JPH0416781A - 半導体装置の試験装置 - Google Patents
半導体装置の試験装置Info
- Publication number
- JPH0416781A JPH0416781A JP2122465A JP12246590A JPH0416781A JP H0416781 A JPH0416781 A JP H0416781A JP 2122465 A JP2122465 A JP 2122465A JP 12246590 A JP12246590 A JP 12246590A JP H0416781 A JPH0416781 A JP H0416781A
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- Japan
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- semiconductor device
- pressing force
- pressure sensor
- pressure
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置の電気的特性を試験するための
試験装置に関するものである。
試験装置に関するものである。
第３図は例えば、特開昭６３−２２９３８２号公報に示
された従来の半導体装置の試験装置を示す概略図である
。
された従来の半導体装置の試験装置を示す概略図である
。
図において、（１）は電気的特性か試験される半導体装
置、（２）はこの半導体装置（１）を両端で支持する支
持台、（３）は上記半導体（１）の中央上方に配され、
圧力の強さをモニターすることか可能な圧力印加手段で
あり、所定の圧力を上記半導体装置＋１）の中央部に加
える。
置、（２）はこの半導体装置（１）を両端で支持する支
持台、（３）は上記半導体（１）の中央上方に配され、
圧力の強さをモニターすることか可能な圧力印加手段で
あり、所定の圧力を上記半導体装置＋１）の中央部に加
える。
次に、動作について説明する。第３図において、まず試
験される半導体装置（１１を支持台（２）上に載置する
。
験される半導体装置（１１を支持台（２）上に載置する
。
次に、圧力印加手段（３）にて所定圧力を半導体装置＋
１）に加え、その状態で計測器（図示せず）等で電気的
特性、例えば配線抵抗、電流等を測定し、さらには断線
の有無や、電流を何度も人、切してスイッチング状態を
調へる。
１）に加え、その状態で計測器（図示せず）等で電気的
特性、例えば配線抵抗、電流等を測定し、さらには断線
の有無や、電流を何度も人、切してスイッチング状態を
調へる。
ところで、半導体装置は金属配線の寸法の微細化に伴っ
て、集積回路の動作時に生しる熱などによる応力の影響
が大きくなり、金属配線とこれの近くに位置する他の膜
の熱膨張の相違によって応力か発生しやすくなる。
て、集積回路の動作時に生しる熱などによる応力の影響
が大きくなり、金属配線とこれの近くに位置する他の膜
の熱膨張の相違によって応力か発生しやすくなる。
このような応力による電気的特性の変動を評価するため
に以上の様な試験を行なうものである。
に以上の様な試験を行なうものである。
従来の半導体装置の試験装置は以上の様に構成されてお
り、押圧による歪み量に対応した電気的特性を得るため
には、押圧力を変えなければならず、その都度調整部（
図示せず）で調整することになり、作業効率か低いとい
う問題点かあった。
り、押圧による歪み量に対応した電気的特性を得るため
には、押圧力を変えなければならず、その都度調整部（
図示せず）で調整することになり、作業効率か低いとい
う問題点かあった。
この発明はミ上記の様な問題点を解消するためになされ
たもので、半導体装置を押圧する押圧力を、予め設定さ
れた値に従って自動的に変えて行き、且つ、それに応し
た電気的特性を自動的に計測できる半導体装置の試験装
置を得ることを目的とする。
たもので、半導体装置を押圧する押圧力を、予め設定さ
れた値に従って自動的に変えて行き、且つ、それに応し
た電気的特性を自動的に計測できる半導体装置の試験装
置を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体装置の試験装置は、半導体装置面
上に圧力センサーを設け、この圧力センサーを押圧する
押圧駆動部と、電気信号によって自動的に上記押圧力を
可変制御しつる圧力制御手段、及び計測手段とを設けた
ものである。
上に圧力センサーを設け、この圧力センサーを押圧する
押圧駆動部と、電気信号によって自動的に上記押圧力を
可変制御しつる圧力制御手段、及び計測手段とを設けた
ものである。
（作 用〕
この発明における半導体装置の試験装置は、半導体装置
面上に設けられた圧力センサーが押圧駆動部により押圧
されると共に、圧力制御手段により圧力センサーからの
電気信号を介して上記押圧力か自動的に可変制御される
と共に、押圧力に対応した電気的特性値か自動的に計測
される。
面上に設けられた圧力センサーが押圧駆動部により押圧
されると共に、圧力制御手段により圧力センサーからの
電気信号を介して上記押圧力か自動的に可変制御される
と共に、押圧力に対応した電気的特性値か自動的に計測
される。
以下、この発明の一実施例を第１図及び第２図について
説明する。
説明する。
図において、（１）は従来例と略同様の構成に付説明を
省略する。（２）及び（３）は半導体装置（１）の両側
面の端子（１ａ）に、電気的に接続される接続穴（２ａ
）及び（３ａ）を夫々有する一対のソケット、（４）は
このソケット（２）及び（３）の中間に配され、半導体
装置（１）の下面を両端の２点で支持する０字状の支持
台、（５）は上記支持台（４）と対向して、半導体装置
（１）の中央上方に配されると共に、圧力センサー（６
）を介して半導体装置（１）の中央上面を押圧する押圧
子、（７）はこの押圧子（６）の一端に接続され、これ
を上、下に駆動するエヤーシリンダ、（８）はこのエヤ
ーシリンダ（７）へ供給するエアー圧力を電気信号に応
して連続的に可変調整できる電−空レギュレータで、供
給口（８ａ）からエヤーか供給される。
省略する。（２）及び（３）は半導体装置（１）の両側
面の端子（１ａ）に、電気的に接続される接続穴（２ａ
）及び（３ａ）を夫々有する一対のソケット、（４）は
このソケット（２）及び（３）の中間に配され、半導体
装置（１）の下面を両端の２点で支持する０字状の支持
台、（５）は上記支持台（４）と対向して、半導体装置
（１）の中央上方に配されると共に、圧力センサー（６
）を介して半導体装置（１）の中央上面を押圧する押圧
子、（７）はこの押圧子（６）の一端に接続され、これ
を上、下に駆動するエヤーシリンダ、（８）はこのエヤ
ーシリンダ（７）へ供給するエアー圧力を電気信号に応
して連続的に可変調整できる電−空レギュレータで、供
給口（８ａ）からエヤーか供給される。
（９）は半導体装置（１）を押圧する押圧力を入力設定
し、かつそれに応したエアー圧力を、上記電−空レギュ
レータ（８）を介して、電気信号にて制御しうる制御部
で、圧力設定キーボード（図示せず）等を有している。
し、かつそれに応したエアー圧力を、上記電−空レギュ
レータ（８）を介して、電気信号にて制御しうる制御部
で、圧力設定キーボード（図示せず）等を有している。
ａｏは押圧時における半導体装置（１）の電気的特性値
を計測する計測部である。
を計測する計測部である。
上記の様に構成されたものにおいては、第１図及び第２
図において、まず、試験される半導体装置（１）をソケ
ット（２）及び（３）に挿入して、端子（１ａ）を接続
穴（２ａ）及び（３ａ）の端面に接触させる。
図において、まず、試験される半導体装置（１）をソケ
ット（２）及び（３）に挿入して、端子（１ａ）を接続
穴（２ａ）及び（３ａ）の端面に接触させる。
この時、半導体装置（１）は支持台（４）にて、端子（
ｌａ）に無理な力かかからない様に支持される。
ｌａ）に無理な力かかからない様に支持される。
次に、制御部（９）により、所定の押圧力を入力し、電
−空レギュレータ（８）を介してエアーシリンダー（７
）を駆動し、押圧力（５）にて半導体装置（１）の上面
を圧力センサー（６）と共に押圧する。
−空レギュレータ（８）を介してエアーシリンダー（７
）を駆動し、押圧力（５）にて半導体装置（１）の上面
を圧力センサー（６）と共に押圧する。
この時、半導体装置（１）は両端支持てその中央に荷重
かかけられた状態になり、曲げ応力と共に歪みか発生す
る。そして、この状態で計測器ＧＯ＋から電流かソケッ
ト（２）を介して端子（１ａ）へ、さらに半導体装置（
１）の集積回路を通ってソケット（３）へ流れて行き、
計測器ＱＯ）にて従来例に示す様な電気的特性試験か行
なわれ、半導体装置ｆ１＋の良否の判定が行なわれる。
かかけられた状態になり、曲げ応力と共に歪みか発生す
る。そして、この状態で計測器ＧＯ＋から電流かソケッ
ト（２）を介して端子（１ａ）へ、さらに半導体装置（
１）の集積回路を通ってソケット（３）へ流れて行き、
計測器ＱＯ）にて従来例に示す様な電気的特性試験か行
なわれ、半導体装置ｆ１＋の良否の判定が行なわれる。
尚、押圧力は色々な値を予め設定しておき、例えばＡ、
Ｂ、Ｃｋｇ・・・・・・等、そして、その設定値を制御
部（９）の圧力設定キーボードに入力する。まず初めは
、押圧力Ａｋｇから開始すると、それに応した電流が、
電−空レギュレータ（８）のコイル部に流れ、コイルの
駆動部に連結されたバルブが動作して、エアーシリンダ
（７）に供給されるエアー圧力か押圧力Ａｋｇに応した
値に設定される。次に、この押圧力Ａｋｇで半導体装置
（１）は押圧されると共に、この状態で自動的に計測器
α０）にて電気的特性試験が行なわれる。押圧力Ａ ｋ
ｇに対する特性試験か完了すると、自動的に押圧力かＢ
ｋｇに切替わり、同様にして上記動作を行ない、あと順
次Ｃ，Ｄ、Ｅ輸・・・・・・と設定押圧力に従って自動
的に電気的特性試験を行なうものである。
Ｂ、Ｃｋｇ・・・・・・等、そして、その設定値を制御
部（９）の圧力設定キーボードに入力する。まず初めは
、押圧力Ａｋｇから開始すると、それに応した電流が、
電−空レギュレータ（８）のコイル部に流れ、コイルの
駆動部に連結されたバルブが動作して、エアーシリンダ
（７）に供給されるエアー圧力か押圧力Ａｋｇに応した
値に設定される。次に、この押圧力Ａｋｇで半導体装置
（１）は押圧されると共に、この状態で自動的に計測器
α０）にて電気的特性試験が行なわれる。押圧力Ａ ｋ
ｇに対する特性試験か完了すると、自動的に押圧力かＢ
ｋｇに切替わり、同様にして上記動作を行ない、あと順
次Ｃ，Ｄ、Ｅ輸・・・・・・と設定押圧力に従って自動
的に電気的特性試験を行なうものである。
以上の様にして、半導体装置（１）を１個づつ試験する
訳であるか、その取付、取外しは勿論自動で行なう事も
可能である。
訳であるか、その取付、取外しは勿論自動で行なう事も
可能である。
上記実施例では、半導体装置（１）を押圧するのに、片
面を支持台（４）で受け、他面に押圧子（５）をエヤー
シリンダ（７）で押圧する方法について述べたか、ある
支点を中心としたクランプ方式として、半導体装置（１
）の上、下面を同時にクランプして押圧する構成のもの
でもよく、上記実施例と同様の効果を奏する。
面を支持台（４）で受け、他面に押圧子（５）をエヤー
シリンダ（７）で押圧する方法について述べたか、ある
支点を中心としたクランプ方式として、半導体装置（１
）の上、下面を同時にクランプして押圧する構成のもの
でもよく、上記実施例と同様の効果を奏する。
以上の様に、この発明によれば、半導体装置を押圧する
面に圧力センサーを設けると共に、電−空レギュレータ
ーを介して制御部にて押圧力を自動的に制御し、この押
圧力に応して電気的特性試験を自動的に行なえる様に構
成したので、半導体装置の特性試験作業の時間か短縮で
き、且つ精度の高い特性試験か行なえる効果かある。
面に圧力センサーを設けると共に、電−空レギュレータ
ーを介して制御部にて押圧力を自動的に制御し、この押
圧力に応して電気的特性試験を自動的に行なえる様に構
成したので、半導体装置の特性試験作業の時間か短縮で
き、且つ精度の高い特性試験か行なえる効果かある。
第１図及び第２図はこの発明の一実施例を説明するため
の概略正面図と側面図、第３図は従来例を説明するため
の概略図である。 図中、（１１は半導体装置、（２）及び（３）はソケッ
ト、（４）は支持台、（５）は押圧子、（６）は圧力セ
ンサー、（７）はエヤーシリンダ、（８）は電−空レギ
ュレータ、（９）は制御部、α０）は計測部である。 尚、図中、同一符号は相当部分を示す。
の概略正面図と側面図、第３図は従来例を説明するため
の概略図である。 図中、（１１は半導体装置、（２）及び（３）はソケッ
ト、（４）は支持台、（５）は押圧子、（６）は圧力セ
ンサー、（７）はエヤーシリンダ、（８）は電−空レギ
ュレータ、（９）は制御部、α０）は計測部である。 尚、図中、同一符号は相当部分を示す。
Claims (1)
- 半導体装置を押圧し、機械的外力を加えた状態で電気
的特性を試験する試験装置において、上記半導体装置の
上面もしくは下面に設けられた上記外力を検知する圧力
センサーと、この圧力センサーを押圧する押圧駆動部と
、この押圧駆動部を介して電気信号によって、自動的に
上記外力を可変し得る圧力制御手段と、上記外力に応じ
た上記電気的特性を自動的に計測し得る計測手段とを設
けたことを特徴とする半導体装置の試験装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2122465A JPH0416781A (ja) | 1990-05-11 | 1990-05-11 | 半導体装置の試験装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2122465A JPH0416781A (ja) | 1990-05-11 | 1990-05-11 | 半導体装置の試験装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0416781A true JPH0416781A (ja) | 1992-01-21 |
Family
ID=14836529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2122465A Pending JPH0416781A (ja) | 1990-05-11 | 1990-05-11 | 半導体装置の試験装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0416781A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002056347A2 (en) * | 2001-01-09 | 2002-07-18 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of testing of a semiconductor wafer by mechanical stressing of a die |
| KR20020070121A (ko) * | 2001-02-27 | 2002-09-05 | 안도덴키 가부시키가이샤 | 자동조작기 |
| CH695122A5 (fr) * | 2002-02-20 | 2005-12-15 | Ismeca Semiconductor Holding | Système d'actionnement de contacteur de composants électroniques comprenant un mécanisme de contrôle de la force de contact. |
| JP2007273580A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 半導体デバイス評価装置及び評価方法 |
-
1990
- 1990-05-11 JP JP2122465A patent/JPH0416781A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002056347A2 (en) * | 2001-01-09 | 2002-07-18 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of testing of a semiconductor wafer by mechanical stressing of a die |
| WO2002056347A3 (en) * | 2001-01-09 | 2002-10-10 | Advanced Micro Devices Inc | Method of testing of a semiconductor wafer by mechanical stressing of a die |
| KR20020070121A (ko) * | 2001-02-27 | 2002-09-05 | 안도덴키 가부시키가이샤 | 자동조작기 |
| CH695122A5 (fr) * | 2002-02-20 | 2005-12-15 | Ismeca Semiconductor Holding | Système d'actionnement de contacteur de composants électroniques comprenant un mécanisme de contrôle de la force de contact. |
| JP2007273580A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 半導体デバイス評価装置及び評価方法 |
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