JPH03162747A - 多値記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は多値記録方法に関し、特に光磁気記録媒体を使
用する多値記録方法に関する．〔発明の概要〕 本発明は、光磁気記録媒体を互いに交換結合を行わない
ｎ層の光磁気記録層で構威し、上記ｎ層の光磁気記録層
が同一のキュリー点を有する場合にはｎ種類のパルス幅
を有するレーザー光を用いるパルス幅変調記録、また上
記ｎ層の光磁気記録層が互いに異なるキュリー点を有す
る場合にはｎ種類のピーク値を持つレーザー光を用いる
光強度変調記録を行って各層における磁化の方向を独立
に制御することにより、再生信号に多段階のレベルを生
戒させて多値記録を実現し、転送速度の向上．記録密度
および記録容量の向上，ＣＮ比の向上等を図ると共に、
新規なオーバーライト方式を提供するものである． （従来の技術） 半導体レーザー光の熱エネルギーを用いて垂直磁化膜に
磁区を書き込むことにより情報を記録し、磁気光学効果
を用いてこの情報を読み出す光磁気記録媒体は、高密度
記録８高速記録の可能な媒体として研究開発が進められ
ているものである．しかし、真に実用性の高い媒体を提
｛』（するためにはより一層の記録密度または記録容量
の向上、ＣＮ比の向上、転送レートの向上、およびオー
バーライトの実現等が望まれている． 記録密度および記録容量の向上に関しては、たとえばデ
ジタル・オーディオ・ディスク（いわゆるコンパクト・
ディスク）ではピット深さを２倍．３倍・・・と増大さ
せて記録密度または記録容量を４倍，９倍・・・と増大
させることが考えられている．しかし、光磁気記録媒体
では、情報の有無を判別する根拠となるカー回転角±θ
，（もしくはファラデ−回転角±θ，）が磁性体の物性
によって決まっており、中間値を得ることは難しい．し
たがって、一般に記録密度および記録容量の向上は困難
とされている． ＣＮ比の向上は、力一回転角±θＫ　（もしくはファラ
デー回転角±θ，）が大きければ達威されるが、一般に
カー回転角±θ．が大きい材ｔｊｌは保持力が低い，キ
ュリー温度が高すぎる等の欠点を有している．これら全
ての特性を実用レベルで満足し得る材料は希土類金属一
遷移金属非品質合金薄膜（以下、ＲＥ−ＴＭ薄膜と称す
る．）等ごく限られており、今後の材料開発も困難を伴
うことが予想される． 転送レートの向上は、記録スポット長を小さくすること
，ディスクの回転数を増大させること記録るｎ区の両端
に情報を担わせ（ビットエッジ記録）綿密度を倍加する
こと，レーザー光を短波長化し再生線密度を増大させる
こと等を通じて実現することが試みられている．しかし
、これらの手段はＣＮ比の低下を招くこと、高度なサー
ボ制御技術やレーザー光のハイパワー化を要すること等
の技術的困難を伴い、信頼性．経済性を低下させる店れ
が大きい． さらに、光磁気記録媒体の実用特性をハードディスクの
それに匹敵させるには、消去動作を行うことなく重ね書
きが可能な、いわゆるオーバーライトを実現してアクセ
ス時間を短縮することも重要な課題である． このように、実用特性を向上させるためには様々な課題
が存在しているが、これを解決する手段として光磁気記
録媒体の複合膜化あるいは多層膜化に関する研究が進め
られている． 複合膜化とは、光磁気記録層を非磁性の誘電体干渉層や
金属反射層等と積層することにより、光磁気記録層に不
足する磁気光学効果を光学的に増幅する方法である．こ
の方法によれば、誘電体干渉層の屈折率や厚さ、金属反
射層の反射率等を適切に選ぶことによって、性能指数Ｒ
ｌ／宜．θ．を最適化することができる．ＴｂＦｅ合金
からなる垂直磁化膜と３１０からなる非磁性層を数〜数
十ｎｍの厚さで交合に積層した組或変！１！膜等はその
一例である． 一方の多層膜化とは、特性の異なる光磁気記録層を積層
して様々な効果を得るものである．たとえば、特開昭６
０　−　５５５３８号公報に開示される光磁気記録媒体
は、補償組成よりも希土類金属もしくは遷移金属の含量
を多くすることにより磁気光学ヒステリシスループの感
知性を互いに逆とした２Ｎの希土類金属一遷移金属合金
薄膜（たとえばＴｂＦｅ合金薄膜）を積層した構成とし
、これによりファラデー効果偏光回転とカー効果偏光回
転を一致させてＣＮ比の向上を図ったものである． また、特開昭６２　−　８０８４７号公報に開示される
光磁気記録媒体は、加熱により一定方向の輯化を発生す
るバイアス磁性層を熱絶縁層を介して光磁気記録層と積
層した構成をとることにより、外部バイアス磁界を使用
することなくレーザー光加熱の制御のみで記録・消去を
可能としたものである．あるいは、複数の光磁気記録層
の交換結合を利用してオーバーライトを実現した例もあ
る．たとえば、ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプ
ライド・フィジックス第２６巻４号１５５ページ（１９
８７年）には、室温における保磁力が相対的に高くキュ
リー点が相対的に低いＴｂＦｅｌ膜からなるメモリ層を
、室温における保磁力が相対的に低くキュリー点が相対
的に高いＴｂＦｅＣｏｌ膜からなる補助層と積層し、上
記メモリ層側から光強度変調されたレーザー光を照射す
ることによりオーバーライトを可能とした光磁気記録媒
体が発表されている． （発明が解決しようとする！！ＩＢ） しかし、上述のような光強度変調オーバーライト方式に
も幾つかの問題点がある．まず、この方式では、各光ｉ
ｆｔ気記録層（上述の例ではメモリ層と補助層）の室温
特性のみならず、温度特姓が重要な要素となるが、光磁
気記録層を構戒する材料の中には温度特性が成膜条件の
変化や組戒に敏感なものが多く、最適化が難しい．また
、上記方式においては少なくともレーザー光が照射され
る側に存在する光ｉｆｆ気記録層（上述の例ではメモリ
層）はレーザー光を透過させることが必要であり、その
層厚の上限はおおよそ２００〜３００入とされるが、か
かる薄いＷＪｒ￥をもって各光磁気記録層間の交換力を
適切に制御することは極めて困難である．さらに、各光
磁気記録層間で上下に隣接する磁区が互いに逆向きの磁
化を有している場合には、界面ｉｆｌ壁の存在により信
号の安定性が低下するという問題がある． さらに、上記光強度変調オーバーライト方式においては
、情報記録部における磁化の方向は交換結合により必ず
上下層の間で一致されているので、たとえば＋１１化が
共にレーザー光の入射方向に配向する場合を゛Ｏ“、゛
共にレーザー光の反射方向に配向する場合を“１”とい
うように、磁化の方向に応して対応させ得る値は２値の
みである．しかし、これでは大幅な転送レートの向上は
望むことができない． そこで本発明は、これらの諸問題を解決し、転送速度の
向上，記録密度および記録容量の向上，ＣＮ比の向上を
可能とする多値記録方法を提イノ（すると共に、新規な
オーバーライト方式を提供することを目的とする． 〔課題を解決するための手段〕 本発明の多値記録方法は上述の目的を達戒するために提
案されるものである． すなわち、本発明の第１の発明にかかる多値記録方法は
、基板上に互いに交換結合せずキュリー点の等しいｎ層
の光磁気記録層が形成されてなり、上記光磁気記録層の
うちレーザー光照射側から少なくとも（ｎ−１）層目ま
ではレーザー光を透過させる光磁気記録媒体に対し、ｎ
種類のパルス幅を有するレーザー光を照射しながらパル
ス幅変調記録を行うことを特徴とするものである．さら
に、本発明の第２の発明にかかる多値記録方法は、基板
上に互いに交換結合せずキュリー点が互いに異なるｎＦ
ｊの光磁気記録層が形成されてなり、上記光磁気記録層
のうちレーザー光照射側から少なくとも（ｎ−１）層目
まではレーザー光を透過させる光磁気記録媒体に対し、
ｎ種類のピーク値を有するレーザー光を照射しながら光
強度変調記録を行うことを特徴とするものである．まず
、本発明の第１の発明では、各光磁気記録層は．トユリ
ー点が等しければ同一材料あるいは異種材料のいずれに
より構成されるものであっても良い．後者の例としては
、同一合金系の＆ｆｌ戒を変動させることにより温度一
保磁力曲線のパターンを変えた材料等も使用することが
できる．また、本発明の第２の発明では、各光磁気記録
層は互いにキュリー点の異なる材料により構威されるが
、これらの材料は補償点を有するものであっても良い．
第２の発明では異なるキュリー点の数に応じた数のピー
ク値を有するレーザー光が使用され、あるピーク値を有
するレーザー光が照射された場合には該レーザー光によ
りキュリー温度より高い温度に加熱され得るすべての層
が加熱されるため、各光磁気記録層の積層順序は特に限
定されるものではない．しかし、熱伝導効率等を考慮す
ると、レーザー光源に近い側から遠い側に向かって順次
キュリー点が上昇するような積層順序が特に好ましい． なお、本発明ではｎ層の光磁気記録層に対するレーザー
光照射が一方向から行われることから自明である如く、
上記光磁気記録層のうちレーザー光照射側から少なくと
も（ｎ−１）層目まではレーザー光を透過させる必要が
ある．したがって、上記（ｎ−１）層目までの各光磁気
記録層の層厚の上限はおおよそ２００〜３００人とされ
ることが特に望ましい．この範囲内であれば、各層の層
厚は任意に設定することができる．レーザー光照射が基
板側から行われる場合には、当然ながら基板も透明でな
ければならない．レーザー光照射側から最も遠いｎＪｉ
目の光磁気記！！層はｉ！ｉ過性，　Ｊ＋−透過性のい
ずれであっても良い． また本発明において使用される光磁気記録媒体の構戒は
、従来公知の光磁気記録媒体の構成に型して、非磁性誘
電体層や金属反射層等を適宜設けたものであっても良い
．ただし、上記非磁性誘ｆｆｆ体層は、本発明では干渉
層としての作用ではなく、上下の光る１１気記録層間の
交換結合を阻止し熱伝導を遅延させる作用を期待して設
けられるものであって、数原子層の薄い層として形成さ
れれば十分である．しかし、非磁性誘電体層の層厚は位
相補償量が近似的にゼロとなるように設定されれば、媒
体全体としてカー回転角のエンハンスメントも可能とな
る．非＋１１性誘電体層が複数形成される場合には、位
相補償量の解が多くなり、膜設計の白山度も増す． また、本発明においてレーザー光照射側から最も遠いｎ
層目の光磁気記録層をある程度厚く形戒すれば、金属反
射層は不要である． 〔作用］ 本発明の多値記録方法には、互いに交換結合を行わない
ｎ層の光磁気記録層を形成した光ル１１気記録媒体を使
用する．このことにより、信号レベルの数を１曽やすこ
とが可能となる．以下、簡単のためにｎ＝２の場合を例
として説明する．たとえば、上下２層の光磁気記録層が
交換結合を行う場合には、磁化の向きは両層とも上向き
（↑）もしくは両層とも下向き（１）のいずれか一方に
決まり、これに対応する旋光角もたとえばば＋θ．もし
くは−θ８のいずれかの値しかとることができない．こ
れに対し、本発明では上下に積層された光磁気記録層が
交換結合を行わないため、レーザー光により与えられる
熱エネルギーの大きさを制御するだけで両層における磁
化の方向を独立に制御することができるようになる．し
たがって、たとえば上層のある磁区における磁化が上向
き（↑）で、これに隣接する下層の磁区における磁化が
下向き（↓）である場合、あるいはその逆の場合には、
磁気カ一回転角が相殺され、旋光角として見掛け上″０
″の値をとらせることができる．そこで、旋光角が各レ
ベルをとる場合を適当な論理形式により表現すれば、多
値記録（この場合は＋θ．，０．一θ．の３値記録）が
可能となる． ここで、熱エネルギーの大きさを制御する方法は、上下
の光磁気記録層を構威する材料のキュリー点により異な
る． すなわち、まず本発明の第１の発明が提案するように両
層のキュリー点が等しい場合には、２種類のパルス幅ｔ
＋．ｔｇ（ただし、１＋＜１１）を有するレーザー光を
使用する．すなわち、両層ともキュリー点を越える温度
に加熱されるのに必要な熱エネルギーはほぼ等しいので
、レーザー光源に近い光磁気記録層から遠い光磁気記録
層への熱伝導に要する時間を見込んでパルス幅の大小を
設定することにより、熱エネルギーを制御することが最
も簡便な方法となる．ここで、パルス幅ｔ１は、レーザ
ー光源に近い側に配置された光磁気記録層をキュリー点
より高い温度に加熱させるが、遠い側に配置された光磁
気記録層をキュリー点より高い温度に加熱させないよう
に選ばれている．また、パルス幅Ｌ，は、両層を共にキ
ュリー点より高い温度に加熱させることができるように
選ばれている．したがって、所定の方向に外部磁界を印
加しながらかかるレーザー光を照射すると、パルス幅ｔ
１を有するパルスが印加された部分では、レーザー光源
に近い側の光磁気記録層の温度がそのキュリー点より高
い温度に加熱されて磁化を失い、その後冷却にともなっ
て上記外部磁界の方向にならった磁化を生ずる．この間
、レーザー光源から遠い光磁気記録層には若干の熱エネ
ルギーが伝導する可能性はあるものの、キュリー点を越
えて加熱されるには至らないので、元々有していた磁化
の方向が保存される．また、パルス幅Ｌ！を有するパル
スが印加された部分では、両層が共にキュリー点より高
い温度に加熱されるので、冷却にともなって両層に上記
外部磁界の方向にならった磁化が生ずる． 一方、本発明の第２の発明が提案するように両層のキュ
リー点が異なる場合には、２種類のピーク値ｐ＋．ｐｚ
（ただし、ＰＩ＜Ｐハを有するレーザー光を使用する．
この場合は、キュリー点を越える温度に加熱されるのに
必要な熱エネルギーが両層の間で互いに異なっているの
で、単位時間あたりに印加できるエネルギー量を変化さ
せることが最も簡便な方法となる．ここで、ピーク値ｐ
．は、低いキュリー点ＴＣＩを有する光磁気記録層をそ
のキュリー点ＴＣＩより高い温度に加熱させるが、高い
キュリー点’Ｔ”Ｃｆを有する光磁気記録層をそのキュ
リー点Ｔｃ２より高い温度に加熱させないように選ばれ
ている．また、ピーク｛ＩＩ！ｐ　ｔは、両層を共に高
い方のキュリー点Ｔｃ２より高い温度に加熱させること
ができるように選ばれている．上記ピーク値ｐ１、ｐｔ
がこのような条件を満たしていれば、レーザー光は連続
光であってもパルス光であっても良い．所定の方向に外
部磁界を印加しながらかかるレーザー光を照射すると、
ピーク値ρ１のレーザー光が照射された部分では、低い
キュリー点ＴＣｌを有する光磁気記録層がそのキュリー
点ＴＣＩより高い温度に加熱されて磁化を失い、その後
冷却にともなって上記外部磁界の方向にならった磁化を
生ずる．この間、高いキュリー点ＴＣ！を有する光磁気
記録層には若干の熱エネルギーが伝導する可能性はある
ものの、キュリー点Ｔｃｔを越えて加熱されるには至ら
ないので、元々有していた磁化の方向が保存される．ま
た、ピーク値ｐ！のレーザー光が照射された部分では、
両層が共に高い方のキュリー点ＴＣｔより高い温度に加
熱されるので、冷却にともなって両層に上記外部磁界の
方向にならった磁化が住ずる． このように、本発明の方法によれば、２層の光磁気記録
層のうちのｌＮのみの磁化を反転させることができ、各
々の磁化の状態を適当な論理形式によって定義すれば、
新規なオーバーライト方式が実現される． 以上、ｎ＝２の場合について説明を行ったが、同様の説
明はｎ＝３以上の場合にも拡張することができる． いずれにしても、光磁気記録媒体の回転数や記録スポッ
ト径は従来と同様でありながら、従来の光磁気記録媒体
の単磁区に相当する面積が保持し得る情報は３値以上と
なり、転送速度の向上．記録密度および記録容量の向上
，ＣＮ比の向上等が実現される．さらに、上述の方法を
磁界変調記録とも組み合わせれば、さらに多様な情報の
記録が可能となる． 〔実施例〕 以下、本発明の好適な実施例について、図面を参照しな
がら説明する． ここでは、キュリー点の等しい２Ｆｆの光磁気記録層を
有する光磁気ディスクを使用してオーバーライトを行う
場合について説明する． まず、使用した光磁気ディスクの一構戚例を第１図に示
す． この光磁気ディスクは、ガラス，あるいはポリカーボネ
ート等の高分子材料からなり、必要に応じて予めガイド
溝が形成されたディスク状の透明基板（１）上に、第ｌ
の光磁気記録１（２）、非磁性誘電体Ｎ（３）、第２の
光磁気記録層（４）が順次積層されてなるものである．
ここで、上記の第１および第２の光磁気記録層（２）　
，　（４）はそれぞれスパッタリングにより形成された
ＴｂＦｅ合金薄膜よりなるが、組成は補償組威（Ｔ　ｂ
　ｚｘ　Ｆ　ｅ　ｆｆｌ　ただし数字は原子％を表す．
）をはさんで若干異なっており、第１の光磁気記録層（
２）はＦｅリッチ、第２の光磁気記録層（４）はＴｂリ
ッチとされている．第１の光磁気記録層（２）の層厚は
約１００人、？２の光磁気記録層（４）の層厚は約８０
０人である．なお、ここでは第２の光磁気記録層（４）
を厚く形成したが、これを１００人程度に薄く形成して
さらに別の非磁性誘電体層や金属反射層を積層しても良
い．上記非磁性誘電体層（３）は光磁気記録ＦＪ　（２
）　，（４）間の交換結合を阻止し、熱伝導を遅延させ
るために数原子層程度の薄さに形成されるものであり、
その材料としてはＳ　ｉ　１Ｎ４＋　　Ｓ　’○■　Ｚ
ｎＳ．アルミナ，希土類酸化物等が使用される．上述の
ような光磁気ディスクを使用して記録を行うためには、
パルス幅変３Ｊｉ（ＰＷＭ）されたレーザー光を使用す
るＰＷＭ記録が行われる．第２図に、かかるＰＷＭ記録
を行うための概略的な装置構戒のブロック図を示す． この装置においては、光磁気ディスク（ＩＯ）の透明基
板側にレーザー光を照射または反射光を検出するための
光学ピックアップ（１ｌ）、光磁気記録層側に所定の方
向の外部Ｇｉ１界を印加するための永久磁石（ｌ２）が
配置されている．上記光磁気ディスク（１０）はスピン
ドルモータ（１３）の駆動軸に固定されて回転可能とな
されている．また上記永久磁石（ｌ２）は反転装置（ｌ
４）に接続されて、必要に応じて印加磁界の方向を反転
させられるようになされている．さらに上記光学ピック
アップ（１１）は、図中矢印Ａで示すように、光磁気デ
ィスク（１０）の半径方向に移動可能となされている．
その他、あらゆる動作の制御を行う各種の周辺回路が設
けられており、これらすべてが一体となって、一定方向
の外部磁界のもとて光学ピックアップ（１１）を記録エ
リア中の任意の部位にアクセスさせ、レーザー光照射に
よる局部加熱を行って記録および再生を行うことが可能
とされている． 情報の記録は、以下のようにして行われる．まず、記録
すべき情報信号が情報信号変調回路（ｌ５）に入力され
ると、該情報信号変調回路（ｌ５）はコントローラ（１
６）からの制１１口信号にもとづいて上記情報信号に対
して所定の変調を行う．ここで、上記コントローラ（ｌ
６）は、ホストコンピュータ等の上位機器から送られる
制御信号にもとづいて、各種の制御信号を生成するもの
である．情報信号の一部はこのコントローラ（ｌ６）に
も送られ、永久磁石（１２）を反転させるための制御信
号等を形成するために利用される．上記情報信号変調回
路（１５）の出力信号はレーザーダイオード（１８）の
ドライブ回路であるＰＷＭ回路（１７）に送られ、さら
にそこでコントローラ（ｌ６）から送られる制御信号に
もとづいて所定のパルス幅変調を受ける．このＰＷＭ回
路（１７）の出力信号にもとづいてレーザーダイオード
（ｌ８）からＰＷＭ変調されたパルスレーザー光が放出
される．本実施例では、光磁気ディスク（１０）の光磁
気記録層が２層あるので、生成されるパルスの幅も２通
りである．かかるパルスレーザー光は、光学ピックアッ
プ（１１）中に配設されるコリメーターレンズ（ｌ９）
、偏光子（２０）、ビームスブリッター（２１）、対物
レンズ（２３）等を介し、さらに光磁気ディスク（１０
）の透明基板を通過して光磁気記′ａ層に焦点を合わせ
て照射される．ここで、上記対物レンズ（２３）はアク
チュエータ等からＩＩＩ戒される対物レンズ駆動装置（
２２）に保持されており、ディスクの面ブレや偏心に追
従してレーザー光が常に記録トラック上に正しく集光さ
れるようになされている． 一方、記録情報の再生は、以下のようにして行われる．
まず、光磁気ディスク（ｌＯ）からの反射光が対物レン
ズ（２３）、ビームスプリッター（２ｌ）、検光子（２
４）、集光レンズ（２５）等を介してフォトディテクタ
（２６）により検出される．このとき、上記検光子（２
４〉を適当な角度に設定しておけば、光磁気記録層にお
ける磁化の方向は所定の光量に変換され、さらに情報信
号復調回路（２７）においてコントローラ（ｌ６）から
送られる制御信号にもとづいて所定の論理形式により復
調された後、情報信号として出力される． さらに、上述のような記録・再生過程においては、各種
のサーボ制御が行われる．たとえば記録時には、記録用
のレーザー光のうちディスク面により反射された戊分が
フォトディテクタ（２６）に受光されて検出信号が生戒
され、該検出信号がフォーカス／トラッキングサーボ回
路（２８）に送られると、そこでコントローラ（１６）
から送られる制御信号にもとづいてフォーカスエラー信
号およびトラッキングエラー信号が生成される．これら
のエラー信号はフォーカスサーボ系およびトラッキング
サーボ系の駆動ｉｉｔ流に変換され、対物レンズ駆動装
置（２３）にフィードバックされる．同様のサーボ制御
は、再ＢＥ時にも同様に行われる．なお、以上はＰＷＭ
記録を行う場合についての説明であったが、光強度変調
を行う場合には、上述のＰＷＭ回路（ｌ７）を光強度変
調回路に置き換えれば良い．動作は同様であるので、説
明は省略する． 次に、上述のような光磁気ディスクおよび装置を使用し
たオーバーライトの原理を、第３図を参照しながら説明
する． 図中（Ａ）は光磁気ディスクにおける磁化の方向を模式
的に示す図であり、上段は第１の光磁気記ＬＳ層、下段
は第２の光磁気記録層を、また記号ａないし記号ｈは磁
区を表している．２種類の太さの線で描かれた上向きお
よび下向きの矢印は磁化の方向を表しており、細い線の
矢印は元の記録？態における磁化の方向、太い線の矢印
はオーバーライト後の記録状態における磁化の方向をそ
れぞれ表している．またＨ　ａｎｔは外部磁界の方向を
表しており、この図では下向きである．かかる下向きの
外部磁界Ｈ　ｍ＋＋Ｌの存在ゆえに、オーバーライト後
のｆｉＩ化の方向はすべて下向きとなる．ここで、磁区
ａおよび磁区Ｃにおいては、短いレーザーパルスが照射
されたために第１の光磁気記録層においてのみ磁化の反
転が生じており、また磁区ｇおよび磁区ｈにおいては長
いレーザーパルスが照射されたために両方の光磁気記録
層において磁化の反転が生じている． ここで使用される外部磁界Ｈ．■は、それほど強くなく
ても良く、しかも単一で良いことも本発四のメリットで
ある．たとえば前述のジャパニーズ・ジャーナル・オプ
・アブライド・フィジンクス第２６巻４号１５５ページ
（１９８７年）に発表されている技術において使用され
るオーバーライト方法では、先行補助磁界として７ｋＯ
ｅもの強い磁界を使用することにより一旦補助層の磁化
を一方向に揃えてから、別の磁界印加手段により弱磁界
を印加しながら記録を行っている．しかし、本発明では
磁化の方向を一方向に揃える過程が含まれないため、そ
れほど強い外部磁界を必要とせず、もちろん磁界印加手
段を複数使用する必要もない．このような磁化の状態を
各磁区ａ　−　ｈに沿って旋光角の変化として見ると、
元の記録状態は（Ｂ）、オーバーライト後の記録状態は
（Ｃ）のようにそれぞれ表すことができる．ここでは、
両方の光磁気記録層における磁化が共に上向きの場合を
十〇．、互いに逆向きの場合をＯ、共に下向きの場合を
ーθ，としている．これにより、磁化の方向に応じて対
応させ得る値は３値となり、従来の２値記録に比べて転
送レートの向上が実現される．あるいは、次に述べるよ
うに、かかる旋光角の変化を適当な論理形式により再び
２値情報に置き換えることもできる．たとえば、各磁区
において旋光角＋θ１のレベルにおける検出と一〇、の
レレベルにおける検出を同時に行い、前者のレベルのみ
を検出した場合を（１．０），後者のレベルのみを検出
した場合を（０．１）、どちらも検出されなかった場合
、すなわち見掛けの旋光角がＯとなる場合を（０，Ｏ）
と定義し、さらに上記（１．Ｏ）および（０．　　１）
を“Ｏ″、上記（０．０）を゜゜１”と定義し直すこと
を考える．すると、元の記録情報は（Ｄ）、オーバーラ
イト後の記録情報は（ＩＥ）のようにそれぞれ表現され
る．ここで、オーバーライトにより記録情報が書き換え
られた磁区はａ，Ｃ，およびｇである．これらの磁区を
見れば明らかなように、本発明では２層の光磁気記録層
のうちのｌ層の磁化を反転させただけでも、０−１もし
くはｆ−ｏの如く記録情報の書き換えが可能となる．，
あるいは、磁区ｈから明らかなように、両層とも反転さ
れると記録情報としては同一となる．すなわち、表現上
は“Ｏ”であっても磁化の方向には２種類が存在するわ
けであり、情報処理の自由度が大きくなる． なお、磁区ｒのように両方の光｛ｆｉ気記録層における
元々の磁化の方向が共に外部磁界Ｈ．．．Ｌ　と同じ方
向である場合には、この方法では書き換えを行うことは
できない．しかし、さらに磁界変調を組み合わせれば書
き換えが可能となり、これにより両方の光磁気記録層の
磁化を自在に制御できる多値記録方法が提供される．磁
界変調を行う場合には、前述の第２図に示す永久磁石（
１２）と反転装置（１４）を電磁石および［磁石駆動回
路に置き換えれば良い．この場合、記録すべき情報信号
は記録情報変調回路〔たとえば第２図の（１５）　）を
経て上記！磁石駆動回路にも入力され、該電磁石駆動回
路の出力信号にもとづいて光磁気ディスクの半径方向に
１ｔ磁石を移動させる． 〔発明の効果〕 以上の説明からも明らかなように、本発明は光磁気記録
媒体を構成する複数の光磁気記録層のキュリー点に応じ
て適当な方式により変調された単一のレーザー光を使用
して記録を行うことにより、再生信号に多段階のレベル
を生戒させて多値記録を実現するものである．したがっ
て転送レート記録密度．記録容量の向上が実現される．
かかる記録は、従来の光磁気記録媒体と同じ記録スポッ
ト径、同じ回転速度で実現されるため、媒体の製造や装
置の構成を複雑化することがなく、信頼性が何らｔ員な
われることはない． また、本発明に適用される光磁気記録媒体は複数の光ｉ
ｆ１気記録層を有しているので、干渉効果によるＣＮ比
の向上も期待できる． さらに、本発明は新規なオーバーライト方弐を提供する
ことができる．このオーバーライト方式は、記録用と消
去用に独立の光学ビックアップやレーザー光源を必要と
せず、簡単な装置構成において実現することができる． こめように、本発明にかかる多値記録方法は、光磁気記
録媒体を汎用メディアとして普及さセ゛るに十分な産業
上の価値を有するものである．

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の多値記録方法に使用される光ｆＲ気記
録媒体の構戒例を示す部分概略断面図である．第２図は
本発明の多値記録方法を実施するための装置の一構成例
を示すブロック図である．第３図は本発明を適用したオ
ーバーライトの原理を説明するための図である．

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に互いに交換結合せずキュリー点の等しい
   ｎ層の光磁気記録層が形成されてなり、上記光磁気記録
   層のうちレーザー光照射側から少なくとも（ｎ−１）層
   目まではレーザー光を透過させる光磁気記録媒体に対し
   、ｎ種類のパルス幅を有するレーザー光を照射しながら
   パルス幅変調記録を行うことを特徴とする多値記録方法
   。
2. （２）基板上に互いに交換結合せずキュリー点が互いに
   異なるｎ層の光磁気記録層が形成されてなり、上記光磁
   気記録層のうちレーザー光照射側から少なくとも（ｎ−
   １）層目まではレーザー光を透過させる光磁気記録媒体
   に対し、ｎ種類のピーク値を有するレーザー光を照射し
   ながら光強度変調記録を行うことを特徴とする多値記録
   方法。