JPH0410219B2 - - Google Patents
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- JPH0410219B2 JPH0410219B2 JP18218082A JP18218082A JPH0410219B2 JP H0410219 B2 JPH0410219 B2 JP H0410219B2 JP 18218082 A JP18218082 A JP 18218082A JP 18218082 A JP18218082 A JP 18218082A JP H0410219 B2 JPH0410219 B2 JP H0410219B2
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 16
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 9
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 claims description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 3
- 229910052990 silicon hydride Inorganic materials 0.000 claims 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 5
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H tungsten hexafluoride Chemical compound F[W](F)(F)(F)(F)F NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
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Description
【発明の詳細な説明】
[発明の属する技術分野]
本発明は、半導体装置製造プロセスに於る金属
及び金属シリサイドの選択的形成に関する。
及び金属シリサイドの選択的形成に関する。
[従来技術とその問題点]
半導体装置、例えば集積回路装置は近年ますま
す高集積化、高速化が図られているが、これを阻
害する要因としてマスク合わせによる変換差、及
び配線抵抗による信号の遅延がある。この二つに
極めて有効な手段として金属の選択的形成技術が
ある。しかし、選択成長法による金属膜は膜厚の
薄いものしか得られず、スパツタ蒸着法などによ
る金属膜に比べ、抵抗値は数倍高いものになつて
しまい、実用化への障害となつている。また、膜
厚が薄い為にコンタクトホールを埋め込む事は全
く不可能となつている。
す高集積化、高速化が図られているが、これを阻
害する要因としてマスク合わせによる変換差、及
び配線抵抗による信号の遅延がある。この二つに
極めて有効な手段として金属の選択的形成技術が
ある。しかし、選択成長法による金属膜は膜厚の
薄いものしか得られず、スパツタ蒸着法などによ
る金属膜に比べ、抵抗値は数倍高いものになつて
しまい、実用化への障害となつている。また、膜
厚が薄い為にコンタクトホールを埋め込む事は全
く不可能となつている。
[発明の目的]
本発明は上述した従来の金属の選択成長法の問
題点及び欠点を除去したもので、必要なだけの厚
さの金属膜或は金属シリサイド膜を得ることので
きる方法を提供する事を目的とする。
題点及び欠点を除去したもので、必要なだけの厚
さの金属膜或は金属シリサイド膜を得ることので
きる方法を提供する事を目的とする。
[発明の概要]
例えばタングステンを二酸化シリコン膜パター
ンを有するシリコン基板上に選択的に厚くつける
場合に、ソースガスとして例えば六弗化タングス
テンとモノシランを用いる。まずCVD装置を用
いて450℃で六弗化タングステンにより通常のタ
ングステン層の選択成長を行なう。次にモノシラ
ンを用いモノシランの熱分解以下の温度、この場
合同じ450℃でモノシランを流して選択成長した
タングステンの表面層をシリサイド化する。次に
再び450℃で六弗化タングステンによりタングス
テンの選択成長を行い、タングステンがシリサイ
ド化した表面に選択成長する。この選択成長の過
程でタングステンシリサイドの薄い層は再びタン
グステンの層となり、選択成長した層は全て金属
タングステンとなる。
ンを有するシリコン基板上に選択的に厚くつける
場合に、ソースガスとして例えば六弗化タングス
テンとモノシランを用いる。まずCVD装置を用
いて450℃で六弗化タングステンにより通常のタ
ングステン層の選択成長を行なう。次にモノシラ
ンを用いモノシランの熱分解以下の温度、この場
合同じ450℃でモノシランを流して選択成長した
タングステンの表面層をシリサイド化する。次に
再び450℃で六弗化タングステンによりタングス
テンの選択成長を行い、タングステンがシリサイ
ド化した表面に選択成長する。この選択成長の過
程でタングステンシリサイドの薄い層は再びタン
グステンの層となり、選択成長した層は全て金属
タングステンとなる。
更に上記2つの工程を繰り返す事により所定の
膜厚のタングステンを選択成長させる事ができ
る。
膜厚のタングステンを選択成長させる事ができ
る。
[発明の効果]
本発明による選択成長法により、ゲートやソー
ス・ドレインへのメタルのはりつけ技術も金属膜
が薄い為に低抵抗化の効果が薄かつたが、十分な
改善が成された。また、コンタクトホール等の埋
め込みは従来は膜厚が薄い為に不可能であつたが
本発明による方法により完全な選択的埋め込みが
可能となつた。
ス・ドレインへのメタルのはりつけ技術も金属膜
が薄い為に低抵抗化の効果が薄かつたが、十分な
改善が成された。また、コンタクトホール等の埋
め込みは従来は膜厚が薄い為に不可能であつたが
本発明による方法により完全な選択的埋め込みが
可能となつた。
[発明の実施例]
例えばコンタクトホールの埋め込みは下記の方
法で達成された。まず通常のプロセスによりシリ
コン基板2のソース・ドレイン領域に二酸化シリ
コン膜1のコンタクトホールを形成する(第1
図)。次にホツトウオールタイプの減圧CVD装置
を用いて、基板温度450℃、全圧0.2Torr、六弗
化タングステン流量毎分1c.c.、アルゴンガス流量
毎分1の条件で15分成長させると、タングステ
ン層3はソース、ドレイン上に選択的に約1000Å
成長する(第2図)。次に同装置を用いて基板温
度450℃、全圧0.2Torr、モノシラン流量毎分30
c.c.の条件で15分タングステン表面層4のみをシリ
サイド化する(第3図)。次に第2図の工程を行
なうと表面のタングステンシリサイドの上にタン
グステンが選択的に成長する。更に上記2工程を
12回繰り返す事により8000Åのコンタクトホール
を完全にタングステン層3′で埋め込む事ができ
た(第4図)。この上に通常のプロセスによりア
ルミニウム5の配線を行ない、パツシベーシヨン
膜としてPSG膜6を被せる(第5図)。
法で達成された。まず通常のプロセスによりシリ
コン基板2のソース・ドレイン領域に二酸化シリ
コン膜1のコンタクトホールを形成する(第1
図)。次にホツトウオールタイプの減圧CVD装置
を用いて、基板温度450℃、全圧0.2Torr、六弗
化タングステン流量毎分1c.c.、アルゴンガス流量
毎分1の条件で15分成長させると、タングステ
ン層3はソース、ドレイン上に選択的に約1000Å
成長する(第2図)。次に同装置を用いて基板温
度450℃、全圧0.2Torr、モノシラン流量毎分30
c.c.の条件で15分タングステン表面層4のみをシリ
サイド化する(第3図)。次に第2図の工程を行
なうと表面のタングステンシリサイドの上にタン
グステンが選択的に成長する。更に上記2工程を
12回繰り返す事により8000Åのコンタクトホール
を完全にタングステン層3′で埋め込む事ができ
た(第4図)。この上に通常のプロセスによりア
ルミニウム5の配線を行ない、パツシベーシヨン
膜としてPSG膜6を被せる(第5図)。
ソースガスは上記の例の他タングステン、モリ
ブデン、チタン、タンタル、ニオブの弗化物及び
塩化物、またシランの他にジクロルシラン、トリ
クロルシラン、シリコンクロライドを用いる事も
できる。ソースガスの組み合わせは、金属ハロゲ
ン化物とシリコンとの反応温度の下限がシラン、
ジクロルシラン、トリクロルシラン、シリコンク
ロライドの熱分解温度の下限より低くなる様な組
み合わせを選び、基板温度はこの二つの温度の間
で自由に選ぶことができる。即ち、金属ハロゲン
化物とシリコンとが十分に反応し、かつシランや
ジクロルシラン等のシリコンの水素化物や塩化物
が分解しないようにするとよい。好ましい温度範
囲は、例えば200℃乃至500℃である。また、シリ
コンの水素化物や塩化物がタングステン等の金属
膜の表面で反応を起こすことにより該表面でシリ
サイド化が進行するが、この際に、上記金属膜と
下地のシリコン基板との間においても反応が起こ
り、金属膜のシリサイド化がさらに進行する。こ
の場合、基板温度が高いほど形成されるシリサイ
ド中のシリコンの含有量が増加するので、上記温
度範囲内で基板温度を制御することにより、金属
から金属シリサイドの間の組成の物質を選択的に
成長させることができる。第2図の工程の金属の
選択成長に於るキヤリアガスはヘリウムや窒素を
用いてもよい。またCVD装置はコールドウオー
ルタイプでもよく、それぞれ常圧、減圧が可能で
ある。またプラズマCVD装置でもよい。また金
属の選択的成長工程と金属表面のシリサイド化工
程におけるCVDの条件は一般に異なつていても
よい。
ブデン、チタン、タンタル、ニオブの弗化物及び
塩化物、またシランの他にジクロルシラン、トリ
クロルシラン、シリコンクロライドを用いる事も
できる。ソースガスの組み合わせは、金属ハロゲ
ン化物とシリコンとの反応温度の下限がシラン、
ジクロルシラン、トリクロルシラン、シリコンク
ロライドの熱分解温度の下限より低くなる様な組
み合わせを選び、基板温度はこの二つの温度の間
で自由に選ぶことができる。即ち、金属ハロゲン
化物とシリコンとが十分に反応し、かつシランや
ジクロルシラン等のシリコンの水素化物や塩化物
が分解しないようにするとよい。好ましい温度範
囲は、例えば200℃乃至500℃である。また、シリ
コンの水素化物や塩化物がタングステン等の金属
膜の表面で反応を起こすことにより該表面でシリ
サイド化が進行するが、この際に、上記金属膜と
下地のシリコン基板との間においても反応が起こ
り、金属膜のシリサイド化がさらに進行する。こ
の場合、基板温度が高いほど形成されるシリサイ
ド中のシリコンの含有量が増加するので、上記温
度範囲内で基板温度を制御することにより、金属
から金属シリサイドの間の組成の物質を選択的に
成長させることができる。第2図の工程の金属の
選択成長に於るキヤリアガスはヘリウムや窒素を
用いてもよい。またCVD装置はコールドウオー
ルタイプでもよく、それぞれ常圧、減圧が可能で
ある。またプラズマCVD装置でもよい。また金
属の選択的成長工程と金属表面のシリサイド化工
程におけるCVDの条件は一般に異なつていても
よい。
第1図乃至第5図は本発明の一実施例を示す工
程断面図である。 1……二酸化シリコン膜、2……シリコン基
板、3……タングステン、4……タングステンシ
リサイド、5……アルミニウム、6……PSG膜。
程断面図である。 1……二酸化シリコン膜、2……シリコン基
板、3……タングステン、4……タングステンシ
リサイド、5……アルミニウム、6……PSG膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 絶縁膜領域からシリコンを含む領域が露出し
てなる基板に対して、金属ハロゲン化物を用いて
前記シリコンを含む領域上に選択的に金属膜を形
成する金属膜形成工程と、シリコンの水素化物ま
たは塩化物を用いて前記金属膜をシリサイド化す
るシリサイド化工程とを備え、前記金属膜形成工
程とシリサイド化工程とを繰り返すことを特徴と
する半導体装置の製造方法。 2 前記金属ハロゲン化物は、タングステン、モ
リブデン、チタン、タンタル、ニオブの弗化物ま
たは塩化物であり、前記シリコンの水素化物また
は塩化物は、シラン、ジクロルシラン、トリクロ
ルシラン、シリコンクロライドであることを特徴
とする前記特許請求の範囲第1項記載の半導体装
置の製造方法。 3 前記金属膜形成工程とシリサイド化工程にお
ける基板温度は、200℃乃至500℃の間に設定する
ことを特徴とする前記特許請求の範囲第1項記載
の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18218082A JPS5972131A (ja) | 1982-10-19 | 1982-10-19 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18218082A JPS5972131A (ja) | 1982-10-19 | 1982-10-19 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5972131A JPS5972131A (ja) | 1984-04-24 |
JPH0410219B2 true JPH0410219B2 (ja) | 1992-02-24 |
Family
ID=16113735
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18218082A Granted JPS5972131A (ja) | 1982-10-19 | 1982-10-19 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5972131A (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60119750A (ja) * | 1983-12-02 | 1985-06-27 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPS60245149A (ja) * | 1984-05-18 | 1985-12-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPS61128521A (ja) * | 1984-11-27 | 1986-06-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置の製造方法 |
JPS61203671A (ja) * | 1985-03-06 | 1986-09-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置の製造方法 |
JPS6214424A (ja) * | 1985-07-11 | 1987-01-23 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2553346B2 (ja) * | 1987-04-08 | 1996-11-13 | 日本真空技術株式会社 | 金属薄膜形成方法 |
US4985371A (en) * | 1988-12-09 | 1991-01-15 | At&T Bell Laboratories | Process for making integrated-circuit device metallization |
-
1982
- 1982-10-19 JP JP18218082A patent/JPS5972131A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5972131A (ja) | 1984-04-24 |
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