JPH04124022A - 酸化物超電導体及びその製法 - Google Patents
酸化物超電導体及びその製法Info
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- JPH04124022A JPH04124022A JP2243290A JP24329090A JPH04124022A JP H04124022 A JPH04124022 A JP H04124022A JP 2243290 A JP2243290 A JP 2243290A JP 24329090 A JP24329090 A JP 24329090A JP H04124022 A JPH04124022 A JP H04124022A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は酸化物超電導体及びその製法に関する。
(従来の技術)
従来の酸化物超電導体としては、1988年金属材料技
術研究所の前出総合研究官らによって発見されたビスマ
ス、ストロンチウム、カルシウム及び銅を主成分とする
B1−5r−Ca−Cu−0系(以下Bi系とする)の
酸化物超電導体があるが、このBi系の酸化物超電導体
は、電気抵抗が零になる臨界温度(以下T czsro
とする)が110に付近の2223相が生成しにくいと
いう問題があった。このためTczaroは低いが、生
成温度領域が広い2212相の活用が試みられてぃる。
術研究所の前出総合研究官らによって発見されたビスマ
ス、ストロンチウム、カルシウム及び銅を主成分とする
B1−5r−Ca−Cu−0系(以下Bi系とする)の
酸化物超電導体があるが、このBi系の酸化物超電導体
は、電気抵抗が零になる臨界温度(以下T czsro
とする)が110に付近の2223相が生成しにくいと
いう問題があった。このためTczaroは低いが、生
成温度領域が広い2212相の活用が試みられてぃる。
(発明が解決しようとする課j!I)
しかしながらBi系の酸化物超電導体の2212相は
T Czeroが80に付近であるため液体窒素の冷却
(77K)ではT Czsroとの差が小さく超電導特
性が不安定で使用できな0おそれがある。
T Czeroが80に付近であるため液体窒素の冷却
(77K)ではT Czsroとの差が小さく超電導特
性が不安定で使用できな0おそれがある。
2212相のTC2l″。を高める方法として、ジャパ
ニーズ、ジャーナル、オブ、アプライド、フィジツクス
(Japanese Journalof App
lied Physics)Vo127.9号(19
88年9月刊)、L1626fL1628頁及び同Vo
127,12号(1988年12月刊)、L2327r
L2329号並びにアトパンセス、イン、スーパーコン
ダクテイビイテイII (Advances in
5uperAconductivityII)、14
9〜152頁に示されるように500〜880℃の温度
で熱処理した後、液体窒素中又は空気中で急冷して得る
方法が報告されている。
ニーズ、ジャーナル、オブ、アプライド、フィジツクス
(Japanese Journalof App
lied Physics)Vo127.9号(19
88年9月刊)、L1626fL1628頁及び同Vo
127,12号(1988年12月刊)、L2327r
L2329号並びにアトパンセス、イン、スーパーコン
ダクテイビイテイII (Advances in
5uperAconductivityII)、14
9〜152頁に示されるように500〜880℃の温度
で熱処理した後、液体窒素中又は空気中で急冷して得る
方法が報告されている。
この方法は急冷する工程を含むため小型の成形体を作製
することは出来ても大型の成形体を作製することは困難
であるという欠点がある。
することは出来ても大型の成形体を作製することは困難
であるという欠点がある。
本発明は急冷工程を経ることなしに90により高いT
Czeroを示す2212相のB1系の酸化物超電導体
及びその製遺法を提供することを目的とするものである
。
Czeroを示す2212相のB1系の酸化物超電導体
及びその製遺法を提供することを目的とするものである
。
(課題を解決するための手段)
本発明はビスマス、ストロンチウム、カルシウム、ルビ
ジウム、バリウム及び銅を主成分とし。
ジウム、バリウム及び銅を主成分とし。
一般式Bi+ osrAcaBRb(J3all、Cu
t。
t。
±。20X
(但しA=0.6〜1.2.B=0.35〜0.7゜C
=0.05〜0.2.D=0.05〜0.2.数字は原
子比を表わす) で示される組成からなる酸化物超電導体及び上記の組成
となるようにビスマス、ストロンチウム。
=0.05〜0.2.D=0.05〜0.2.数字は原
子比を表わす) で示される組成からなる酸化物超電導体及び上記の組成
となるようにビスマス、ストロンチウム。
カルシウム、ルビジウム、バリウム及び銅を含む各原料
を秤量し、ついで混合したのち、仮焼、粉砕し、成形後
窒素雰囲気中又は酸素を]O体積%未満で含有する窒素
雰囲気中で焼成する酸化物超電導体の製喜法並びに上記
の組成となるようにビスマス、ストロンチウム、カルシ
ウム、ルビジウム、バリウム及び銅を含む各原料を秤量
し、つl/)で混合した後仮焼,一次焼成し、さらに粉
砕後。
を秤量し、ついで混合したのち、仮焼、粉砕し、成形後
窒素雰囲気中又は酸素を]O体積%未満で含有する窒素
雰囲気中で焼成する酸化物超電導体の製喜法並びに上記
の組成となるようにビスマス、ストロンチウム、カルシ
ウム、ルビジウム、バリウム及び銅を含む各原料を秤量
し、つl/)で混合した後仮焼,一次焼成し、さらに粉
砕後。
成形し、再度窒素雰囲気中又は酸素を7体積%未満で含
有する窒素雰囲気中で二次焼成する酸化物超電導体の製
法に関する。
有する窒素雰囲気中で二次焼成する酸化物超電導体の製
法に関する。
本発明において酸化物超電導体を構成する主成分のビス
マス、ストロンチウム、カルシウム、ルビジウム、バリ
ウム及び銅を含む原料については特に制限はないが2例
えば酸化物、炭酸塩、硝酸塩、しゆう酸塩等の1種又は
2種以上が用いられる。
マス、ストロンチウム、カルシウム、ルビジウム、バリ
ウム及び銅を含む原料については特に制限はないが2例
えば酸化物、炭酸塩、硝酸塩、しゆう酸塩等の1種又は
2種以上が用いられる。
ビスマス、ストロンチウム、カルシウム、ルビジウム、
バリウム及び銅の配合割合は原子比でビスマスが1.0
.ストロンチウムが0.6〜1.2゜カルシウムが0.
35〜0.17.ルビジウムが0.05〜0.2.バリ
ウムが0.05〜0.2及び銅が1.0±0.2の範囲
とされ、この範囲から外れると急冷工程なしではT C
zeroが90に台の2212相のBi系の酸化物超電
導体を得ことが△ 困難である。
バリウム及び銅の配合割合は原子比でビスマスが1.0
.ストロンチウムが0.6〜1.2゜カルシウムが0.
35〜0.17.ルビジウムが0.05〜0.2.バリ
ウムが0.05〜0.2及び銅が1.0±0.2の範囲
とされ、この範囲から外れると急冷工程なしではT C
zeroが90に台の2212相のBi系の酸化物超電
導体を得ことが△ 困難である。
混合方法については特に制限はないが9例えば合成樹脂
製のボールミルに合成樹脂で被覆したボール、エタノー
ル、メタノール等の溶媒及び原料を充填し、湿式混合す
ることが好ましい。
製のボールミルに合成樹脂で被覆したボール、エタノー
ル、メタノール等の溶媒及び原料を充填し、湿式混合す
ることが好ましい。
仮焼条件において、仮焼温度は各原料の配合割合などに
より適宜選定されるが、780〜870℃の範囲で仮焼
することが好ましく、また仮焼雰囲気は、大気中、酸素
雰囲気中、真空中、還元雰囲気中、中性雰囲気中等で仮
焼することができる。
より適宜選定されるが、780〜870℃の範囲で仮焼
することが好ましく、また仮焼雰囲気は、大気中、酸素
雰囲気中、真空中、還元雰囲気中、中性雰囲気中等で仮
焼することができる。
粉砕及び成形法については特に制限はなく、従来公知の
方法で行なうことができる。
方法で行なうことができる。
焼成条件において、焼成温度は各原料の配合割合などに
より適宜選定されるが、試料が溶融する温度近傍以下の
温度9例えば780〜950℃の範囲で焼成することが
好ましく、810〜900℃の範囲で焼成すればさらに
好ましい。
より適宜選定されるが、試料が溶融する温度近傍以下の
温度9例えば780〜950℃の範囲で焼成することが
好ましく、810〜900℃の範囲で焼成すればさらに
好ましい。
一方焼成雰囲気は、1回焼成の場合、窒素雰囲気中又は
酸素を1o体積%未満含有する窒素雰囲気中で焼成する
ことが必要とされ、また焼成を2回行なう場合、1次焼
成は大気中、酸素雰囲気中、真空中、還元雰囲気中、中
性雰囲気中等特に制限はないが、2次焼成は窒素雰囲気
中又は酸素を7体積%未満含有する窒素雰囲気中で焼成
することが必要とされ、上記以外の条件で焼成を行なう
と急冷工程なしではT Czeroが90に台の221
2相のBi系の酸化物超電導体を得ることが因難である
。なお本発明において、仮焼後、必要に応じ粉砕及び成
形を行ない、その後1次焼成してもよい焼成時間は、5
〜10時間でも差し支へ えはないが、結晶の均質性を高めるには20〜100時
間行なうことが好ましい。
酸素を1o体積%未満含有する窒素雰囲気中で焼成する
ことが必要とされ、また焼成を2回行なう場合、1次焼
成は大気中、酸素雰囲気中、真空中、還元雰囲気中、中
性雰囲気中等特に制限はないが、2次焼成は窒素雰囲気
中又は酸素を7体積%未満含有する窒素雰囲気中で焼成
することが必要とされ、上記以外の条件で焼成を行なう
と急冷工程なしではT Czeroが90に台の221
2相のBi系の酸化物超電導体を得ることが因難である
。なお本発明において、仮焼後、必要に応じ粉砕及び成
形を行ない、その後1次焼成してもよい焼成時間は、5
〜10時間でも差し支へ えはないが、結晶の均質性を高めるには20〜100時
間行なうことが好ましい。
本発明の組成においてO(a素)の量は、Cuの量及び
Cu(7)!l[化状態によって定まる。しかし酸化状
態がどのようになっているかを厳密にそして精度よく測
定することができない。そのため本発明においてXで表
わすことにした。
Cu(7)!l[化状態によって定まる。しかし酸化状
態がどのようになっているかを厳密にそして精度よく測
定することができない。そのため本発明においてXで表
わすことにした。
(実施例)
以下本発明の詳細な説明する。
実施例1〜2
ビスマス、ストロンチウム、ルビジウム、バリウム、カ
ルシウム及び銅の比率が原子比でIF5表に示す組成に
なるように二酸化ビスマス(高純度化学研究新製、純度
99.9%)、炭酸ストロンチウム(レアメタリック製
、純度99.9%)。
ルシウム及び銅の比率が原子比でIF5表に示す組成に
なるように二酸化ビスマス(高純度化学研究新製、純度
99.9%)、炭酸ストロンチウム(レアメタリック製
、純度99.9%)。
炭酸ルビジウム(高純度化学研究新製、純度99.9%
)、炭酸バリウム(高純度化学研究新製、純度99.9
%)、炭酸カルシウム(高純度化学研究新製、純度99
.9%及び酸化第二銅(高純度化学研究新製、純度99
゜9%)を秤量し出発原料とした。
)、炭酸バリウム(高純度化学研究新製、純度99.9
%)、炭酸カルシウム(高純度化学研究新製、純度99
.9%及び酸化第二銅(高純度化学研究新製、純度99
゜9%)を秤量し出発原料とした。
次に上記の出発原料を合成樹脂製のボールミル内に合成
樹脂で被覆した鋼球ボール及びメタノールと共に充填し
、毎分50回転の条件で72時時間式混合した。乾燥後
アルミナこう鉢に入れ電気炉を用いて大気中で800℃
で10時間仮焼し。
樹脂で被覆した鋼球ボール及びメタノールと共に充填し
、毎分50回転の条件で72時時間式混合した。乾燥後
アルミナこう鉢に入れ電気炉を用いて大気中で800℃
で10時間仮焼し。
ついで乳鉢で粗粉砕して酸化物超電導体用組成物を得た
。この後肢酸化物超電導体用組成物を147 M P
aの圧力で直径30 m m 、厚さ1mmのペレツト
にプレス成形後9体積比で02二N2=1:20の低酸
素雰囲気中で840℃100時間焼成してBi系の酸化
物超電導体を得た。
。この後肢酸化物超電導体用組成物を147 M P
aの圧力で直径30 m m 、厚さ1mmのペレツト
にプレス成形後9体積比で02二N2=1:20の低酸
素雰囲気中で840℃100時間焼成してBi系の酸化
物超電導体を得た。
実施例3〜4
ビスマス、ストロンチウム、ルビジウム、バリウム、カ
ルシウム及び銅(いずれも実施例1〜2と同一原料を使
用)の比率が原子比で第2表に示す組成になるように秤
量し出発原料とした。
ルシウム及び銅(いずれも実施例1〜2と同一原料を使
用)の比率が原子比で第2表に示す組成になるように秤
量し出発原料とした。
以下実施例1〜2と同様の工程を経て酸化物超電導体用
組成物を得た。この後肢酸化物超電導体用組成物を体積
比で酸素雰囲気中で900℃で15時間−次焼成し、つ
いで粉砕した後、147MPaの圧力で直径30 m
m を厚さ1mmのペレツトにプレス成形後9体積比で
、02:N2=1:20の低酸素雰囲気中で830℃で
100時間二次焼成してBi系酸化物超電導体を得た。
組成物を得た。この後肢酸化物超電導体用組成物を体積
比で酸素雰囲気中で900℃で15時間−次焼成し、つ
いで粉砕した後、147MPaの圧力で直径30 m
m を厚さ1mmのペレツトにプレス成形後9体積比で
、02:N2=1:20の低酸素雰囲気中で830℃で
100時間二次焼成してBi系酸化物超電導体を得た。
(比較例)
比較例1〜2
ビスマス、ストロンチウム、カルシウム及び銅の比率が
第3表に示す組成になるように二酸化ビスマス(高純度
化学研究新製、純度99.9%)。
第3表に示す組成になるように二酸化ビスマス(高純度
化学研究新製、純度99.9%)。
炭1mストロンチウム(レアメタリック製、純度99.
9%)、炭酸カルシウム(高純度化学研究新製、純度9
9.9%)及び酸化第二銅(高純度化学研究所製純度9
9.9%)を秤量し、以下実施例1〜2と同様の工程を
経てBi系の酸化物超電導体を得た。
9%)、炭酸カルシウム(高純度化学研究新製、純度9
9.9%)及び酸化第二銅(高純度化学研究所製純度9
9.9%)を秤量し、以下実施例1〜2と同様の工程を
経てBi系の酸化物超電導体を得た。
比較例3〜4
ビスマス、ストロンチウム、カルシウム及び銅(いずれ
も比較例1〜2と同一の原料を使用)の比率が原子比で
114表に示す組成になるように秤量し出発原料とした
。
も比較例1〜2と同一の原料を使用)の比率が原子比で
114表に示す組成になるように秤量し出発原料とした
。
以下実施例3〜4と同様の工程を経てBi系の酸化物超
電導体を得た。
電導体を得た。
次に実施例1〜4及び比較例1〜4で得たBi系の酸化
物超電導体を四端子法でT Czeroを測定した。そ
の結果を第5表に示す。
物超電導体を四端子法でT Czeroを測定した。そ
の結果を第5表に示す。
第5表に示されるように本発明の実施例になる酸化物超
電導体は、90に以上のT Czsroを有す第 表 ることがわかる。また結晶相を調べたところ2212相
であることが確認された。
電導体は、90に以上のT Czsroを有す第 表 ることがわかる。また結晶相を調べたところ2212相
であることが確認された。
(発明の効果)
本発明によれば、急冷工程を経ることなく90に以上の
T Czeroを示す2212相の酸化物超電導体を得
ることができる。
T Czeroを示す2212相の酸化物超電導体を得
ることができる。
Claims (3)
- 1.ビスマス,ストロンチウム,カルシウム,ルビジウ
ム,バリウム及び銅を主成分とし,一般式,Bi_1_
._0Sr_ACa_BRb_CBa_DCu_1_.
_0_±_0_._2O_x (但しA=0.6〜1.2,B=0.35〜0.7,C
=0.05〜0.2,D=0.05〜0.2,数字は原
子比を表わす) で示される組成からなる酸化物超電導体。 - 2.請求項1記載の組成となるようにビスマス,ストロ
ンチウム,カルシウム,ルビジウム,バリウム及び銅を
含む各原料を秤量し,ついで混合した後,仮焼,粉砕し
成形後,窒素雰囲気中又は酸素を10体積%未満で含有
する窒素雰囲気中で焼成することを特徴とする酸化物超
電導体の製法。 - 3.請求項1記載の組成となるようにビスマス,ストロ
ンチウム,カルシウム,ルビジウム,バリウム及び銅を
含む各原料を秤量し,ついで混合した後,仮焼,一次焼
成し,さらに粉砕後,成形し,再度窒素雰囲気中又は酸
素を7体積%未満で含有する窒素雰囲気中で二次焼成す
ることを特徴とする酸化物超電導体の製法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2243290A JPH04124022A (ja) | 1990-09-13 | 1990-09-13 | 酸化物超電導体及びその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2243290A JPH04124022A (ja) | 1990-09-13 | 1990-09-13 | 酸化物超電導体及びその製法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04124022A true JPH04124022A (ja) | 1992-04-24 |
Family
ID=17101647
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2243290A Pending JPH04124022A (ja) | 1990-09-13 | 1990-09-13 | 酸化物超電導体及びその製法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04124022A (ja) |
-
1990
- 1990-09-13 JP JP2243290A patent/JPH04124022A/ja active Pending
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