JP2002208620A - ウェハバーンイン装置 - Google Patents
ウェハバーンイン装置Info
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- JP2002208620A JP2002208620A JP2001001850A JP2001001850A JP2002208620A JP 2002208620 A JP2002208620 A JP 2002208620A JP 2001001850 A JP2001001850 A JP 2001001850A JP 2001001850 A JP2001001850 A JP 2001001850A JP 2002208620 A JP2002208620 A JP 2002208620A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ウェハ状態で一括して接触する端子数が多くな
っても全端子数へ均等に加圧接触できる比較的低コスト
のウェハバーンイン装置を提供する。 【解決手段】コンタクター13は、支持リング14で狭
持されたポリイミド等フレキシブルな回路基材15で構
成され、ウェハWFの全てのチップ領域におけるバーン
イン試験に利用される各電極に対応した接触端子16が
配設されている。コンタクター13はテスター本体12
と接続され信号の授受を担う。コンタクター13が装着
される圧空ユニット17は、フレキシブルな回路基材1
5の裏面側に空気圧を与える機構を有し、この空気圧に
より、接触端子16全てが一括してウェハFW全てのチ
ップ領域におけるバーンイン試験に利用される各電極
(図示せず)に接続されるようになっている。
っても全端子数へ均等に加圧接触できる比較的低コスト
のウェハバーンイン装置を提供する。 【解決手段】コンタクター13は、支持リング14で狭
持されたポリイミド等フレキシブルな回路基材15で構
成され、ウェハWFの全てのチップ領域におけるバーン
イン試験に利用される各電極に対応した接触端子16が
配設されている。コンタクター13はテスター本体12
と接続され信号の授受を担う。コンタクター13が装着
される圧空ユニット17は、フレキシブルな回路基材1
5の裏面側に空気圧を与える機構を有し、この空気圧に
より、接触端子16全てが一括してウェハFW全てのチ
ップ領域におけるバーンイン試験に利用される各電極
(図示せず)に接続されるようになっている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、バーンインスクリ
ーニングのための装置であり、特に半導体ウェハ上の複
数のチップ領域内における集積回路をウェハ状態で一括
して検査するウェハバーンイン装置に関する。
ーニングのための装置であり、特に半導体ウェハ上の複
数のチップ領域内における集積回路をウェハ状態で一括
して検査するウェハバーンイン装置に関する。
【0002】
【従来の技術】バーンインは、半導体集積回路デバイス
の初期故障、短寿命品などを除去するための一手法であ
る。通常、半導体製品のスクリーニング工程として、半
導体集積回路デバイスを温度及び電圧ストレスを印加
し、ストレスを加速した状況下に置く。これにより、初
期不良品を除去する。
の初期故障、短寿命品などを除去するための一手法であ
る。通常、半導体製品のスクリーニング工程として、半
導体集積回路デバイスを温度及び電圧ストレスを印加
し、ストレスを加速した状況下に置く。これにより、初
期不良品を除去する。
【0003】近年、試験時間の短縮化、ベアチップ状態
での評価が望まれていることから、バーンインはウェハ
状態で実施する傾向にある。ウェハ状態でのバーンイン
は、半導体装置におけるウェハ工程の全プロセスが終了
し、全ての電極(パッド)部分の保護膜が開口されてい
る状態で実施される。すなわち、ウェハ上全てのパッド
のうち、選択的に電気的ストレス印加が必要なパッドの
みを選択しプロービングによる電気的接触を実施する。
での評価が望まれていることから、バーンインはウェハ
状態で実施する傾向にある。ウェハ状態でのバーンイン
は、半導体装置におけるウェハ工程の全プロセスが終了
し、全ての電極(パッド)部分の保護膜が開口されてい
る状態で実施される。すなわち、ウェハ上全てのパッド
のうち、選択的に電気的ストレス印加が必要なパッドの
みを選択しプロービングによる電気的接触を実施する。
【0004】プロービングに伴うコンタクター側の導電
部材(ニードル、バンプ、または異方性導電材料、感圧
導電性ゴム等)と、被測定側のパッドとの電気的接触の
達成方法には様々な形態がある。代表的なものは、コン
タクター全体をウェハ側に機械的に加圧し接触を図る形
態である。この形態は特開平2−257071、特開平
5−206233などに開示されている。その他に、コ
ンタクター側とウェハの間の領域を真空圧にして接触を
図るようにしたものもある。この形態は特開平10−2
23704に開示されている。
部材(ニードル、バンプ、または異方性導電材料、感圧
導電性ゴム等)と、被測定側のパッドとの電気的接触の
達成方法には様々な形態がある。代表的なものは、コン
タクター全体をウェハ側に機械的に加圧し接触を図る形
態である。この形態は特開平2−257071、特開平
5−206233などに開示されている。その他に、コ
ンタクター側とウェハの間の領域を真空圧にして接触を
図るようにしたものもある。この形態は特開平10−2
23704に開示されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ウェハ
状態で一括して接触する端子数が多くなると、前者のコ
ンタクター全体をウェハ側に機械的に加圧し接触を図る
形態では、全端子数への均一な圧力を付与できなくなる
恐れがある。これにより、全端子数の安定接触が難しく
なる問題がある。また、後者のコンタクター側とウェハ
の間の領域を真空圧にして接触を図る形態では、真空系
の装置の使用によりコスト高となってしまう。
状態で一括して接触する端子数が多くなると、前者のコ
ンタクター全体をウェハ側に機械的に加圧し接触を図る
形態では、全端子数への均一な圧力を付与できなくなる
恐れがある。これにより、全端子数の安定接触が難しく
なる問題がある。また、後者のコンタクター側とウェハ
の間の領域を真空圧にして接触を図る形態では、真空系
の装置の使用によりコスト高となってしまう。
【0006】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたもので、ウェハ状態で一括して接触する端子数が多
くなっても全端子数へ均等に加圧接触できる比較的低コ
ストのウェハバーンイン装置を提供しようとするもので
ある。
れたもので、ウェハ状態で一括して接触する端子数が多
くなっても全端子数へ均等に加圧接触できる比較的低コ
ストのウェハバーンイン装置を提供しようとするもので
ある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明に係るウェハバー
ンイン装置は、少なくとも載置される半導体ウェハの加
熱機構を有したウェハテーブルと、前記半導体ウェハの
チップ領域におけるバーンイン試験のための信号生成、
解析に関係するテストシステムが構築されたテスター本
体と、前記半導体ウェハの全てのチップ領域におけるバ
ーンイン試験に利用される各電極に対応した接触端子が
配設され、前記テスター本体との信号の授受を担うフレ
キシブルな回路基材と、前記回路基材の裏面側に所定の
気圧が与えられることによって前記接触端子全てが一括
して対応する前記半導体ウェハ全てのチップ領域におけ
るバーンイン試験に利用される各電極に接続されるよう
にした圧空ユニットとを具備したことを特徴とする。
ンイン装置は、少なくとも載置される半導体ウェハの加
熱機構を有したウェハテーブルと、前記半導体ウェハの
チップ領域におけるバーンイン試験のための信号生成、
解析に関係するテストシステムが構築されたテスター本
体と、前記半導体ウェハの全てのチップ領域におけるバ
ーンイン試験に利用される各電極に対応した接触端子が
配設され、前記テスター本体との信号の授受を担うフレ
キシブルな回路基材と、前記回路基材の裏面側に所定の
気圧が与えられることによって前記接触端子全てが一括
して対応する前記半導体ウェハ全てのチップ領域におけ
るバーンイン試験に利用される各電極に接続されるよう
にした圧空ユニットとを具備したことを特徴とする。
【0008】上記本発明に係るウェハバーンイン装置に
よれば、圧空ユニットによる加圧領域は、フレキシブル
な回路基材の裏面側全体に略均一に広がる。これによ
り、各接触端子は対応するウェハの各電極に対し略均等
に加圧接触される。
よれば、圧空ユニットによる加圧領域は、フレキシブル
な回路基材の裏面側全体に略均一に広がる。これによ
り、各接触端子は対応するウェハの各電極に対し略均等
に加圧接触される。
【0009】なお、上記ウェハテーブルは、載置される
半導体ウェハの位置制御が可能であることを特徴とす
る。これにより、上記接触端子全体が一括して、対応す
る半導体ウェハの各電極に接続されるように微妙な位置
制御がなされる。また、圧空ユニットに関しても、半導
体ウェハとの微妙な位置合わせ制御が可能なような機構
が設けられていてもよい。
半導体ウェハの位置制御が可能であることを特徴とす
る。これにより、上記接触端子全体が一括して、対応す
る半導体ウェハの各電極に接続されるように微妙な位置
制御がなされる。また、圧空ユニットに関しても、半導
体ウェハとの微妙な位置合わせ制御が可能なような機構
が設けられていてもよい。
【0010】
【発明の実施の形態】図1は、本発明の一実施形態に係
るウェハバーンイン装置の要部を示す構成図である。ウ
ェハテーブル11は、試験対象となる半導体ウェハWF
を載置し、微少な回転方向及びX,Y方向移動や傾きな
どの微妙な位置調整が可能である。また、加熱機構を含
み、半導体ウェハWFをバーンイン試験に必要な所定温
度に設定できる。
るウェハバーンイン装置の要部を示す構成図である。ウ
ェハテーブル11は、試験対象となる半導体ウェハWF
を載置し、微少な回転方向及びX,Y方向移動や傾きな
どの微妙な位置調整が可能である。また、加熱機構を含
み、半導体ウェハWFをバーンイン試験に必要な所定温
度に設定できる。
【0011】テスター本体12は、ウェハWFの各チッ
プ領域におけるバーンイン試験のための信号生成、解析
に関係するテストシステムが構築されている。テスター
本体12は、後述されるコンタクター13によってウェ
ハWFと各種信号の授受がなされ機能する。
プ領域におけるバーンイン試験のための信号生成、解析
に関係するテストシステムが構築されている。テスター
本体12は、後述されるコンタクター13によってウェ
ハWFと各種信号の授受がなされ機能する。
【0012】コンタクター13は、支持リング14で狭
持されたポリイミド等フレキシブルな回路基材15で構
成され、ウェハWFの全てのチップ領域におけるバーン
イン試験に利用される各電極に対応した接触端子16が
配設されている。コンタクター13は、上述したように
テスター本体12と図示しない導電経路を介して接続さ
れている。
持されたポリイミド等フレキシブルな回路基材15で構
成され、ウェハWFの全てのチップ領域におけるバーン
イン試験に利用される各電極に対応した接触端子16が
配設されている。コンタクター13は、上述したように
テスター本体12と図示しない導電経路を介して接続さ
れている。
【0013】コンタクター13は、圧空ユニット17を
構成する圧真チャンバー19に支持リング14を介して
装着されている。圧空ユニット17は、コンタクター1
3のフレキシブルな回路基材15の裏面側に所定の気圧
を与える機構を有する。例えばコンプレッサー、バルブ
等を含む加圧制御機構18により圧真チャンバー19内
を適当な圧力にする。加圧制御機構18により圧真チャ
ンバー19内に送られるガスは、通常の空気、または窒
素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスが考えられる。
これにより、カメラ20で位置合わせされた半導体ウェ
ハWFに対し、接触端子16全てが一括してウェハFW
全てのチップ領域におけるバーンイン試験に利用される
各電極(図示せず)に接続されるようになっている。
構成する圧真チャンバー19に支持リング14を介して
装着されている。圧空ユニット17は、コンタクター1
3のフレキシブルな回路基材15の裏面側に所定の気圧
を与える機構を有する。例えばコンプレッサー、バルブ
等を含む加圧制御機構18により圧真チャンバー19内
を適当な圧力にする。加圧制御機構18により圧真チャ
ンバー19内に送られるガスは、通常の空気、または窒
素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスが考えられる。
これにより、カメラ20で位置合わせされた半導体ウェ
ハWFに対し、接触端子16全てが一括してウェハFW
全てのチップ領域におけるバーンイン試験に利用される
各電極(図示せず)に接続されるようになっている。
【0014】なお、位置合わせ制御に要するカメラ20
は、2個以上設けられ、例えばX,Y両方向を移動しな
がらモニタするような構成が望ましい。コンタクターと
ウェハの隙間をモニタし、X,Y両方向でのコンタクタ
ーの接触端子の並びとウェハの各電極の並びとをアライ
メント調整する。
は、2個以上設けられ、例えばX,Y両方向を移動しな
がらモニタするような構成が望ましい。コンタクターと
ウェハの隙間をモニタし、X,Y両方向でのコンタクタ
ーの接触端子の並びとウェハの各電極の並びとをアライ
メント調整する。
【0015】図2は、図1の圧空ユニット17により加
圧されるコンタクター13のフレキシブルな回路基材1
5と、試験対象の半導体ウェハWFの要部を示す概観図
である。コンタクター13のフレキシブルな回路基材1
5には接触端子16として例えば突起端子が設けられて
いる。ウェハWF側は最上部の保護膜21が開口されパ
ッド電極22が露出されている。すなわち、接触端子
(突起端子)16は、各パッド電極22のうちバーンイ
ン試験に利用されるパッド電極のみに対応して設けられ
る。
圧されるコンタクター13のフレキシブルな回路基材1
5と、試験対象の半導体ウェハWFの要部を示す概観図
である。コンタクター13のフレキシブルな回路基材1
5には接触端子16として例えば突起端子が設けられて
いる。ウェハWF側は最上部の保護膜21が開口されパ
ッド電極22が露出されている。すなわち、接触端子
(突起端子)16は、各パッド電極22のうちバーンイ
ン試験に利用されるパッド電極のみに対応して設けられ
る。
【0016】バーンイン試験の際、上述のようなカメラ
20によるモニタでアライメント調整されながらコンタ
クター13とウェハWFの隙間は小さくされる。すなわ
ち、コンタクター13の接触端子16とウェハWFの各
パッド電極22がほとんど接触するような位置までウェ
ハステージ11によって移動制御される。そして、最終
的に圧空ユニット17による適当な気圧で一括してコン
タクター13の接触端子16とウェハWFの各パッド電
極22を加圧接触させる(図2)。
20によるモニタでアライメント調整されながらコンタ
クター13とウェハWFの隙間は小さくされる。すなわ
ち、コンタクター13の接触端子16とウェハWFの各
パッド電極22がほとんど接触するような位置までウェ
ハステージ11によって移動制御される。そして、最終
的に圧空ユニット17による適当な気圧で一括してコン
タクター13の接触端子16とウェハWFの各パッド電
極22を加圧接触させる(図2)。
【0017】上記実施形態の構成によれば、圧空ユニッ
ト17による加圧領域は、コンタクター13のフレキシ
ブルな回路基材15の裏面側全体に略均一に広がる。こ
の結果、各接触端子16は略均等に加圧され、対応する
ウェハWFの各パッド電極22に対し、均一な加圧接触
が達成される。しかも、接触対向領域を真空にする機構
に比べて、装置がコンパクトかつ低価格にて実現可能と
なる。
ト17による加圧領域は、コンタクター13のフレキシ
ブルな回路基材15の裏面側全体に略均一に広がる。こ
の結果、各接触端子16は略均等に加圧され、対応する
ウェハWFの各パッド電極22に対し、均一な加圧接触
が達成される。しかも、接触対向領域を真空にする機構
に比べて、装置がコンパクトかつ低価格にて実現可能と
なる。
【0018】なお、上記実施形態では、ウェハテーブル
11において、載置されるウェハWFの微少な回転方向
及びX,Y方向移動や傾きなどの微妙な位置調整を制御
可能とする機構が設けられていたが、これに限らない。
図示しないが、圧空ユニット17側においてウェハWF
の微妙な位置合わせのための微少な回転方向及びX,Y
方向移動や傾きなどの調整機構が設けられていてもよ
い。
11において、載置されるウェハWFの微少な回転方向
及びX,Y方向移動や傾きなどの微妙な位置調整を制御
可能とする機構が設けられていたが、これに限らない。
図示しないが、圧空ユニット17側においてウェハWF
の微妙な位置合わせのための微少な回転方向及びX,Y
方向移動や傾きなどの調整機構が設けられていてもよ
い。
【0019】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、圧
空ユニットを設け、その圧空加圧領域は、コンタクター
のフレキシブルな回路基材の裏面側全体に略均一に広が
り、接触端子はウェハの各電極に対し均一な加圧接触を
達成する。しかも、接触側とウェハの間を真空にする機
構に比べて、装置がコンパクトかつ低価格にて実現可能
となる。この結果、ウェハ状態で一括して接触する端子
数が多くなっても全端子数へ均等に加圧接触できる比較
的低コストのウェハバーンイン装置を提供することがで
きる。
空ユニットを設け、その圧空加圧領域は、コンタクター
のフレキシブルな回路基材の裏面側全体に略均一に広が
り、接触端子はウェハの各電極に対し均一な加圧接触を
達成する。しかも、接触側とウェハの間を真空にする機
構に比べて、装置がコンパクトかつ低価格にて実現可能
となる。この結果、ウェハ状態で一括して接触する端子
数が多くなっても全端子数へ均等に加圧接触できる比較
的低コストのウェハバーンイン装置を提供することがで
きる。
【図1】本発明の一実施形態に係るウェハバーンイン装
置の要部を示す構成図である。
置の要部を示す構成図である。
【図2】図1の圧空ユニットにより加圧されるコンタク
ターのフレキシブルな回路基材と、試験対象の半導体ウ
ェハの要部を示す概観図である。
ターのフレキシブルな回路基材と、試験対象の半導体ウ
ェハの要部を示す概観図である。
11…ウェハテーブル 12…テスター本体 13…コンタクター 14…支持リング 15…フレキシブルな回路基材 16…接触端子 17…圧空ユニット 18…加圧制御機構 19…圧真チャンバー 20…カメラ 21…保護膜 22…パッド電極
Claims (3)
- 【請求項1】 少なくとも載置される半導体ウェハの加
熱機構を有したウェハテーブルと、 前記半導体ウェハのチップ領域におけるバーンイン試験
のための信号生成、解析に関係するテストシステムが構
築されたテスター本体と、 前記半導体ウェハの全てのチップ領域におけるバーンイ
ン試験に利用される各電極に対応した接触端子が配設さ
れ、前記テスター本体との信号の授受を担うフレキシブ
ルな回路基材と、 前記回路基材の裏面側に所定の気圧が与えられることに
よって前記接触端子全てが一括して対応する前記半導体
ウェハ全てのチップ領域におけるバーンイン試験に利用
される各電極に接続されるようにした圧空ユニットと、
を具備したことを特徴とするウェハバーンイン装置。 - 【請求項2】 前記ウェハテーブルは、載置される半導
体ウェハの位置調整が制御可能であることを特徴とした
請求項1記載のウェハバーンイン装置。 - 【請求項3】 前記圧空ユニットは、前記半導体ウェハ
との位置合わせ制御可能な機構が設けられていることを
特徴とした請求項1または2記載のウェハバーンイン装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001001850A JP2002208620A (ja) | 2001-01-09 | 2001-01-09 | ウェハバーンイン装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001001850A JP2002208620A (ja) | 2001-01-09 | 2001-01-09 | ウェハバーンイン装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002208620A true JP2002208620A (ja) | 2002-07-26 |
Family
ID=18870438
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001001850A Withdrawn JP2002208620A (ja) | 2001-01-09 | 2001-01-09 | ウェハバーンイン装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002208620A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200005995A (ko) | 2018-07-09 | 2020-01-17 | 페닉스덴키가부시키가이샤 | 가열용 led 램프, 및 이를 구비한 웨이퍼 가열 유닛 |
CN110702526A (zh) * | 2019-10-14 | 2020-01-17 | 中芯集成电路制造(绍兴)有限公司 | 晶圆耐气压可靠性测试设备及其测试方法 |
KR20230112057A (ko) | 2022-01-19 | 2023-07-26 | 페닉스덴키가부시키가이샤 | 가열용 램프 및 이를 구비하는 가열 장치 |
-
2001
- 2001-01-09 JP JP2001001850A patent/JP2002208620A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200005995A (ko) | 2018-07-09 | 2020-01-17 | 페닉스덴키가부시키가이샤 | 가열용 led 램프, 및 이를 구비한 웨이퍼 가열 유닛 |
CN110702526A (zh) * | 2019-10-14 | 2020-01-17 | 中芯集成电路制造(绍兴)有限公司 | 晶圆耐气压可靠性测试设备及其测试方法 |
KR20230112057A (ko) | 2022-01-19 | 2023-07-26 | 페닉스덴키가부시키가이샤 | 가열용 램프 및 이를 구비하는 가열 장치 |
EP4216666A2 (en) | 2022-01-19 | 2023-07-26 | Phoenix Electric Co., Ltd. | Lamp for heating and heating apparatus including the same |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080401 |