JPH04111346A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH04111346A
JPH04111346A JP23111690A JP23111690A JPH04111346A JP H04111346 A JPH04111346 A JP H04111346A JP 23111690 A JP23111690 A JP 23111690A JP 23111690 A JP23111690 A JP 23111690A JP H04111346 A JPH04111346 A JP H04111346A
Authority
JP
Japan
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electrode
case
stopper
envelope
insulating substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP23111690A
Other languages
English (en)
Inventor
Akira Fujita
晃 藤田
Naoki Yoshimatsu
直樹 吉松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPH04111346A publication Critical patent/JPH04111346A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置に関し、特に外囲器を上下に貫通す
る外部接続用電極の取付は構造に関するものである。
〔従来の技術〕
従来、半導体装置としては、半導体素子が接合された基
板に外部接続用電極が半田付けされ、この基板上に外囲
器を固着させたものがある。そして、この種の半導体装
置は、自動機等によって自動組立てされていた。従来の
この種の半導体装置を第4図ないし第7図(a)、 (
b)によって説明する。
第4図は従来の半導体装置のケース組立て状態を示す断
面図、第5図は従来の半導体装置のケースに電極を保持
させた状態を示す断面図、第6図(a)、 (b)は電
極の一部を拡大して示す図で、同図(a)は側面図、同
図(b)は正面図である。第7図(a)、 (b)はケ
ースの電極保持部を拡大して示す図で、同図(a)は縦
断面図、同図(b)は(a)図における■−■線断面図
である。これらの図において、1は半導体素子、2はこ
の半導体素子1が搭載される絶縁基板、3は前記半導体
素子1の熱を外部ヘ放散させるための放熱板で、この放
熱板3上に前記絶縁基板2が半田付けされている。4は
この半導体装置の外囲器を構成するケースで、このケー
ス4は、前記絶縁基板2と対向する上板5と、絶縁基板
2の側方に位置づけられる側板6とを有し、合成樹脂に
よって一体成形されている。そして、このケース4は前
記放熱板3上に固着されている。
7は外部接続用電極で、この電極7は前記ケース4の上
板5を上下に貫通してこのケース4に保持されている。
また、この電極7は、上板5の下面に当接する肩部7a
がケース貫通部に形成され、下端には、前記絶縁基板3
と平行な半田付は部7bが形成されている。そして、こ
の電極7におけるケース4を貫通する部分には、上板5
の一対の保持板5a、5a間に圧入される爪片7cが形
成されている。この爪片7cは第6図(a)、 (b)
に示すように、電極7の一部を側方へ突出させて形成さ
れ、下側へ向かうにしたがって突出寸法が次第に大きく
なるように傾斜されている。また、前記保持板5aは第
7図(a)、 (b)に示すように、上板5における電
極挿通用開口部5bの開口縁に下方へ突出して設けられ
ており、両保持板5aどうしは互いに平行とされている
。すなわち、前記爪片7cを両保持板5aどうしの間に
上板5の下方から圧入することによって、この電極7が
ケース4に保持されることになる。なお、前記肩部7a
は半田付は部7bの下面と略平行に形成されており、そ
の形成位置は、この肩部7aを上板5の裏面に当接させ
て電極7をケース4に保持させ、このケース4を放熱板
3に組付けた時に半田付は部7bが丁度絶縁基板3と対
接するような位置に設定されている。すなわち、電極7
をケース4に保持させる際に、肩部7aを上板5の下面
に当接させることによって、半田付は部7bが所定位置
にしかも絶縁基板3と平行に位置決めされることになる
次に、このように構成された従来の半導体装置を組立て
る手順について説明する。組立てる当たっては、半導体
素子1が搭載された絶縁基板2を放熱板3上に予め半田
付けしておく。ケース4の組立ては、先ず、ケース4の
下方から電極7の上端を上板5の電極挿通用開口部5b
に挿通させ、電極7の爪片7cを保持板5a、5a間に
圧入させる。この際、第5図に示すように、電極7の肩
部7aを上板5の下面に当接させる。次いで、このよう
にして電極7が装着されたケース4を第4図に示すよう
に放熱板3上に固着させ、しかる後、電極7の半田付は
部7bを絶縁基板2に半田付けする。このようにして組
立てることができる。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかるに、このように構成された従来の半導体装置では
、電極7の肩部7aをケース4の上板5に当接させるこ
とによって、半田付は部7bを所定の高さ位置に、絶縁
基板2と平行になるような平面度をもって位置決めする
構造であるため、電極7.ケース4等を高精度に形成し
なければならない。すなわち、製造コストが高くなって
しまう。
また、絶縁基板2が反っていたりすると、ケース4の組
込み時に半田付は部7bが絶縁基板2に無理に押付けら
れたり、半田付は部7bと絶縁基板2との間に必要以上
に広い隙間が開いたりすることがあるため、半田付は部
7bを絶縁基板2に半田付けする時に半田付けが不完全
になることがあった。なお、第4図中人は絶縁基板2が
反っている場合に生じる隙間を示す。
〔課題を解決するための手段〕
本発明に係る半導体装置は、電極を外囲器に上下動自在
に嵌挿させると共に、この電極における外囲器の上面よ
り上側となる部位に側方へ突出する抜け止め用ストッパ
ーを設けてなり、このストッパーは、電極の位置決め部
を外囲器の下面に当接させた際に外囲器の上面に対して
上側へ離間する部位に配設され・、下側へ向かうにした
がって突出寸法が次第に大きくなるよう電極の一部を側
方へ延出させて形成されているものである。
〔作 用〕
電極は、抜け止め用ストッパー、位置決め部が外囲器に
当接するまで上下に移動自在となり、半田付は部が半導
体素子実装用基板に支承された状態で外囲器が組立てら
れる。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例を第1図ないし第3図(aL 
(b)によって詳細に説明する。
第1図は本発明に係る半導体装置のケース組立て状態を
示す断面図、第2図は本発明に係る半導体装置のケース
に電極を保持させた状態を示す断面図、第3図(a)、
 (b)は本発明に係る半導体装置に使用する電極の要
部を拡大して示す図で、同図(a)は正面図、同図(b
)は(a)図におけるm−m線断面図である。これらの
図において前記第4図ないし第7図(a)、 (b)で
説明したものと同一もしくは同等部材については、同一
符号を付し詳細な説明は省略する。これらの図において
、11は電極7がケース4から抜けるのを阻止するため
の抜け止め用ストッパーである。このストッパー11は
、第3図(a)、 (b)に示すように、下側へ向かう
にしたがって突出寸法が次第に大きくなるように電極7
の一部を側方へ突出させて形成されている。
また、このストッパー11の形成位置は、電極7の肩部
7aをケース4の上板5の下面に当接させた際に、上板
5の上面に対して上側へ所定寸法だけ離間する位置に設
定されている。上板5の上面からの寸法としては、この
ストッパー11が上板5の上面に当接している時に、電
極7の半田付は部7bが正規の半田付は位置より下側へ
位置づけられるような値に設定されている。すなわち、
このストッパー11が設けられた電極7は、ケース4に
装着された状態ではストッパー11が上板5の上面に当
接するまで下方へ、肩部7aが上板5の下面に当接する
まで上方へ移動自在となる。なお、第2図中Bはこの上
下移動自在な電極7の上下ストロークを示す。また、本
実施例では、電極7における肩部7aの形成位置は、こ
の肩部7aから半田付は部7bまでの寸法がケース4の
上板5と絶縁基板2との間の間隔より小さくなるように
設定されている。すなわち、この肩部7aがケース4の
上板5に当接した時には半田付は部7bと絶縁基板2と
の間に隙間が開くことになる。このため、上側へ反って
いる絶縁基板2に半田付は部7bを支承させた場合に肩
部7aが上板5に当接して半田付は部7bに無理な力が
加わるのを防ぐことができる。
このようにストッパー11が設けられた電極7を使用し
てケース4を組立てるには、先ず、ケース4の下方から
電極7の上端を上板5の電極挿通用開口部5bに挿通さ
せ、ストッパー11が上板5より上側に達するまで前記
開口部5bに電極7を挿入する。この際、ストッパー1
1は開口部5bの開口縁に当接して電極7内に押し戻さ
れた状態で開口部5bを通過し、上板5の上側に達した
時に自らの弾性によって電極7の側方へ突出する。
そして、電極7をストッパー11でケース4に支持させ
た状態(電極7が最も下側に移動し、半田付は部7bが
正規位置より下側に位置している状1’li)で、予め
半導体素子1.絶縁基板2等が搭載された放熱板3上に
このケース4を固着させる。
この際、電極7の半田付は部7bは絶縁基板2に支承さ
れることになる。なお、絶縁基板2が反っている場合に
は、半田付は部7bが絶縁基板2に支承された状態でず
れ量に応じて電極7自体が上側へ移動することになる。
この動作によって反りに起因する半田付は部分の位置ず
れ誤差を吸収することができ、半田付は部7bは常に絶
縁基板2に支承された状態とされる。しかる後、電極7
の半田付は部7bを絶縁基板2に半田付けすることによ
ってケース4の組立て工程が終了する。
したがって、電極7は上下移動自在にケース4に装着さ
れ、電極7の半田付は部7bが絶縁基板2に支承された
状態でケース4を組立てることができるから、電極7.
ケース4を厳格な精度をもって形成しなくとも半田付は
部7bを絶縁基板2に確実に半田付けすることができる
なお、本実施例ではストッパー11を正面視略方形に形
成したが、電極7をケース4に装着した後で電極7が抜
け落ちない構造であれば、ストッパーの形状は適宜変更
することができる。
また、本実施例では電極7に肩部7aが形成された半導
体装置を示したが、樹脂製ケースに挿入後上下可動とな
るような電極を備えた半導体装置であれば、どのような
ものにでも本発明を適用することかできる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明に係る半導体装置は、電極を
外囲器に上下動自在に嵌挿させると共に、この電極にお
ける外囲器の上面より上側となる部位に側方へ突出する
抜け止め用ストッパーを設けてなり、このストッパーは
、電極の位置決め部を外囲器の下面に当接させた際に外
囲器の上面に対して上側へ離間する部位に配設され、下
側へ向かうにしたがって突出寸法が次第に大きくなるよ
う電極の一部を何方へ延出させて形成されているため、
電極は、抜け止め用ストッパー、位置決め部が外囲器に
当接するまで上下に移動自在となり、半田付は部が半導
体素子実装用基板に支承された状態で外囲器が組立てら
れる。したがって、電極。
外囲器を厳格な精度をもって形成しなくとも、電極の半
田付は部を半導体素子実装用基板に確実に半田付けする
ことができる。このため、各部材の製造コストを低く抑
えることができる。しかも半導体素子実装用基板が反っ
ていたりしても、電極の半田付は部が半導体素子実装用
基板に支承された状態で電極自体が上側へ移動するから
、確実に半田付けされる。すなわち、本発明によれば、
信較性の高い半導体装置を安価に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る半導体装置のケース組立て状態を
示す断面図、第2図は本発明に係る半導体装置のケース
に電極を保持させた状態を示す断面図、第3図(a)、
 (b)は本発明に係る半導体装置に使用する電極の要
部を拡大して示す図で、同図(a)は正面図、同図(b
)は(a)図におけるm−m線断面図である。第4図は
従来の半導体装置のケース組立て状態を示す断面図、第
5図は従来の半導体装置のケースに電極を保持させた状
態を示す断面図、第6図(a)、 (b)は電極の一部
を拡大して示す図で、同図(a)は正面図、同図(b)
は側面図である。第7図(a)、 (b)はケースの電
極保持部を拡大して示す図で、同図(a)は縦断面図、
同図(b)は(a)図における■−■線断面図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体素子実装用基板の上側に固着される外囲器に、こ
    の外囲器の下面に当接する位置決め部が設けられかつ前
    記半導体素子実装用基板に半田付けされる電極がこの外
    囲器を上下に貫通して保持された半導体装置において、
    前記電極を外囲器に上下動自在に嵌挿させると共に、こ
    の電極における外囲器の上面より上側となる部位に側方
    へ突出する抜け止め用ストッパーを設けてなり、このス
    トッパーは、電極の位置決め部を外囲器の下面に当接さ
    せた際に外囲器の上面に対して上側へ離間する部位に配
    設され、下側へ向かうにしたがって突出寸法が次第に大
    きくなるよう電極の一部を側方へ延出させて形成されて
    いることを特徴とする半導体装置。
JP23111690A 1990-08-30 1990-08-30 半導体装置 Pending JPH04111346A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998052221A1 (de) * 1997-05-09 1998-11-19 Eupec Europäische Gesellschaft Für Leistungshalbleiter Mbh + Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit keramiksubstrat
EP2037500A1 (de) * 2007-09-11 2009-03-18 Siemens Aktiengesellschaft Leistungshalbleitermodul
JP2012104688A (ja) * 2010-11-11 2012-05-31 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
CN103733333A (zh) * 2011-09-28 2014-04-16 富士电机株式会社 半导体装置以及半导体装置的制造方法

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