JPH04130654A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、樹脂封止型半導体装置に関し、特に、化合物
半導体ペレットを樹脂で封止する樹脂封止型半導体装置
に適用して有効な技術に関するものである。

〔従来の技術〕

高周波用、ＶＨＦ或はＵＨＦ等のテレビチューナ、又は
ＢＳチューナ用ＩＣとして使用される半導体装置は高周
波数帯域で動作する。この半導体装置にはＧ　ａ　Ａ　
ｓ基板からなる化合物半導体チップ（Ｇ　ａ　Ａ　ｓデ
バイス）が搭載される。化合物半導体チップはその回路
搭載面に半導体素子としてＭＥＳＦＥＴ、ダイオード素
子、抵抗素子、容量素子等を配置する。化合物半導体チ
ップに搭載される半導体素子例えばＭＥＳＦＥＴは単結
晶珪素基板からなる半導体ペレット（Ｓｉデバイス）に
搭載される例えばＭＯＳＦＥＴに比べて高い周波数特性
が得られる。

この種の半導体装置は民生用としての開発が行われてい
る。民生用半導体装置は、パッケージ材料が樹脂（レジ
ン）で構成され、通信用半導体装置に比へて信頼性が劣
るものの、安価である特徴がある。すなわち、民生用半
導体装置は所ｙＩ樹脂封止型半導体装置で構成される。

この民生用樹脂封止型半導体装置はタブ吊りリードで支
持されたタブの表面に化合物半導体ペレットを搭載する
。この化合物半導体ペレットの外部端子（ポンディング
パッド）、リードのインナーリードの夫々はワイヤで電
気的に接続される。インナーリードはタブの周囲に沿っ
て複数本配列され、これらのインナーリードの夫々には
入力信号、出力信号、電源等が印加される。前記化合物
半導体ペレット、インナーリード等は樹脂例えばエポキ
シ系樹脂で封止される。この樹脂はトランスファモール
ド法で形成される６リードのアウターリードは前述のイ
ンナーリードに一体に構成され電気的に接続される。

前記民生用樹脂封止型半導体装置は、例えばＳＯＰ　（
Ｓ　ｗａｌｌ−９−ｕｔｌｉｎｅ　Ｐ　ａｃｋａｇｅ）
構造等、２方向リード配列構造を採用する場合、平面長
方形状のタブの対向する２つの長辺の夫々に沿って複数
本のリードが配列される。また、この民生用樹脂封止型
半導体装置は、化合物半導体ペレットに搭載される回路
の周波数特性を高める目的で、タブの長辺の中央部或は
その近傍に配列されるリートを信号用として使用する。

つまり、リードのインナーリードは、タブの長辺の中央
部でリード長が最も短く、タブの角部に近づくにつれリ
ード長が長くなるので、信号用リードは、リード長が短
く、インダクタンス成分が小さいものが使用される。

また、民生用樹脂封止型半導体装置は、例えばＭ　Ｓ　
Ｐ　（Ｍｉｎｉ　５ｑｕａｒｅ　Ｐａｃｋａｇｅ）構造
等、４方向す−ド配列構造を採用する場合、はぼ平面正
方形状のタブの４つの辺の各辺の夫々に沿って複数本の
リードが配列される。また、この民生用樹脂封止型半導
体装置は、前述と同様に、化合物半導体ペレットに搭載
される回路の周波数特性を高める目的で、タブの各辺の
中央部或はその近傍に配列されるリードを信号用として
使用する。

なお、この種の化合物半導体ペレットを樹脂で封止する
樹脂封止型半導体装置については、例えば特開平２−１
４３４５０号公報に記載される。

〔発明が解決しようとする課題〕

本発明者は、前述の民生用樹脂封止型半導体装置の開発
に先立ち、下記の問題点を見出した。

前記２方向リード配列構造を採用する民生用樹脂封止型
半導体装置において、タブの長辺の中央部或はその近傍
に配置されるインナーリードは信号用として使用される
ので、タブの角部分に配置された或は短辺側に迂回させ
たインナーリードは電源用として使用される。電源とし
ては例えば化合物半導体ペレットに搭載された回路の基
準電源（所謂接地電源）及び回路の動作電源である。こ
の電源用としてのインナーリードは、その引き回しでリ
ード長が長くなり、インダクタンス成分が増大する。こ
のインダクタンス成分は容量及び抵抗が直列接続された
回路を構成し、この回路は周波数が高くなると直列共振
により共振周波数が低下しく共振点でのインピーダンス
が最低値となり）、回路動作不良が発生する。このため
、民生用樹脂封止型半導体装置は、化合物半導体ペレッ
トに搭載された回路の周波数を低下しなくてはならず。

結果的に周波数特性が劣化する。

また、前記４方向リード配列構造を採用する民生用樹脂
封止型半導体装置は、前述と実質的に同様の理由に基づ
き、周波数特性が劣化する。

また、前記民生用樹脂封止型半導体装置の化合物半導体
ペレットに搭載された回路を構成するＭＥＳＦＥＴはし
きい値電圧がデイプレッション型のものが主流である。

高集積化に基づき、化合物半導体ペレットに搭載される
ＭＥＳＦＥＴの個数が多くなると、消費電力が増大する
。消費電力の増大は、化合物半導体ペレットに搭載され
た回路の動作で発生する熱量を増大する。また、消費電
力の増大は、化合物半導体ペレットに搭載された回路の
半導体素子間を結線する配線例えばアルミニウム系配線
の電流密度を増大し、エレクトロマイグレーション不良
を生じる。

本発明の目的は、化合物半導体ペレットを樹脂で封止す
る樹脂封止型半導体装置において１周波数特性を向上す
ると共に、放熱特性を向上することが可能な技術を提供
することにある。

本発明の他の目的は、化合物半導体ペレットを樹脂で封
止する、４方向リード配列構造を採用する樹脂封止型半
導体装置において、周波数特性をより向上すると共に、
放熱特性をより向上することが可能な技術を提供するこ
とにある。

本発明の他の目的は、前記樹脂封止型半導体装置におい
て、リード間の電気的な分離能力を向上することが可能
な技術を提供することにある。

本発明の他の目的は、化合物半導体ペレットの外部端子
とリードとをワイヤで接続し、これらを樹脂で封止する
樹脂封止型半導体装置において、周波数特性を向上する
と共に、放熱特性を向上することが可能な技術を提供す
ることにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。

〔課題を解決するための手段〕

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。

（１）化合物半導体ペレットを搭載した実質的に平面方
形状のタブがその４辺の夫々の中央部でタブ吊りリード
に支持され、前記タブのタブ吊りリードが連結された領
域以外の辺に沿って複数本のリードが配置され、前記化
合物半導体ペレットの外部端子、前記リードの夫々を電
気的に接続する、４方向リード配列構造を採用する樹脂
封止型半導体装置において、前記タブ吊りリードが、前
記化合物半導体ペレットの電源が印加される外部端子に
電気的に接続され、電源用リードとしても使用される。

（２）前記手段（１）のタブ吊りリードの両側にそれに
近接して配置されるリードの夫々には夫々異なる周波数
帯域の信号が印加される。

（３）化合物半導体ペレットを搭載した実質的に平面方
形状のタブがその４つの角部の夫々でタブ吊りリードに
支持され、前記タブの４辺の夫々に沿って複数本のリー
ドが配置され、前記化合物半導体ペレットの外部端子、
前記リードの夫々を電気的に接続する、４方向リード配
列構造を採用する樹脂封止型半導体装置において、前記
タブ吊りリードが、前記化合物半導体ペレットの電源が
印加される外部端子に電気的に接続され、電源用リード
としても使用される。

（４）前記手段（１）乃至（３）のいずれかの化合物半
導体ペレットの電源が印加される外部端子は、ワイヤを
介してタブに電気的に接続され、前記ワイヤ及びタブを
介して前記タブ吊りリードに電気的に接続される。

〔作　　用〕

上述した手段（１）によれば、前記タブの４つの辺の各
辺の夫々に連結される４本のタブ吊りリードを電源用リ
ードとして使用し、この電源用リードの合計の断面積を
増加できるので、電源用リードのインダクタンス成分を
低減し、前記化合物半導体ペレットに搭載される回路の
周波数特性を向上できる。また、前記電源用リードの合
計の断面積を増加し、この電源用リードの熱抵抗成分を
低減できるので、樹脂封止型半導体装置の放熱特性を向
上できる。また、前記電源用リードがそれを連結したタ
ブの辺に対してほぼ垂直方向に延在し、化合物半導体ペ
レットの中心点或はタブの中心点から最も短い電源経路
を構成できるので、前記周波数特性をより向上でき、或
は前記放熱特性をより向上できる。

上述した手段（２）によれば、前記手段（１）の作用効
果の他に、前記タブ吊りリードを電源用リードとして使
用し、さらにこの電源用リードでその両側の夫々のリー
ドに印加される信号間を電気的に分離できるので、樹脂
封止型半導体装置のリード間の分離能力（アイソレーシ
ョン特性）を向上できる。

上述した手段（３）によれば、前記手段（１）の作用効
果の他に、前記リードがタブの辺に対してほぼ垂直方向
に延在し又はそれに近い角度をなして延在し、化合物半
導体ペレットの中心点或はタブの中心点から短い信号経
路を構成できる（電源経路に比べて短くできる）ので、
前記リードのインダクタンス成分を低減し、前記化合物
半導体ペレットに搭載される回路の周波数特性を向上で
きる。

上述した手段（４）によれば、前記化合物半導体ペレッ
トの電源が印加される外部端子、タブの夫々を接続する
ワイヤの長さは、他の外部端子、リードの夫々を接続す
るワイヤの長さに比べて短くできるので、このワイヤの
長さを短くした分、前記ワイヤのインダクタンス成分を
低減し、前記化合物半導体ペレットに搭載される回路の
周波数特性をより向上できる。また、前記ワイヤの長さ
を短くした分、このワイヤの熱抵抗成分を低減できるの
で、樹脂封止型半導体装置の放熱特性を向上できる。

以下１本発明の構成について、テレビチューナ用ＩＣを
搭載した化合物半導体ペレットを樹脂で封止する民生用
樹脂封止型半導体装置に本発明を適用した一実施例とと
もに説明する。

なお、実施例を説明するための全図において、同一機能
を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は
省略する。

〔発明の実施例〕

（実施例Ｉ） 本実施例■は、２方向リード配列構造を採用する民生用
樹脂封止型半導体装置に本発明を適用した、本発明の第
１実施例である。

本発明の実施例■である２方向リード配列構造を採用す
る民生用樹脂封止型半導体装置を第１図（ｍ脂の一部を
除去した状態の平面図）及び第２図（第１図の■−■切
断線で切った断面図）で示す。

第１図及び第２図に示すように、民生用樹脂封止型半導
体装！１は、タブ２１の表面上に搭載された化合物半導
体ペレット３を樹脂６で封止する。

前記化合物半導体ペレット３は、第３図（チップレイア
ウト図）及び第４図（要部断面図）に示すように、平面
形状が方形状のＧａＡｓ基板３０Ａを主体に構成される
。化合物半導体ペレット３の回路搭載面つまりＧａＡｓ
基板（半絶縁性基板）３０Ａの回路搭載面にはテレビチ
ューナ用■ｃが搭載される。

第３図に示すように、テレビチューナ用ＩＣは、主に、
化合物半導体ペレット３の回路搭載面の中央部分に配置
された、ＵＨＦ／ＶＨＦ切換器３２、周波数混合器３３
．ＩＦ増幅器３４、発振増幅器３５゜Ｕ発振器３７及び
７発振器３６で構成される。ＵＨＦ系回路例えばＵ発振
器３７、ＶＨＦ系回路例えば７発振器３６の夫々は、ブ
ロック毎に集積され、分離領域を介在し相互に分離され
る。つまり、ＵＨＦ系回路、ＶＨＦ系回路の夫々は相互
にクロストークが発生しずらい回路配置がなされる。

化合物半導体ペレット３の回路搭載面の周辺部分には複
数個の外部端子（ポンディングパッド）３１が配置され
る。具体的に、化合物半導体ペレット３は、第３図中、
上辺に、ＵＨＦ入力信号端子、ＶＨＦ入力信号端子の夫
々として使用される外部端子３１等が配置される。本実
施例の化合物半導体ペレット３に搭載されたテレビチュ
ーナ用ＩＣは、ＵＨＦ入力信号として５１０〜８６０［
ＭＨｚ］の周波数が使用され、ＶＨＦ入力信号として５
０〜４６０［ＭＨｚ］の周波数が使用される。ＵＨＦ入
力信号端子、ＶＨＦ入力信号端子の夫々として使用され
る外部端子３１は、相互に電気的な影響を及ぼさないた
めに、他の外部端子３１間の離隔寸法に比べて若干大き
な離隔寸法をもって配置される。

また、第３図中、左辺には外付装置のＵＨＦ共振器３８
からのＵＨＦ局発信号を入力する入力端子、ＶＨＦ共振
器３９からのＶＨＦ局発信号を入力する入力端子、基準
電源端子（ＧＮＤ）の夫々として使用される外部端子３
１が配置される。基準電源（ＧＮＤ）としては回路の接
地電位例えばＯ［Ｖ］が使用される。基準電源端子とし
て使用される外部端子３１は、ＵＨＦ局発信号を入力す
る入力端子、ＶＨＦ局発信号を入力する入力端子の夫々
として使用される外部端子３１間に配置され、両者の外
部端子３１間を電気的に遮蔽する。第３図中、右辺には
前述と同様の基準電源端子（ＧＮＤ）として使用される
外部端子３１等が配置される。第３図中、下辺には動作
電源端子、ＩＦ出力信号端子の夫々として使用される外
部端子３１等が配置される。動作電源端子としては回路
の動作電位例えば９［ｖ］が使用される。これらの外部
端子３１は、テレビチューナ用ＩＣを構成する各回路３
２〜３７の夫々の間を結線する又は各回路３２〜３７の
夫々の素子間を結線する配線（３０Ｆ）と同一導電層で
構成される。

前記各回路３２〜３７の夫々を構成する素子は、第４図
に示すように、ＭＥＳＦＥＴＴｒ、ダイオード素子Ｄ、
抵抗素子Ｒ等である。

前記ＭＥＳＦＥＴＴｒは、ＧａＡｓ基板３０Ａの主面に
構成され、主にチャネル領域であるｎ型拡散領域３０Ｂ
、ソース領域及びドレイン領域である一対のｎ°型拡散
領域３０Ｃ、ショットキー接合をなすゲート電極３０Ｄ
で構成される。このＭＥＳＦＥＴＴｒのしきい値電圧は
デイプレッション型に設定される。ゲート電極３０Ｄは
例えばＡｕ膜で構成される。ＭＥＳＦＥＴＴｒのソース
領域、ドレイン領域の夫々であるｎ゛型拡散領域３０Ｃ
には電極３０Ｅを介して配線３０Ｆが接続される。電極
３０Ｅは例えばＡｕＧｅ膜、Ｗ膜、Ｎｉ膜、Ａｕ膜の夫
々を順次積層した複合膜で構成される。配線３０Ｆは、
パッシベーション膜３０Ｇ上に構成され、このパッシベ
ーション膜３０Ｇに形成された接続孔を通して電極３０
Ｈに接続される。配線３０Ｆは例えばＴｉＷ膜上にＡＱ
−５ｉ合金膜を積層した複合膜で構成される。パッシベ
ーション膜３０Ｇとしては例えばＰＳＧ膜が使用される
。前記配線３０Ｆ上を含むＧａＡｓ基板３０Ａ上の全面
にはファイナルパッシベーション膜３０Ｈが構成される
。

前記ダイオード素子りはアノード領域としての電極３０
Ｄ及びカソード領域としてのｎ°型拡散領域３０Ｃで構
成される。このダイオード素子りのアノード領域である
電極３０Ｄには配線３０Ｆが接続され、カソード領域で
あるゴ型拡散領域３０Ｃには電極３０Ｅを介して配線３
０Ｆが接続される。

前記抵抗素子Ｒはｎ゛型拡散領域３０Ｃで構成される。

この抵抗素子Ｒであるｎ°型拡散領域３０Ｃの一端側、
他端側の夫々は電極３０Ｅを介して配線３０Ｆに接続さ
れる。

このように構成される化合物半導体ペレット３は、前記
第１図及び第２図に示すように、タブ２１の表面の中央
部分に接着層４を介して固着される。

接着層４としては例えばＡｇペーストを使用する。

前記タブ２１は、第１図に示すように、化合物半導体ペ
レット３の平面形状に比べて−回り大きい平面長方形状
で構成される。タブ２！は、その長方形状の対向する２
つの短辺（第１図中、左右）の夫々において、合計２本
のタブ吊りリード２２で支持される。つまり、タブ２１
はタブ吊りリード２２と一体に構成されかつ電気的に接
続される。タブ２１のその長方形状の対向する２つの長
辺の夫々に沿った外周の領域には複数本のインナーリー
ド２３が配列される。具体的に、インナーリード２３は
、タブ２１の一方の長辺に沿って８本、他の長辺に沿っ
て８本、２列で合計１６本が配列される。すなわち、本
実施例の民生用樹脂封止型半導体装Ｗ１は、２方向リー
ド配列構造で構成され＝　ｓｏｐ構造が採用される。

前記インナーリード２３の化合物半導体ペレット３側の
一端はボンディングワイヤ５を介して化合物半導体ペレ
ット３の外部端子３１に電気的に接続される。前記イン
ナーリード２３の他端はアウターリード２４に一体に構
成されかつ電気的に接続される。このインナーリード２
３及びそれに一体に構成されたアウターリードｚ４の夫
々には、前述の基準電源（ＧＮＤ）を除く、ＵＨＦ入力
信号、ＶＨＦ入力信号、ＵＨＦ局発信号、ＶＨＦ局発信
号、ＩＰ出力信号、動作電源等が印加される。

前記タブ２１．タブ吊りリード２２、インナーリード２
３及びアウターリート２４は同一のリードフレームから
切断されたものである。アウターリード２４は、前記リ
ードフレームから切断されると共に、ガルウィング構造
に成型される。このリードフレームは例えばＳｎ入り無
酸素銅で構成される。前記ボンディングワイヤ５は例え
ばＡｕワイヤを使用する。

前記インナーリード２３及びアウターリード２４はタブ
２１の長辺の中央部分から短辺側に向って配列される毎
にリード幅寸法が順次大きく構成される。

第１図に示すように、化合物半導体ペレット３の外部端
子３１の配列方向、それに沿ったインナーリード２３の
ボンディング位置の配列方向の夫々がほぼ平行に設定さ
れ、外部端子３１の配置位置、インナーリード２３のボ
ンディング位置の夫々が化合物半導体ペレット３又はタ
ブ２１の中心点からの放射線上或はその近傍に配置され
る民生用樹脂封止型半導体装置１においては、外部端子
３１の配列方向及びインナーリード２３のボンディング
位置の配列方向、前記放射線の夫々が交差しなす角度が
直重に近いほど（タブ２１の長辺の中央に近いほど）、
外部端子３１、ボンディングワイヤ５及びインナーリー
ド２３を含む信号経路が短くなる。また、前記なす角度
が直重から遠ざかるほど（タブ２１の長辺の中央から短
辺に近づくほど）、前記信号経路が長くなる。つまり、
インナーリード２３及びアウターリード２４は、信号経
路が長くなりインダクタンス成分が増大する（具体的に
はボンディングワイヤ５が長くなりそのインダクタンス
成分が増大する）場合に、インダクタンス成分を低減す
る目的で、リード幅寸法が増加される。本実施例の民生
用樹脂封止型半導体装置１は、すべての信号経路でのイ
ンダクタンス成分を実質的に均一化する目的で、インナ
ーリード２３及びアウターリード２４のリード幅寸法が
タブ２１の長辺の中央から短辺に向って順次大きく構成
される。

前記タブ２１は化合物半導体ペレット３の周辺領域の左
辺、右辺の夫々に配置された、基準電源端子（ＧＮＤ）
として使用される外部端子３１に電気的に接続される。

このタブ２１、外部端子３１の夫々の接続はボンディン
グワイヤ５を介して行われる。

このボンディングワイヤ５は、インナーリード２３に接
続されるボンディングワイヤ５に比べて、化合物半導体
ペレット３の近傍においてボンディングが行え、しかも
タブ２１とインナーリード２３との間の離隔領域に相当
するものを介在しないので、長さを短くできる。つまり
、基準電源用のボンディングワイヤ５のインダクタンス
成分、又は熱抵抗成分は低減される。

前記タブ２１の対向する２つの短辺の夫々に連結された
タブ吊りリード２２は、タブ２１の短辺に対して直重方
向に、インナーリード及びアウターリードとして引き伸
される。タブ吊りリード２２は、タブ２１と電気的に接
続されるので、結果的に基準電源用リードとしても構成
される６タブ吊りリード２２は、タブ２１を機械的に支
持する目的で２本構成されるので、１本のインナーリー
ド２３及びアウターリード２４を基準電源用リードとし
て構成する場合に比べて、２本の合計の断面積が大きく
なる。

つまり、２本のタブ吊りリード２２は合計１本のタブ吊
りリード２２と見なした場合、この見なされたタブ吊り
リード２２は、その断面積が増加されたので、インダク
タンス成分、又は熱抵抗成分を低減できる。

また、タブ吊りリード２２はタブ２１、の長辺に沿った
インナーリード２３及びアウターリード２４の配列領域
と別の短辺に沿った領域に配置される。しかも、タブ吊
りリード２２はインナーリード２３及びアウターリード
２４の配列ピッチを変化する等の影響を与えない独立な
領域に配置される。このため、タブ吊りリード２２は、
そのリード幅寸法を自由に設定でき、第１図に示すよう
に、インナーリード２３及びアウターリード２４のリー
ド幅寸法に比べて大きいリード幅寸法に構成できる。

前記樹脂６は、平面長方形状で構成され、例えばエポキ
シ系樹脂で構成される。この樹脂６は例えばトランスフ
ァモールド法で形成される。前記アウターリード２４は
樹脂６の対向する２つの長辺の夫々に沿って複数本配列
される。

このように、化合物半導体ペレット３を搭載した実質的
に平面長方形状のタブ２１がその対向する２つの短辺の
夫々でタブ吊りリード２２に支持され、前記タブ２１の
他の対向する２つの長辺の夫々に沿って複数本のインナ
ーリード２３（及びアウターリード２４）が配置され、
前記化合物半導体ペレット３の外部端子３１、前記イン
ナーリード２３の夫々を電気的に接続する、２方向リー
ド配列構造を採用する民生用樹脂封止型半導体装１１１
において、前記タブ吊りリード２２が、前記化合物半導
体ペレット３の基準電源（ＧＮＤ）が印加される外部端
子３１に電気的に接続され、基準電源用リードとしても
使用される。この構成により、前記タブ２１の対向する
２つの短辺の夫々に連結される２本のタブ吊りリード２
２を基準電源用リードとして使用し、この基準電源用リ
ードの合計の断面積を増加できるので、基準電源用リー
ドのインダクタンス成分を低減し、前記化合物半導体ペ
レット３に搭載されるテレビチューナ用ＩＣの周波数特
性を向上できる。また、前記基準電源用リード（タブ吊
りリード２２）の合計の断面積を増加し、この基準電源
用リードの熱抵抗成分を低減できるので、民生用樹脂封
止型半導体装置１の放熱特性を向上できる。

また、前記タブ吊りリード２２は前記インナーリード２
３（及びアウターリード２４）に比べてリード幅寸法が
大きく構成される。この構成により、前記構成の作用効
果の他に、前記タブ吊りリード２２は前記インナーリー
ド２３の配列の領域と別な領域でインナーリード２３の
配列に影響を与えない独立な領域に配列され、前記イン
ナーリード２３のリード幅寸法に対してタブ吊りリード
２２のリード幅寸法を自由に増加できるので、周波数特
性をより向上でき、又は放熱特性をより向上できる。

また、前記化合物半導体ペレット３の基準電源（ＧＮＤ
）が印加される外部端子３１は、ボンディングワイヤ５
を介してタブ２１に電気的に接続され、前記ボンディン
グワイヤ５及びタブ２１を介して前記タブ吊りリード２
２に電気的に接続される。この構成により、前記構成の
作用効果の他に、前記化合物半導体ペレット３の基準電
源が印加される外部端子３１、タブ２１の夫々を接続す
るボンディングワイヤ５の長さは、他の外部端子３１．
インナーリード２３の夫々を接続するボンディングワイ
ヤ（信号用ワイヤ）５の長さに比べて短くできるので、
このボンディングワイヤ５の長さを短くした分、前記ボ
ンディングワイヤ５のインダクタンス成分を低減し、前
記化合物半導体ペレット３に搭載されるテレビチューナ
用ＩＣの周波数特性をより向上できる。また、前記ボン
ディングワイヤ５の長さを短くした分、このボンディン
グワイヤ５の熱抵抗成分を低減できるので、民生用樹脂
封止型半導体装電工の放熱特性を向上できる。

（実施例■） 本実施例■は、４方向リード配列構造を採用する民生用
樹脂封止型半導体装置に本発明を適用した、本発明の第
２実施例である。

本発明の実施例■である４方向リード配列構造を採用す
る民生用樹脂封止型半導体装置を第５図（樹脂の一部を
除去した状態の平面図）で示す。

本実施例の民生用樹脂封止型半導体装Ｗ１は、第５図に
示すように、はぼ平面正方形状のタブ２１上に化合物半
導体ペレット３が搭載される。タブ２１の４つの辺の各
辺に沿った外周には複数本のインナーリード２３及びア
ウターリード２４が配列される。つまり、本実施例の民
生用樹脂封止型半導体装置１は、４方向リード配列構造
で構成され、Ｍｓｐ構造を採用する。

前記タブ２１は、その４つの辺の各辺の中央部分におい
てタブ吊りリード２２と一体に構成され電気的に接続さ
れる。前述の実施例■と同様に、タブ２１は化合物半導
体ペレット３の基準電源（ＧＮＤ）が印加される外部端
子３１に接続される。タブ２１゜外部端子３１の夫々の
接続はボンディングワイヤ５を介して行われ、このボン
ディングワイヤ５は他のボンディングワイヤ５に比べて
短く構成される。

前記タブ吊りリード２２は、前述の実施例■と同様に、
インナーリード及びアウターリードとして樹脂６の内外
に引き出され、タブ２１と電気的に接続されるので、基
準電源用リードとしても使用される。つまり、本実施例
の民生用樹脂封止型半導体装Ｗ１は４本のタブ吊りリー
ド２２を４本の基準電源用リードとして使用する。

また、前記４本のタブ吊りリード２２の夫々は、タブ２
１の各辺の中央部分に連結され、タブ２１の各辺に対し
て直重又はそれに近い方向に延在するので、基準電源端
子としての外部端子（ＧＮＤ）３１とタブ吊りリード２
２のボンディング位置との間の距離（基準電源経路）が
最も短くなる。つまり、本実施例の民生用樹脂封止型半
導体装置１は、ＵＨＦ入力信号、ＶＨＦ入力信号等が伝
達される信号経路のインダクタス成分又は熱抵抗成分に
比べて、基準電源経路のインダクタンス成分又は熱抵抗
成分を小さくできる。

基準電源用リードとして使用されるタブ吊りリード２２
以外のインナーリード２３及びアウターリード２４は、
前述の実施例■と同様に、タブ２１の各辺の中央部分か
らタブ２１の各角部に向って順次リード幅寸法が大きく
構成される。

前記タブ吊りリード２２は前述のように基準電源用リー
ドとして使用され、この基準電源用リードに近接する両
者の夫々には、相互に周波数が異なる信号が印加される
インナーリード２３が配列される。つまり、前記第３図
及び第５図に示すように。

化合物半導体ペレット３の上辺に配置された、ＵＨＦ入
力信号が印加される外部端子３１に接続されるインナー
リード２３が上辺側に配置された基準電源用リードの左
側に、ＶＨＦ入力信号が印加される外部端子３１に接続
されるインナーリード２３が基準電源用リードの右側に
夫々配置される。同様に、化合物半導体ペレット３の左
辺に配置された、ＵＨＦ局発信号が印加される外部端子
３１に接続されるインナーリード２３が左辺側に配置さ
れた基準電源用リードの上側に、ＶＨＦ局発信号が印加
される外部端子３１に接続されるインナーリード２３が
基準電源用リードの下側に夫々配置される。これらの信
号が印加されるインナーリード２３の配列は化金物半導
体ペレット３の外部端子３１の配列に対応されており、
前記基準電源用リードは周波数が異なる信号間のクロス
トークを低減する遮蔽効果を有する。

このように、本実施例■にょれば、前述の実施例■の作
用効果の他に、化合物半導体ペレット３を搭載した実質
的に平面正方形状のタブ２１がその４辺の夫々の中央部
でタブ吊りリード２２に支持され、前記タブ２１のタブ
吊りリード２２が連結された領域以外の辺に沿って複数
本のインナーリード２３（及びアウターリード２４）が
配置され、前記化合物半導体ペレット３の外部端子３１
．前記インナーリード２３の夫々を電気的に接続する、
４方向リード配列構造を採用する民生用樹脂封止型半導
体装置１において、前記タブ吊りリード２２が、前記化
合物半導体ペレットｌの基準電源（ＧＮＤ）が印加され
る外部端子３１に電気的に接続され、基準電源用リード
としても使用されるにの構成により、前記タブ２１の４
つの辺の各辺の夫々に連結される４本のタブ吊りリード
２２を基準電源用リードとじて使用し、この基準電源用
リードの合計の断面積を増加できるので、基準電源用リ
ードのインダクタンス成分を低減し、前記化合物半導体
ペレット３に搭載されるテレビチューナ用ＩＣの周波数
特性を向上できる。また、前記基準電源用リードの合計
の断面積を増加し、この基準電源用リードの熱抵抗成分
を低減できるので、民生用樹脂封止型半導体装置工の放
熱特性を向上できる。また、前記基準電源用リード（タ
ブ吊りリード２２）がそれを連結したタブ２１の辺に対
してほぼ垂直方向に延在し、化合物半導体ペレット３の
中心点或はタブ２１の中心点から最も短い基準電源経路
を構成できる（他の信号経路に比べて短くできる）ので
、前記周波数特性をより向上でき、或は前記放熱特性を
より向上できる。

また、前記タブ吊りリード２２の両側にそれに近接して
配置されるインナーリード２３の夫々には夫々異なる周
波数の信号が印加される。この構成により、前記タブ吊
りリード２２を基準電源用リードとして使用し、さらに
この基準電源用リードでその両側の夫々のインナーリー
ド２３に印加される信号間を電気的に分離できるので、
民生用樹脂封止型半導体装置１のリード間の分離能力（
アイソレーション特性）を向上できる。

（実施例■） 本実施例■は、４方向リード配列構造を採用する民生用
樹脂封止型半導体装置において、タブ、タブ吊りリード
の夫々の連結位置を変えた、本発明の第３実施例である
。

本発明の実施例■である４方向リード配列構造を採用す
る民生用樹脂封止型半導体装置を第６図（樹脂の一部を
除去した状態の平面図）で示す。

本実施例の民生用樹脂封止型半導体装置１は、第６図に
示すように、はぼ平面正方形状のタブ２１の４つの辺の
各辺に沿った外周に複数本のインナーリード２３及びア
ウターリード２４が配列され、タブ２１の４つの角部の
夫々にタブ吊りリード２２が連結される。この本実施例
の民生用樹脂封止型半導体装置１は、前述の実施例■と
同様に、４方向リード配列構造で構成され、ＭＳＰ構造
を採用する。

前記タブ吊りリート２２は、タブ２１の各角部に配置さ
れると基準電源経路が長くなり、インダクタンス成分又
は熱抵抗成分が増加するが１合計４本配置され、合計の
断面積は増加されるので、インダクタンス成分又は熱抵
抗成分は逆に低減できる。

このタブ吊りリード２２の配置に基づき、インナーリー
ド２３及びアウターリード２４はタブ２１の各辺の中央
部又はその近傍に配置できるので、ＵＨＦ入力信号、Ｖ
ＨＦ入力信号等の信号経路を短くでき、インダクタンス
成分又は熱抵抗成分は低減できる。

このように１本実施例■によれば、前述の実施例■の作
用効果の他に、化合物半導体ペレット３を搭載した実質
的に平面正方形状のタブ２１がその４つ角部の夫々でタ
ブ吊りリード２２に支持され、前記タブ２！の４辺の夫
々に沿って複数本のインナーリード２３（及びアウター
リード２４）が配置され、前記化合物半導体ペレット３
の外部端子３１、前記インナーリード２３の夫々を電気
的に接続する、４方向リード配列構造を採用する民生用
樹脂封止型半導体装＋ｉｉｉにおいて、前記タブ吊りリ
ード２２が、前記化合物半導体ペレット３の基準電源（
ＧＮＤ）が印加される外部端子３１に電気的に接続され
、基準電源用リードとしても使用される。この構成によ
り、前記インナーリード２３がタブ２１の辺に対してほ
ぼ垂直方向に延在し又はそれに近い角度をなして延在し
、化合物半導体ペレット３の中心点或はタブ２１の中心
点から短い信号経路を構成できる（基準電源経路に比べ
て短くできる）ので、前記インナーリード２３のインダ
クタンス成分を低減し、前記化合物半導体チップ３に搭
載されるテレビチューナ用ＩＣの周波数特性を向上でき
る。

以上１本発明者によってなされた発明を、前記実施例に
基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限
定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲にお
いて種々変更可能であることは勿論である。

例えば、本発明は、民生用樹脂封止型半導体装置１のリ
ード構造にバットリード構造を採用してもよい。

また１本発明は、ＢＳチューナ用ＩＣを搭載する化合物
半導体ペレットを内蔵する民生用樹脂封止型半導体装置
に適用してもよい。

また、本発明は、通信用セラミック封止型半導体装置に
適用してもよい。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。

化合物半導体ペレットを樹脂で封止する樹脂封止型半導
体装置において１周波数特性を向上できると共に、放熱
特性を向上できる。

また、化合物半導体ペレットを樹脂で封止する、４方向
リード配列構造を採用する樹脂封止型半導体装置におい
て、周波数特性を向上できると共に、放熱特性を向上で
きる。

また、前記樹脂封止型半導体装置において、リード間の
分離能力を向上できる。

また、化合物半導体ペレットの外部端子とリードとをワ
イヤで接続し、これらを樹脂で封止する樹脂封止型半導
体装置において、周波数特性を向上できると共に、放熱
特性を向上できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の実施例■である２方向リード配列構
造を採用する民生用樹脂封止型半導体装置の平面図、 第２図は、前記民生用樹脂封止型半導体装置の断面図、 第３図は、前記民生用樹脂封止型半導体装置に内蔵され
た化合物半導体ペレットのチップレイアウト図、 第４図は、前記化合物半導体ペレットの要部断面図。 第５図は、本発明の実施例■である４方向リード配列構
造を採用する民生用樹脂封止型半導体装置の平面図、 第６図は、本発明の実施例■である４方向リード配列構
造を採用する民生用樹脂封止型半導体装置の平面図であ
る。 図中、１・・・民生用樹脂封止型半導体装置、２！・・
・タブ、２２・・・タブ吊りリード、２３・・・インナ
ーリート、２４・・アウターリード、３・・・化合物半
導体ペレット、３１・・・外部端子、３０Ａ・・・Ｇａ
Ａｓ基板、３２〜３７・・・回路、５・・・ボンディン
グワイヤ、６・・・樹脂、Ｔｒ・・・ＭＥＳＦＥＴであ
る。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、化合物半導体ペレットを搭載した実質的に平面方形
   状のタブがその４辺の夫々の中央部でタブ吊りリードに
   支持され、前記タブのタブ吊りリードが連結された領域
   以外の辺に沿って複数本のリードが配置され、前記化合
   物半導体ペレットの外部端子、前記リードの夫々を電気
   的に接続する、４方向リード配列構造を採用する樹脂封
   止型半導体装置において、前記タブ吊りリードが、前記
   化合物半導体ペレットの電源が印加される外部端子に電
   気的に接続され、電源用リードとしても使用されること
   を特徴とする樹脂封止型半導体装置。 ２、前記タブ吊りリードの両側にそれに近接して配置さ
   れるリードの夫々には夫々異なる周波数帯域の信号が印
   加されることを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型
   半導体装置。 ３、化合物半導体ペレットを搭載した実質的に平面方形
   状のタブがその４つの角部の夫々でタブ吊りリードに支
   持され、前記タブの４辺の夫々に沿って複数本のリード
   が配置され、前記化合物半導体ペレットの外部端子、前
   記リードの夫々を電気的に接続する、４方向リード配列
   構造を採用する樹脂封止型半導体装置において、前記タ
   ブ吊りリードが、前記化合物半導体ペレットの電源が印
   加される外部端子に電気的に接続され、電源用リードと
   しても使用されることを特徴とする樹脂封止型半導体装
   置。 ４、前記化合物半導体ペレットの電源が印加される外部
   端子は、ワイヤを介してタブに電気的に接続され、前記
   ワイヤ及びタブを介して前記タブ吊りリードに電気的に
   接続されることを特徴とする請求項１乃至請求項３に記
   載のいずれかの樹脂封止型半導体装置。