JPH04124018A - 酸化物超電導体及びその製造法 - Google Patents
酸化物超電導体及びその製造法Info
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- JPH04124018A JPH04124018A JP2243286A JP24328690A JPH04124018A JP H04124018 A JPH04124018 A JP H04124018A JP 2243286 A JP2243286 A JP 2243286A JP 24328690 A JP24328690 A JP 24328690A JP H04124018 A JPH04124018 A JP H04124018A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は酸化物超電導体及びその製造法に関する。
(従来の技術)
従来の酸化物超電導体としては、1988年金属材料技
術研究所の前圧総合研究官らによって発見されたビスマ
ス、ストロンチウム、カルシウム及び銅を主成分とする
B1−8r−Ca−Cu−0系(以下B11kとする)
の酸化物超電導体があるが、このBi系の酸化物超電導
体は、電気抵抗が零になる臨界温度(以下T czer
oとする)が110に付近の2223相が生成しにくい
という問題があった。このためT czeroは低いが
、生成温度領域が広い2212相の活用が試みられてい
る。
術研究所の前圧総合研究官らによって発見されたビスマ
ス、ストロンチウム、カルシウム及び銅を主成分とする
B1−8r−Ca−Cu−0系(以下B11kとする)
の酸化物超電導体があるが、このBi系の酸化物超電導
体は、電気抵抗が零になる臨界温度(以下T czer
oとする)が110に付近の2223相が生成しにくい
という問題があった。このためT czeroは低いが
、生成温度領域が広い2212相の活用が試みられてい
る。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながらBi系の酸化物超電導体の2212相!!
、 T a”r0カ80KN近テアルt:?b液体窒素
の冷却(77K)では”1” czaroとの差が小さ
く超電導特性が不安定で使用できないおそれがある。
、 T a”r0カ80KN近テアルt:?b液体窒素
の冷却(77K)では”1” czaroとの差が小さ
く超電導特性が不安定で使用できないおそれがある。
2212相のT c””を高める方法として、ジャパニ
ーズ、ジャーナル、オブ、アプライド、フィジックス(
Japanese Journalof Appl
ied Physics)Vo127.9号(198
8年9月刊> 、 Lxa26iLl 628頁及びF
IVo127,12号(1988年12月刊)、L23
27渭L2329号並びIこアトパンセス、イン、スー
パーコンダクティビイティII (Advances
jn 5uper−ハ conductivi tyn)t 149〜152
頁に示されるように500〜880”Cの温度で熱処理
した後、液体窒素中又は空気中で急冷して得る方法が報
告されている。
ーズ、ジャーナル、オブ、アプライド、フィジックス(
Japanese Journalof Appl
ied Physics)Vo127.9号(198
8年9月刊> 、 Lxa26iLl 628頁及びF
IVo127,12号(1988年12月刊)、L23
27渭L2329号並びIこアトパンセス、イン、スー
パーコンダクティビイティII (Advances
jn 5uper−ハ conductivi tyn)t 149〜152
頁に示されるように500〜880”Cの温度で熱処理
した後、液体窒素中又は空気中で急冷して得る方法が報
告されている。
この方法は急冷する工程を含むため小型の成形体を作製
することは出来ても大型の成形体を作製することは困難
であるという欠点がある。
することは出来ても大型の成形体を作製することは困難
であるという欠点がある。
本発明は急冷工程を経ることなしに90により高い”l
−cZeroを示す2212相のBi系の酸化物超電導
体及びその製造法を提供することを目的とするものであ
る。
−cZeroを示す2212相のBi系の酸化物超電導
体及びその製造法を提供することを目的とするものであ
る。
(課題を解決するための手段)
本発明はビスマス、ストロンチウム、カルシウム、リチ
ウム、バリウム及び銅を主成分とし。
ウム、バリウム及び銅を主成分とし。
一般式Bit、oS I”ACa!1LlcBaDCu
+。
+。
±o2Ox
(但しA=0.6〜1.2.B=0.35〜0.7゜C
=0.05〜0.2.D=0.05〜0.2.数字は原
子比を表わす) で示される組成からなる酸化物超電導体及び上記の組成
となるようにビスマス、ストロンチウム。
=0.05〜0.2.D=0.05〜0.2.数字は原
子比を表わす) で示される組成からなる酸化物超電導体及び上記の組成
となるようにビスマス、ストロンチウム。
カルシウム、リチウム、バリウム及び銅を含む各原料を
秤量し、ついで混合したのち、仮焼、粉砕し、成形後窒
素雰囲気中又は酸素を10体積%未満で含有する窒素雰
囲気中で焼成する酸化物超電導体の製造法並びに上記の
組成となるようにビスマス、ストロンチウム、カルシウ
ム、リチウム。
秤量し、ついで混合したのち、仮焼、粉砕し、成形後窒
素雰囲気中又は酸素を10体積%未満で含有する窒素雰
囲気中で焼成する酸化物超電導体の製造法並びに上記の
組成となるようにビスマス、ストロンチウム、カルシウ
ム、リチウム。
バリウム及び銅を含む各原料を秤量し、ついで混合した
後仮焼,一次焼成し、さらに粉砕後、成形し、再度窒素
雰囲気中又は酸素を7体積%未満で含有する窒素雰囲気
中で二次焼成する酸化物超電導体の製造法に関する。
後仮焼,一次焼成し、さらに粉砕後、成形し、再度窒素
雰囲気中又は酸素を7体積%未満で含有する窒素雰囲気
中で二次焼成する酸化物超電導体の製造法に関する。
本発明において酸化物超電導体を構成する主成分のビス
マス、ストロンチウム、カルシウム、リチウム、バリウ
ム及び鋼を含む原料については特に制限はないが9例え
ば酸化物、炭Ml@、硝酸塩、しゆう酸塩等の1種又は
2種以上が用いられる。
マス、ストロンチウム、カルシウム、リチウム、バリウ
ム及び鋼を含む原料については特に制限はないが9例え
ば酸化物、炭Ml@、硝酸塩、しゆう酸塩等の1種又は
2種以上が用いられる。
ビスマス、ストロンチウム、カルシウム、リチウム、バ
リウム及び銅の配合割合は原子比でビスマスが1.0.
ストロンチウムが0.6〜1.2゜カルシウムが0.3
5〜047.リチウムが0.05〜0.2.バリウムが
0.05〜0.2及び鋼が1.0±0.2の範囲とされ
、この範囲から外れると急冷工程なしではT cz@r
oが90に台の2212相のBi系の酸化物超電導体を
得ことが△ 困難である。
リウム及び銅の配合割合は原子比でビスマスが1.0.
ストロンチウムが0.6〜1.2゜カルシウムが0.3
5〜047.リチウムが0.05〜0.2.バリウムが
0.05〜0.2及び鋼が1.0±0.2の範囲とされ
、この範囲から外れると急冷工程なしではT cz@r
oが90に台の2212相のBi系の酸化物超電導体を
得ことが△ 困難である。
混合方法については特に制限はないが1例えば合成樹脂
製のボールミルに合成樹脂で被覆したボール、エタノー
ル、メタノール等の溶媒及び原料を充填し、湿式混合す
ることが好ましい。
製のボールミルに合成樹脂で被覆したボール、エタノー
ル、メタノール等の溶媒及び原料を充填し、湿式混合す
ることが好ましい。
仮焼条件において、仮焼温度は各原料の配合割合などに
より適宜選定されるが、780〜870℃の範囲で仮焼
することが好ましく、また仮焼雰囲気は、大気中、Il
素雰囲気中、真空中、還元雰囲気中、中性雰囲気中等で
仮焼することができる。
より適宜選定されるが、780〜870℃の範囲で仮焼
することが好ましく、また仮焼雰囲気は、大気中、Il
素雰囲気中、真空中、還元雰囲気中、中性雰囲気中等で
仮焼することができる。
粉砕及び成形法については特に制限はなく、従来公知の
方法で行なうことができる。
方法で行なうことができる。
焼成条件において、焼成温度は各原料の配合割合などに
より適宜選定されるが、試料が溶融する温度近傍以下の
温度2例えば780〜950”Cの範囲で焼成すること
が好ましく、810〜900℃のIINで焼成すればさ
らに好ましい。
より適宜選定されるが、試料が溶融する温度近傍以下の
温度2例えば780〜950”Cの範囲で焼成すること
が好ましく、810〜900℃のIINで焼成すればさ
らに好ましい。
一方焼成雰囲気は、1回焼成の場合、窒素雰囲気中又は
酸素を10体積%未満含有する窒泰奪聞気中で焼成する
ことが必要とされ、また焼成を2回行なう場合、1次焼
成は大気中、酸素雰囲気中、真空中、還元雰囲気中、中
性雰囲気中等特に制限はないが、2次焼成は窒素S囲気
中又は酸素を7体積%未満含有する窒素雰囲気中で焼成
することが必要とされ、上記以外の条件で焼成を行なう
と急冷工程なしではT cffie I’Qが90に台
の2212相のBi系の酸化物超電導体を得ることが困
難である。なお本発明において、仮焼後、必要に応じ粉
砕及び成形を行ない、その後1次焼成してもよい焼成時
間は、5〜10時間でも差し支えはないが、結晶の均質
性を高めるには20〜100時間行なうことが好ましい
。
酸素を10体積%未満含有する窒泰奪聞気中で焼成する
ことが必要とされ、また焼成を2回行なう場合、1次焼
成は大気中、酸素雰囲気中、真空中、還元雰囲気中、中
性雰囲気中等特に制限はないが、2次焼成は窒素S囲気
中又は酸素を7体積%未満含有する窒素雰囲気中で焼成
することが必要とされ、上記以外の条件で焼成を行なう
と急冷工程なしではT cffie I’Qが90に台
の2212相のBi系の酸化物超電導体を得ることが困
難である。なお本発明において、仮焼後、必要に応じ粉
砕及び成形を行ない、その後1次焼成してもよい焼成時
間は、5〜10時間でも差し支えはないが、結晶の均質
性を高めるには20〜100時間行なうことが好ましい
。
本発明の組成においてO(酸素)の量は、Cuの量及び
Cuの酸化状態によって定まる。しかし酸化状態がどの
ようになっているかを厳密にそして精度よく測定するこ
とができない。そのため本発明においてXで表わすこと
にした。
Cuの酸化状態によって定まる。しかし酸化状態がどの
ようになっているかを厳密にそして精度よく測定するこ
とができない。そのため本発明においてXで表わすこと
にした。
(実施例)
以下本発明の詳細な説明する。
実施例1〜2
ビスマス、ストロンチウム、リチウム、バリウム、カル
シウム及び銅の比率が原子比で111表に示す組成にな
るように二酸化ビスマス(高純度化学研究新製、純度9
9,9%)、炭酸ストロンチウム(レアメタリック製、
純度99.9%)、炭酸リチウム(高純度化学研究新製
、純度99.9%)、炭酸バリウム(高純度化学研究新
製、純度99.9%)、炭酸カルシウム(高純度化学研
究新製、純度99.9%及び酸化第二銅(高純度化学研
究新製、純度99,9%)を秤量し出発原料とした。
シウム及び銅の比率が原子比で111表に示す組成にな
るように二酸化ビスマス(高純度化学研究新製、純度9
9,9%)、炭酸ストロンチウム(レアメタリック製、
純度99.9%)、炭酸リチウム(高純度化学研究新製
、純度99.9%)、炭酸バリウム(高純度化学研究新
製、純度99.9%)、炭酸カルシウム(高純度化学研
究新製、純度99.9%及び酸化第二銅(高純度化学研
究新製、純度99,9%)を秤量し出発原料とした。
次に上記の出発原料を合成樹n1Ilのボールミル内に
合成樹脂で被覆した鋼球ボール及びメタノールと共に充
填し、46分50回転の条件で72時時間式混合した。
合成樹脂で被覆した鋼球ボール及びメタノールと共に充
填し、46分50回転の条件で72時時間式混合した。
乾燥後アルミナこう鉢に入れ電気炉を用いて大気中で8
00℃で10時間仮焼し。
00℃で10時間仮焼し。
ついで乳鉢で粗粉砕して酸化物超電導体用組成物を得た
。この後肢酸化物超電導体用組成物を147MPaの圧
力で直径30 m m v厚さ1mmのペレットにプレ
ス成形後1体積比で02: N2=1:20の低酸素雰
囲気中で840℃100時間焼成してBユ系の酸化物超
電導体を得た。
。この後肢酸化物超電導体用組成物を147MPaの圧
力で直径30 m m v厚さ1mmのペレットにプレ
ス成形後1体積比で02: N2=1:20の低酸素雰
囲気中で840℃100時間焼成してBユ系の酸化物超
電導体を得た。
実施例3〜4
ビスマス、ストロンチウム、リチウム、バリウム、カル
シウム及び銅(いずれも実施例1〜2と同一原料を使用
)の比率が原子比で112表に示す組成になるように秤
量し出発原料とした。
シウム及び銅(いずれも実施例1〜2と同一原料を使用
)の比率が原子比で112表に示す組成になるように秤
量し出発原料とした。
以下実施例1〜2と同様の工程を経て酸化物超電導体用
組成物を得た。この後a酸化物超電導体用組成物を体積
比で酸素雰囲気中で900℃で15時間−次焼成し、つ
いで粉砕した後、147MPaの圧力で直径30 m
m *厚さ1mmのペレットにプレス成形後9体積比で
、○e : N2= 1 :20の低酸素雰囲気中で8
30℃で100時間二次焼成してBi系酸化物超電導体
を得た。
組成物を得た。この後a酸化物超電導体用組成物を体積
比で酸素雰囲気中で900℃で15時間−次焼成し、つ
いで粉砕した後、147MPaの圧力で直径30 m
m *厚さ1mmのペレットにプレス成形後9体積比で
、○e : N2= 1 :20の低酸素雰囲気中で8
30℃で100時間二次焼成してBi系酸化物超電導体
を得た。
(比較例)
比較例1〜2
ビスマス、ストロンチウム、カルシウム及び銅の比率が
第3表に示す組成になるように二酸化ビスマス(高純度
化学研究所製9M度99.9%)。
第3表に示す組成になるように二酸化ビスマス(高純度
化学研究所製9M度99.9%)。
炭酸ストロンチウム(レアメタリック製、純度99.9
%)、炭酸カルシウム(高純度化学研究新製、純度99
.9%)及び酸化第二銅(高純度化学研究所製純度99
.9%)を秤量し、以下実施例1〜2と同様の工程を経
てBi系の酸化物超電導体を得た。
%)、炭酸カルシウム(高純度化学研究新製、純度99
.9%)及び酸化第二銅(高純度化学研究所製純度99
.9%)を秤量し、以下実施例1〜2と同様の工程を経
てBi系の酸化物超電導体を得た。
比較例3〜4
ビスマス、ストロンチウム、カルシウム及び銅(いずれ
も比較例1〜2と同一の原料を使用)の比率が原子比で
第4表に示す組成になるように秤量し出発原料とした。
も比較例1〜2と同一の原料を使用)の比率が原子比で
第4表に示す組成になるように秤量し出発原料とした。
以下実施例3〜4と同様の工程を経てB11kの酸化物
超電導体を得た。
超電導体を得た。
次に実施例1〜4及び比較例1〜4で得たBi系の酸化
物超電導体を四端子法で’l” c!@roを測定した
。その結果を第5表に示す。
物超電導体を四端子法で’l” c!@roを測定した
。その結果を第5表に示す。
315表に示されるように本発明の実施例になる酸化物
超電導体は、90に以上のTct@toを有することが
わかる。また結晶相を調べたところ第 表 2212相であることが確認された。
超電導体は、90に以上のTct@toを有することが
わかる。また結晶相を調べたところ第 表 2212相であることが確認された。
(発明の効果)
本発明によれば、急冷工程を経ることなく90に以上の
TcZeroを示す2212相の酸化物超電導体を得る
ことができる。
TcZeroを示す2212相の酸化物超電導体を得る
ことができる。
Claims (3)
- 1.ビスマス,ストロンチウム,カルシウム,リチウム
,バリウム及び銅を主成分とし, 一般式Bi_1_._0Sr_ACa_BLi_CBa
_DCu_1_._0_±_0_._2O_x (但しA=0.6〜1.2,B=0.35〜0.7,C
=0.05〜0.2,D=0.05〜0.2,数字は原
子比を表わす) で示される組成からなる酸化物超電導体。 - 2.請求項1記載の組成となるようにビスマス,ストロ
ンチウム,カルシウム,リチウム,バリウム及び銅を含
む各原料を秤量し,ついで混合した後,仮焼,粉砕し成
形後,窒素雰囲気中又は酸素を10体積%未満で含有す
る窒素雰囲気中で焼成することを特徴とする酸化物超電
導体の製造法。 - 3.請求項1記載の組成となるようにビスマス,ストロ
ンチウム,カルシウム,リチウム,バリウム及び銅を含
む各原料を秤量し,ついで混合した後,仮焼,一次焼成
し,さらに粉砕後,成形し,再度窒素雰囲気中又は酸素
を7体積%未満で含有する窒素雰囲気中で二次焼成する
ことを特徴とする酸化物超電導体の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2243286A JPH04124018A (ja) | 1990-09-13 | 1990-09-13 | 酸化物超電導体及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2243286A JPH04124018A (ja) | 1990-09-13 | 1990-09-13 | 酸化物超電導体及びその製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04124018A true JPH04124018A (ja) | 1992-04-24 |
Family
ID=17101592
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2243286A Pending JPH04124018A (ja) | 1990-09-13 | 1990-09-13 | 酸化物超電導体及びその製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04124018A (ja) |
-
1990
- 1990-09-13 JP JP2243286A patent/JPH04124018A/ja active Pending
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