JPH04142744A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH04142744A JPH04142744A JP26677690A JP26677690A JPH04142744A JP H04142744 A JPH04142744 A JP H04142744A JP 26677690 A JP26677690 A JP 26677690A JP 26677690 A JP26677690 A JP 26677690A JP H04142744 A JPH04142744 A JP H04142744A
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- Japan
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- wiring
- film
- semiconductor chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に２層以上の多層配線を
有する半導体装置に関する。
有する半導体装置に関する。
ゲートアレーを初めとするカスタムＬＳＩは大規模化が
著しく、その実現手段として配線の多層化か不可欠とな
っている。
著しく、その実現手段として配線の多層化か不可欠とな
っている。
第２図は従来の半導体装置の一例を示す断面図である。
第２図に示すように、シリコン基板１の上に設けた酸化
シリコン膜２の上に第１層配線３を設け、第１層配線３
の上に設けた眉間絶縁膜６を介して第２層配線４と第２
層配線４の上に設けた眉間絶縁膜７を介して第３層配線
５とを順次積層して設け、最上層にパッシベーション膜
８を設け、層間絶縁膜６．７に設けたコンタクト孔を介
して各層の所望の配線間を接続している。
シリコン膜２の上に第１層配線３を設け、第１層配線３
の上に設けた眉間絶縁膜６を介して第２層配線４と第２
層配線４の上に設けた眉間絶縁膜７を介して第３層配線
５とを順次積層して設け、最上層にパッシベーション膜
８を設け、層間絶縁膜６．７に設けたコンタクト孔を介
して各層の所望の配線間を接続している。
このように、配線密度を上げるため、半導体チップ全体
において各配線層の平面上の重なり部分の面積がきわめ
て大きく、チップの周縁部も内部と同様の配線構造によ
り高密度化を実現している。
において各配線層の平面上の重なり部分の面積がきわめ
て大きく、チップの周縁部も内部と同様の配線構造によ
り高密度化を実現している。
この従来の半導体装置は、多層配線の信頼性を維持する
ために眉間絶縁膜の平坦化と共にその均一な膜厚の確保
が最も重要な問題であるが、特にＬＳＩチップの周縁部
においては、内部に比べて種々の外部ストレス、即ち、
温度サイクル等の熱的ストレス又は過大な静電気等の電
気的ストレス等の影響を受は易く、層間絶縁膜の破壊に
よる配線の層間短絡が起き易いという問題点がある。
ために眉間絶縁膜の平坦化と共にその均一な膜厚の確保
が最も重要な問題であるが、特にＬＳＩチップの周縁部
においては、内部に比べて種々の外部ストレス、即ち、
温度サイクル等の熱的ストレス又は過大な静電気等の電
気的ストレス等の影響を受は易く、層間絶縁膜の破壊に
よる配線の層間短絡が起き易いという問題点がある。
加えて、配線の微細化に伴なって眉間絶縁膜の厚さは薄
くなる傾向にあり、上述の問題点は、よりきびしくなる
方向にある。
くなる傾向にあり、上述の問題点は、よりきびしくなる
方向にある。
本発明の半導体装置は、半導体チップ上に設けた多層配
線を有する半導体装置において、前記配線の少くともＩ
ＪＩを前記半導体チップの周縁部より離開して設けるこ
とにより前記半導体チップの周縁部近傍の配線層数を内
部の配線層数よりも少くして構成される。
線を有する半導体装置において、前記配線の少くともＩ
ＪＩを前記半導体チップの周縁部より離開して設けるこ
とにより前記半導体チップの周縁部近傍の配線層数を内
部の配線層数よりも少くして構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体チ・ンプの断面
図である。
図である。
第１図に示すように、シリコン基板１の上に設けた酸化
シリコン膜２の上に第１層配線３を設け、第１層配線３
を含む表面に眉間絶縁膜６を設ける。次に、眉間絶縁膜
６の上に半導体チップの周縁部より、少くとも２００μ
ｍ離間させて第２層配線４を設ける。次に、第２層配線
４を含む表面に眉間絶縁膜７を設け、半導体チップの周
縁部の第１層配線３を含む眉間絶縁膜７の上に第３層配
線５を設ける。次に、第３層配線を含む最上層にパッシ
ベーション膜８を設ける。
シリコン膜２の上に第１層配線３を設け、第１層配線３
を含む表面に眉間絶縁膜６を設ける。次に、眉間絶縁膜
６の上に半導体チップの周縁部より、少くとも２００μ
ｍ離間させて第２層配線４を設ける。次に、第２層配線
４を含む表面に眉間絶縁膜７を設け、半導体チップの周
縁部の第１層配線３を含む眉間絶縁膜７の上に第３層配
線５を設ける。次に、第３層配線を含む最上層にパッシ
ベーション膜８を設ける。
ここで、眉間絶縁膜６．７の夫々に設けたコンタクト孔
を介して上下層の所望の配線間が接続されている。
を介して上下層の所望の配線間が接続されている。
以上説明したように本発明は、チップの周縁部近傍の配
線層数を内部の配線層数より少くすることにより、配線
層間は２層以上の眉間絶縁膜によって分離されることに
なり、外部からの熱的、電気的ストレスによる影響を低
減させて上・下層配線間の眉間短絡不良を低減させると
いう効果を有する。
線層数を内部の配線層数より少くすることにより、配線
層間は２層以上の眉間絶縁膜によって分離されることに
なり、外部からの熱的、電気的ストレスによる影響を低
減させて上・下層配線間の眉間短絡不良を低減させると
いう効果を有する。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体チ・７プの断面
図、第２図は従来の半導体装置の一例１を示す半導体チ
ップの断面図である。 １・・・シリコン基板、２・・・酸化シリコン膜、３・
・・第１層配線、４・・・第２層配線、５・・・第３層
配線、６．７・・・層間絶縁膜、８・・・ノく・ンシベ
ーション膜。
図、第２図は従来の半導体装置の一例１を示す半導体チ
ップの断面図である。 １・・・シリコン基板、２・・・酸化シリコン膜、３・
・・第１層配線、４・・・第２層配線、５・・・第３層
配線、６．７・・・層間絶縁膜、８・・・ノく・ンシベ
ーション膜。
Claims (1)
- 半導体チップ上に設けた多層配線を有する半導体装置
において、前記配線の少くとも１層を前記半導体チップ
の周縁部より離間して設けることにより前記半導体チッ
プの周縁部近傍の配線層数を内部の配線層数よりも少く
したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26677690A JPH04142744A (ja) | 1990-10-04 | 1990-10-04 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26677690A JPH04142744A (ja) | 1990-10-04 | 1990-10-04 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04142744A true JPH04142744A (ja) | 1992-05-15 |
Family
ID=17435541
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26677690A Pending JPH04142744A (ja) | 1990-10-04 | 1990-10-04 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04142744A (ja) |
-
1990
- 1990-10-04 JP JP26677690A patent/JPH04142744A/ja active Pending
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