JPH0397140A - 光磁気記録再生方法 - Google Patents
光磁気記録再生方法Info
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- JPH0397140A JPH0397140A JP1233601A JP23360189A JPH0397140A JP H0397140 A JPH0397140 A JP H0397140A JP 1233601 A JP1233601 A JP 1233601A JP 23360189 A JP23360189 A JP 23360189A JP H0397140 A JPH0397140 A JP H0397140A
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
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- G11B11/10502—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing characterised by the transducing operation to be executed
- G11B11/10515—Reproducing
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光磁気記録相互作用すなわちカー効果によっ
て記録情報（磁区〉の読出しを行う光磁気記録再生方法
に係わる。
て記録情報（磁区〉の読出しを行う光磁気記録再生方法
に係わる。
本発明は、光磁気記録再生方法に係わり、再生磁性層と
記録磁性層と透明誘電体層と反射層とを有し、再生磁性
層が磁化反転する温度Ｔｔｈ以下では再生出力Ｒ×θｋ
（Ｒは反射率、θ１はカー回転角〉が充分に小とされる
構戊とされた光磁気記録媒体が用いられ、再生時に再生
磁性層のみを磁化反転させることにより再生出力を得る
ものであって、このようにすることによって超高密度記
録、すなわち線方向密度（記録トラック上での記録密度
）と共にトラック幅方向密度の向上と、再生Ｓ／Ｎの向
上をはかる。
記録磁性層と透明誘電体層と反射層とを有し、再生磁性
層が磁化反転する温度Ｔｔｈ以下では再生出力Ｒ×θｋ
（Ｒは反射率、θ１はカー回転角〉が充分に小とされる
構戊とされた光磁気記録媒体が用いられ、再生時に再生
磁性層のみを磁化反転させることにより再生出力を得る
ものであって、このようにすることによって超高密度記
録、すなわち線方向密度（記録トラック上での記録密度
）と共にトラック幅方向密度の向上と、再生Ｓ／Ｎの向
上をはかる。
光磁気記録媒体の磁性層に記録情報に応じた情報ビット
すなわち磁区を形或し、これに再生光例えば半導体レー
ザ光を照射して光磁気相互作用すなわちカー効果によっ
てその情報の読み出しを行う光磁気再生方法をとる場合
、その光磁気記録の記録密度を上げるには、そのビット
長の短縮化すなわち情報磁区の微小化をはかることにな
るが、この場合通常一般の光磁気記録方式ではその再生
時のＳ ／ Ｎを確保する上で再生光のレーザ波長、レ
ンズの開口数によって制約を受けている。
すなわち磁区を形或し、これに再生光例えば半導体レー
ザ光を照射して光磁気相互作用すなわちカー効果によっ
てその情報の読み出しを行う光磁気再生方法をとる場合
、その光磁気記録の記録密度を上げるには、そのビット
長の短縮化すなわち情報磁区の微小化をはかることにな
るが、この場合通常一般の光磁気記録方式ではその再生
時のＳ ／ Ｎを確保する上で再生光のレーザ波長、レ
ンズの開口数によって制約を受けている。
このような再生時の条件から規定される記録密度の問題
点を解決するものとして、先に特開平１−１４３０４１
号公開公報において開示された記録媒体の信号再生方法
がある。この再生方法においては、光磁気記録媒体上の
記録磁区を再生時のレーザ光照射による温度上昇を利用
して拡大させることによって上述した記録密度の制約以
上の高密度の信号の再生を可能にするものである。
点を解決するものとして、先に特開平１−１４３０４１
号公開公報において開示された記録媒体の信号再生方法
がある。この再生方法においては、光磁気記録媒体上の
記録磁区を再生時のレーザ光照射による温度上昇を利用
して拡大させることによって上述した記録密度の制約以
上の高密度の信号の再生を可能にするものである。
ところが、このような再生方法による場合、線方向密度
に関しての向上ははかられるものの、トラック幅方向す
なわちトラック密度の向上をはかることに問題がある。
に関しての向上ははかられるものの、トラック幅方向す
なわちトラック密度の向上をはかることに問題がある。
すなわち特にコードデータによっては情報ビット、記録
情報磁区間隔すなわちビット間隔が長い場合、再生時の
磁区の拡大が大となってこのトラックに隣接する他のト
ラック上の記録磁区とのクロストークが問題となってく
る。
情報磁区間隔すなわちビット間隔が長い場合、再生時の
磁区の拡大が大となってこのトラックに隣接する他のト
ラック上の記録磁区とのクロストークが問題となってく
る。
本発明は、上述したクロストークの問題の解決をはかり
、線方向密度及びトラック幅方向密度の向上をはかり、
かつ再生Ｓ／Ｎの向上をはかることをその主たる目的と
する。
、線方向密度及びトラック幅方向密度の向上をはかり、
かつ再生Ｓ／Ｎの向上をはかることをその主たる目的と
する。
本発明は、第１図にその略線的拡大断面図を示すように
、再生磁性層（１）と記録磁性層（２）と透明誘電体層
（３１〉及び（３２〉と反射層（４）とを有し、再生磁
性層（１）が磁化反転する温度Ｔ’ｔｈ以下では再生出
力Ｒ×θ．（Ｒは反射率、θ、はカ一回転角〉が充分に
小とされる構戊とした光磁気記録媒体（５）を構或し、
これを用いて再生時に再生磁性層（１）のみを磁化反転
させることにより、読み出し光を照射してそのカー回転
角による再生出力を得るようにする。
、再生磁性層（１）と記録磁性層（２）と透明誘電体層
（３１〉及び（３２〉と反射層（４）とを有し、再生磁
性層（１）が磁化反転する温度Ｔ’ｔｈ以下では再生出
力Ｒ×θ．（Ｒは反射率、θ、はカ一回転角〉が充分に
小とされる構戊とした光磁気記録媒体（５）を構或し、
これを用いて再生時に再生磁性層（１）のみを磁化反転
させることにより、読み出し光を照射してそのカー回転
角による再生出力を得るようにする。
上述したように本発明方法においては、その再生時に再
生磁性層（１）のみを磁化反転させることによって、そ
の読み出しを行うものものであり、この場合に目的とす
る再生位置でのみ温度Ｔｔ，以上として再生磁性層の磁
化反転を行わしめるものの、これ以外のその温度がＴ’
ｔｈ以下となる部分では再生出力（ＲＸθエ〉 が充分
小とされていることによって、隣接するトラックでの再
生出力を充分小さくできクロストークの改善がなされる
。
生磁性層（１）のみを磁化反転させることによって、そ
の読み出しを行うものものであり、この場合に目的とす
る再生位置でのみ温度Ｔｔ，以上として再生磁性層の磁
化反転を行わしめるものの、これ以外のその温度がＴ’
ｔｈ以下となる部分では再生出力（ＲＸθエ〉 が充分
小とされていることによって、隣接するトラックでの再
生出力を充分小さくできクロストークの改善がなされる
。
本発明方法に用いられる磁気記録媒体の一例の略線的拡
大断面図を第１図に示す。この場合、光透過性基体（６
）上に第ｌの透明誘電体層（３，〉と再生磁性層（１）
と中間層（７）と記録磁性層（２）と第２の透明誘電体
層（３，〉と反射層（４）とさらに図示しないが紫外線
硬化樹脂による保護膜が被着形威されてなる。
大断面図を第１図に示す。この場合、光透過性基体（６
）上に第ｌの透明誘電体層（３，〉と再生磁性層（１）
と中間層（７）と記録磁性層（２）と第２の透明誘電体
層（３，〉と反射層（４）とさらに図示しないが紫外線
硬化樹脂による保護膜が被着形威されてなる。
（５）は光磁気記録媒体を全体として示す。
光透過性基体（６）は、この光磁気記録媒体（５）に対
する記録及び再生に用いられる光例えば半導体レーザ光
に対して高い透過率を示すガラスあるいはポリカーボネ
イト等の樹脂板等によって形或し得る。
する記録及び再生に用いられる光例えば半導体レーザ光
に対して高い透過率を示すガラスあるいはポリカーボネ
イト等の樹脂板等によって形或し得る。
第１及び第２の透明誘電体層（３１）及び（３２）は例
えばＳｉ，Ｎ．， Ｓｉｎ， Ｓｉｎ２， Ｚｎ
Ｓ， ＪＦ２， ＳｉＭＯＮ， ＭＮ等によって
構威し得る。
えばＳｉ，Ｎ．， Ｓｉｎ， Ｓｉｎ２， Ｚｎ
Ｓ， ＪＦ２， ＳｉＭＯＮ， ＭＮ等によって
構威し得る。
また、再生磁性層（１）は単層膜状態の保磁力Ｈｃが小
さく、キュリー点ＴＣＩが大例えばＴ。Ｉ ＞２００℃
で、力一効果θ，の大きい磁性材料によって構戊し、記
録磁性層（２）は微小磁区が記録され、再生時に記録磁
区が変化されることがないような垂直磁気異方性が大で
そのキュリー点ＴＣ２が例えばＴＣ２ ＞２００℃の磁
性材料よりなる。
さく、キュリー点ＴＣＩが大例えばＴ。Ｉ ＞２００℃
で、力一効果θ，の大きい磁性材料によって構戊し、記
録磁性層（２）は微小磁区が記録され、再生時に記録磁
区が変化されることがないような垂直磁気異方性が大で
そのキュリー点ＴＣ２が例えばＴＣ２ ＞２００℃の磁
性材料よりなる。
また、中間層（７）は再生磁性層（１）と記録磁性層（
２）との交換結合を再生時の再生部位に与えられる所定
温度で、切断する機能を奏するすなわちそのキュリー点
ＴＣ３が例えば８０℃〜２００℃程度の磁性材料によっ
て形威される。
２）との交換結合を再生時の再生部位に与えられる所定
温度で、切断する機能を奏するすなわちそのキュリー点
ＴＣ３が例えば８０℃〜２００℃程度の磁性材料によっ
て形威される。
また、反射層（４）は例えばＭ， Ｃｕ， Ａｇ， Ａ
ｕ， Ｐｔ等によって形戊される。
ｕ， Ｐｔ等によって形戊される。
尚、これら各層（３１），（１）． （７）． （
２）．（３２）．（４）はそれぞれ蒸着、スパッタ等に
よって形或し得る。
２）．（３２）．（４）はそれぞれ蒸着、スパッタ等に
よって形或し得る。
第２図は上述の磁気記録媒体（５）の再生磁性層（１）
、中間層（７）、記録磁性層（２）がフエロ磁性である
場合の磁化状態を矢印をもって模式的に示したもので、
この光磁気記録媒体（５）の初期化状態においては、第
２図Ａに示すように各再生磁性層（１）、中間層（７）
、記録磁性層（２）において、同一の一様の向き、図に
おいては上向きに磁化された状態にあり、この光磁気記
録媒体（５）への記録すなわち磁性磁区の形戊は、通常
の記録方法、例えば光変調方式、磁界変調方式等によっ
て記録できる。すなわち、例えば初期化状態における記
録磁性層〔２）の磁化方向と逆向きのバイアス磁界を印
加した状態で記録光例えば半導体レーザ光をフォーカス
させて記録信号によって変調照射し、この光照射によっ
て記録磁性層（２）が局部的にキュリー点ＴＣ２以上に
加熱された部分に、レーザ光走査が去った後の冷却時に
外部磁場及び浮遊磁場による方向によって第２図Ｂに示
すように記録磁性層（２）に初期化状態とは逆向きの磁
化による例えば“１”の記録をなす。この場合記録磁性
層（２）と中間層（７）との結合、中間層（７）と再生
磁性層（１）との結合によって三者が共に記録磁性層（
２〕の反転された磁化と同方向に揃えられた状態になる
。つまりこの情報磁区の有無によって“１″．“０″の
２値の情報の記録が行われる。
、中間層（７）、記録磁性層（２）がフエロ磁性である
場合の磁化状態を矢印をもって模式的に示したもので、
この光磁気記録媒体（５）の初期化状態においては、第
２図Ａに示すように各再生磁性層（１）、中間層（７）
、記録磁性層（２）において、同一の一様の向き、図に
おいては上向きに磁化された状態にあり、この光磁気記
録媒体（５）への記録すなわち磁性磁区の形戊は、通常
の記録方法、例えば光変調方式、磁界変調方式等によっ
て記録できる。すなわち、例えば初期化状態における記
録磁性層〔２）の磁化方向と逆向きのバイアス磁界を印
加した状態で記録光例えば半導体レーザ光をフォーカス
させて記録信号によって変調照射し、この光照射によっ
て記録磁性層（２）が局部的にキュリー点ＴＣ２以上に
加熱された部分に、レーザ光走査が去った後の冷却時に
外部磁場及び浮遊磁場による方向によって第２図Ｂに示
すように記録磁性層（２）に初期化状態とは逆向きの磁
化による例えば“１”の記録をなす。この場合記録磁性
層（２）と中間層（７）との結合、中間層（７）と再生
磁性層（１）との結合によって三者が共に記録磁性層（
２〕の反転された磁化と同方向に揃えられた状態になる
。つまりこの情報磁区の有無によって“１″．“０″の
２値の情報の記録が行われる。
そして、その再生すなわち記録情報の読み出しに当たっ
ては例えばレーザ光照射によってその光磁気相互作用に
よるカー回転角θ５の検出によってその読み出しを行う
ものであるが、特にこの場合その読み出し部の温度を所
要の温度ＴＬｈより高いすなわち中間層（７）のキュリ
ー点Ｔ。３を超える温度として記録磁性層（２）と再生
磁性層（１）の交換結合を切断して再生磁性層（１）を
記録磁性層（２）による磁気的制約から解放することに
よってこの再生磁性層（１冫に与えられる反磁場と、さ
らにこのとき必要に応じて与えられる外部印加磁場の和
による所要の磁場によって第２図Ｃに示すように再生層
（１）においてのみ記録情報部においてすなわち上述し
た例えば“１”の記録部で磁化反転を生せしめる。
ては例えばレーザ光照射によってその光磁気相互作用に
よるカー回転角θ５の検出によってその読み出しを行う
ものであるが、特にこの場合その読み出し部の温度を所
要の温度ＴＬｈより高いすなわち中間層（７）のキュリ
ー点Ｔ。３を超える温度として記録磁性層（２）と再生
磁性層（１）の交換結合を切断して再生磁性層（１）を
記録磁性層（２）による磁気的制約から解放することに
よってこの再生磁性層（１冫に与えられる反磁場と、さ
らにこのとき必要に応じて与えられる外部印加磁場の和
による所要の磁場によって第２図Ｃに示すように再生層
（１）においてのみ記録情報部においてすなわち上述し
た例えば“１”の記録部で磁化反転を生せしめる。
そして、特に本発明においては、上述の光磁気記録媒体
（５）が、その第■及び第２の誘電体膜（３．）及び（
３２）の厚さｔ，及びｉ２ 、その各屈折率ｎ及びｎ２
、各磁性層（１）， （２）及び（７）の各厚さｈ，
，ｔｌ２，ｈｌ２を選定することによって第２図Ｃで示
したように再生磁性層（１）のみが磁化反転した場合の
カー回転角の変化分θ．が、第２図已に示すように再生
磁性層（１）、中間層（７）及び記録磁性層（２）が全
て磁化反転した場合のカー回転角の変化分θｋ２に比し
て充分大となるようなカー効果エンノｈンスメントが行
われるようにする。
（５）が、その第■及び第２の誘電体膜（３．）及び（
３２）の厚さｔ，及びｉ２ 、その各屈折率ｎ及びｎ２
、各磁性層（１）， （２）及び（７）の各厚さｈ，
，ｔｌ２，ｈｌ２を選定することによって第２図Ｃで示
したように再生磁性層（１）のみが磁化反転した場合の
カー回転角の変化分θ．が、第２図已に示すように再生
磁性層（１）、中間層（７）及び記録磁性層（２）が全
て磁化反転した場合のカー回転角の変化分θｋ２に比し
て充分大となるようなカー効果エンノｈンスメントが行
われるようにする。
尚、再生磁性層（１）、中間層（７）、記録磁性層（２
）はそれぞれ上述した条件下で材料選定がなされるが、
再生磁性層（１）としては、例えばＧｄＦｅＣｏ， Ｎ
ｄＦｅＣｏ，ＧｄＮｄＦｅＣｏ， ＰｔＣｏによって構
威し得るものであり、中間層（７）は例えばＴｂＰｅ，
Ｄ！ＩＦｅＣｏ， ＴｂＦｅＣｏによって構成し得る
ものであり、記録磁性層（２）は例えばＴｌｌＦｅＣａ
によって構或し得る。そして、実際にはこれら磁性層が
希土類一遷移金属のフエリ磁性層である場合は、これが
遷移金属副格子優勢膜であるか、希土類副格子優勢膜で
あるかによって再生時等に与える外部バイアス磁場の向
きが選定される。
）はそれぞれ上述した条件下で材料選定がなされるが、
再生磁性層（１）としては、例えばＧｄＦｅＣｏ， Ｎ
ｄＦｅＣｏ，ＧｄＮｄＦｅＣｏ， ＰｔＣｏによって構
威し得るものであり、中間層（７）は例えばＴｂＰｅ，
Ｄ！ＩＦｅＣｏ， ＴｂＦｅＣｏによって構成し得る
ものであり、記録磁性層（２）は例えばＴｌｌＦｅＣａ
によって構或し得る。そして、実際にはこれら磁性層が
希土類一遷移金属のフエリ磁性層である場合は、これが
遷移金属副格子優勢膜であるか、希土類副格子優勢膜で
あるかによって再生時等に与える外部バイアス磁場の向
きが選定される。
実施例１
？リカーボネイトよりなる光透過性基体（６）上に、屈
折率２．０のＳｉＮ よりなる第１の透明誘電体層（３
１）を厚さｔ ． ＝ｌＯ００ Ａに被着し、これの上
にＧｄＦｅＣＯよりなる再生磁性層（１）を厚さｈ Ｉ
＝２２０人に、またＴｂＦｅよりなる中間層（７）を
ｈ１ｚ＝５０人に、ＴｂＦｅＣＯよりなる記録磁性層（
２）をｈ ２ ＝２２０人に順次被着形威し、これの上
に屈折率２．０のＳｉＮ よりなる第２の透明誘電体層
（３２）と厚さ７００人のＭよりなる反射率（４）とを
被着して得た光磁気記録媒体（５）について、その第２
の透明誘電体層（３２）の膜厚ｔ２ を変化させた場合
の、キャリアレベルとの関係についてみる。ここにキャ
リアレベルＣは、ｃ■（反射Ｒ×力一回転角θｋ）であ
るが、第３図にこのキャリアレベルを、再生磁性層（１
）が充分厚く光学的に記録磁性層（２）が見えない場合
を基準としたときのそのキャリアレベルの差をΔＣとし
て第２の透明誘電体層（３■）の膜厚ｔ２ との関係を
第３図に示す。この場合、波長７８０ｎｍの半導体レー
ザ光を用いた場合で実線曲線は再生磁性層（１）のみが
反射した第２図Ｃに示す状態、破線曲線は第２図已に示
すように再生磁性層（１）と中間層（７）を含めて第２
の記録磁性層（２）が共に同一の磁化反転している状態
におけるものである。
折率２．０のＳｉＮ よりなる第１の透明誘電体層（３
１）を厚さｔ ． ＝ｌＯ００ Ａに被着し、これの上
にＧｄＦｅＣＯよりなる再生磁性層（１）を厚さｈ Ｉ
＝２２０人に、またＴｂＦｅよりなる中間層（７）を
ｈ１ｚ＝５０人に、ＴｂＦｅＣＯよりなる記録磁性層（
２）をｈ ２ ＝２２０人に順次被着形威し、これの上
に屈折率２．０のＳｉＮ よりなる第２の透明誘電体層
（３２）と厚さ７００人のＭよりなる反射率（４）とを
被着して得た光磁気記録媒体（５）について、その第２
の透明誘電体層（３２）の膜厚ｔ２ を変化させた場合
の、キャリアレベルとの関係についてみる。ここにキャ
リアレベルＣは、ｃ■（反射Ｒ×力一回転角θｋ）であ
るが、第３図にこのキャリアレベルを、再生磁性層（１
）が充分厚く光学的に記録磁性層（２）が見えない場合
を基準としたときのそのキャリアレベルの差をΔＣとし
て第２の透明誘電体層（３■）の膜厚ｔ２ との関係を
第３図に示す。この場合、波長７８０ｎｍの半導体レー
ザ光を用いた場合で実線曲線は再生磁性層（１）のみが
反射した第２図Ｃに示す状態、破線曲線は第２図已に示
すように再生磁性層（１）と中間層（７）を含めて第２
の記録磁性層（２）が共に同一の磁化反転している状態
におけるものである。
実施例２
実施例１と同様の構戊をとるも、第１及び第２の透明誘
電体層（３Ｉ）及び（３２〉が屈折率２．２のＳｉＮに
よって構戊した場合で、この場合の同様の第２の透明誘
電体層（３２〉の膜厚ｔ２ とΔＣとの関係を第４図に
示す。この場合においても実線曲線は第２図Ｃの状態、
破線曲線は第２図Ｂの状態を示す。
電体層（３Ｉ）及び（３２〉が屈折率２．２のＳｉＮに
よって構戊した場合で、この場合の同様の第２の透明誘
電体層（３２〉の膜厚ｔ２ とΔＣとの関係を第４図に
示す。この場合においても実線曲線は第２図Ｃの状態、
破線曲線は第２図Ｂの状態を示す。
これより明らかなように例えば透明誘電体層（２２〉の
厚さｔ２ を第３図及び第４図における厚さｔ．ないし
はその近傍に選定することによって同第３図及び第４図
の破線曲線に示すようにΔＣの小さい部分が生じること
によって実線曲線及び破線曲線の差が大きい部分が生ず
るので、このようなカーエンハンスメント効果が生ずる
ような光磁気記録媒体（５）を構戊すれば、第２図Ｂと
第２図Ｃとのキャリアレベルの差を大とすることができ
る。
厚さｔ２ を第３図及び第４図における厚さｔ．ないし
はその近傍に選定することによって同第３図及び第４図
の破線曲線に示すようにΔＣの小さい部分が生じること
によって実線曲線及び破線曲線の差が大きい部分が生ず
るので、このようなカーエンハンスメント効果が生ずる
ような光磁気記録媒体（５）を構戊すれば、第２図Ｂと
第２図Ｃとのキャリアレベルの差を大とすることができ
る。
したがってその再生時に媒体温度が隣接するトラック部
では中間層（７）のキュリー点以上にならないように再
生光、例えば半導体レーザ光の照射により媒体上での温
度分布の選定をなせば目的とするトラックにおいては、
第２図Ｂの状態にし、これに隣接するトラックにおいて
は第２図Ｃの状態を生ぜしめることができ、これによっ
て目的とするトラックとこれに隣接するトラックとの間
のキャリアレベル差を大とすることができる。つまり、
クロストークに寄与する信号戊分が小さいカ一回転角変
化θｋ２にのみ依存することになり、クロストークの減
少化がなされる。
では中間層（７）のキュリー点以上にならないように再
生光、例えば半導体レーザ光の照射により媒体上での温
度分布の選定をなせば目的とするトラックにおいては、
第２図Ｂの状態にし、これに隣接するトラックにおいて
は第２図Ｃの状態を生ぜしめることができ、これによっ
て目的とするトラックとこれに隣接するトラックとの間
のキャリアレベル差を大とすることができる。つまり、
クロストークに寄与する信号戊分が小さいカ一回転角変
化θｋ２にのみ依存することになり、クロストークの減
少化がなされる。
実施例３
ポリカーネート基体（６）上に、屈折率２．０のＳｉＮ
よりなる第１の透明誘電体層（３ｌ〉を厚さ１． ＝
■０００人に、ＧｄＦｅＣｏよりなる再生磁性層（１）
を厚さｈ，＝２００人に、ＴｂＦｅよりなる中間層（７
）を厚さｔｌ２”５０人に、ＴｂＰｅＣｏよりなる記録
磁性層（２）を厚さｈ２＝２００人に、屈折率２．０の
ＳｉＮよりなる第２の透明誘電体層（３２）を厚さｔａ
（変化させた〉に、Ｍよりなる反射層（４）を厚さＴＯ
Ｏ人に順次積層した光磁気ディスク（以下これをディス
クＤという）を作製した。
よりなる第１の透明誘電体層（３ｌ〉を厚さ１． ＝
■０００人に、ＧｄＦｅＣｏよりなる再生磁性層（１）
を厚さｈ，＝２００人に、ＴｂＦｅよりなる中間層（７
）を厚さｔｌ２”５０人に、ＴｂＰｅＣｏよりなる記録
磁性層（２）を厚さｈ２＝２００人に、屈折率２．０の
ＳｉＮよりなる第２の透明誘電体層（３２）を厚さｔａ
（変化させた〉に、Ｍよりなる反射層（４）を厚さＴＯ
Ｏ人に順次積層した光磁気ディスク（以下これをディス
クＤという）を作製した。
比較例１
ポリカーボネート基体（６）上に、屈折率２．０のＳｉ
Ｎよりなる第１の透明誘電体層（３，）を厚さｔ ＋
＝８００人に、ＧｄＦｅＣｏよりなる再生磁性層を厚さ
ｈ ． ＝５００人に、ＴｂＦｅよりなる中間層（７）
を厚さＦ１＋２＝５０人に、ＴｂＦｅＣｏよりなる記録
磁性層（２）を厚さｈｚ＝５００人に、屈折率２．０の
ＳＩＮよりなる第２の透明誘電体層（３２〉を厚さｔ
２ ＝８００人に順次積層した光磁気ディスク〈以下こ
れをディスクＤＣ という〉を作製した。
Ｎよりなる第１の透明誘電体層（３，）を厚さｔ ＋
＝８００人に、ＧｄＦｅＣｏよりなる再生磁性層を厚さ
ｈ ． ＝５００人に、ＴｂＦｅよりなる中間層（７）
を厚さＦ１＋２＝５０人に、ＴｂＦｅＣｏよりなる記録
磁性層（２）を厚さｈｚ＝５００人に、屈折率２．０の
ＳＩＮよりなる第２の透明誘電体層（３２〉を厚さｔ
２ ＝８００人に順次積層した光磁気ディスク〈以下こ
れをディスクＤＣ という〉を作製した。
そしてこれらディスクＤ及びＤ。についてキャリアレベ
ルＣ（６ｅＲ×θｋ）の第２の透明誘電体層（３２〉の
厚さとの関係と共に、再生方法を選定して測定した結果
を第５図に示す。すなわち第５ＴＩＡ中、○印及び●印
はそれぞれディスクＤ及びＤｃの再生磁性層（１）を磁
化反転させながらその再生を行うようにしたいわば本発
明の再生方法をとった場合、Δ印及び▲印はディスクＤ
及びＤ。の再生磁性層（１）を磁化反転させない通常の
再生方法によった場合のキャリアレベルの測定結果を示
す。
ルＣ（６ｅＲ×θｋ）の第２の透明誘電体層（３２〉の
厚さとの関係と共に、再生方法を選定して測定した結果
を第５図に示す。すなわち第５ＴＩＡ中、○印及び●印
はそれぞれディスクＤ及びＤｃの再生磁性層（１）を磁
化反転させながらその再生を行うようにしたいわば本発
明の再生方法をとった場合、Δ印及び▲印はディスクＤ
及びＤ。の再生磁性層（１）を磁化反転させない通常の
再生方法によった場合のキャリアレベルの測定結果を示
す。
この場合そ・の磁化反転させながらの再生を行う場合と
させない場合とのすなわち丸印と三角印の差、つまり曲
線（５１）と（５２）の差が大きい状態となる厚さｔ２
に選定することがクロストークの改善において好まし
いことになるが、その膜厚ｔ２ が大となるほど曲線（
５ｌ〉に示されるようにキャリアレベルの低下をも招来
してくることから、再生出力の低下を回避する上で例え
ば第５図において破線ａの位置での厚さｔ２、例えば４
百数十人の厚さに選定することが望ましい。尚、このキ
ャリアレベルの測定は線速度１０ｍ／ｓ ，記録周波数
１０ ！Ｊ Ｈ ｚによるものである。
させない場合とのすなわち丸印と三角印の差、つまり曲
線（５１）と（５２）の差が大きい状態となる厚さｔ２
に選定することがクロストークの改善において好まし
いことになるが、その膜厚ｔ２ が大となるほど曲線（
５ｌ〉に示されるようにキャリアレベルの低下をも招来
してくることから、再生出力の低下を回避する上で例え
ば第５図において破線ａの位置での厚さｔ２、例えば４
百数十人の厚さに選定することが望ましい。尚、このキ
ャリアレベルの測定は線速度１０ｍ／ｓ ，記録周波数
１０ ！Ｊ Ｈ ｚによるものである。
また、これらディスクＤとｔ ２＝１５０Ｏ Ａとした
ディスクＤＣ のクロストークを測定した。この測定条
件は、トラックピッチ０．８μｍ１波長７８０ｒ＋＋ｎ
記録周波数５！Ｅｚ，隣接するトラック記録周波数４．
８Ｍ｝Ｉｚ、線速度ｔｏｍ／ｓ ，再生時の外部磁化
５００ （Ｏｅ）再生磁性層を磁化反転させながら再生
した場合ディスクＤｃ において再生パワー’１．２ｍ
ｌｌ１〜２． ６ｍｌｌｔでそのクロストークは−１０
ｄＢであり、ディスクＤは再生バ’７ − ２． ７ｍ
Ｗ 〜３． ２ｍＷで夕ロストークー２． ５ｄＢに減
少し得ることがｖＬ認された。
ディスクＤＣ のクロストークを測定した。この測定条
件は、トラックピッチ０．８μｍ１波長７８０ｒ＋＋ｎ
記録周波数５！Ｅｚ，隣接するトラック記録周波数４．
８Ｍ｝Ｉｚ、線速度ｔｏｍ／ｓ ，再生時の外部磁化
５００ （Ｏｅ）再生磁性層を磁化反転させながら再生
した場合ディスクＤｃ において再生パワー’１．２ｍ
ｌｌ１〜２． ６ｍｌｌｔでそのクロストークは−１０
ｄＢであり、ディスクＤは再生バ’７ − ２． ７ｍ
Ｗ 〜３． ２ｍＷで夕ロストークー２． ５ｄＢに減
少し得ることがｖＬ認された。
上述したように本発明方法においては、その再生時に再
生磁性層（１）のみを磁化反転させることによって、そ
の読み出しを行うものであり、この場合に目的とする再
生部においてのみ温度Ｔｔｈ以上として再生磁性層の磁
化反転を行わしめることによって更にその温度がＴｔｈ
以下では再生出力Ｒ×θ，が充分小とされていることに
よって高いＣ／Ｎのみならず効果的にトラック間の夕ロ
ストークを回避でき、トラック幅方向についても高密度
化をはかることができるという実用上大きな利益をもた
らす。
生磁性層（１）のみを磁化反転させることによって、そ
の読み出しを行うものであり、この場合に目的とする再
生部においてのみ温度Ｔｔｈ以上として再生磁性層の磁
化反転を行わしめることによって更にその温度がＴｔｈ
以下では再生出力Ｒ×θ，が充分小とされていることに
よって高いＣ／Ｎのみならず効果的にトラック間の夕ロ
ストークを回避でき、トラック幅方向についても高密度
化をはかることができるという実用上大きな利益をもた
らす。
第１図は本発明方法に用いられる磁気記録媒体の一例の
略線的拡大断面図、第２図は記録及び再？態様の説明に
供する磁化状態の模式図、第３図及び第４図は相対キャ
リアレベルΔＣの誘電体層の膜厚への依存性を示す図、
第５図は比較例と本発明方法におけるキャリアレベルの
説明図である。 （１）は再生磁性層、（２）は記録磁性層、（７）は中
間層、（３１）及び（３■）は透明誘電体層、（４）は
反射層、（５）は光磁気記録媒体である。 代 理 人 松 隈 秀 盛 第１図 磁性暫の磁化状態の穫式゛国 第２図 ｎ ｇ引２（大） ΔＣの這Ｂ月ｆｆｉ数１本膜の厚ご１；対寸るイτと６
．性乞乃丈すｔａ 第３図 膿引２（Ｘ） ΔＣの還朗誘電イ本膜の犀ざに対する 依存佐乞示す図 〒７リアしへ゜ルの！ｌ朗誘雷イ本腰の霞厚に対する依
存性乞示す図
略線的拡大断面図、第２図は記録及び再？態様の説明に
供する磁化状態の模式図、第３図及び第４図は相対キャ
リアレベルΔＣの誘電体層の膜厚への依存性を示す図、
第５図は比較例と本発明方法におけるキャリアレベルの
説明図である。 （１）は再生磁性層、（２）は記録磁性層、（７）は中
間層、（３１）及び（３■）は透明誘電体層、（４）は
反射層、（５）は光磁気記録媒体である。 代 理 人 松 隈 秀 盛 第１図 磁性暫の磁化状態の穫式゛国 第２図 ｎ ｇ引２（大） ΔＣの這Ｂ月ｆｆｉ数１本膜の厚ご１；対寸るイτと６
．性乞乃丈すｔａ 第３図 膿引２（Ｘ） ΔＣの還朗誘電イ本膜の犀ざに対する 依存佐乞示す図 〒７リアしへ゜ルの！ｌ朗誘雷イ本腰の霞厚に対する依
存性乞示す図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 再生磁性層と記録磁性層と透明誘電体層と反射層とを有
し、上記再生磁性層が磁化反転する温度Ｔ＿ｔ＿ｈ以下
では再生出力Ｒ×θ＿ｋ（Ｒは反射率、θ＿ｋはカー回
転角）が充分に小とされる構成とされた光磁気記録媒体
が用いられ、 再生時に、上記再生磁性層のみを磁化反転させることに
より再生出力を得るようにしたことを特徴とする光磁気
記録再生方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1233601A JP2884617B2 (ja) | 1989-09-08 | 1989-09-08 | 光磁気記録再生方法 |
| DE69014175T DE69014175T2 (de) | 1989-09-08 | 1990-09-07 | Magnetooptische Wiedergabemethode. |
| EP90117307A EP0416656B1 (en) | 1989-09-08 | 1990-09-07 | Magneto-optical playback method |
| US08/175,693 US5357494A (en) | 1989-09-08 | 1993-12-30 | Magneto-optical playback method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1233601A JP2884617B2 (ja) | 1989-09-08 | 1989-09-08 | 光磁気記録再生方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0397140A true JPH0397140A (ja) | 1991-04-23 |
| JP2884617B2 JP2884617B2 (ja) | 1999-04-19 |
Family
ID=16957611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1233601A Expired - Fee Related JP2884617B2 (ja) | 1989-09-08 | 1989-09-08 | 光磁気記録再生方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5357494A (ja) |
| EP (1) | EP0416656B1 (ja) |
| JP (1) | JP2884617B2 (ja) |
| DE (1) | DE69014175T2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2546477B2 (ja) * | 1992-12-21 | 1996-10-23 | 日本電気株式会社 | 光磁気記録媒体とその記録再生方法及び記録再生装置 |
| CA2142767C (en) | 1994-02-21 | 1998-11-17 | Naoki Nishimura | Magneto-optical recording medium, and information reproducing method using the medium |
| DE69535009T2 (de) * | 1994-03-19 | 2007-01-04 | Sony Corp. | Optische Platte und Verfahren und Gerät zur Aufzeichnung und Wiedergabe von dieser Platte |
| DE19535994C2 (de) * | 1994-10-14 | 1998-07-16 | Sharp Kk | Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium und Herstellverfahren für dieses |
| JPH08147761A (ja) * | 1994-11-21 | 1996-06-07 | Nikon Corp | 情報記録媒体 |
| US5593790A (en) * | 1994-12-29 | 1997-01-14 | Imation Corp. | Interference super-resolution using two magnetic layer construction |
| US6423430B1 (en) * | 1995-07-17 | 2002-07-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Magneto-optical recording medium for short wavelength |
| US6333827B1 (en) * | 1999-06-16 | 2001-12-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magnetic signal reproducing device, magnetic signal reproducing method and magnetic recording medium for high density reproduction |
| JP6691512B2 (ja) | 2017-06-23 | 2020-04-28 | 富士フイルム株式会社 | 磁気記録媒体 |
| JP6884874B2 (ja) | 2017-09-29 | 2021-06-09 | 富士フイルム株式会社 | 磁気テープおよび磁気記録再生装置 |
| WO2019065200A1 (ja) | 2017-09-29 | 2019-04-04 | 富士フイルム株式会社 | 磁気テープおよび磁気記録再生装置 |
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| US11361793B2 (en) | 2018-03-23 | 2022-06-14 | Fujifilm Corporation | Magnetic tape having characterized magnetic layer and magnetic recording and reproducing device |
| US11514943B2 (en) | 2018-03-23 | 2022-11-29 | Fujifilm Corporation | Magnetic tape and magnetic tape device |
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| JP7003073B2 (ja) | 2019-01-31 | 2022-01-20 | 富士フイルム株式会社 | 磁気テープ、磁気テープカートリッジおよび磁気テープ装置 |
| JP6778804B1 (ja) | 2019-09-17 | 2020-11-04 | 富士フイルム株式会社 | 磁気記録媒体および磁気記録再生装置 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4794560A (en) * | 1985-09-30 | 1988-12-27 | International Business Machines Corporation | Eraseable self biasing thermal magneto-optic medium |
| US4694358A (en) * | 1985-10-28 | 1987-09-15 | Kerdix, Inc. | Magneto-optic recording structure and method |
| JPS62137754A (ja) * | 1985-12-09 | 1987-06-20 | Canon Inc | 光磁気再生方法 |
| JPS62188044A (ja) * | 1986-02-14 | 1987-08-17 | Canon Inc | 光磁気メモリ用媒体 |
| AU600576B2 (en) * | 1987-04-24 | 1990-08-16 | Sony Corporation | Thermomagnetic recording method applying power modulated laser on a magnetically coupled multi-layer structure of perpendicular anisotropy magnetic film |
| DE3889203T2 (de) * | 1987-11-30 | 1994-11-03 | Sony Corp | Methode zum optischen Abtasten eines Signals aus einem magneto-optischen Speichermedium. |
| US5233578A (en) * | 1988-12-28 | 1993-08-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of recording information on a recording medium having at least two magnetic layers |
| US5168482A (en) * | 1989-08-31 | 1992-12-01 | Sony Corporation | Magnetooptical recording and playback method employing multi-layer recording medium with record holding layer and playback layer |
-
1989
- 1989-09-08 JP JP1233601A patent/JP2884617B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-09-07 DE DE69014175T patent/DE69014175T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-09-07 EP EP90117307A patent/EP0416656B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-12-30 US US08/175,693 patent/US5357494A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| DE69014175T2 (de) | 1995-06-14 |
| EP0416656A2 (en) | 1991-03-13 |
| EP0416656A3 (en) | 1991-06-26 |
| JP2884617B2 (ja) | 1999-04-19 |
| EP0416656B1 (en) | 1994-11-17 |
| US5357494A (en) | 1994-10-18 |
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|---|---|---|---|
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