JPH04124027A - 酸化物超電導体及びその製造方法 - Google Patents
酸化物超電導体及びその製造方法Info
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- JPH04124027A JPH04124027A JP2243296A JP24329690A JPH04124027A JP H04124027 A JPH04124027 A JP H04124027A JP 2243296 A JP2243296 A JP 2243296A JP 24329690 A JP24329690 A JP 24329690A JP H04124027 A JPH04124027 A JP H04124027A
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Classifications
-
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は酸化物超電導体及びその製造方法に関する。
(従来の技術)
従来の酸化物超電導体としては、1988年金属材料技
術研究所の前出総合研究官らによって発見されたビスマ
ス、ストロンチウム、カルシウム及び綱を主成分とする
B1−3r−Ca−Cu−〇系(以下Bi系とする)の
酸化物超電導体があるが、このBi系の酸化物超電導体
は、電気抵抗が零になる臨界温度(以下T czero
とする)が110に付近の2223相が生成しにくいと
いう問題があった。このためTCzeroは低いが、生
成温度領域が広い2212相の活用が試みられている。
術研究所の前出総合研究官らによって発見されたビスマ
ス、ストロンチウム、カルシウム及び綱を主成分とする
B1−3r−Ca−Cu−〇系(以下Bi系とする)の
酸化物超電導体があるが、このBi系の酸化物超電導体
は、電気抵抗が零になる臨界温度(以下T czero
とする)が110に付近の2223相が生成しにくいと
いう問題があった。このためTCzeroは低いが、生
成温度領域が広い2212相の活用が試みられている。
(発明が解決しようとするIt@)
しかしながらBi系の酸化物超電導体の2212相は
7 c Z & roが80に付近であるため液体窒素
の冷却(77K)ではT Czeroとの差が小さく超
電導特性が不安定で使用できないおそれがある。
7 c Z & roが80に付近であるため液体窒素
の冷却(77K)ではT Czeroとの差が小さく超
電導特性が不安定で使用できないおそれがある。
2212相のTc!″r0を高める方法として、ジャパ
ニーズ、ジャーナル、オブ、アプライド、フィジックス
(Japanese Journalof App
lied Physics)Vo127.9号(19
88年9月刊)、L1826ケL1628[ffiびM
Vo127,12号(1988年12月刊)、L232
7→L2329号並びにアトパンセス、イン、スーパー
コンダクティビイテイn (Advances in
5uperへ conductivityn)+ 149〜152頁
に示されるように500〜880”Cの温度で熱処理し
た後、液体窒素中又は空気中で急冷して得る方法が軸告
されているに の方法は急冷する工程を含むため小型の成形体を作製す
ることは出来ても大型の成形体を作製することは困難で
あるという欠点がある。
ニーズ、ジャーナル、オブ、アプライド、フィジックス
(Japanese Journalof App
lied Physics)Vo127.9号(19
88年9月刊)、L1826ケL1628[ffiびM
Vo127,12号(1988年12月刊)、L232
7→L2329号並びにアトパンセス、イン、スーパー
コンダクティビイテイn (Advances in
5uperへ conductivityn)+ 149〜152頁
に示されるように500〜880”Cの温度で熱処理し
た後、液体窒素中又は空気中で急冷して得る方法が軸告
されているに の方法は急冷する工程を含むため小型の成形体を作製す
ることは出来ても大型の成形体を作製することは困難で
あるという欠点がある。
本発明は急冷工程を経ることなしに90により高いTc
7′6r0を示す2212相のBi系の酸化物超電導体
及びその製造方法を提供することを目的とするものであ
る。
7′6r0を示す2212相のBi系の酸化物超電導体
及びその製造方法を提供することを目的とするものであ
る。
([jlを解決するための手段)
本発明はビスマス、スズ、ストロンチウム。
カルシウム、マグネシウム、バリウA及び銅を主成分と
し。
し。
一般式B i 1−Ys nyS rACaPIMgc
B a。
B a。
Cut、o±o20x
(但しA=0.6〜1..2.B=0.35〜0,7゜
C=0.05〜0.2.D=0.05〜0.2.Y=0
.05〜0.3.数字は原子比を表わす)で示される組
成からなる酸化物超電導体及び上記の組成となるように
ビスマス、 スズ 、ストロンチウム、カルシウム、マ
グネシウム、バリウム及び銅を含む各原料を秤量し、つ
いで混合したのち、仮焼、粉砕し、成形後窒素雰囲気中
又は酸素を10体積%未溝で含有する窒素雰囲気中で焼
成する酸化物超電導体の製造方法並びに上記の組成とな
るようにビスマス、スズ、ストロンチウム、カルシウム
、マグネシウム、バリウム及び銅を含む各原料を秤量し
、ついで混合した後仮焼。
C=0.05〜0.2.D=0.05〜0.2.Y=0
.05〜0.3.数字は原子比を表わす)で示される組
成からなる酸化物超電導体及び上記の組成となるように
ビスマス、 スズ 、ストロンチウム、カルシウム、マ
グネシウム、バリウム及び銅を含む各原料を秤量し、つ
いで混合したのち、仮焼、粉砕し、成形後窒素雰囲気中
又は酸素を10体積%未溝で含有する窒素雰囲気中で焼
成する酸化物超電導体の製造方法並びに上記の組成とな
るようにビスマス、スズ、ストロンチウム、カルシウム
、マグネシウム、バリウム及び銅を含む各原料を秤量し
、ついで混合した後仮焼。
−次焼成し、さらに粉砕後、成形し、再度窒素雰囲気中
又は酸素を7体積%未満で含有する窒素雰囲気中で二次
焼成する酸化物超電導体の製造方法に関する。
又は酸素を7体積%未満で含有する窒素雰囲気中で二次
焼成する酸化物超電導体の製造方法に関する。
本発明において酸化物超電導体を構成する主成分のビス
マス、 スズ 、ストロンチウム、カルシウム、マグネ
シウム、バリウム及び銅を含む原料については特に制限
はないが1例えば酸化物。
マス、 スズ 、ストロンチウム、カルシウム、マグネ
シウム、バリウム及び銅を含む原料については特に制限
はないが1例えば酸化物。
炭酸I!、硝酸塩、しゆう酸塩等の1種又は2種以上が
用いられる。
用いられる。
ビスマス、スズ、ストロンチウム、カルシウム。
マグネシウム、バリウム及び銅の配合割合は原子比でビ
スマスとスズの和が1.0かつビスマスとスズの和に対
するスズの比が0,05〜0,3゜ストロンチウムが0
.6〜】、2.カルシウムが0.35〜o、$7.マグ
ネシウムが 0.05−0.2.バリウムが0.05〜
0.2及び銅が1.0±0.2の範囲とされ、この範囲
から外れると急冷工程なしではT Czeroが90に
台の2212相のBi系の酸化物超電導体を得ることが
困難である。
スマスとスズの和が1.0かつビスマスとスズの和に対
するスズの比が0,05〜0,3゜ストロンチウムが0
.6〜】、2.カルシウムが0.35〜o、$7.マグ
ネシウムが 0.05−0.2.バリウムが0.05〜
0.2及び銅が1.0±0.2の範囲とされ、この範囲
から外れると急冷工程なしではT Czeroが90に
台の2212相のBi系の酸化物超電導体を得ることが
困難である。
混合方法については特に制限はないが1例えば合成樹脂
製のボールミルに合成樹脂で被覆したボール、エタノー
ル、メタノール等の溶媒及び原料を充填し、vn式混合
することが好ましい。
製のボールミルに合成樹脂で被覆したボール、エタノー
ル、メタノール等の溶媒及び原料を充填し、vn式混合
することが好ましい。
仮焼条件において、仮焼温度は各原料の配合割合などに
より適宜選定されるが、780〜870℃の範囲で仮焼
することが好ましく、また仮焼雰囲気は、大気中、酸素
雰囲気中、真空中、還元雰囲気中、中性雰囲気中等で仮
焼することができる。
より適宜選定されるが、780〜870℃の範囲で仮焼
することが好ましく、また仮焼雰囲気は、大気中、酸素
雰囲気中、真空中、還元雰囲気中、中性雰囲気中等で仮
焼することができる。
粉砕及び成形法については特に制限はなく、従来公知の
方法で行なうことができる。
方法で行なうことができる。
焼成条件において、焼成温度は各原料の配合割合などに
より適宜選定されるが、試料が溶融する温度近傍以下の
温度9例えば780〜950℃の範囲で焼成することが
好ましく、810〜900℃の範囲で焼成すればさらに
好ましい。
より適宜選定されるが、試料が溶融する温度近傍以下の
温度9例えば780〜950℃の範囲で焼成することが
好ましく、810〜900℃の範囲で焼成すればさらに
好ましい。
一方焼成雰囲気は、1回焼成の場合、窒素雰囲気中又は
酸素を10体積%未満含有する窒素雰囲気中で焼成する
ことが必要とされ、また焼成を2回行なう場合、1次焼
成は大気中、Il素雰囲気中、真空中、還元雰囲気中、
中性雰囲気中等特に制限はないが、2次焼成は窒素雰囲
気中又は酸素を7体積%未満含有する窒素雰囲気中で焼
成することが必要とされ、上記以外の条件で焼成を行な
うと急冷工程なしではT cZeroが90に台の22
12相のBi系の酸化物超電導体を得ることが困難であ
る。なお本発明において、仮焼後、必要に応じ粉砕及び
成形を行ない、その後1次焼成してもよい焼成時間は、
5〜10時間でも差し支へ えはないが、結晶の均質性を高めるには20〜1、 O
0時間行なうことが好ましい。
酸素を10体積%未満含有する窒素雰囲気中で焼成する
ことが必要とされ、また焼成を2回行なう場合、1次焼
成は大気中、Il素雰囲気中、真空中、還元雰囲気中、
中性雰囲気中等特に制限はないが、2次焼成は窒素雰囲
気中又は酸素を7体積%未満含有する窒素雰囲気中で焼
成することが必要とされ、上記以外の条件で焼成を行な
うと急冷工程なしではT cZeroが90に台の22
12相のBi系の酸化物超電導体を得ることが困難であ
る。なお本発明において、仮焼後、必要に応じ粉砕及び
成形を行ない、その後1次焼成してもよい焼成時間は、
5〜10時間でも差し支へ えはないが、結晶の均質性を高めるには20〜1、 O
0時間行なうことが好ましい。
本発明の組成において○(酸素)の量は、Cuの量及び
Cuの酸化状態によって定まる。しかし酸化状態がどの
ようになっているかを厳密にそして精度よく測定するこ
とができない。そのため本発明においてXで表わすこと
にした。
Cuの酸化状態によって定まる。しかし酸化状態がどの
ようになっているかを厳密にそして精度よく測定するこ
とができない。そのため本発明においてXで表わすこと
にした。
(実施例)
以下本発明の実施例を説明する。
実施例1〜2
ビスマス、 スズ 、ストロンチウム、マグネシウム、
バリウム、カルシウム及び銅の比率が原子比でj[1表
に示す組成になるように二酸化ビスマス(高純度化学研
究新製、純度99.9%)。
バリウム、カルシウム及び銅の比率が原子比でj[1表
に示す組成になるように二酸化ビスマス(高純度化学研
究新製、純度99.9%)。
二酸化スズ(高純度化学研究新製、純度99.9%)炭
酸ストロンチウム(レアメタリック製、′純度99.9
%)、酸化マグネシウム(高純度化学研究新製、純度9
9,9%)、炭酸バリウム(高純度化学研究新製、純度
99.9%)、炭酸カルシウム(高純度化学研究新製、
純度99.9%及び酸化第二銅(高純度化学研究新製、
純度99.9%)を秤量し出発原料とした。
酸ストロンチウム(レアメタリック製、′純度99.9
%)、酸化マグネシウム(高純度化学研究新製、純度9
9,9%)、炭酸バリウム(高純度化学研究新製、純度
99.9%)、炭酸カルシウム(高純度化学研究新製、
純度99.9%及び酸化第二銅(高純度化学研究新製、
純度99.9%)を秤量し出発原料とした。
次に上記の8発原料を合成樹脂製のボールミル内に合成
樹脂で被覆した鋼球ボール及びメタノールと共に充填し
、毎分50回転の条件で72時時間式混合した。乾燥後
アルミナこう鉢に入れ電気炉を用いて大気中で800℃
で10時間仮焼し。
樹脂で被覆した鋼球ボール及びメタノールと共に充填し
、毎分50回転の条件で72時時間式混合した。乾燥後
アルミナこう鉢に入れ電気炉を用いて大気中で800℃
で10時間仮焼し。
ついで乳鉢で粗粉砕して酸化物超電導体用組成物を得た
。この後肢酸化物超電導体用組成物を147 M P
aの圧力で直径30mmt厚さ1mmのベレツトにプレ
ス成形後2体積比で02: N2=1:20の低酸素雰
囲気中で840℃100時間焼成してB31にの酸化物
超電導体を得た。
。この後肢酸化物超電導体用組成物を147 M P
aの圧力で直径30mmt厚さ1mmのベレツトにプレ
ス成形後2体積比で02: N2=1:20の低酸素雰
囲気中で840℃100時間焼成してB31にの酸化物
超電導体を得た。
実施例3〜4
ビスマス、スズ、ストロンチウム、マグネシウム、バリ
ウム、カルシウム及び銅(いずれも実施例1〜2と同一
原料を使用)の比率が原子比で第2表に示す組成になる
ように秤量し出発原料とした。
ウム、カルシウム及び銅(いずれも実施例1〜2と同一
原料を使用)の比率が原子比で第2表に示す組成になる
ように秤量し出発原料とした。
以下実施例1〜2と同様の工程を経て酸化物超電導体用
組成物を得たにの後肢酸化物超電導体用組成物を体積比
で酸素雰囲気中で900℃で15時間−法焼成し、つい
で粉砕した後、147MPaの圧力で直径30mrn、
厚さ1mmのペレツトにプレス成形後9体積比で、02
: N、=1 :20の低酸素雰囲気中で830’Cで
100時間二次焼成してBiXIE化物超電導体を得た
。
組成物を得たにの後肢酸化物超電導体用組成物を体積比
で酸素雰囲気中で900℃で15時間−法焼成し、つい
で粉砕した後、147MPaの圧力で直径30mrn、
厚さ1mmのペレツトにプレス成形後9体積比で、02
: N、=1 :20の低酸素雰囲気中で830’Cで
100時間二次焼成してBiXIE化物超電導体を得た
。
(比較例)
比較例1〜2
ビスマス、ストロンチウム、カルシウム及び銅の比率が
第3表に示す組成になるように二酸化ビスマス(高純度
化学研究新製、純度99.9%)。
第3表に示す組成になるように二酸化ビスマス(高純度
化学研究新製、純度99.9%)。
炭酸ストロンチウム(レアメタリック製、純度99.9
%)、炭酸カルシウム(高純度化学研究新製、純度99
.9%)及び酸化第二銅(高純度化学研究所製純度99
.9%)を秤量し、以下実施例1〜2と同様の工程を経
てBi系の酸化物超電導体を得た。
%)、炭酸カルシウム(高純度化学研究新製、純度99
.9%)及び酸化第二銅(高純度化学研究所製純度99
.9%)を秤量し、以下実施例1〜2と同様の工程を経
てBi系の酸化物超電導体を得た。
比較例3〜4
ビスマス、ストロンチウム、カルシウム及び綱(いずれ
も比較例1〜2と同一の原料を使用)の比率が原子比で
第4表に示す組成になるように秤第 表 量し出発原料とした。
も比較例1〜2と同一の原料を使用)の比率が原子比で
第4表に示す組成になるように秤第 表 量し出発原料とした。
以下実施例3〜4と同様の工程を経てBi系の酸化物超
電導体を得た。
電導体を得た。
次に実施例1〜4及び比較例1〜4で得たBi系の酸化
物超電導体を四端子法でT Czeroを測定した。そ
の結果を315表に示す。
物超電導体を四端子法でT Czeroを測定した。そ
の結果を315表に示す。
第5表に示されるように本発明の実施例になる酸化物超
電導体は、90に以上のTc’″″r0を有することが
わかる。また結晶相を調べたところ2212相であるこ
とが確認された。
電導体は、90に以上のTc’″″r0を有することが
わかる。また結晶相を調べたところ2212相であるこ
とが確認された。
(発明の効果)
本発明によれば、急冷工程を経ることなく90に以上の
T cZ@roを示す2212相の酸化物超電導体を得
ることができる。
T cZ@roを示す2212相の酸化物超電導体を得
ることができる。
◇只チ;・フ
Claims (3)
- 1.ビスマス,スズ,ストロンチウム,カルシウム,マ
グネシウム,バリウム及び銅を主成分とし, 一般式Bi_1_−_YSn_YSr_ACa_BMg
_CBa_DCu_1_._0_±_0_._2O_x (但しA=0.6〜1.2,B=0.35〜0.7,C
=0.05〜0.2,D=0.05〜0.2,Y=0.
05〜0.3,数字は原子比を表わす)で示される組成
からなる酸化物超電導体。 - 2.請求項1記載の組成となるようにビスマス,スズ,
ストロンチウム,カルシウム,マグネシウム,バリウム
及び銅を含む各原料を秤量し,ついで混合した後,仮焼
,粉砕し成形後,窒素雰囲気中又は酸素を10体積%未
満で含有する窒素雰囲気中で焼成することを特徴とする
酸化物超電導体の製造方法。 - 3.請求項1記載の組成となるようにビスマス,スズ,
ストロンチウム,カルシウム, マグネシウム,バリウム及び銅を含む各原料を秤量し,
ついで混合した後,仮焼,一次焼成し,さらに粉砕後,
成形し,再度窒素雰囲気中又は酸素を7体積%未満で含
有する窒素雰囲気中で二次焼成することを特徴とする酸
化物超電導体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2243296A JPH04124027A (ja) | 1990-09-13 | 1990-09-13 | 酸化物超電導体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2243296A JPH04124027A (ja) | 1990-09-13 | 1990-09-13 | 酸化物超電導体及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04124027A true JPH04124027A (ja) | 1992-04-24 |
Family
ID=17101730
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2243296A Pending JPH04124027A (ja) | 1990-09-13 | 1990-09-13 | 酸化物超電導体及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04124027A (ja) |
-
1990
- 1990-09-13 JP JP2243296A patent/JPH04124027A/ja active Pending
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