JPH04164342A - 高密度部品の実装方法 - Google Patents
高密度部品の実装方法Info
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- JPH04164342A JPH04164342A JP29234290A JP29234290A JPH04164342A JP H04164342 A JPH04164342 A JP H04164342A JP 29234290 A JP29234290 A JP 29234290A JP 29234290 A JP29234290 A JP 29234290A JP H04164342 A JPH04164342 A JP H04164342A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
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- H01L2224/81193—Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed on both the semiconductor or solid-state body and another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
-
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/027—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed by irradiation, e.g. by photons, alpha or beta particles
-
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- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
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- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、コンピュータや電子機器に用いる高密度部品
の実装方法に関する。
の実装方法に関する。
従来の技術
第５図〜第８図を参照しながら従来の高密度部品の実装
方法について説明する。
方法について説明する。
第５図はセラミック等の絶縁基板１の上に銅電極２をス
クリーン印刷で形成した一方の実装基板の一部斜視図で
ある。
クリーン印刷で形成した一方の実装基板の一部斜視図で
ある。
第６図は上記の一方の実装基板の銅電極２の上に半田３
を形成した後の断面図である。
を形成した後の断面図である。
第７図は他方の実装基板の斜視図であり、半導体基板４
の上にアルミニウム電極５、そのアルミニウム電極５の
上に接続用の金バンプ６を設けである。
の上にアルミニウム電極５、そのアルミニウム電極５の
上に接続用の金バンプ６を設けである。
第８図は上記２個の実装基板を実装する状態を示す断面
図である。このような高密度部品実装方法について説明
する。
図である。このような高密度部品実装方法について説明
する。
まずセラミック等の絶縁基板１の表面に鋼ペースト等の
導電ペーストをスクリーン印刷で形成し、乾燥、焼成し
て銅電極２を形成する。次にこの銅電極２のパターンの
先端部も含め半田レベラーや半田メツキで表面に半田３
を形成して一方の実装基板を作成する。次に実装しよう
とする他方の実装基板は半導体基板４の表面にアルミニ
ウム電極５を形成し、そのアルミニウム電極５の上に、
スタッドバンプ形成方法、メツキ法または転写バンプ法
で金バンプ６を形成する。その後、−方の実装基板と他
方の実装基板を位置合わせし、加熱加圧して２個の実装
基板を接合していた。
導電ペーストをスクリーン印刷で形成し、乾燥、焼成し
て銅電極２を形成する。次にこの銅電極２のパターンの
先端部も含め半田レベラーや半田メツキで表面に半田３
を形成して一方の実装基板を作成する。次に実装しよう
とする他方の実装基板は半導体基板４の表面にアルミニ
ウム電極５を形成し、そのアルミニウム電極５の上に、
スタッドバンプ形成方法、メツキ法または転写バンプ法
で金バンプ６を形成する。その後、−方の実装基板と他
方の実装基板を位置合わせし、加熱加圧して２個の実装
基板を接合していた。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記従来の方法において、半田レベラー
で電極の上に半田を付けると厚みのばらつきが大きく、
半田メツキの場合には、２０〜３０μの厚みにメツキす
るのが困難であった。
で電極の上に半田を付けると厚みのばらつきが大きく、
半田メツキの場合には、２０〜３０μの厚みにメツキす
るのが困難であった。
本発明はこのような従来の課題を解決するもので、厚み
が２０〜３０μで、そのばらつきの少ない信頼性の高い
高密度部品の実装方法の提供を目的とする。
が２０〜３０μで、そのばらつきの少ない信頼性の高い
高密度部品の実装方法の提供を目的とする。
課題を解決す暮ための手段
上記の目的を達成するために本発明の高密度部品の実装
方法は、絶縁基板上にべた電極を形成し、そのべた電極
上に半田レベラーで半田コートを施し、その後、上記べ
た電極と上記半田コートを切断して一方の実装基板とし
、半導体基板上に電極を形成し、その電極上に金バンプ
を形成して他方の実装基板とし、上記一方の実装基板の
半田と上記他方の実装基板の金バンプとを対向させ位置
合わせして加熱圧着するものである。
方法は、絶縁基板上にべた電極を形成し、そのべた電極
上に半田レベラーで半田コートを施し、その後、上記べ
た電極と上記半田コートを切断して一方の実装基板とし
、半導体基板上に電極を形成し、その電極上に金バンプ
を形成して他方の実装基板とし、上記一方の実装基板の
半田と上記他方の実装基板の金バンプとを対向させ位置
合わせして加熱圧着するものである。
作用
本発明は上記した構成によって半田面が平坦となる。
実施例
以下、本発明の実施例を添付図面にもとづいて説明する
。
。
第１図において、７はセラミック等の絶縁基板であり、
その絶縁基板７の上に鋼ペーストをスクリーン印刷でへ
た電極８を形成する。次に第２図に示すようにべた電極
８の上に半田レベラー装置で半田９を形成する。次に第
３図に示すようにレーザ光で電極間を分離し、一方の実
装基板１０を作成した。次に第４図に示すように、半導
体基板１１上にアルミニウム電極１２を形成し、そのア
ルミニウム電極１２の上に金バンプ１３を形成した他方
の実装基板１４を、上記一方の実装基板１０の上に正確
に対向させ位置合わせして加熱圧着して金バンプ１３を
半田９に接合させる。
その絶縁基板７の上に鋼ペーストをスクリーン印刷でへ
た電極８を形成する。次に第２図に示すようにべた電極
８の上に半田レベラー装置で半田９を形成する。次に第
３図に示すようにレーザ光で電極間を分離し、一方の実
装基板１０を作成した。次に第４図に示すように、半導
体基板１１上にアルミニウム電極１２を形成し、そのア
ルミニウム電極１２の上に金バンプ１３を形成した他方
の実装基板１４を、上記一方の実装基板１０の上に正確
に対向させ位置合わせして加熱圧着して金バンプ１３を
半田９に接合させる。
このような実装方法によれば、へた電極８の上に半田コ
ートを施し、その後レーザ光で電極間を切断するため、
半田９の厚みが均一となり、信頼性の高い高密度部品の
実装ができる。
ートを施し、その後レーザ光で電極間を切断するため、
半田９の厚みが均一となり、信頼性の高い高密度部品の
実装ができる。
なお、実施例では電極をレーザ光で切断したが、ダイヤ
モンドソー等で機−械的に電極間を切断してもよい。
モンドソー等で機−械的に電極間を切断してもよい。
発明の効果
以上のように本発明の高密度部品の実装方法によれば、
べた電極の形成後、半田コートを施し、その後電極間を
切断してパターンを形成するため、最初からパターンを
形成し半田コートした場合に比べ半田コート厚の変動は
無視できる位小さくすることができ、金バンプと半田と
の接続を完全にすることができ、信頼性の高い高密度部
品の実装ができるという効果が得られる。
べた電極の形成後、半田コートを施し、その後電極間を
切断してパターンを形成するため、最初からパターンを
形成し半田コートした場合に比べ半田コート厚の変動は
無視できる位小さくすることができ、金バンプと半田と
の接続を完全にすることができ、信頼性の高い高密度部
品の実装ができるという効果が得られる。
第１図は本発明の一実施例における一方の実装基板の半
田コート前の斜視図、第２図は同実装基板の半田コート
後の断面図、第３図はレーザ光で電極間を切断した一方
の実装基板の断面図、第４図は一方の実装基板と他方の
実装基板を実装する状態を示す断面図、第５図は従来の
実装方法における一方の実装基板の半田コート前の斜視
図、第６図は同実装基板の半田コート後の断面図、第７
図は他方の実装基板の斜視図、第８図は２個の実装基板
を実装する状態を示す断面図である。 ７・・・・・・絶縁基板、８・・・・・・べた電極、９
・・・・・・半田、１０・・・・・・一方の実装基板、
１１・・・・・・半導体基板、１２・・・・・・アルミ
ニウム電極（電極）、１３・・・・・・金バンプ、１４
・・・・・・他方の実装基板。 代理人の氏名 弁理士小蝦治明 ほか２名第３図 ＩＱ−−−一第１（製ｌ祖 Ｔ 第５図 第６図 第 ８ 図 ２丁
田コート前の斜視図、第２図は同実装基板の半田コート
後の断面図、第３図はレーザ光で電極間を切断した一方
の実装基板の断面図、第４図は一方の実装基板と他方の
実装基板を実装する状態を示す断面図、第５図は従来の
実装方法における一方の実装基板の半田コート前の斜視
図、第６図は同実装基板の半田コート後の断面図、第７
図は他方の実装基板の斜視図、第８図は２個の実装基板
を実装する状態を示す断面図である。 ７・・・・・・絶縁基板、８・・・・・・べた電極、９
・・・・・・半田、１０・・・・・・一方の実装基板、
１１・・・・・・半導体基板、１２・・・・・・アルミ
ニウム電極（電極）、１３・・・・・・金バンプ、１４
・・・・・・他方の実装基板。 代理人の氏名 弁理士小蝦治明 ほか２名第３図 ＩＱ−−−一第１（製ｌ祖 Ｔ 第５図 第６図 第 ８ 図 ２丁
Claims (1)
- 絶縁基板上にべた電極を形成し、そのべた電極上に半田
レベラーで半田コートを施し、その後、上記べた電極と
上記半田コートを切断して一方の実装基板とし、半導体
基板上に電極を形成し、その電極上に金バンプを形成し
て他方の実装基板とし、上記一方の実装基板の半田と上
記他方の実装基板の金バンプとを対向させ位置合わせし
て加熱圧着する高密度部品の実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29234290A JPH04164342A (ja) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | 高密度部品の実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29234290A JPH04164342A (ja) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | 高密度部品の実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04164342A true JPH04164342A (ja) | 1992-06-10 |
Family
ID=17780555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29234290A Pending JPH04164342A (ja) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | 高密度部品の実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04164342A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6333554B1 (en) | 1997-09-08 | 2001-12-25 | Fujitsu Limited | Semiconductor device with gold bumps, and method and apparatus of producing the same |
| US7390732B1 (en) | 1997-07-15 | 2008-06-24 | Hitachi, Ltd. | Method for producing a semiconductor device with pyramidal bump electrodes bonded onto pad electrodes arranged on a semiconductor chip |
-
1990
- 1990-10-29 JP JP29234290A patent/JPH04164342A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7390732B1 (en) | 1997-07-15 | 2008-06-24 | Hitachi, Ltd. | Method for producing a semiconductor device with pyramidal bump electrodes bonded onto pad electrodes arranged on a semiconductor chip |
| US6333554B1 (en) | 1997-09-08 | 2001-12-25 | Fujitsu Limited | Semiconductor device with gold bumps, and method and apparatus of producing the same |
| US6344690B1 (en) | 1997-09-08 | 2002-02-05 | Fujitsu Limited | Semiconductor device with gold bumps, and method and apparatus of producing the same |
| US6495441B2 (en) | 1997-09-08 | 2002-12-17 | Fujitsu Limited | Semiconductor device with gold bumps, and method and apparatus of producing the same |
| US6786385B1 (en) | 1997-09-08 | 2004-09-07 | Fujitsu Limited | Semiconductor device with gold bumps, and method and apparatus of producing the same |
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