JPH04130653A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH04130653A JPH04130653A JP2253376A JP25337690A JPH04130653A JP H04130653 A JPH04130653 A JP H04130653A JP 2253376 A JP2253376 A JP 2253376A JP 25337690 A JP25337690 A JP 25337690A JP H04130653 A JPH04130653 A JP H04130653A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、樹脂封止型半導体装置に関し、特に。
化合物半導体ペレットを樹脂で封止する樹脂封止型半導
体装置に適用して有効な技術に関するものである。
体装置に適用して有効な技術に関するものである。
高周波用、ＶＨＦ或はＵＨＦ等のテレビチューナ、又は
ＢＳチューナ用ＩＣとして使用される半導体装置は高周
波数帯域で動作する。この半導体装置にはＧ ａ Ａ
ｓ基板からなる化合物半導体チップ（ＧａＡｓデバイス
）が搭載される。化合物半導体チップはその回路搭載面
に半導体素子としてＭＥＳＦＥＴ、ダイオード素子、抵
抗素子、容量素子等を配置する。化合物半導体チップに
搭載される半導体素子例えばＭＥＳＦＥＴは単結晶珪素
基板からなる半導体ペレット（Ｓｉデバイス）に搭載さ
れる例えばＭＯＳＦＥＴに比べて高い周波数特性が得ら
れる。
ＢＳチューナ用ＩＣとして使用される半導体装置は高周
波数帯域で動作する。この半導体装置にはＧ ａ Ａ
ｓ基板からなる化合物半導体チップ（ＧａＡｓデバイス
）が搭載される。化合物半導体チップはその回路搭載面
に半導体素子としてＭＥＳＦＥＴ、ダイオード素子、抵
抗素子、容量素子等を配置する。化合物半導体チップに
搭載される半導体素子例えばＭＥＳＦＥＴは単結晶珪素
基板からなる半導体ペレット（Ｓｉデバイス）に搭載さ
れる例えばＭＯＳＦＥＴに比べて高い周波数特性が得ら
れる。
この種の半導体装置は民生用としての開発が行われてい
る。民生用半導体装置は、パッケージ材料が樹脂（レジ
ン）で構成され、通信用半導体装置に比べて信頼性が劣
るものの、安価である特徴がある。すなわち、民生用半
導体装置は所謂樹脂封止型半導体装置で構成される。こ
の民生用樹脂封止型半導体装置はタブ吊りリードで支持
されたタブの表面に化合物半導体ペレットを搭載する。
る。民生用半導体装置は、パッケージ材料が樹脂（レジ
ン）で構成され、通信用半導体装置に比べて信頼性が劣
るものの、安価である特徴がある。すなわち、民生用半
導体装置は所謂樹脂封止型半導体装置で構成される。こ
の民生用樹脂封止型半導体装置はタブ吊りリードで支持
されたタブの表面に化合物半導体ペレットを搭載する。
この化合物半導体ペレットの外部端子（ポンディングパ
ッド）、リードのインナーリードの夫々はワイヤで電気
的に接続される。インナーリードはタブの周囲に沿って
複数本配列され、これらのインナーリードの夫々には入
力信号、出力信号、電源等が印加される。前記化合物半
導体ペレット、インナーリード等は樹脂例えばエポキシ
系樹脂で封止される。この樹脂はトランスファモールド
法で形成される。リードのアウターリードは前述のイン
ナーリードに一体に構成され電気的に接続される。
ッド）、リードのインナーリードの夫々はワイヤで電気
的に接続される。インナーリードはタブの周囲に沿って
複数本配列され、これらのインナーリードの夫々には入
力信号、出力信号、電源等が印加される。前記化合物半
導体ペレット、インナーリード等は樹脂例えばエポキシ
系樹脂で封止される。この樹脂はトランスファモールド
法で形成される。リードのアウターリードは前述のイン
ナーリードに一体に構成され電気的に接続される。
前記民生用樹脂封止型半導体装置は、例えばＳＯＰ（Ｓ
ｍａｌｌ ０ｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）構造等、
２方向リード配列構造を採用する場合、平面長方形状の
タブの対向する２つの長辺の夫々に沿って複数本のリー
ドが配列される。また、この民生用樹脂封止型半導体装
置は、化合物半導体ペレットに搭載される回路の周波数
特性を高める目的で、タブの長辺の中央部或はその近傍
に配列されるリードを信号用として使用する。つまり、
リードのインナーリードは、タブの長辺の中央部でリー
ド長が最も短く、タブの角部に近づくにつれリード長が
長くなるので、信号用リードは、リード長が短く、イン
ダクタンス成分が小さいものが使用される。
ｍａｌｌ ０ｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）構造等、
２方向リード配列構造を採用する場合、平面長方形状の
タブの対向する２つの長辺の夫々に沿って複数本のリー
ドが配列される。また、この民生用樹脂封止型半導体装
置は、化合物半導体ペレットに搭載される回路の周波数
特性を高める目的で、タブの長辺の中央部或はその近傍
に配列されるリードを信号用として使用する。つまり、
リードのインナーリードは、タブの長辺の中央部でリー
ド長が最も短く、タブの角部に近づくにつれリード長が
長くなるので、信号用リードは、リード長が短く、イン
ダクタンス成分が小さいものが使用される。
また、民生用樹脂封止型半導体装置は、例えばＭ Ｓ
Ｐ （Ｍｉｎｉ ５ｑｕａｒｅ Ｐａｃｋａｇｅ）構造
等−４方向リード配列構造を採用する場合、はぼ平面正
方形状のタブの４つの辺の各辺の夫々に沿って複数本の
リードが配列される。また、この民生用樹脂封止型半導
体装置は、前述と同様に、化合物半導体ペレットに搭載
される回路の周波数特性を高める目的で、タブの各辺の
中央部或はその近傍に配列されるリードを信号用として
使用する。
Ｐ （Ｍｉｎｉ ５ｑｕａｒｅ Ｐａｃｋａｇｅ）構造
等−４方向リード配列構造を採用する場合、はぼ平面正
方形状のタブの４つの辺の各辺の夫々に沿って複数本の
リードが配列される。また、この民生用樹脂封止型半導
体装置は、前述と同様に、化合物半導体ペレットに搭載
される回路の周波数特性を高める目的で、タブの各辺の
中央部或はその近傍に配列されるリードを信号用として
使用する。
なお、この種の化合物半導体ペレットを°樹脂で封止す
る樹脂封止型半導体装置については、例えば特開平２−
１４３４５０号公報に記載される。
る樹脂封止型半導体装置については、例えば特開平２−
１４３４５０号公報に記載される。
本発明者は、前述の民生用樹脂封止型半導体装置の開発
に先立ち、下記の問題点を見出した。
に先立ち、下記の問題点を見出した。
前記２方向リード配列構造を採用する民生用樹脂封止型
半導体装置において、タブの長辺の中央部或はその近傍
に配置されるインナーリードは信号用として使用される
ので、タブの角部分に配置された戒は短辺側に迂回させ
たインナーリードは電源用として使用される。電源とし
ては例えば化合物半導体ペレットに搭載された回路の基
準電源（所謂接地電源）及び回路の動作電源である。こ
の電源用としてのインナーリードは、その引き回しでリ
ード長が長くなり、インダクタンス成分が増大する。こ
のインダクタンス成分は容景及び抵抗が直列接続された
回路を構成し、この回路は周波数が高くなると直列共振
により共振周波数が低下しく共振点でのインピーダンス
が最低値となり）５回路動作不良が発生する。このため
、民生用樹脂封止型半導体装置は、化合物半導体ペレッ
トに搭載された回路の周波数を低下しなくてはならず。
半導体装置において、タブの長辺の中央部或はその近傍
に配置されるインナーリードは信号用として使用される
ので、タブの角部分に配置された戒は短辺側に迂回させ
たインナーリードは電源用として使用される。電源とし
ては例えば化合物半導体ペレットに搭載された回路の基
準電源（所謂接地電源）及び回路の動作電源である。こ
の電源用としてのインナーリードは、その引き回しでリ
ード長が長くなり、インダクタンス成分が増大する。こ
のインダクタンス成分は容景及び抵抗が直列接続された
回路を構成し、この回路は周波数が高くなると直列共振
により共振周波数が低下しく共振点でのインピーダンス
が最低値となり）５回路動作不良が発生する。このため
、民生用樹脂封止型半導体装置は、化合物半導体ペレッ
トに搭載された回路の周波数を低下しなくてはならず。
結果的に周波数特性が劣化する。
また、前記４方向リード配列構造を採用する民生用樹脂
封止型半導体装置は、前述と実質的に同様の理由に基づ
き、周波数特性が劣化する６また。前記民生用樹脂封止
型半導体装置の化合物半導体ペレットに搭載された回路
を構成するＭＥＳＦＥＴはしきい値電圧がデイプレッシ
ョン型のものが主流である。高集積化に基づき、化合物
半導体ペレットに搭載されるＭＥＳＦＥＴの個数が多く
なると、消費電力が増大する。消費電力の増大は、化合
物半導体ペレットに搭載された回路の動作で発生する熱
量を増大する。また、消費電力の増大は、化合物半導体
ペレットに搭載された回路の半導体素子間を結線する配
線例えばアルミニウム系配線の電流密度を増大し、エレ
クトロマイグレーション不良を生じる。
封止型半導体装置は、前述と実質的に同様の理由に基づ
き、周波数特性が劣化する６また。前記民生用樹脂封止
型半導体装置の化合物半導体ペレットに搭載された回路
を構成するＭＥＳＦＥＴはしきい値電圧がデイプレッシ
ョン型のものが主流である。高集積化に基づき、化合物
半導体ペレットに搭載されるＭＥＳＦＥＴの個数が多く
なると、消費電力が増大する。消費電力の増大は、化合
物半導体ペレットに搭載された回路の動作で発生する熱
量を増大する。また、消費電力の増大は、化合物半導体
ペレットに搭載された回路の半導体素子間を結線する配
線例えばアルミニウム系配線の電流密度を増大し、エレ
クトロマイグレーション不良を生じる。
本発明の目的は、化合物半導体ペレットを樹脂で封止す
る樹脂封止型半導体装置において、周波数特性を向上す
ると共に、放熱特性を向上することが可能な技術を提供
することにある。
る樹脂封止型半導体装置において、周波数特性を向上す
ると共に、放熱特性を向上することが可能な技術を提供
することにある。
本発明の他の目的は、化合物半導体ペレットを樹脂で封
止する、２方向リード配列構造を採用する樹脂封止型半
導体装置において１周波数特性をより向上すると共に、
放熱特性をより向上することが可能な技術を提供するこ
とにある。
止する、２方向リード配列構造を採用する樹脂封止型半
導体装置において１周波数特性をより向上すると共に、
放熱特性をより向上することが可能な技術を提供するこ
とにある。
本発明の他の目的は、化合物半導体ペレットの外部端子
とリードとをワイヤで接続し、これらを樹脂で封止する
樹脂封止型半導体装置において、周波数特性を向上する
と共に、放熱特性を向上することが可能な技術を提供す
ることにある。
とリードとをワイヤで接続し、これらを樹脂で封止する
樹脂封止型半導体装置において、周波数特性を向上する
と共に、放熱特性を向上することが可能な技術を提供す
ることにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
（１）化合物半導体ペレットを搭載した実質的に平面方
形状のタブがその対向する２辺の夫々でタブ吊りリード
に支持され、前記タブの他の対向する２辺の夫々に沿っ
て複数本のリードが配置され。
形状のタブがその対向する２辺の夫々でタブ吊りリード
に支持され、前記タブの他の対向する２辺の夫々に沿っ
て複数本のリードが配置され。
前記化合物半導体ペレットの外部端子、前記リードの夫
々を電気的に接続する、２方向リード配列構造を採用す
る樹脂封止型半導体装置において。
々を電気的に接続する、２方向リード配列構造を採用す
る樹脂封止型半導体装置において。
前記タブ吊りリードが、前記化合物半導体ペレットの電
源が印加される外部端子に電気的に接続され、電源用リ
ードとしても使用される。
源が印加される外部端子に電気的に接続され、電源用リ
ードとしても使用される。
（２）前記手段（１）のタブ吊りリードは前記リードに
比べてリード幅寸法が大きぐ構成される。
比べてリード幅寸法が大きぐ構成される。
（３）前記手段（１）又は（２）の前記化合物半導体ペ
レットの電源が印加される外部端子は、ワイヤを介して
タブに電気的に接続され、前記ワイヤ及びタブを介して
前記タブ吊りリードに電気的に接続される。
レットの電源が印加される外部端子は、ワイヤを介して
タブに電気的に接続され、前記ワイヤ及びタブを介して
前記タブ吊りリードに電気的に接続される。
上述した手段（１）によれば、前記タブの対向する２辺
の夫々に連結される２本のタブ吊りリードを電源用リー
ドとして使用し、この電源用リードの合計の断面積を増
加できるので、電源用リードのインダクタンス成分を低
減し、前記化合物半導体チップに搭載される回路の周波
数特性を向上できる。また、前記電源用リードの合計の
断面積を増加し、この電源用リードの熱抵抗成分を低減
できるので、樹脂封止型半導体装置の放熱特性を向上で
きる。
の夫々に連結される２本のタブ吊りリードを電源用リー
ドとして使用し、この電源用リードの合計の断面積を増
加できるので、電源用リードのインダクタンス成分を低
減し、前記化合物半導体チップに搭載される回路の周波
数特性を向上できる。また、前記電源用リードの合計の
断面積を増加し、この電源用リードの熱抵抗成分を低減
できるので、樹脂封止型半導体装置の放熱特性を向上で
きる。
上述した手段（２）によれば、前記手段（１）の作用効
果の他に、前記タブ吊りリードは前記リードの配列の領
域と別な領域でリードの配列に影響を与えない独立な領
域に配列され、前記リードのリード幅寸法に対してタブ
吊りリードのリード幅寸法を自由に増加できるので、周
波数特性をより向上でき、又は放熱特性をより向上でき
る。
果の他に、前記タブ吊りリードは前記リードの配列の領
域と別な領域でリードの配列に影響を与えない独立な領
域に配列され、前記リードのリード幅寸法に対してタブ
吊りリードのリード幅寸法を自由に増加できるので、周
波数特性をより向上でき、又は放熱特性をより向上でき
る。
上述した手段（３）によれば、前記手段（１）又は（２
）の作用効果の他に、前記化合物半導体ペレットの電源
が印加される外部端子、タブの夫々を接続するワイヤの
長さは、他の外部端子、リードの夫々を接続するワイヤ
（信号用ワイヤ）の長さに比べて短くできるので、この
ワイヤの長さを短くした分、前記ワイヤのインダクタン
ス成分を低減し、前記化合物半導体チップに搭載される
回路の周波数特性をより向上できる。また、前記ワイヤ
の長さを短くした分、このワイヤの熱抵抗成分を低減で
きるので、樹脂封止型半導体装置の放熱特性を向上でき
る。
）の作用効果の他に、前記化合物半導体ペレットの電源
が印加される外部端子、タブの夫々を接続するワイヤの
長さは、他の外部端子、リードの夫々を接続するワイヤ
（信号用ワイヤ）の長さに比べて短くできるので、この
ワイヤの長さを短くした分、前記ワイヤのインダクタン
ス成分を低減し、前記化合物半導体チップに搭載される
回路の周波数特性をより向上できる。また、前記ワイヤ
の長さを短くした分、このワイヤの熱抵抗成分を低減で
きるので、樹脂封止型半導体装置の放熱特性を向上でき
る。
以下、本発明の構成について、テレビチューナを用ＩＣ
搭載した化合物半導体ペレットを樹脂で封止する民生用
樹脂封止型半導体装置に本発明を適用した一実施例とと
もに説明する。
搭載した化合物半導体ペレットを樹脂で封止する民生用
樹脂封止型半導体装置に本発明を適用した一実施例とと
もに説明する。
なお、実施例を説明するための企図において。
同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返し
の説明は省略する。
の説明は省略する。
（実施例Ｉ）
本実施例Ｉは、２方向リード配列構造を採用する民生用
樹脂封止型半導体装置に本発明を適用した１本発明の第
１実施例である。
樹脂封止型半導体装置に本発明を適用した１本発明の第
１実施例である。
本発明の実施例■である２方向リード配列構造を採用す
る民生用樹脂封止型半導体装置を第１図（樹脂の一部を
除去した状態の平面図）及び第２図（第１図の■−■切
断線で切った断面図）で示す。
る民生用樹脂封止型半導体装置を第１図（樹脂の一部を
除去した状態の平面図）及び第２図（第１図の■−■切
断線で切った断面図）で示す。
第１図及び第２図に示すように、民生用樹脂封止型半導
体装置ｌは、タブ２１の表面上に搭載された化合物半導
体ペレット３を樹脂６で封止する。
体装置ｌは、タブ２１の表面上に搭載された化合物半導
体ペレット３を樹脂６で封止する。
前記化合物半導体ペレット３は、第３図（チップレイア
ウト図）及び第４図（要部断面図）に示すように、平面
形状が方形状のＧ ａ Ａ ｓ基板３０Ａを主体に構成
される。化合物半導体ペレット３の回路搭載面つまりＧ
ａＡｓ基板（半絶縁性基板）３０Ａの回路搭載面にはテ
レビチューナ用ＩＣが搭載される。
ウト図）及び第４図（要部断面図）に示すように、平面
形状が方形状のＧ ａ Ａ ｓ基板３０Ａを主体に構成
される。化合物半導体ペレット３の回路搭載面つまりＧ
ａＡｓ基板（半絶縁性基板）３０Ａの回路搭載面にはテ
レビチューナ用ＩＣが搭載される。
第３図に示すように、テレビチューナ用ＩＣは、主に、
化合物半導体ペレット３の回路搭載面の中央部分に配置
された。ＵＨＦ／ＶＨＦ切換器３２゜周波数混合器３３
．ＩＦ増幅器３４、発振増幅器３５、Ｕ発振器３７及び
７発振器３６で構成される。ＵＨＦ系回路例えばＵ発振
器３７．ＶＨＦ系回路例えば７発振器３６の夫々は、ブ
ロック毎に集積され、分離領域を介在し相互に分離され
る。つまり、ＵＨＦ系回路、ＶＨＦ系回路の夫々は相互
にクロストークが発生しずらい回路配置がなされる。
化合物半導体ペレット３の回路搭載面の中央部分に配置
された。ＵＨＦ／ＶＨＦ切換器３２゜周波数混合器３３
．ＩＦ増幅器３４、発振増幅器３５、Ｕ発振器３７及び
７発振器３６で構成される。ＵＨＦ系回路例えばＵ発振
器３７．ＶＨＦ系回路例えば７発振器３６の夫々は、ブ
ロック毎に集積され、分離領域を介在し相互に分離され
る。つまり、ＵＨＦ系回路、ＶＨＦ系回路の夫々は相互
にクロストークが発生しずらい回路配置がなされる。
化合物半導体ペレット３の回路搭載面の周辺部分には複
数個の外部端子（ポンディングパッド）３１が配置され
る。具体的に、化合物半導体ペレット３は、第３図中、
上辺に、ＵＨＦ入力信号端子、ＶＨＦ入力信号端子の夫
々として使用される外部端子３１等が配置される。本実
施例の化合物半導体ペレット３に搭載されたテレビチュ
ーナ用ＩＣは、ＵＨＦ入力信号として５１０〜８６０［
ＭＨｚコの周波数が使用され、ＶＨＦ入力信号として５
０〜４６０［ＭＨｚ］の周波数が使用される。ＵＨＦ入
力信号端子、ＶＨＦ入力信号端子の夫々として使用され
る外部端子３１は、相互に電気的な影響を及ぼさないた
めに、他の外部端子３１間の離隔寸法に比べて若干大き
な離隔寸法をもって配置される。
数個の外部端子（ポンディングパッド）３１が配置され
る。具体的に、化合物半導体ペレット３は、第３図中、
上辺に、ＵＨＦ入力信号端子、ＶＨＦ入力信号端子の夫
々として使用される外部端子３１等が配置される。本実
施例の化合物半導体ペレット３に搭載されたテレビチュ
ーナ用ＩＣは、ＵＨＦ入力信号として５１０〜８６０［
ＭＨｚコの周波数が使用され、ＶＨＦ入力信号として５
０〜４６０［ＭＨｚ］の周波数が使用される。ＵＨＦ入
力信号端子、ＶＨＦ入力信号端子の夫々として使用され
る外部端子３１は、相互に電気的な影響を及ぼさないた
めに、他の外部端子３１間の離隔寸法に比べて若干大き
な離隔寸法をもって配置される。
また、第３図中、左辺には外付装置のＵＨＦ共振器３８
からのＵＨＦ局発信号を入力する入力端子、ＶＨＦ共振
器３９からのＶＨＦ局発信号を入力する入力端子、基準
電源端子（Ｇ Ｎ Ｄ）の夫々として使用される外部端
子３１が配置される。基準電源（ＧＮＤ）としては回路
の接地電位例えば０［ｖ］が使用される。基準電源端子
として使用される外部端子３１は、ＵＨＦ局発信号を入
力する入力端子、ＶＨＦ局発信号を入力する入力端子の
夫々として使用される外部端子３１間に配置され、両者
の外部端子３１間を電気的に遮蔽する。第３図中、右辺
には前述と同様の基準電源端子（ＧＮＤ）として使用さ
れる外部端子３１等が配置される。第３図中、下辺には
動作電源端子、ＩＦ出力信号端子の夫々として使用され
る外部端子３１等が配置される。動作電源端子としては
回路の動作電位例えば９［ｖ］が使用される。これらの
外部端子３１は、テレビチューナ用ＩＣを構成する各回
路３２〜３７の夫々の間を結線する又は各回路３２〜３
７の夫々の素子間を結線する配線（３０Ｆ ）と同一導
電層で構成される。
からのＵＨＦ局発信号を入力する入力端子、ＶＨＦ共振
器３９からのＶＨＦ局発信号を入力する入力端子、基準
電源端子（Ｇ Ｎ Ｄ）の夫々として使用される外部端
子３１が配置される。基準電源（ＧＮＤ）としては回路
の接地電位例えば０［ｖ］が使用される。基準電源端子
として使用される外部端子３１は、ＵＨＦ局発信号を入
力する入力端子、ＶＨＦ局発信号を入力する入力端子の
夫々として使用される外部端子３１間に配置され、両者
の外部端子３１間を電気的に遮蔽する。第３図中、右辺
には前述と同様の基準電源端子（ＧＮＤ）として使用さ
れる外部端子３１等が配置される。第３図中、下辺には
動作電源端子、ＩＦ出力信号端子の夫々として使用され
る外部端子３１等が配置される。動作電源端子としては
回路の動作電位例えば９［ｖ］が使用される。これらの
外部端子３１は、テレビチューナ用ＩＣを構成する各回
路３２〜３７の夫々の間を結線する又は各回路３２〜３
７の夫々の素子間を結線する配線（３０Ｆ ）と同一導
電層で構成される。
前記各回路３２〜３７の夫々を構成する素子は、第４図
に示すように、ＭＥＳＦＥＴＴｒ、ダイオード素子Ｄ、
抵抗素子Ｒ等である。
に示すように、ＭＥＳＦＥＴＴｒ、ダイオード素子Ｄ、
抵抗素子Ｒ等である。
前記ＭＥＳＦＥＴＴｒは、Ｇ ａ Ａ ｓ基板３０Ａの
主面に構成され、主にチャネル領域であるｎ型拡散領域
３０Ｂ、ソース領域及びドレイ、ン領域である一対のｎ
・型拡散領域３０Ｃ、ショットキー接合をなすゲート電
極３００で構成される。このＭＥＳＦＥＴＴｒのしきい
値電圧はデイプレッション型に設定される。ゲート電極
３０Ｄは例えばＡＱ膜で構成される。・Ｍ Ｅ Ｓ Ｆ
Ｅ Ｔ Ｔ ｒのソース領域、ドレイン領域の夫々で
あるｎ゛型拡散領域３０Ｃには電極３０Ｅを介して配線
３０Ｆが接続される。電極３０Ｅは例えばＡ ｕ Ｇ
ｅ膜、Ｗ膜、Ｎｉ膜、Ａｕ膜の夫々を順次積層した複合
膜で構成される。配線３０Ｆは。
主面に構成され、主にチャネル領域であるｎ型拡散領域
３０Ｂ、ソース領域及びドレイ、ン領域である一対のｎ
・型拡散領域３０Ｃ、ショットキー接合をなすゲート電
極３００で構成される。このＭＥＳＦＥＴＴｒのしきい
値電圧はデイプレッション型に設定される。ゲート電極
３０Ｄは例えばＡＱ膜で構成される。・Ｍ Ｅ Ｓ Ｆ
Ｅ Ｔ Ｔ ｒのソース領域、ドレイン領域の夫々で
あるｎ゛型拡散領域３０Ｃには電極３０Ｅを介して配線
３０Ｆが接続される。電極３０Ｅは例えばＡ ｕ Ｇ
ｅ膜、Ｗ膜、Ｎｉ膜、Ａｕ膜の夫々を順次積層した複合
膜で構成される。配線３０Ｆは。
パッシベーション膜３０Ｇ上に構成され、このパッシベ
ーション膜３０Ｇに形成された接続孔を通して電極３０
Ｅに接続される。配線３０Ｆは例えばＴｉＷ膜上にＡ
Ｑ −Ｓ ｉ合金膜を積層した複合膜で構成される。パ
ッシベーション膜３０Ｇとしては例えばＰＳＧｌｌｉが
使用される。前記配線３０Ｆ上を含むＧａＡｓ基板３０
Ａ上の全面にはファイナルパッシベーション膜３０Ｈが
構成される。
ーション膜３０Ｇに形成された接続孔を通して電極３０
Ｅに接続される。配線３０Ｆは例えばＴｉＷ膜上にＡ
Ｑ −Ｓ ｉ合金膜を積層した複合膜で構成される。パ
ッシベーション膜３０Ｇとしては例えばＰＳＧｌｌｉが
使用される。前記配線３０Ｆ上を含むＧａＡｓ基板３０
Ａ上の全面にはファイナルパッシベーション膜３０Ｈが
構成される。
前記ダイオード素子りはアノード領域としての電極３０
Ｄ及びカソード領域としてのｎ゛型拡散領域３０Ｃで構
成される。このダイオード素子りのアノード領域である
電極３０Ｄには配線３０Ｆが接続され。
Ｄ及びカソード領域としてのｎ゛型拡散領域３０Ｃで構
成される。このダイオード素子りのアノード領域である
電極３０Ｄには配線３０Ｆが接続され。
カソード領域であるｎ゛型拡散領域３０Ｃには電極３０
Ｅを介して配線３０Ｆが接続される。
Ｅを介して配線３０Ｆが接続される。
前記抵抗素子Ｒはｎ゛型拡散領域３０Ｃで構成される。
この抵抗素子Ｒであるｎ°型拡散領域３０Ｃの一端側、
他端側の夫々は電極３０Ｅを介して配線３０Ｆに接続さ
れる。
他端側の夫々は電極３０Ｅを介して配線３０Ｆに接続さ
れる。
このように構成される化合物半導体ペレット３は、前記
第１図及び第２図に示すように、タブ２１の表面の中央
部分に接着層４を介して固着される。
第１図及び第２図に示すように、タブ２１の表面の中央
部分に接着層４を介して固着される。
接着層４としては例えばＡｇペーストを使用する。
前記タブ２１は、第１図に示すように、化合物半導体ペ
レット３の平面形状に比べて−回り大きい平面長方形状
で構成される。タブ２１は、その長方形状の対向する２
つの短辺（第１図中５左右）の夫々において、合計２本
のタブ吊りリード２２で支持される。つまり、タブ２１
はタブ吊りリード２２と一体に構成されかつ電気的に接
続される。タブ２１のその長方形状の対向する２つの長
辺の夫々に沿った外周の領域には複数本のインナーリー
ド２３が配列される。具体的に、インナーリード２３は
、タブ２１の一方の長辺に沿って８本、他の長辺に沿っ
て８本、２列で合計１６本が配列される。すなわち、本
実施例の民生用樹脂封止型半導体装置１は、２方向リー
ド配列構造で構成され、ＳＯＰ構造が採用される。
レット３の平面形状に比べて−回り大きい平面長方形状
で構成される。タブ２１は、その長方形状の対向する２
つの短辺（第１図中５左右）の夫々において、合計２本
のタブ吊りリード２２で支持される。つまり、タブ２１
はタブ吊りリード２２と一体に構成されかつ電気的に接
続される。タブ２１のその長方形状の対向する２つの長
辺の夫々に沿った外周の領域には複数本のインナーリー
ド２３が配列される。具体的に、インナーリード２３は
、タブ２１の一方の長辺に沿って８本、他の長辺に沿っ
て８本、２列で合計１６本が配列される。すなわち、本
実施例の民生用樹脂封止型半導体装置１は、２方向リー
ド配列構造で構成され、ＳＯＰ構造が採用される。
前記インナーリード２３の化合物半導体ペレット３側の
一端はボンディングワイヤ５を介して化合物半導体ペレ
ット３の外部端子３１に電気的に接続される。前記イン
ナーリード２３の他端はアウターリード２４に一体に構
成されかつ電気的に接続される。このインナーリード２
３及びそれに一体に構成されたアウターリード２４の夫
々には、前述の基準電源（ＧＮＤ）を除く、ＵＨＦ入力
信号、ＶＨＦ入力信号、ＵＨＦ局発信号、ＶＨＦ局発信
号、ＩＰ出力信号、動作電源等が印加される。
一端はボンディングワイヤ５を介して化合物半導体ペレ
ット３の外部端子３１に電気的に接続される。前記イン
ナーリード２３の他端はアウターリード２４に一体に構
成されかつ電気的に接続される。このインナーリード２
３及びそれに一体に構成されたアウターリード２４の夫
々には、前述の基準電源（ＧＮＤ）を除く、ＵＨＦ入力
信号、ＶＨＦ入力信号、ＵＨＦ局発信号、ＶＨＦ局発信
号、ＩＰ出力信号、動作電源等が印加される。
前記タブ２１、タブ吊りリード２２、インナーリード２
３及びアウターリード２４は同一のリードフレームから
切断されたものである。アウターリード２４は、前記リ
ードフレームから切断されると共に。
３及びアウターリード２４は同一のリードフレームから
切断されたものである。アウターリード２４は、前記リ
ードフレームから切断されると共に。
ガルウィング構造に成型される。このリードフレームは
例えばＳｎ入り無酸素鋼で構成される。前記ボンディン
グワイヤ５は例えばＡｕワイヤを使用する。
例えばＳｎ入り無酸素鋼で構成される。前記ボンディン
グワイヤ５は例えばＡｕワイヤを使用する。
前記インナーリード２３及ｑアウターリード２４はタブ
２１の長辺の中央部分から短辺側に向って配列される毎
にリード幅寸法が順次大きく構成される。
２１の長辺の中央部分から短辺側に向って配列される毎
にリード幅寸法が順次大きく構成される。
第１図に示すように、化合物半導体ペレット３の外部端
子３１の配列方向、それに沿ったインナーリード２３の
ボンディング位置の配列方向の夫々がほぼ平行に設定さ
れ、外部端子３１の配置位置、インナーリード２３のボ
ンディング位置の夫々が化合物半導体ペレット３又はタ
ブ２１の中心点からの放射線上或はその近傍に配置され
る民生用樹脂封止型半導体装ＩＩＩにおいては、外部端
子３１の配列方向及びインナーリード２３のボンディン
グ位置の配列方向、前記放射線の夫々が交差しなす角度
が直重に近いほど（タブ２１の長辺の中央に近いほど）
、外部端子３１．ボンディングワイヤ５及びインナーリ
ード２３を含む信号経路が短くなる。また、前記なす角
度が直重から遠ざかるほど（タブ２１の長辺の中央から
短辺に近づくほど）、前記信号経路が長くなる。つまり
、インナーリード２３及びアウターリード２４は、信号
経路が長くなりインダクタンス成分が増大する（具体的
にはボンディングワイヤ５が長くなりそのインダクタン
ス成分が増大する）場合に、インダクタンス成分を低減
する目的で、リード幅寸法が増加される４本実施例の民
生用樹脂封止型半導体装置１は、すべての信号経路での
インダクタンス成分を実質的に均一化する目的で。
子３１の配列方向、それに沿ったインナーリード２３の
ボンディング位置の配列方向の夫々がほぼ平行に設定さ
れ、外部端子３１の配置位置、インナーリード２３のボ
ンディング位置の夫々が化合物半導体ペレット３又はタ
ブ２１の中心点からの放射線上或はその近傍に配置され
る民生用樹脂封止型半導体装ＩＩＩにおいては、外部端
子３１の配列方向及びインナーリード２３のボンディン
グ位置の配列方向、前記放射線の夫々が交差しなす角度
が直重に近いほど（タブ２１の長辺の中央に近いほど）
、外部端子３１．ボンディングワイヤ５及びインナーリ
ード２３を含む信号経路が短くなる。また、前記なす角
度が直重から遠ざかるほど（タブ２１の長辺の中央から
短辺に近づくほど）、前記信号経路が長くなる。つまり
、インナーリード２３及びアウターリード２４は、信号
経路が長くなりインダクタンス成分が増大する（具体的
にはボンディングワイヤ５が長くなりそのインダクタン
ス成分が増大する）場合に、インダクタンス成分を低減
する目的で、リード幅寸法が増加される４本実施例の民
生用樹脂封止型半導体装置１は、すべての信号経路での
インダクタンス成分を実質的に均一化する目的で。
インナーリード２３及びアウターリード２４のリード幅
寸法がタブ２１の長辺の中央から短辺に向って順次大き
く構成される。
寸法がタブ２１の長辺の中央から短辺に向って順次大き
く構成される。
前記タブ２１は化合物半導体ペレット３の周辺領域の左
辺、右辺の夫々に配置された、基準電源端子（ＧＮＤ）
として使用される外部端子３！に電気的に接続される。
辺、右辺の夫々に配置された、基準電源端子（ＧＮＤ）
として使用される外部端子３！に電気的に接続される。
このタブ２１、外部端子３１の夫々の接続はボンディン
グワイヤ５を介して行われる。
グワイヤ５を介して行われる。
このボンディングワイヤ５は、インナーリード２３に接
続されるボンディングワイヤ５に比べて、化合物半導体
ペレット３の近傍においてボンディングが行え、しかも
タブ２１とインナーリード２３との間の離隔領域に相当
するものを介在しないので、憂さを短くできる。つまり
、基準電源用のボンディングワイヤ５のインダクタンス
成分、又は熱抵抗成分は低減される。
続されるボンディングワイヤ５に比べて、化合物半導体
ペレット３の近傍においてボンディングが行え、しかも
タブ２１とインナーリード２３との間の離隔領域に相当
するものを介在しないので、憂さを短くできる。つまり
、基準電源用のボンディングワイヤ５のインダクタンス
成分、又は熱抵抗成分は低減される。
前記タブ２１の対向する２つの短辺の夫々に連結された
タブ吊りリード２２は、タブ２１の短辺に対して直重方
向に、インナーリード及びアウターリードとして引き伸
される。タブ吊りリード２２は、タブ２１と電気的に接
続されるので、結果的に基準電源用リードとしても構成
される。タブ吊りリード２２は、タブ２１を機械的に支
持する目的で２本構成されるので、１本のインナーリー
ド２３及びアウターリード２４を基準電源用リードとし
て構成する場合に比べて、２本の合計の断面積が大きく
なる。
タブ吊りリード２２は、タブ２１の短辺に対して直重方
向に、インナーリード及びアウターリードとして引き伸
される。タブ吊りリード２２は、タブ２１と電気的に接
続されるので、結果的に基準電源用リードとしても構成
される。タブ吊りリード２２は、タブ２１を機械的に支
持する目的で２本構成されるので、１本のインナーリー
ド２３及びアウターリード２４を基準電源用リードとし
て構成する場合に比べて、２本の合計の断面積が大きく
なる。
つまり、２本のタブ吊りリード２２は合計１本のタブ吊
りリード２２と見なした場合、この見なされたタブ吊り
リード２２は、その断面積が増加されたので、インダク
タンス成分、又は熱抵抗成分を低減できる。
りリード２２と見なした場合、この見なされたタブ吊り
リード２２は、その断面積が増加されたので、インダク
タンス成分、又は熱抵抗成分を低減できる。
また、タブ吊りリード２２はタブ２１の長辺に沿ったイ
ンナーリード２３及びアウターリード２４の配列領域と
別の短辺に沿った領域に配置される。しかも、タブ吊り
リード２２はインナーリード２３及びアウターリード２
４の配列ピッチを変化する等の影響を与えない独立な領
域に配置される。このため、タブ吊りリード２２は、そ
のリード幅寸法を自由に設定でき、第１図に示すように
、インナーリード２３及びアウターリード２４のリード
幅寸法に比べて大きいリード幅寸法に構成できる。
ンナーリード２３及びアウターリード２４の配列領域と
別の短辺に沿った領域に配置される。しかも、タブ吊り
リード２２はインナーリード２３及びアウターリード２
４の配列ピッチを変化する等の影響を与えない独立な領
域に配置される。このため、タブ吊りリード２２は、そ
のリード幅寸法を自由に設定でき、第１図に示すように
、インナーリード２３及びアウターリード２４のリード
幅寸法に比べて大きいリード幅寸法に構成できる。
前記樹脂６は、平面長方形状で構成され１例えばエポキ
シ系樹脂で構成される。この樹脂６は例えばトランスフ
ァモールド法で形成される。前記アウターリード２４は
樹脂６の対向する２つの長辺の夫々に沿って複数本配列
される。
シ系樹脂で構成される。この樹脂６は例えばトランスフ
ァモールド法で形成される。前記アウターリード２４は
樹脂６の対向する２つの長辺の夫々に沿って複数本配列
される。
このように、化合物半導体ペレット３を搭載した実質的
に平面長方形状のタブ２１がその対向する２つの短辺の
夫々でタブ吊りリード２２に支持され、前記タブ２１の
他の対向する２つの長辺の夫々に沿って複数本のインナ
ーリード２３（及びアウターリード２４）が配置され、
前記化合物半導体ペレット３の外部端子３１．前記イン
ナーリード２３の夫々を電気的に接続する、２方向リー
ド配列構造を採用する民生用樹脂封止型半導体装置１に
おいて、前記タブ吊りリード２２が、前記化合物半導体
ペレット３の基準電源ＣＧ Ｎ Ｄ）が印加される外部
端子３１に電気的に接続され、基準電源用リードとして
も使６用される。この構成により、前記タブ２１の対向
する２つの短辺の夫々に連結される２本のタブ吊りリー
ド２２を基準電源用リードとして使用し、この基準電源
用リードの合計の断面積を増加できるので、基準電源用
リードのインダクタンス成分を低減し、前記化合物半導
体ペレット３に搭載されるテレビチューナ用ＩＣの周波
数特性を向上できる。また、前記基準電源用リード（タ
ブ吊りリード２２）の合計の断面積を増加し、この基準
電源用リードの熱抵抗成分を低減できるので、民生用樹
脂封止型半導体装置１の放熱特性を向上できる。
に平面長方形状のタブ２１がその対向する２つの短辺の
夫々でタブ吊りリード２２に支持され、前記タブ２１の
他の対向する２つの長辺の夫々に沿って複数本のインナ
ーリード２３（及びアウターリード２４）が配置され、
前記化合物半導体ペレット３の外部端子３１．前記イン
ナーリード２３の夫々を電気的に接続する、２方向リー
ド配列構造を採用する民生用樹脂封止型半導体装置１に
おいて、前記タブ吊りリード２２が、前記化合物半導体
ペレット３の基準電源ＣＧ Ｎ Ｄ）が印加される外部
端子３１に電気的に接続され、基準電源用リードとして
も使６用される。この構成により、前記タブ２１の対向
する２つの短辺の夫々に連結される２本のタブ吊りリー
ド２２を基準電源用リードとして使用し、この基準電源
用リードの合計の断面積を増加できるので、基準電源用
リードのインダクタンス成分を低減し、前記化合物半導
体ペレット３に搭載されるテレビチューナ用ＩＣの周波
数特性を向上できる。また、前記基準電源用リード（タ
ブ吊りリード２２）の合計の断面積を増加し、この基準
電源用リードの熱抵抗成分を低減できるので、民生用樹
脂封止型半導体装置１の放熱特性を向上できる。
また、前記タブ吊りリード２２は前記インナーリード２
３（及びアウターリード２４）に比べてリード幅寸法が
大きく構成される。この構成により、前記構成の作用効
果の他に、前記タブ吊りリード２２は前記インナーリー
ド２３の配列の領域と別な領域でインナーリード２３の
配列に影響を与えない独立な領域に配列され、前記イン
ナーリード２３のリード幅寸法に対してタブ吊りリード
２２のリード幅寸法を自由に増加できるので１周波数特
性をより向上でき、又は放熱特性をより向上できる。
３（及びアウターリード２４）に比べてリード幅寸法が
大きく構成される。この構成により、前記構成の作用効
果の他に、前記タブ吊りリード２２は前記インナーリー
ド２３の配列の領域と別な領域でインナーリード２３の
配列に影響を与えない独立な領域に配列され、前記イン
ナーリード２３のリード幅寸法に対してタブ吊りリード
２２のリード幅寸法を自由に増加できるので１周波数特
性をより向上でき、又は放熱特性をより向上できる。
また、前記化合物半導体ペレット３の基準電源（ＧＮＤ
）が印加される外部端子３１は、ボンディングワイヤ５
を介してタブ２１に電気的に接続され。
）が印加される外部端子３１は、ボンディングワイヤ５
を介してタブ２１に電気的に接続され。
前記ボンディングワイヤ５及びタブ２１を介して前記タ
ブ吊りリード２２に電気的に接続される。この構成によ
り、前記構成の作用効果の他に、前記化合物半導体ペレ
ット３の基準電源が印加される外部端子３１、タブ２１
の夫々を接続するボンディングワイヤ５の長さは、他の
外部端子３１．インナーリード２３の夫々を接続するボ
ンディングワイヤ（信号用ワイヤ）５の長さに比べて短
くできるので、このボンディングワイヤ５の長さを短く
した分、前記ボンディングワイヤ５のインダクタンス成
分を低減し、前記化合物半導体ペレット３に搭載される
テレビチューナ用ＩＣの周波数特性をより向上できる。
ブ吊りリード２２に電気的に接続される。この構成によ
り、前記構成の作用効果の他に、前記化合物半導体ペレ
ット３の基準電源が印加される外部端子３１、タブ２１
の夫々を接続するボンディングワイヤ５の長さは、他の
外部端子３１．インナーリード２３の夫々を接続するボ
ンディングワイヤ（信号用ワイヤ）５の長さに比べて短
くできるので、このボンディングワイヤ５の長さを短く
した分、前記ボンディングワイヤ５のインダクタンス成
分を低減し、前記化合物半導体ペレット３に搭載される
テレビチューナ用ＩＣの周波数特性をより向上できる。
また、前記ボンディングワイヤ５の長さを短くした分、
このボンディングワイヤ５の熱抵抗成分を低減できるの
で、民生用樹脂封止型半導体装置工の放熱特性を向上で
きる。
このボンディングワイヤ５の熱抵抗成分を低減できるの
で、民生用樹脂封止型半導体装置工の放熱特性を向上で
きる。
（実施倍旧
本実施例■は、４方向リード配列構造を採用する民生用
樹脂封止型半導体装置に本発明を適用した、本発明の第
２実施例である。
樹脂封止型半導体装置に本発明を適用した、本発明の第
２実施例である。
本発明の実施例■である４方向リード配列構造を採用す
る民生用樹脂封止型半導体装置を第５図（樹脂の一部を
除去した状態の平面図）で示す。
る民生用樹脂封止型半導体装置を第５図（樹脂の一部を
除去した状態の平面図）で示す。
本実施例の民生用樹脂封止型半導体装置１は、第５図に
示すように、はぼ平面正方形状のタブ２１上に化合物半
導体ペレット３が搭載される。タブ２１の４つの辺の各
辺に沿った外周には複数本のインナーリード２３及びア
ウターリード２４が配列される。つまり、本実施例の民
生用樹脂封止型半導体装置１は、４方向リード配列構造
で構成され、ＭＳＰ構造を採用する。
示すように、はぼ平面正方形状のタブ２１上に化合物半
導体ペレット３が搭載される。タブ２１の４つの辺の各
辺に沿った外周には複数本のインナーリード２３及びア
ウターリード２４が配列される。つまり、本実施例の民
生用樹脂封止型半導体装置１は、４方向リード配列構造
で構成され、ＭＳＰ構造を採用する。
前記タブ２１は、その４つの辺の各辺の中央部分におい
てタブ吊りリード２２と一体に構成され電気的に接続さ
れる。前述の実施例■と同様に、タブ２１は化合物半導
体ペレット３の基準電源（Ｇ Ｎ Ｄ）が印加される外
部端子３１に接続される。タブ２１゜外部端子３１の夫
々の接続はボンディングワイヤ５を介して行われ、この
ボンディングワイヤ５は他のボンディングワイヤ５に比
べて短く構成される。
てタブ吊りリード２２と一体に構成され電気的に接続さ
れる。前述の実施例■と同様に、タブ２１は化合物半導
体ペレット３の基準電源（Ｇ Ｎ Ｄ）が印加される外
部端子３１に接続される。タブ２１゜外部端子３１の夫
々の接続はボンディングワイヤ５を介して行われ、この
ボンディングワイヤ５は他のボンディングワイヤ５に比
べて短く構成される。
前記タブ吊りリード２２は、前述の実施例Ｉと同様に、
インナーリート及びアウターリードとして樹脂６の内外
に引き出され、タブ２１と電気的に接続されるので、基
準電源用リードとしても使用される。つまり、本実施例
の民生用樹脂封止型半導体装置１は４本のタブ吊りリー
ド２２を４本の基市電源用リードとして使用する。
インナーリート及びアウターリードとして樹脂６の内外
に引き出され、タブ２１と電気的に接続されるので、基
準電源用リードとしても使用される。つまり、本実施例
の民生用樹脂封止型半導体装置１は４本のタブ吊りリー
ド２２を４本の基市電源用リードとして使用する。
また、前記４本のタブ吊りリード２２の夫々は。
タブ２１の各辺の中央部分番こ連結され、タブ２１の各
辺に対して直重又はそれに近い方向に延在才るので、基
準電源端子としての外部端子（ＧＮＤ）３１とタブ吊り
リード２２のボンディング位置との間の距離（基準電源
経路）が最も短くなる。つまり、本実施例の民生用樹脂
封止型半導体装置１は、ＵＨＦ入力信号、ＶＨＦ入力信
号等が伝達される信号経路のインダクンス成分又は熱抵
抗成分に比べて９基準電源経路のインダクタンス成分又
は熱抵抗成分を小さくできる。
辺に対して直重又はそれに近い方向に延在才るので、基
準電源端子としての外部端子（ＧＮＤ）３１とタブ吊り
リード２２のボンディング位置との間の距離（基準電源
経路）が最も短くなる。つまり、本実施例の民生用樹脂
封止型半導体装置１は、ＵＨＦ入力信号、ＶＨＦ入力信
号等が伝達される信号経路のインダクンス成分又は熱抵
抗成分に比べて９基準電源経路のインダクタンス成分又
は熱抵抗成分を小さくできる。
基準電源用リードとして使用されるタブ吊りリード２２
以外のインナーリード２３及びアウターリード２４は、
前述の実施例■と同様に、タブ２１の各辺の中央部分か
らタブ２１の各角部に向って順次リード幅寸法が大きく
構成される。
以外のインナーリード２３及びアウターリード２４は、
前述の実施例■と同様に、タブ２１の各辺の中央部分か
らタブ２１の各角部に向って順次リード幅寸法が大きく
構成される。
前記タブ吊りリード２２は前述のように基４！電源用リ
ードとして使用され、この基準電源用リードに近接する
両者の夫々には、相互に周波数が異なる信号が印加され
るインナーリード２３が配列される。つまり、前記第３
図及び第５図に示すように、化合物半導体ペレット３の
上辺に配置された。ＵＨＦ入力信号が印加される外部端
子３１に接続されるインナーリード２３が上辺側に配置
された基準電源用リードの左側に、ＶＨＦ入力信号が印
加される外部端子３１に接続されるインナーリード２３
が基準電源用リードの右側に夫々配置される。同様に、
化合物半導体ペレット３の左辺に配置された、ＵＨＦ局
発信号が印加される外部端子３１に接続されるインナー
リード２３が左辺側に配置された基準電源用リードの上
側に、ＶＨＦ局発信号が印加される外部端子３１に接続
されるインナーリード２３が基準電源用リードの下側に
夫々配置される。これらの信号が印加されるインナーリ
ード２３の配列は化金物半導体ペレット３の外部端子３
１の配列に対応されており、前記基準電源用リードは周
波数が異なる信号間のクロストークを低減する遮蔽効果
を有する。
ードとして使用され、この基準電源用リードに近接する
両者の夫々には、相互に周波数が異なる信号が印加され
るインナーリード２３が配列される。つまり、前記第３
図及び第５図に示すように、化合物半導体ペレット３の
上辺に配置された。ＵＨＦ入力信号が印加される外部端
子３１に接続されるインナーリード２３が上辺側に配置
された基準電源用リードの左側に、ＶＨＦ入力信号が印
加される外部端子３１に接続されるインナーリード２３
が基準電源用リードの右側に夫々配置される。同様に、
化合物半導体ペレット３の左辺に配置された、ＵＨＦ局
発信号が印加される外部端子３１に接続されるインナー
リード２３が左辺側に配置された基準電源用リードの上
側に、ＶＨＦ局発信号が印加される外部端子３１に接続
されるインナーリード２３が基準電源用リードの下側に
夫々配置される。これらの信号が印加されるインナーリ
ード２３の配列は化金物半導体ペレット３の外部端子３
１の配列に対応されており、前記基準電源用リードは周
波数が異なる信号間のクロストークを低減する遮蔽効果
を有する。
このように、本実施例■によれば、前述の実施例Ｉの作
用効果の他に、化合物半導体ペレット３を搭載した実質
的に平面正方形状のタブ２１がその４辺の夫々の中央部
でタブ吊りリード２２に支持され、前記タブ２１のタブ
吊りリード２２が連結された領域以外の辺に沿って複数
本のインナーリード２３（及びアウターリード２４）が
配置され、前記化合物半導体ペレット３の外部端子３１
、前記インナーリード２３の夫々を電気的に接続する。
用効果の他に、化合物半導体ペレット３を搭載した実質
的に平面正方形状のタブ２１がその４辺の夫々の中央部
でタブ吊りリード２２に支持され、前記タブ２１のタブ
吊りリード２２が連結された領域以外の辺に沿って複数
本のインナーリード２３（及びアウターリード２４）が
配置され、前記化合物半導体ペレット３の外部端子３１
、前記インナーリード２３の夫々を電気的に接続する。
４方向リード配列構造を採用する民生用樹脂封止型半導
体装置１において、前記タブ吊りリード２２が、前記化
合物半導体ペレット１の基準電源（Ｇ Ｎ Ｄ）が印加
される外部端子３１に電気的に接続され、基準電源用リ
ードとしても使用される。この構成により、前記タブ２
１の４つの辺の各辺の夫々に連結される４本のタブ吊り
リード２２を基準電源用リードとじて使用し、この基準
電源用リードの合計の断面積を増加できるので、基準電
源用リードのインダクタンス成分を低減し、前記化合物
半導体ペレット３に搭載されるテレビチューナ用ＩＣの
周波数特性を向上できる。また、前記基準電源用リード
の合計の断面積を増加し、この基準電源用リードの熱抵
抗成分を低減できるので、民生用樹脂封止型半導体装Ｗ
１の放熱特性を向上できる。また、前記基準電源用リー
ド（タブ吊りリード２２）がそれを連結したタブ２１の
辺に対してほぼ垂直方向に延在し。
体装置１において、前記タブ吊りリード２２が、前記化
合物半導体ペレット１の基準電源（Ｇ Ｎ Ｄ）が印加
される外部端子３１に電気的に接続され、基準電源用リ
ードとしても使用される。この構成により、前記タブ２
１の４つの辺の各辺の夫々に連結される４本のタブ吊り
リード２２を基準電源用リードとじて使用し、この基準
電源用リードの合計の断面積を増加できるので、基準電
源用リードのインダクタンス成分を低減し、前記化合物
半導体ペレット３に搭載されるテレビチューナ用ＩＣの
周波数特性を向上できる。また、前記基準電源用リード
の合計の断面積を増加し、この基準電源用リードの熱抵
抗成分を低減できるので、民生用樹脂封止型半導体装Ｗ
１の放熱特性を向上できる。また、前記基準電源用リー
ド（タブ吊りリード２２）がそれを連結したタブ２１の
辺に対してほぼ垂直方向に延在し。
化合物半導体ペレット３の中心点或はタブ２１の中心点
から最も短い基準電源経路を構成できる（他の信号経路
に比べて短くできる）ので、前記周波数特性をより向上
でき、或は前記放熱特性をより向上できる。
から最も短い基準電源経路を構成できる（他の信号経路
に比べて短くできる）ので、前記周波数特性をより向上
でき、或は前記放熱特性をより向上できる。
また、前記タブ吊りリード２２の両側にそれに近接して
配置されるインナーリード２３の夫々には夫々異なる周
波数の信号が印加される。この構成により、前記タブ吊
りリード２２を基準電源用リードとして使用し、さらに
この基準電源用リードでその両側の夫々のインナーリー
ド２３に印加される信号間を電気的に分離できるので、
民生用樹脂封止型半導体装置１のリード間の分離能力（
アイソレーション特性）を向上できる。
配置されるインナーリード２３の夫々には夫々異なる周
波数の信号が印加される。この構成により、前記タブ吊
りリード２２を基準電源用リードとして使用し、さらに
この基準電源用リードでその両側の夫々のインナーリー
ド２３に印加される信号間を電気的に分離できるので、
民生用樹脂封止型半導体装置１のリード間の分離能力（
アイソレーション特性）を向上できる。
（実施例■）
本実施例■は、４方向リード配列構造を採用する民生用
樹脂封止型半導体装置において、タブ。
樹脂封止型半導体装置において、タブ。
タブ吊りリードの夫々の連結位置を変えた１本発明の第
３実施例である。
３実施例である。
本発明の実施例■である４方向リード配列構造を採用す
る民生用樹脂封止型半導体装置を第６図（樹脂の一部を
除去した状態の平面図）で示す。
る民生用樹脂封止型半導体装置を第６図（樹脂の一部を
除去した状態の平面図）で示す。
本実施例の民生用樹脂封止型半導体装！１は、第６図に
示すように、はぼ平面正方形状のタブ２１の４つの辺の
各辺に沿った外周に複数本のインナーリード２３及びア
ウターリード２４が配列され、タブ２１の４つの角部の
夫々にタブ吊りリード２２が連結される。この本実施例
の民生用樹脂封止型半導体装置１は、前述の実施例■と
同様に、４方向リード配列構造で構成され、ＭＳＰＩ造
を採用する。
示すように、はぼ平面正方形状のタブ２１の４つの辺の
各辺に沿った外周に複数本のインナーリード２３及びア
ウターリード２４が配列され、タブ２１の４つの角部の
夫々にタブ吊りリード２２が連結される。この本実施例
の民生用樹脂封止型半導体装置１は、前述の実施例■と
同様に、４方向リード配列構造で構成され、ＭＳＰＩ造
を採用する。
前記タブ吊りリード２２は、タブ２１の各角部に配置さ
れると基準電源経路が長くなり、インダクタンス成分又
は熱抵抗成分が増加するが１合計４本配置され１合計の
断面積は増加されるので、インダクタンス成分又は熱抵
抗成分は逆に低減できる。
れると基準電源経路が長くなり、インダクタンス成分又
は熱抵抗成分が増加するが１合計４本配置され１合計の
断面積は増加されるので、インダクタンス成分又は熱抵
抗成分は逆に低減できる。
このタブ吊りリード２２の配置に基づき、インナーリー
ド２３及びアウターリード２４はタブ２１の各辺の中央
部又はその近傍に配置できるので−ＵＨＦ入力信号、Ｖ
ＨＦ入力信号等の信号経路を短くでき、インダクタンス
成分又は熱抵抗成分は低減できる。
ド２３及びアウターリード２４はタブ２１の各辺の中央
部又はその近傍に配置できるので−ＵＨＦ入力信号、Ｖ
ＨＦ入力信号等の信号経路を短くでき、インダクタンス
成分又は熱抵抗成分は低減できる。
このように１本実施例■によれば、前述の実施例■の作
用効果の他に、化合物半導体ペレット３を搭載した実質
的に平面正方形状のタブ２１がその４つ角部の夫々でタ
ブ吊りリード２２に支持され、前記タブ２１の４辺の夫
々に沿って複数本のインナーリード２３（及びアウター
リード２４）が配置され、前記化合物半導体ペレット３
の外部端子３１、前記インナーリード２３の夫々を電気
的に接続する、４方向リード配列構造を採用する民生用
樹脂封止型半導体装置１において、前記タブ吊りリード
２２が。
用効果の他に、化合物半導体ペレット３を搭載した実質
的に平面正方形状のタブ２１がその４つ角部の夫々でタ
ブ吊りリード２２に支持され、前記タブ２１の４辺の夫
々に沿って複数本のインナーリード２３（及びアウター
リード２４）が配置され、前記化合物半導体ペレット３
の外部端子３１、前記インナーリード２３の夫々を電気
的に接続する、４方向リード配列構造を採用する民生用
樹脂封止型半導体装置１において、前記タブ吊りリード
２２が。
航記化合物半導体ペレット３の基準電源（ＧＮＤ）が印
加される外部端子３１に電気的に接続され、基準電源用
リードとしても使用される。この構成により、前記イン
ナーリード２３がタブ２１の辺に対してほぼ垂直方向に
延在し又はそれに近い角度をなして延在し、化合物半導
体ペレット３の中心点或はタブ２１の中心点から短い信
号経路を構成できる（基準電源経路に比べて短くできる
）ので、前記インナーリード２３のインダクタンス成分
を低減し、前記化合物半導体チップ３に搭載されるテレ
ビチューナ用ＩＣの周波数特性を向上できる。
加される外部端子３１に電気的に接続され、基準電源用
リードとしても使用される。この構成により、前記イン
ナーリード２３がタブ２１の辺に対してほぼ垂直方向に
延在し又はそれに近い角度をなして延在し、化合物半導
体ペレット３の中心点或はタブ２１の中心点から短い信
号経路を構成できる（基準電源経路に比べて短くできる
）ので、前記インナーリード２３のインダクタンス成分
を低減し、前記化合物半導体チップ３に搭載されるテレ
ビチューナ用ＩＣの周波数特性を向上できる。
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例に
基づき具体的に説明したが、本発明は。
基づき具体的に説明したが、本発明は。
前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱
しない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
しない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
例えば、本発明は、民生用樹脂封止型半導体装Ｗ１のリ
ード構造にバットリード構造を採用してもよい。
ード構造にバットリード構造を採用してもよい。
また、本発明は、ＢＳチューナ用ＩＣを搭載する化合物
半導体ペレットを内蔵する民生用樹脂封止型半導体装置
に適用してもよい。
半導体ペレットを内蔵する民生用樹脂封止型半導体装置
に適用してもよい。
また、本発明は、通信用セラミック封止型半導体装置に
適用してもよい。
適用してもよい。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
化合物半導体ペレットを樹脂で封止する樹脂封止型半導
体装置において、周波数特性を向上できると共に、放熱
特性を向上できる。
体装置において、周波数特性を向上できると共に、放熱
特性を向上できる。
また、化合物半導体ペレットを樹脂で封止する、２方向
リード配列構造を採用する樹脂封止型半導体装置におい
て、周波数特性を向上できると共に、放熱特性を向上で
きる。
リード配列構造を採用する樹脂封止型半導体装置におい
て、周波数特性を向上できると共に、放熱特性を向上で
きる。
また、化合物半導体ペレットの外部端子とリードとをワ
イヤで接続し、これらを樹脂で封止する樹脂封止型半導
体装置において１周波数特性を向上できると共に、放熱
特性を向上できる。
イヤで接続し、これらを樹脂で封止する樹脂封止型半導
体装置において１周波数特性を向上できると共に、放熱
特性を向上できる。
第１図は、本発明の実施例■である２方向リード配列構
造を採用する民生用樹脂封止型半導体装置の平面図、 第２図は、前記民生用樹脂封止型半導体装置の断面図。 第３図は、前記民生用樹脂封止型半導体装置に内蔵され
た化合物半導体ペレットのチップレイアウト図、 第４図は、前記化合物半導体ペレットの要部断面図。 第５図は、本発明の実施例■である４方向リード配列構
造を採用する民生用樹脂封止型半導体装置の平面図、 第６図は、本発明の実施例■である４方向リード配列構
造を採用する民生用樹脂封止型半導体装置の平面図であ
る。 図中、１・・・民生用樹脂封止型半導体装置、２１・・
・タブ、２２・・・タブ吊りリード、２３・・・インナ
ーリード、２４・・・アウターリード、３・・・化合物
半導体ペレット。 ３１・・外部端子、 ３０Ａ −Ｇ ａ Ａ ｓ基板、 ３２〜３７・・・回 路、 ５・・・ボンディングワイヤ、 ６・・・樹脂、 Ｔｒ ・ ＭＥＳＦＥＴである。
造を採用する民生用樹脂封止型半導体装置の平面図、 第２図は、前記民生用樹脂封止型半導体装置の断面図。 第３図は、前記民生用樹脂封止型半導体装置に内蔵され
た化合物半導体ペレットのチップレイアウト図、 第４図は、前記化合物半導体ペレットの要部断面図。 第５図は、本発明の実施例■である４方向リード配列構
造を採用する民生用樹脂封止型半導体装置の平面図、 第６図は、本発明の実施例■である４方向リード配列構
造を採用する民生用樹脂封止型半導体装置の平面図であ
る。 図中、１・・・民生用樹脂封止型半導体装置、２１・・
・タブ、２２・・・タブ吊りリード、２３・・・インナ
ーリード、２４・・・アウターリード、３・・・化合物
半導体ペレット。 ３１・・外部端子、 ３０Ａ −Ｇ ａ Ａ ｓ基板、 ３２〜３７・・・回 路、 ５・・・ボンディングワイヤ、 ６・・・樹脂、 Ｔｒ ・ ＭＥＳＦＥＴである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、化合物半導体ペレットを搭載した実質的に平面方形
状のタブがその対向する２辺の夫々でタブ吊りリードに
支持され、前記タブの他の対向する２辺の夫々に沿って
複数本のリードが配置され、前記化合物半導体ペレット
の外部端子、前記リードの夫々を電気的に接続する、２
方向リード配列構造を採用する樹脂封止型半導体装置に
おいて、前記タブ吊りリードが、前記化合物半導体ペレ
ットの電源が印加される外部端子に電気的に接続され、
電源用リードとしても使用されることを特徴とする樹脂
封止型半導体装置。 ２、前記タブ吊りリードは前記リードに比べてリード幅
寸法が大きく構成されることを特徴とする請求項１に記
載の樹脂封止型半導体装置。 ３、前記化合物半導体ペレットの電源が印加される外部
端子は、ワイヤを介してタブに電気的に接続され、前記
ワイヤ及びタブを介して前記タブ吊りリードに電気的に
接続されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記
載の樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2253376A JPH04130653A (ja) | 1990-09-20 | 1990-09-20 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2253376A JPH04130653A (ja) | 1990-09-20 | 1990-09-20 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04130653A true JPH04130653A (ja) | 1992-05-01 |
Family
ID=17250500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2253376A Pending JPH04130653A (ja) | 1990-09-20 | 1990-09-20 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04130653A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5457340A (en) * | 1992-12-07 | 1995-10-10 | Integrated Device Technology, Inc. | Leadframe with power and ground planes |
| US6021670A (en) * | 1997-04-15 | 2000-02-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor acceleration detecting device with shock absorbing structure |
| US7038305B1 (en) | 2003-07-15 | 2006-05-02 | Altera Corp. | Package for integrated circuit die |
| JP2014135384A (ja) * | 2013-01-10 | 2014-07-24 | Mitsui High Tec Inc | リードフレーム |
-
1990
- 1990-09-20 JP JP2253376A patent/JPH04130653A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5457340A (en) * | 1992-12-07 | 1995-10-10 | Integrated Device Technology, Inc. | Leadframe with power and ground planes |
| USRE36907E (en) * | 1992-12-07 | 2000-10-10 | Integrated Device Technology, Inc. | Leadframe with power and ground planes |
| US6021670A (en) * | 1997-04-15 | 2000-02-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor acceleration detecting device with shock absorbing structure |
| DE19745387B4 (de) * | 1997-04-15 | 2005-02-17 | Mitsubishi Denki K.K. | Halbleiter-Beschleunigungserfassungsvorrichtung |
| US7038305B1 (en) | 2003-07-15 | 2006-05-02 | Altera Corp. | Package for integrated circuit die |
| JP2014135384A (ja) * | 2013-01-10 | 2014-07-24 | Mitsui High Tec Inc | リードフレーム |
| US9911714B2 (en) | 2013-01-10 | 2018-03-06 | Mitsui High-Tec, Inc. | Lead frame |
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