JP2002208620A - ウェハバーンイン装置 - Google Patents
ウェハバーンイン装置Info
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- JP2002208620A JP2002208620A JP2001001850A JP2001001850A JP2002208620A JP 2002208620 A JP2002208620 A JP 2002208620A JP 2001001850 A JP2001001850 A JP 2001001850A JP 2001001850 A JP2001001850 A JP 2001001850A JP 2002208620 A JP2002208620 A JP 2002208620A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ウェハ状態で一括して接触する端子数が多くな
っても全端子数へ均等に加圧接触できる比較的低コスト
のウェハバーンイン装置を提供する。 【解決手段】コンタクター１３は、支持リング１４で狭
持されたポリイミド等フレキシブルな回路基材１５で構
成され、ウェハＷＦの全てのチップ領域におけるバーン
イン試験に利用される各電極に対応した接触端子１６が
配設されている。コンタクター１３はテスター本体１２
と接続され信号の授受を担う。コンタクター１３が装着
される圧空ユニット１７は、フレキシブルな回路基材１
５の裏面側に空気圧を与える機構を有し、この空気圧に
より、接触端子１６全てが一括してウェハＦＷ全てのチ
ップ領域におけるバーンイン試験に利用される各電極
（図示せず）に接続されるようになっている。
っても全端子数へ均等に加圧接触できる比較的低コスト
のウェハバーンイン装置を提供する。 【解決手段】コンタクター１３は、支持リング１４で狭
持されたポリイミド等フレキシブルな回路基材１５で構
成され、ウェハＷＦの全てのチップ領域におけるバーン
イン試験に利用される各電極に対応した接触端子１６が
配設されている。コンタクター１３はテスター本体１２
と接続され信号の授受を担う。コンタクター１３が装着
される圧空ユニット１７は、フレキシブルな回路基材１
５の裏面側に空気圧を与える機構を有し、この空気圧に
より、接触端子１６全てが一括してウェハＦＷ全てのチ
ップ領域におけるバーンイン試験に利用される各電極
（図示せず）に接続されるようになっている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、バーンインスクリ
ーニングのための装置であり、特に半導体ウェハ上の複
数のチップ領域内における集積回路をウェハ状態で一括
して検査するウェハバーンイン装置に関する。
ーニングのための装置であり、特に半導体ウェハ上の複
数のチップ領域内における集積回路をウェハ状態で一括
して検査するウェハバーンイン装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】バーンインは、半導体集積回路デバイス
の初期故障、短寿命品などを除去するための一手法であ
る。通常、半導体製品のスクリーニング工程として、半
導体集積回路デバイスを温度及び電圧ストレスを印加
し、ストレスを加速した状況下に置く。これにより、初
期不良品を除去する。
の初期故障、短寿命品などを除去するための一手法であ
る。通常、半導体製品のスクリーニング工程として、半
導体集積回路デバイスを温度及び電圧ストレスを印加
し、ストレスを加速した状況下に置く。これにより、初
期不良品を除去する。
【０００３】近年、試験時間の短縮化、ベアチップ状態
での評価が望まれていることから、バーンインはウェハ
状態で実施する傾向にある。ウェハ状態でのバーンイン
は、半導体装置におけるウェハ工程の全プロセスが終了
し、全ての電極（パッド）部分の保護膜が開口されてい
る状態で実施される。すなわち、ウェハ上全てのパッド
のうち、選択的に電気的ストレス印加が必要なパッドの
みを選択しプロービングによる電気的接触を実施する。
での評価が望まれていることから、バーンインはウェハ
状態で実施する傾向にある。ウェハ状態でのバーンイン
は、半導体装置におけるウェハ工程の全プロセスが終了
し、全ての電極（パッド）部分の保護膜が開口されてい
る状態で実施される。すなわち、ウェハ上全てのパッド
のうち、選択的に電気的ストレス印加が必要なパッドの
みを選択しプロービングによる電気的接触を実施する。
【０００４】プロービングに伴うコンタクター側の導電
部材（ニードル、バンプ、または異方性導電材料、感圧
導電性ゴム等）と、被測定側のパッドとの電気的接触の
達成方法には様々な形態がある。代表的なものは、コン
タクター全体をウェハ側に機械的に加圧し接触を図る形
態である。この形態は特開平２−２５７０７１、特開平
５−２０６２３３などに開示されている。その他に、コ
ンタクター側とウェハの間の領域を真空圧にして接触を
図るようにしたものもある。この形態は特開平１０−２
２３７０４に開示されている。
部材（ニードル、バンプ、または異方性導電材料、感圧
導電性ゴム等）と、被測定側のパッドとの電気的接触の
達成方法には様々な形態がある。代表的なものは、コン
タクター全体をウェハ側に機械的に加圧し接触を図る形
態である。この形態は特開平２−２５７０７１、特開平
５−２０６２３３などに開示されている。その他に、コ
ンタクター側とウェハの間の領域を真空圧にして接触を
図るようにしたものもある。この形態は特開平１０−２
２３７０４に開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ウェハ
状態で一括して接触する端子数が多くなると、前者のコ
ンタクター全体をウェハ側に機械的に加圧し接触を図る
形態では、全端子数への均一な圧力を付与できなくなる
恐れがある。これにより、全端子数の安定接触が難しく
なる問題がある。また、後者のコンタクター側とウェハ
の間の領域を真空圧にして接触を図る形態では、真空系
の装置の使用によりコスト高となってしまう。
状態で一括して接触する端子数が多くなると、前者のコ
ンタクター全体をウェハ側に機械的に加圧し接触を図る
形態では、全端子数への均一な圧力を付与できなくなる
恐れがある。これにより、全端子数の安定接触が難しく
なる問題がある。また、後者のコンタクター側とウェハ
の間の領域を真空圧にして接触を図る形態では、真空系
の装置の使用によりコスト高となってしまう。
【０００６】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたもので、ウェハ状態で一括して接触する端子数が多
くなっても全端子数へ均等に加圧接触できる比較的低コ
ストのウェハバーンイン装置を提供しようとするもので
ある。
れたもので、ウェハ状態で一括して接触する端子数が多
くなっても全端子数へ均等に加圧接触できる比較的低コ
ストのウェハバーンイン装置を提供しようとするもので
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係るウェハバー
ンイン装置は、少なくとも載置される半導体ウェハの加
熱機構を有したウェハテーブルと、前記半導体ウェハの
チップ領域におけるバーンイン試験のための信号生成、
解析に関係するテストシステムが構築されたテスター本
体と、前記半導体ウェハの全てのチップ領域におけるバ
ーンイン試験に利用される各電極に対応した接触端子が
配設され、前記テスター本体との信号の授受を担うフレ
キシブルな回路基材と、前記回路基材の裏面側に所定の
気圧が与えられることによって前記接触端子全てが一括
して対応する前記半導体ウェハ全てのチップ領域におけ
るバーンイン試験に利用される各電極に接続されるよう
にした圧空ユニットとを具備したことを特徴とする。
ンイン装置は、少なくとも載置される半導体ウェハの加
熱機構を有したウェハテーブルと、前記半導体ウェハの
チップ領域におけるバーンイン試験のための信号生成、
解析に関係するテストシステムが構築されたテスター本
体と、前記半導体ウェハの全てのチップ領域におけるバ
ーンイン試験に利用される各電極に対応した接触端子が
配設され、前記テスター本体との信号の授受を担うフレ
キシブルな回路基材と、前記回路基材の裏面側に所定の
気圧が与えられることによって前記接触端子全てが一括
して対応する前記半導体ウェハ全てのチップ領域におけ
るバーンイン試験に利用される各電極に接続されるよう
にした圧空ユニットとを具備したことを特徴とする。
【０００８】上記本発明に係るウェハバーンイン装置に
よれば、圧空ユニットによる加圧領域は、フレキシブル
な回路基材の裏面側全体に略均一に広がる。これによ
り、各接触端子は対応するウェハの各電極に対し略均等
に加圧接触される。
よれば、圧空ユニットによる加圧領域は、フレキシブル
な回路基材の裏面側全体に略均一に広がる。これによ
り、各接触端子は対応するウェハの各電極に対し略均等
に加圧接触される。
【０００９】なお、上記ウェハテーブルは、載置される
半導体ウェハの位置制御が可能であることを特徴とす
る。これにより、上記接触端子全体が一括して、対応す
る半導体ウェハの各電極に接続されるように微妙な位置
制御がなされる。また、圧空ユニットに関しても、半導
体ウェハとの微妙な位置合わせ制御が可能なような機構
が設けられていてもよい。
半導体ウェハの位置制御が可能であることを特徴とす
る。これにより、上記接触端子全体が一括して、対応す
る半導体ウェハの各電極に接続されるように微妙な位置
制御がなされる。また、圧空ユニットに関しても、半導
体ウェハとの微妙な位置合わせ制御が可能なような機構
が設けられていてもよい。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の一実施形態に係
るウェハバーンイン装置の要部を示す構成図である。ウ
ェハテーブル１１は、試験対象となる半導体ウェハＷＦ
を載置し、微少な回転方向及びＸ，Ｙ方向移動や傾きな
どの微妙な位置調整が可能である。また、加熱機構を含
み、半導体ウェハＷＦをバーンイン試験に必要な所定温
度に設定できる。
るウェハバーンイン装置の要部を示す構成図である。ウ
ェハテーブル１１は、試験対象となる半導体ウェハＷＦ
を載置し、微少な回転方向及びＸ，Ｙ方向移動や傾きな
どの微妙な位置調整が可能である。また、加熱機構を含
み、半導体ウェハＷＦをバーンイン試験に必要な所定温
度に設定できる。
【００１１】テスター本体１２は、ウェハＷＦの各チッ
プ領域におけるバーンイン試験のための信号生成、解析
に関係するテストシステムが構築されている。テスター
本体１２は、後述されるコンタクター１３によってウェ
ハＷＦと各種信号の授受がなされ機能する。
プ領域におけるバーンイン試験のための信号生成、解析
に関係するテストシステムが構築されている。テスター
本体１２は、後述されるコンタクター１３によってウェ
ハＷＦと各種信号の授受がなされ機能する。
【００１２】コンタクター１３は、支持リング１４で狭
持されたポリイミド等フレキシブルな回路基材１５で構
成され、ウェハＷＦの全てのチップ領域におけるバーン
イン試験に利用される各電極に対応した接触端子１６が
配設されている。コンタクター１３は、上述したように
テスター本体１２と図示しない導電経路を介して接続さ
れている。
持されたポリイミド等フレキシブルな回路基材１５で構
成され、ウェハＷＦの全てのチップ領域におけるバーン
イン試験に利用される各電極に対応した接触端子１６が
配設されている。コンタクター１３は、上述したように
テスター本体１２と図示しない導電経路を介して接続さ
れている。
【００１３】コンタクター１３は、圧空ユニット１７を
構成する圧真チャンバー１９に支持リング１４を介して
装着されている。圧空ユニット１７は、コンタクター１
３のフレキシブルな回路基材１５の裏面側に所定の気圧
を与える機構を有する。例えばコンプレッサー、バルブ
等を含む加圧制御機構１８により圧真チャンバー１９内
を適当な圧力にする。加圧制御機構１８により圧真チャ
ンバー１９内に送られるガスは、通常の空気、または窒
素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスが考えられる。
これにより、カメラ２０で位置合わせされた半導体ウェ
ハＷＦに対し、接触端子１６全てが一括してウェハＦＷ
全てのチップ領域におけるバーンイン試験に利用される
各電極（図示せず）に接続されるようになっている。
構成する圧真チャンバー１９に支持リング１４を介して
装着されている。圧空ユニット１７は、コンタクター１
３のフレキシブルな回路基材１５の裏面側に所定の気圧
を与える機構を有する。例えばコンプレッサー、バルブ
等を含む加圧制御機構１８により圧真チャンバー１９内
を適当な圧力にする。加圧制御機構１８により圧真チャ
ンバー１９内に送られるガスは、通常の空気、または窒
素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスが考えられる。
これにより、カメラ２０で位置合わせされた半導体ウェ
ハＷＦに対し、接触端子１６全てが一括してウェハＦＷ
全てのチップ領域におけるバーンイン試験に利用される
各電極（図示せず）に接続されるようになっている。
【００１４】なお、位置合わせ制御に要するカメラ２０
は、２個以上設けられ、例えばＸ，Ｙ両方向を移動しな
がらモニタするような構成が望ましい。コンタクターと
ウェハの隙間をモニタし、Ｘ，Ｙ両方向でのコンタクタ
ーの接触端子の並びとウェハの各電極の並びとをアライ
メント調整する。
は、２個以上設けられ、例えばＸ，Ｙ両方向を移動しな
がらモニタするような構成が望ましい。コンタクターと
ウェハの隙間をモニタし、Ｘ，Ｙ両方向でのコンタクタ
ーの接触端子の並びとウェハの各電極の並びとをアライ
メント調整する。
【００１５】図２は、図１の圧空ユニット１７により加
圧されるコンタクター１３のフレキシブルな回路基材１
５と、試験対象の半導体ウェハＷＦの要部を示す概観図
である。コンタクター１３のフレキシブルな回路基材１
５には接触端子１６として例えば突起端子が設けられて
いる。ウェハＷＦ側は最上部の保護膜２１が開口されパ
ッド電極２２が露出されている。すなわち、接触端子
（突起端子）１６は、各パッド電極２２のうちバーンイ
ン試験に利用されるパッド電極のみに対応して設けられ
る。
圧されるコンタクター１３のフレキシブルな回路基材１
５と、試験対象の半導体ウェハＷＦの要部を示す概観図
である。コンタクター１３のフレキシブルな回路基材１
５には接触端子１６として例えば突起端子が設けられて
いる。ウェハＷＦ側は最上部の保護膜２１が開口されパ
ッド電極２２が露出されている。すなわち、接触端子
（突起端子）１６は、各パッド電極２２のうちバーンイ
ン試験に利用されるパッド電極のみに対応して設けられ
る。
【００１６】バーンイン試験の際、上述のようなカメラ
２０によるモニタでアライメント調整されながらコンタ
クター１３とウェハＷＦの隙間は小さくされる。すなわ
ち、コンタクター１３の接触端子１６とウェハＷＦの各
パッド電極２２がほとんど接触するような位置までウェ
ハステージ１１によって移動制御される。そして、最終
的に圧空ユニット１７による適当な気圧で一括してコン
タクター１３の接触端子１６とウェハＷＦの各パッド電
極２２を加圧接触させる（図２）。
２０によるモニタでアライメント調整されながらコンタ
クター１３とウェハＷＦの隙間は小さくされる。すなわ
ち、コンタクター１３の接触端子１６とウェハＷＦの各
パッド電極２２がほとんど接触するような位置までウェ
ハステージ１１によって移動制御される。そして、最終
的に圧空ユニット１７による適当な気圧で一括してコン
タクター１３の接触端子１６とウェハＷＦの各パッド電
極２２を加圧接触させる（図２）。
【００１７】上記実施形態の構成によれば、圧空ユニッ
ト１７による加圧領域は、コンタクター１３のフレキシ
ブルな回路基材１５の裏面側全体に略均一に広がる。こ
の結果、各接触端子１６は略均等に加圧され、対応する
ウェハＷＦの各パッド電極２２に対し、均一な加圧接触
が達成される。しかも、接触対向領域を真空にする機構
に比べて、装置がコンパクトかつ低価格にて実現可能と
なる。
ト１７による加圧領域は、コンタクター１３のフレキシ
ブルな回路基材１５の裏面側全体に略均一に広がる。こ
の結果、各接触端子１６は略均等に加圧され、対応する
ウェハＷＦの各パッド電極２２に対し、均一な加圧接触
が達成される。しかも、接触対向領域を真空にする機構
に比べて、装置がコンパクトかつ低価格にて実現可能と
なる。
【００１８】なお、上記実施形態では、ウェハテーブル
１１において、載置されるウェハＷＦの微少な回転方向
及びＸ，Ｙ方向移動や傾きなどの微妙な位置調整を制御
可能とする機構が設けられていたが、これに限らない。
図示しないが、圧空ユニット１７側においてウェハＷＦ
の微妙な位置合わせのための微少な回転方向及びＸ，Ｙ
方向移動や傾きなどの調整機構が設けられていてもよ
い。
１１において、載置されるウェハＷＦの微少な回転方向
及びＸ，Ｙ方向移動や傾きなどの微妙な位置調整を制御
可能とする機構が設けられていたが、これに限らない。
図示しないが、圧空ユニット１７側においてウェハＷＦ
の微妙な位置合わせのための微少な回転方向及びＸ，Ｙ
方向移動や傾きなどの調整機構が設けられていてもよ
い。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、圧
空ユニットを設け、その圧空加圧領域は、コンタクター
のフレキシブルな回路基材の裏面側全体に略均一に広が
り、接触端子はウェハの各電極に対し均一な加圧接触を
達成する。しかも、接触側とウェハの間を真空にする機
構に比べて、装置がコンパクトかつ低価格にて実現可能
となる。この結果、ウェハ状態で一括して接触する端子
数が多くなっても全端子数へ均等に加圧接触できる比較
的低コストのウェハバーンイン装置を提供することがで
きる。
空ユニットを設け、その圧空加圧領域は、コンタクター
のフレキシブルな回路基材の裏面側全体に略均一に広が
り、接触端子はウェハの各電極に対し均一な加圧接触を
達成する。しかも、接触側とウェハの間を真空にする機
構に比べて、装置がコンパクトかつ低価格にて実現可能
となる。この結果、ウェハ状態で一括して接触する端子
数が多くなっても全端子数へ均等に加圧接触できる比較
的低コストのウェハバーンイン装置を提供することがで
きる。
【図１】本発明の一実施形態に係るウェハバーンイン装
置の要部を示す構成図である。
置の要部を示す構成図である。
【図２】図１の圧空ユニットにより加圧されるコンタク
ターのフレキシブルな回路基材と、試験対象の半導体ウ
ェハの要部を示す概観図である。
ターのフレキシブルな回路基材と、試験対象の半導体ウ
ェハの要部を示す概観図である。
１１…ウェハテーブル １２…テスター本体 １３…コンタクター １４…支持リング １５…フレキシブルな回路基材 １６…接触端子 １７…圧空ユニット １８…加圧制御機構 １９…圧真チャンバー ２０…カメラ ２１…保護膜 ２２…パッド電極
Claims (3)
- 【請求項１】 少なくとも載置される半導体ウェハの加
熱機構を有したウェハテーブルと、 前記半導体ウェハのチップ領域におけるバーンイン試験
のための信号生成、解析に関係するテストシステムが構
築されたテスター本体と、 前記半導体ウェハの全てのチップ領域におけるバーンイ
ン試験に利用される各電極に対応した接触端子が配設さ
れ、前記テスター本体との信号の授受を担うフレキシブ
ルな回路基材と、 前記回路基材の裏面側に所定の気圧が与えられることに
よって前記接触端子全てが一括して対応する前記半導体
ウェハ全てのチップ領域におけるバーンイン試験に利用
される各電極に接続されるようにした圧空ユニットと、
を具備したことを特徴とするウェハバーンイン装置。 - 【請求項２】 前記ウェハテーブルは、載置される半導
体ウェハの位置調整が制御可能であることを特徴とした
請求項１記載のウェハバーンイン装置。 - 【請求項３】 前記圧空ユニットは、前記半導体ウェハ
との位置合わせ制御可能な機構が設けられていることを
特徴とした請求項１または２記載のウェハバーンイン装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001001850A JP2002208620A (ja) | 2001-01-09 | 2001-01-09 | ウェハバーンイン装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001001850A JP2002208620A (ja) | 2001-01-09 | 2001-01-09 | ウェハバーンイン装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002208620A true JP2002208620A (ja) | 2002-07-26 |
Family
ID=18870438
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001001850A Withdrawn JP2002208620A (ja) | 2001-01-09 | 2001-01-09 | ウェハバーンイン装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002208620A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200005995A (ko) | 2018-07-09 | 2020-01-17 | 페닉스덴키가부시키가이샤 | 가열용 ｌｅｄ 램프, 및 이를 구비한 웨이퍼 가열 유닛 |
| CN110702526A (zh) * | 2019-10-14 | 2020-01-17 | 中芯集成电路制造(绍兴)有限公司 | 晶圆耐气压可靠性测试设备及其测试方法 |
| KR20230112057A (ko) | 2022-01-19 | 2023-07-26 | 페닉스덴키가부시키가이샤 | 가열용 램프 및 이를 구비하는 가열 장치 |
-
2001
- 2001-01-09 JP JP2001001850A patent/JP2002208620A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200005995A (ko) | 2018-07-09 | 2020-01-17 | 페닉스덴키가부시키가이샤 | 가열용 ｌｅｄ 램프, 및 이를 구비한 웨이퍼 가열 유닛 |
| CN110702526A (zh) * | 2019-10-14 | 2020-01-17 | 中芯集成电路制造(绍兴)有限公司 | 晶圆耐气压可靠性测试设备及其测试方法 |
| KR20230112057A (ko) | 2022-01-19 | 2023-07-26 | 페닉스덴키가부시키가이샤 | 가열용 램프 및 이를 구비하는 가열 장치 |
| EP4216666A2 (en) | 2022-01-19 | 2023-07-26 | Phoenix Electric Co., Ltd. | Lamp for heating and heating apparatus including the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080401 |