示した。
により保持率の値を測定した。この測定装置は、電極間
に電圧を印加するためのスイッチングトランジスタ(F
ET)と駆動回路、さらに液晶層に蓄えられた電荷の放
電を測定するための回路により構成されている。この液
晶セルの保持率(室温25℃)は、98.0%であった
。また、上記以外のフッソ系高分子としてフッ化ビニリ
デン−クロロトリフルオロエチレン共重合物、フッ化ビ
ニリデン−テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプ
ロピレン共重合物、フッ化ビニリデン−へキサフルオロ
プロピレン共重合物についても同様に98%以上の高い
値を示した。
比較例1
実施例Iにおいて、フッ化ビニリデン−テトラフルオロ
エチレン共重合体40部、液晶ZLI−321960部
及びテトラヒドロフラン150部を混合して液晶層用塗
布液を作製する代わりに、ポリビニルアルコール8部を
蒸留水80部に完全に溶解させた水溶液に、液晶ZLI
−3219を12部添加し、ブレンダーミルに上り混合
撹拌して液晶をポリビニルアルコール水溶液中に分散さ
せた乳白色の液晶層用塗布液を作製し、この他は実施例
1と同様にして液晶表示装置を作製した。
エチレン共重合体40部、液晶ZLI−321960部
及びテトラヒドロフラン150部を混合して液晶層用塗
布液を作製する代わりに、ポリビニルアルコール8部を
蒸留水80部に完全に溶解させた水溶液に、液晶ZLI
−3219を12部添加し、ブレンダーミルに上り混合
撹拌して液晶をポリビニルアルコール水溶液中に分散さ
せた乳白色の液晶層用塗布液を作製し、この他は実施例
1と同様にして液晶表示装置を作製した。
この液晶表示装置の保持率は、60,0%であった。
同様にエポキン系、アクリル系、ウレタン系についても
保持率の評価を行っ1こ。それらの結果については前記
第1表に示した通りであった。
保持率の評価を行っ1こ。それらの結果については前記
第1表に示した通りであった。
実施例2
第2図は実施例1で作製した液晶表示装置を用いたプロ
ジェクション装置の構成を示す。第2図において画像表
示は、液晶表示装置IIに投射用光源12による光を熱
線カットフィルター13とコンデンサーレンズ14によ
り介した平行光を入射し、液晶表示装置11を通過した
光はレンズ15により集光し、絞り16を介して投射レ
ンズ17によりスクリーン18上に画像を投影して行っ
た。
ジェクション装置の構成を示す。第2図において画像表
示は、液晶表示装置IIに投射用光源12による光を熱
線カットフィルター13とコンデンサーレンズ14によ
り介した平行光を入射し、液晶表示装置11を通過した
光はレンズ15により集光し、絞り16を介して投射レ
ンズ17によりスクリーン18上に画像を投影して行っ
た。
以上のようにして、作製されたスイッチングトランジス
タを付加した液晶表示装置を用いたプロジェクション装
置は、高コントラスト(50:、1以上)で表示品位の
高いものであった。また50℃、500時間の通電エー
ジング試験後でも、表示ムラ等なく高コントラストで表
示品位の高いものであった。一方、分散媒体として比較
例1のポリビニルアルコールを用いた場合には、表示品
位が十分ではなく、50℃、500時間の通電エージン
グ試験後には、コントラストの低下と共に表示ムラ等が
発生した。
タを付加した液晶表示装置を用いたプロジェクション装
置は、高コントラスト(50:、1以上)で表示品位の
高いものであった。また50℃、500時間の通電エー
ジング試験後でも、表示ムラ等なく高コントラストで表
示品位の高いものであった。一方、分散媒体として比較
例1のポリビニルアルコールを用いた場合には、表示品
位が十分ではなく、50℃、500時間の通電エージン
グ試験後には、コントラストの低下と共に表示ムラ等が
発生した。
さらに、透明なフッソ系高分子物質がスポンジ状等の多
孔体であり、これに液晶を含浸させた場合について、ス
イッチングトランジスタを付加した液晶表示素子を用い
たプロジェクション装置でも、同様に高コントラストで
表示品位が高く、50℃、500時間の通電エージング
試験後でも表示ムラ等な(、高コントラストで表示品位
の高いものであった。
孔体であり、これに液晶を含浸させた場合について、ス
イッチングトランジスタを付加した液晶表示素子を用い
たプロジェクション装置でも、同様に高コントラストで
表示品位が高く、50℃、500時間の通電エージング
試験後でも表示ムラ等な(、高コントラストで表示品位
の高いものであった。
(ト)発明の効果
以上のように本発明に従えば、λ−9iTFTやp 5
iTFT等のスイッチングトランジスタを付加した液晶
表示装置に、正の誘電率異方性を有する液晶を分極性か
小さく、化学的に不活性で安定なフッソ系の高分子物質
中に分散させた液晶層を用いることにより、保持率の高
い、したがって表示品位に優れ、高信頼性を有する液晶
表示装置を掛供できる。
iTFT等のスイッチングトランジスタを付加した液晶
表示装置に、正の誘電率異方性を有する液晶を分極性か
小さく、化学的に不活性で安定なフッソ系の高分子物質
中に分散させた液晶層を用いることにより、保持率の高
い、したがって表示品位に優れ、高信頼性を有する液晶
表示装置を掛供できる。
第1図(a)、(b)は本発明の実施例で作製したマト
リクス型液晶表示装置の説明図、第2図は同じく液晶表
示装置を用いたプロジェクション装置の説明図、第3図
は液晶の保持率を測定するシステムの説明図、第4図は
1つの絵素の理想等価回路の説明図、第5図は第4図の
駆動電圧波形の説明図、第6図は1つの絵素の現実の等
価回路の説明図、第7図は第6図の駆動電圧波形の説明
図である。 1・・・・・・信号電極、2・・・・・・走査電極、3
・・・・・・絵素電極、 4・・・・・・透明絶縁基板(ガラス基板)、4°・・
・・・・透明絶縁基板(ガラス基板)、5・・・対向電
極、6・・・・・・液晶層、7・・・・・表示用電極基
板(第一の基板)、8・・・対向電極基板(第二の基板
)、9・・・・ソール、 IO・・・・スイッチングトランジスタ、II・・・・
液晶表示装置、12・・・・・・光源、13・・・・・
熱線カットフィルター、14・・・・・・コンデンサー
レンズ、15・・・・・・レンズ、16・・・・・・絞
り、17・・・・投射レンズ、I8・・・・・・スクリ
ーン。 +、二=i−=ト□ 笥1!I!I(cl) $1 !(b)
i*2m 第3図 哨4WI 斡 51!F
リクス型液晶表示装置の説明図、第2図は同じく液晶表
示装置を用いたプロジェクション装置の説明図、第3図
は液晶の保持率を測定するシステムの説明図、第4図は
1つの絵素の理想等価回路の説明図、第5図は第4図の
駆動電圧波形の説明図、第6図は1つの絵素の現実の等
価回路の説明図、第7図は第6図の駆動電圧波形の説明
図である。 1・・・・・・信号電極、2・・・・・・走査電極、3
・・・・・・絵素電極、 4・・・・・・透明絶縁基板(ガラス基板)、4°・・
・・・・透明絶縁基板(ガラス基板)、5・・・対向電
極、6・・・・・・液晶層、7・・・・・表示用電極基
板(第一の基板)、8・・・対向電極基板(第二の基板
)、9・・・・ソール、 IO・・・・スイッチングトランジスタ、II・・・・
液晶表示装置、12・・・・・・光源、13・・・・・
熱線カットフィルター、14・・・・・・コンデンサー
レンズ、15・・・・・・レンズ、16・・・・・・絞
り、17・・・・投射レンズ、I8・・・・・・スクリ
ーン。 +、二=i−=ト□ 笥1!I!I(cl) $1 !(b)
i*2m 第3図 哨4WI 斡 51!F
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、信号電極及び走査電極の絶縁層を介した各交点にス
イッチングトランジスタと表示絵素電極が形成された第
一の基板と、少なくとも表示絵素電極に対向する範囲に
対向電極が形成された第二の基板を相対向するように配
置し、該基板間に液晶層を配置し、その液晶層が透明な
フッソ系高分子物質中に正の誘電率異方性を有する液晶
を分散又は含浸してなることを特徴とする液晶表示装置
。 2、前記液晶層が、正の誘電率異方性を有する液晶とフ
ッソ系重合性組成物とからなる均一な混合溶液を第一、
第二の基板間に満たした後、フッソ系の重合性組成物を
重合させ硬化させることで液晶を透明なフッソ系高分子
物質中に分散させて形成されている請求項1記載の液晶
表示装置。 3、前記液晶層が、あらかじめ、第一、第二の基板間に
透明なフッソ系の高分子物質よりなる多孔体を形成し、
多孔体中に正の誘電率異方性を有する液晶を含浸させて
形成されている請求項1項記載の液晶表示装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29626390A JPH04168422A (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | 液晶表示装置 |
TW80108305A TW224520B (ja) | 1990-10-31 | 1991-10-22 | |
KR1019910018990A KR100255288B1 (ko) | 1990-10-31 | 1991-10-28 | 액정 표시 장치 |
EP19910310091 EP0484163B1 (en) | 1990-10-31 | 1991-10-31 | Liquid crystal display device |
DE69109446T DE69109446T2 (de) | 1990-10-31 | 1991-10-31 | Flüssigkristallanzeigevorrichtung. |
US08/065,545 US5477352A (en) | 1990-10-31 | 1993-05-20 | Liquid crystal display device with liquid crystal dispersed or impregnated in a perfluoro-type polymer of perfluoroalkyl acrylate or methacrylate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29626390A JPH04168422A (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04168422A true JPH04168422A (ja) | 1992-06-16 |
Family
ID=17831308
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29626390A Pending JPH04168422A (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | 液晶表示装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0484163B1 (ja) |
JP (1) | JPH04168422A (ja) |
KR (1) | KR100255288B1 (ja) |
DE (1) | DE69109446T2 (ja) |
TW (1) | TW224520B (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06202086A (ja) * | 1992-09-28 | 1994-07-22 | Nec Corp | 高分子分散型液晶光学素子 |
JP2002329583A (ja) * | 2001-05-02 | 2002-11-15 | Sony Corp | 有機電界発光表示装置 |
JP2006161034A (ja) * | 2004-11-09 | 2006-06-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶組成物及び液晶電気光学装置 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB9211731D0 (en) * | 1992-06-03 | 1992-07-15 | Merck Patent Gmbh | Electrooptical liquid crystal system |
DE69310442T2 (de) * | 1992-06-10 | 1997-11-06 | Merck Patent Gmbh | Flüssigkristallverbundschicht vom Dispersions-typ, deren Herstellungsverfahren sowie in ihr zu verwendendes Flüssigkristallmaterial |
JP2933805B2 (ja) * | 1992-09-30 | 1999-08-16 | シャープ株式会社 | 高分子分散型液晶複合膜および液晶表示素子並びにその製造方法 |
JPH0637825U (ja) * | 1992-10-26 | 1994-05-20 | ジャパンゴアテックス株式会社 | シート状液晶 |
FR2699690B1 (fr) * | 1992-12-22 | 1995-01-27 | Thomson Csf | Projecteur d'images mobiles à faible champ. |
US5681624A (en) * | 1993-02-25 | 1997-10-28 | Japan Gore-Tex, Inc. | Liquid crystal polymer film and a method for manufacturing the same |
US6027771A (en) * | 1993-02-25 | 2000-02-22 | Moriya; Akira | Liquid crystal polymer film and a method for manufacturing the same |
DE69411415T2 (de) * | 1993-02-25 | 1999-02-11 | Japan Gore Tex Inc | Kunststofffilm aus Flüssigkristall und Verfahren zu seiner Herstellung |
JPH0815676A (ja) * | 1994-06-30 | 1996-01-19 | Japan Gore Tex Inc | 光学液晶用部材 |
Citations (3)
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JPH0273220A (ja) * | 1988-09-09 | 1990-03-13 | Ube Ind Ltd | 液晶表示装置 |
JPH02264215A (ja) * | 1989-04-05 | 1990-10-29 | Dainippon Ink & Chem Inc | 液晶デバイス |
Family Cites Families (5)
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JP2550627B2 (ja) * | 1986-12-23 | 1996-11-06 | 旭硝子株式会社 | 液晶光学素子 |
DE3752026T2 (de) * | 1986-12-23 | 1997-06-26 | Asahi Glass Co Ltd | Optische Flüssigkristall-Vorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung. |
US4963402A (en) * | 1987-08-21 | 1990-10-16 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Films containing liquid crystalline polymers |
US5150232A (en) * | 1988-10-04 | 1992-09-22 | Asahi Glass Company Ltd. | Active matrix liquid crystal display element and projection type active matrix liquid crystal display device |
-
1990
- 1990-10-31 JP JP29626390A patent/JPH04168422A/ja active Pending
-
1991
- 1991-10-22 TW TW80108305A patent/TW224520B/zh not_active IP Right Cessation
- 1991-10-28 KR KR1019910018990A patent/KR100255288B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1991-10-31 EP EP19910310091 patent/EP0484163B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-10-31 DE DE69109446T patent/DE69109446T2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2006161034A (ja) * | 2004-11-09 | 2006-06-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶組成物及び液晶電気光学装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0484163A2 (en) | 1992-05-06 |
TW224520B (ja) | 1994-06-01 |
EP0484163B1 (en) | 1995-05-03 |
EP0484163A3 (en) | 1992-09-02 |
DE69109446T2 (de) | 1996-01-25 |
KR100255288B1 (ko) | 2000-05-01 |
DE69109446D1 (de) | 1995-06-08 |
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