JPH0963136A - 高密度光ディスク、および、その再生方法 - Google Patents
高密度光ディスク、および、その再生方法Info
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- JPH0963136A JPH0963136A JP8034129A JP3412996A JPH0963136A JP H0963136 A JPH0963136 A JP H0963136A JP 8034129 A JP8034129 A JP 8034129A JP 3412996 A JP3412996 A JP 3412996A JP H0963136 A JPH0963136 A JP H0963136A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 再生専用光ディスクの高密度化を達成するた
めに、低コストで超解像再生を実現することを目的とす
る。 【解決手段】 情報をになうディスク面上のピットと、
ディスクに一様に積層した光磁気記録膜を用い、再生磁
界をかけながら高いレーザーパワーで連続再生すること
で、超解像再生を行う。磁性層として、室温では面内磁
化、高温で垂直磁化に遷移する特性を有するものを用い
る。
めに、低コストで超解像再生を実現することを目的とす
る。 【解決手段】 情報をになうディスク面上のピットと、
ディスクに一様に積層した光磁気記録膜を用い、再生磁
界をかけながら高いレーザーパワーで連続再生すること
で、超解像再生を行う。磁性層として、室温では面内磁
化、高温で垂直磁化に遷移する特性を有するものを用い
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気光学効果（カ
ー効果）を利用して読み出しを行なう再生専用の高密度
光ディスクとその再生方法に関するものである。
ー効果）を利用して読み出しを行なう再生専用の高密度
光ディスクとその再生方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在、画像など大容量情報を低コストで
頒布する手段として光ディスクが広く採用されている。
しかしデジタルビデオディスク（DVD）に見られるよう
に、高品質の動画情報を扱うためには光ディスクのさら
なる高容量化が望まれている。書き換え可能な光磁気記
録方式では磁気的超解像による信号再生が発明されたた
め（Aratani et Al. Optical Data Strage 1991）、レ
ーザービームの回折限界を越えて高容量化を達成する道
筋が見えてきている。、特に磁気的超解像において、磁
性層として室温で面内磁化、高温で垂直磁化となるGdFe
Coを用いた技術がMurakamiらによって報告されている
（J. Magn. Soc. Jpn., 17 Suppl. S1(1993)201 ）。
頒布する手段として光ディスクが広く採用されている。
しかしデジタルビデオディスク（DVD）に見られるよう
に、高品質の動画情報を扱うためには光ディスクのさら
なる高容量化が望まれている。書き換え可能な光磁気記
録方式では磁気的超解像による信号再生が発明されたた
め（Aratani et Al. Optical Data Strage 1991）、レ
ーザービームの回折限界を越えて高容量化を達成する道
筋が見えてきている。、特に磁気的超解像において、磁
性層として室温で面内磁化、高温で垂直磁化となるGdFe
Coを用いた技術がMurakamiらによって報告されている
（J. Magn. Soc. Jpn., 17 Suppl. S1(1993)201 ）。
【０００３】しかし、プリピットを用いた再生専用の光
ディスクにおいては、超解像による信号再生の手法がい
くつか提案されてはいるが、最適な技術手法はいまだに
確立されていない。例えば、再生専用光ディスクの超解
像技術の手法には、マスク材料で分けると以下の２つが
ある。
ディスクにおいては、超解像による信号再生の手法がい
くつか提案されてはいるが、最適な技術手法はいまだに
確立されていない。例えば、再生専用光ディスクの超解
像技術の手法には、マスク材料で分けると以下の２つが
ある。
【０００４】
【表１】
【０００５】相変化材料、有機色素材料いずれの方式
も、レーザービームスポット内の一部領域を、ビーム照
射による昇温で反射率を変え、実効的なアパチャーを回
折限界以下にしぼり、プリピットの超解像再生を実現す
る。しかしどちらの材料も繰り返し耐久性が低いという
欠点を抱えている。例えば相変化材料では、溶融状態を
実現するために薄膜の温度を信号再生のたびに５００℃
付近にまであげる。このため組成の偏析が発生する。ま
た有機色素材料では、薄膜の温度は２００℃前後ではあ
るが色素の分解が発生する。このために現在までのとこ
ろ１万回以上の再生実験はなされていない。再生専用の
光ディスクであれば、少なくとも10の8乗回以上の再生
耐久性を満たす必要がある。
も、レーザービームスポット内の一部領域を、ビーム照
射による昇温で反射率を変え、実効的なアパチャーを回
折限界以下にしぼり、プリピットの超解像再生を実現す
る。しかしどちらの材料も繰り返し耐久性が低いという
欠点を抱えている。例えば相変化材料では、溶融状態を
実現するために薄膜の温度を信号再生のたびに５００℃
付近にまであげる。このため組成の偏析が発生する。ま
た有機色素材料では、薄膜の温度は２００℃前後ではあ
るが色素の分解が発生する。このために現在までのとこ
ろ１万回以上の再生実験はなされていない。再生専用の
光ディスクであれば、少なくとも10の8乗回以上の再生
耐久性を満たす必要がある。
【０００６】レーザービームスポット内に形成されるア
パチャーの位置により、再生方式を分類をすることがで
きる。ビームの中心に対して進行方向側にアパチャーが
あいていればフロントアパチャーという。ビームの中心
に対して進行方向側とは逆側にアパチャーがあいていれ
ばリアアパチャーという。ビームの中心付近にアパチャ
ーがあいていればセンターアパチャーという。
パチャーの位置により、再生方式を分類をすることがで
きる。ビームの中心に対して進行方向側にアパチャーが
あいていればフロントアパチャーという。ビームの中心
に対して進行方向側とは逆側にアパチャーがあいていれ
ばリアアパチャーという。ビームの中心付近にアパチャ
ーがあいていればセンターアパチャーという。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】超解像による高容量の
DVDが、市場に広く受け入れられるために満たさなけれ
ばならない条件として、以下の２点即ち 1.安価であること。
DVDが、市場に広く受け入れられるために満たさなけれ
ばならない条件として、以下の２点即ち 1.安価であること。
【０００８】2.繰り返し耐久性が高いこと。
【０００９】が必要である。そのためには、現在すでに
市場に受け入れられている希土類−遷移金属アモルファ
ス合金を用いた光磁気ディスク技術を、超解像の手法と
して盛り込むことが最も好ましい。それは既存の生産ラ
インを転用できるからであり、またその繰り返し耐久特
性も10の8乗回以上をクリアすることが保証されている
からである。そこで、本発明は、再生専用光ディスクの
高密度化を達成するために、希土類−遷移金属アモルフ
ァス合金を用いて、再生専用光ディスクの超解像再生を
実現することを目的とする。
市場に受け入れられている希土類−遷移金属アモルファ
ス合金を用いた光磁気ディスク技術を、超解像の手法と
して盛り込むことが最も好ましい。それは既存の生産ラ
インを転用できるからであり、またその繰り返し耐久特
性も10の8乗回以上をクリアすることが保証されている
からである。そこで、本発明は、再生専用光ディスクの
高密度化を達成するために、希土類−遷移金属アモルフ
ァス合金を用いて、再生専用光ディスクの超解像再生を
実現することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明は下記の構成を特徴とする。
めに、本発明は下記の構成を特徴とする。
【００１１】ａ）透明な基板表面上に情報信号を担うピ
ット部を形成し、 ｂ）前記ピット部は凹状または凸状で、 ｃ）前記ピット部のみ光学的干渉構造を変えた多層薄膜
を前記基板表面上に積層し、前記多層薄膜は少なくとも
１層の磁性層を有し、前記ピット部と前記ピット部以外
の場所のカー回転角を異ならせ、かつ前記ピット部と前
記ピット部以外の場所のカー回転角と反射率の積を異な
らせ ｄ）前記多層薄膜は、室温におけるカー回転角の絶対値
をθ1とし、昇温時のカー回転角の絶対値をθ2としたと
き、 θ1≠θ2 としたことを特徴とする。
ット部を形成し、 ｂ）前記ピット部は凹状または凸状で、 ｃ）前記ピット部のみ光学的干渉構造を変えた多層薄膜
を前記基板表面上に積層し、前記多層薄膜は少なくとも
１層の磁性層を有し、前記ピット部と前記ピット部以外
の場所のカー回転角を異ならせ、かつ前記ピット部と前
記ピット部以外の場所のカー回転角と反射率の積を異な
らせ ｄ）前記多層薄膜は、室温におけるカー回転角の絶対値
をθ1とし、昇温時のカー回転角の絶対値をθ2としたと
き、 θ1≠θ2 としたことを特徴とする。
【００１２】前記情報信号を再生する方法において、再
生レーザビームのパワーを一定の値Ｐｒに上げ、前記パ
ワーＰｒによって前記ビームスポット内の一部の領域Ａ
を昇温し、前記領域Ａに含まれる前記磁性層をキュリー
温度付近まで昇温し、前記領域Ａをマスク領域とするこ
とで波形干渉をとりのぞいて磁気的超解像を達成し、磁
気光学信号のカー回転角として前記情報信号を再生する
ことことを特徴とする。ここでマスク領域とは情報信号
が再生されない領域のことである。
生レーザビームのパワーを一定の値Ｐｒに上げ、前記パ
ワーＰｒによって前記ビームスポット内の一部の領域Ａ
を昇温し、前記領域Ａに含まれる前記磁性層をキュリー
温度付近まで昇温し、前記領域Ａをマスク領域とするこ
とで波形干渉をとりのぞいて磁気的超解像を達成し、磁
気光学信号のカー回転角として前記情報信号を再生する
ことことを特徴とする。ここでマスク領域とは情報信号
が再生されない領域のことである。
【００１３】さらに前記情報信号を再生するもう一つの
方法として、再生レーザビームのパワーを一定の値Ｐｒ
に上げ、前記パワーＰｒによって前記ビームスポット内
の一部の領域Ａを昇温し、前記領域Ａをアパチャー領域
とすることで波形干渉をとりのぞいて磁気的超解像を達
成し、磁気光学信号のカー回転角として前記情報信号を
再生することことを特徴とする。ここでアパチャー領域
とは情報信号が再生される領域のことである。
方法として、再生レーザビームのパワーを一定の値Ｐｒ
に上げ、前記パワーＰｒによって前記ビームスポット内
の一部の領域Ａを昇温し、前記領域Ａをアパチャー領域
とすることで波形干渉をとりのぞいて磁気的超解像を達
成し、磁気光学信号のカー回転角として前記情報信号を
再生することことを特徴とする。ここでアパチャー領域
とは情報信号が再生される領域のことである。
【００１４】マスク領域とアパチャー領域は互いに相補
的な関係にあり、両者を加えた領域がビームスポットに
なる。
的な関係にあり、両者を加えた領域がビームスポットに
なる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下の実施例は以下のアウトライ
ンに従って述べる。
ンに従って述べる。
【００１６】実施例１は、基本的なメカニズムの説明に
関するものである。
関するものである。
【００１７】実施例２は、ディスク構成（１）のフロン
トアパチャーに関するものである。
トアパチャーに関するものである。
【００１８】実施例３は、ディスク構成（２）のリアア
パチャーに関するものである。
パチャーに関するものである。
【００１９】実施例４は、ディスク構成（３）のリアア
パチャーに関するものである。
パチャーに関するものである。
【００２０】実施例５は、ディスク構成（４）のリアア
パチャーに関するものである。
パチャーに関するものである。
【００２１】実施例６は、エンハンスメント構造につい
て光学シミュレーションと測定に関するものである。
て光学シミュレーションと測定に関するものである。
【００２２】〔実施例１〕本発明の基本的なメカニズム
を以下に説明する。
を以下に説明する。
【００２３】図１は、本発明における基本的なディスク
構造の側面断面図である。１０１は一定の条件（外部磁
界、温度）を満たすときに垂直磁化となる磁性層を少な
くとも１層含む多層薄膜である。１０２は透明な薄膜
（以下ではエンハンスメント層と呼ぶ）、１０３は基
板、１０４は屈折率が１０２、１０３とは異なる誘電体
薄膜である。図１では第１の領域（２０１）と第２の領
域（２０２）の光学的な干渉構造が異なるために、基板
側から入射したレーザービームが受けるカー回転角のエ
ンハンスメントが異なる。そのため磁性膜を一様に磁化
させた状態では、第１の領域と第２の領域のカー回転角
が異なる。これを基板側から模式的に表したのが図２で
ある。基板側から直線偏光を入射したとき反射光の差動
検出を行い、第２の領域を、情報信号を有するROMピッ
トに見立てるならば、この情報信号は磁気光学信号とし
て再生することができる。ここで差動検出を行うとき、
性能指数Ｆは Ｆ＝（カー回転角）×（反射率） で表すのが適している。一般的にカー回転角のエンハン
スメントと反射率は互いにトレードオフの関係にあるこ
とからもこのような性能指数の評価によるディスク構造
の最適化が必要である。
構造の側面断面図である。１０１は一定の条件（外部磁
界、温度）を満たすときに垂直磁化となる磁性層を少な
くとも１層含む多層薄膜である。１０２は透明な薄膜
（以下ではエンハンスメント層と呼ぶ）、１０３は基
板、１０４は屈折率が１０２、１０３とは異なる誘電体
薄膜である。図１では第１の領域（２０１）と第２の領
域（２０２）の光学的な干渉構造が異なるために、基板
側から入射したレーザービームが受けるカー回転角のエ
ンハンスメントが異なる。そのため磁性膜を一様に磁化
させた状態では、第１の領域と第２の領域のカー回転角
が異なる。これを基板側から模式的に表したのが図２で
ある。基板側から直線偏光を入射したとき反射光の差動
検出を行い、第２の領域を、情報信号を有するROMピッ
トに見立てるならば、この情報信号は磁気光学信号とし
て再生することができる。ここで差動検出を行うとき、
性能指数Ｆは Ｆ＝（カー回転角）×（反射率） で表すのが適している。一般的にカー回転角のエンハン
スメントと反射率は互いにトレードオフの関係にあるこ
とからもこのような性能指数の評価によるディスク構造
の最適化が必要である。
【００２４】本発明は４種類のディスク構成からなる。
以下に各ディスク構成について、超解像による信号再生
のメカニズムを説明する。
以下に各ディスク構成について、超解像による信号再生
のメカニズムを説明する。
【００２５】ディスク構成（１）：図３は本構成の側面
断面図である。多層薄膜１０１が含む磁性層として、室
温で垂直磁化でありカー回転角を有し、昇温するとキュ
リー温度に達してカー回転角を失う磁性膜３０１を用い
る。このような磁性膜の１例としてTbFeCoがあげられ
る。重希土類の組成範囲は15ａｔ％から28ａｔ％が垂直
磁化を得る組成として適切である。３０２、３０３は透
明な誘電体である。図４は本構成の再生過程を示す図で
ある。最初に磁性層の磁化は１方向にそろえてあるとす
る。これを初期化状態と呼ぶ。外部磁界を加えながら信
号再生のためのレーザーパワーを上げて、ビーム照射領
域を温度Ｔ１にまで上げるならば、ビームスポット後方
の高温部分において磁性層のカー回転角が低下する。つ
いにはカー回転角を失うマスク領域Ａ（４０１）が出現
する。一方、ビームスポット前方ではいまだ低温である
ために、このアパチャー領域Ｂ（４０２）からのカー回
転角による信号再生が可能である。領域Ａ、領域Ｂのカ
ー回転角の絶対値をそれぞれθＡ、θＢとすれば θＡ＜θＢ である。したがって領域Ｂの信号再生において領域Ａの
情報信号からの干渉効果を排除することが可能となる。
これは磁気的超解像におけるフロントアパチャーに対応
している。そのため本発明において情報信号を有するRO
Mピットの超解像再生が実現する。ここで２０３はROMヒ゜
ット部でかつ、磁性層の磁化が垂直方向を向くことでカー
回転角による情報信号を有する領域を示す。レーザービ
ームが通過した後では、磁性層の磁化は外部磁界に応じ
て一定方向を向くため初期化が自動的に完了している。
断面図である。多層薄膜１０１が含む磁性層として、室
温で垂直磁化でありカー回転角を有し、昇温するとキュ
リー温度に達してカー回転角を失う磁性膜３０１を用い
る。このような磁性膜の１例としてTbFeCoがあげられ
る。重希土類の組成範囲は15ａｔ％から28ａｔ％が垂直
磁化を得る組成として適切である。３０２、３０３は透
明な誘電体である。図４は本構成の再生過程を示す図で
ある。最初に磁性層の磁化は１方向にそろえてあるとす
る。これを初期化状態と呼ぶ。外部磁界を加えながら信
号再生のためのレーザーパワーを上げて、ビーム照射領
域を温度Ｔ１にまで上げるならば、ビームスポット後方
の高温部分において磁性層のカー回転角が低下する。つ
いにはカー回転角を失うマスク領域Ａ（４０１）が出現
する。一方、ビームスポット前方ではいまだ低温である
ために、このアパチャー領域Ｂ（４０２）からのカー回
転角による信号再生が可能である。領域Ａ、領域Ｂのカ
ー回転角の絶対値をそれぞれθＡ、θＢとすれば θＡ＜θＢ である。したがって領域Ｂの信号再生において領域Ａの
情報信号からの干渉効果を排除することが可能となる。
これは磁気的超解像におけるフロントアパチャーに対応
している。そのため本発明において情報信号を有するRO
Mピットの超解像再生が実現する。ここで２０３はROMヒ゜
ット部でかつ、磁性層の磁化が垂直方向を向くことでカー
回転角による情報信号を有する領域を示す。レーザービ
ームが通過した後では、磁性層の磁化は外部磁界に応じ
て一定方向を向くため初期化が自動的に完了している。
【００２６】ディスク構成（２）：図５は本構成の側面
断面図である。多層薄膜１０１が含む磁性層として、室
温で面内方向の磁化を有し、高温域（温度Ｔ１以上）で
垂直磁化に遷移する磁性膜５０１を用いる。このような
磁性層は、希土類リッチのGdFeCo膜を用いて実現できる
ことが知られている。Gdは28ａｔ％以上、３２ａｔ％以
下の範囲が適切である。３０２、３０３は透明な誘電体
である。図６は本発明の再生過程を示す図である。外部
磁界を加えながら信号再生のためのレーザーパワーを上
げて、ビーム照射領域を温度Ｔ２にまで上げるならば、
ビームスポット後方の高温部分において、磁性層は面内
磁化から垂直磁化に遷移し、カー回転角を有するアパチ
ャー領域Ｂ（６０１）が出現する。一方、ビームスポッ
ト前方ではいまだ低温であるために、磁性層は面内方向
の磁化でありこのマスク領域Ａ（６０２）からのカー回
転角による信号は存在しない。領域Ａ、領域Ｂのカー回
転角の絶対値をそれぞれθＡ、θＢとすれば θＡ＜θＢ である。したがって領域Ｂの信号再生において領域Ａの
情報信号からの干渉効果を排除することが可能となる。
これは磁気的超解像におけるリアアパチャーに対応して
いる。そのため本発明において情報信号を有するROMピ
ットの超解像再生が実現する。ここで２０３はROMヒ゜ット
部でかつ、磁性層の磁化が垂直方向を向くことでカー回
転角による情報信号を有する領域を示す。
断面図である。多層薄膜１０１が含む磁性層として、室
温で面内方向の磁化を有し、高温域（温度Ｔ１以上）で
垂直磁化に遷移する磁性膜５０１を用いる。このような
磁性層は、希土類リッチのGdFeCo膜を用いて実現できる
ことが知られている。Gdは28ａｔ％以上、３２ａｔ％以
下の範囲が適切である。３０２、３０３は透明な誘電体
である。図６は本発明の再生過程を示す図である。外部
磁界を加えながら信号再生のためのレーザーパワーを上
げて、ビーム照射領域を温度Ｔ２にまで上げるならば、
ビームスポット後方の高温部分において、磁性層は面内
磁化から垂直磁化に遷移し、カー回転角を有するアパチ
ャー領域Ｂ（６０１）が出現する。一方、ビームスポッ
ト前方ではいまだ低温であるために、磁性層は面内方向
の磁化でありこのマスク領域Ａ（６０２）からのカー回
転角による信号は存在しない。領域Ａ、領域Ｂのカー回
転角の絶対値をそれぞれθＡ、θＢとすれば θＡ＜θＢ である。したがって領域Ｂの信号再生において領域Ａの
情報信号からの干渉効果を排除することが可能となる。
これは磁気的超解像におけるリアアパチャーに対応して
いる。そのため本発明において情報信号を有するROMピ
ットの超解像再生が実現する。ここで２０３はROMヒ゜ット
部でかつ、磁性層の磁化が垂直方向を向くことでカー回
転角による情報信号を有する領域を示す。
【００２７】さらに図７に示すように、領域Ｂの中の後
方の領域Ｃ（７０３）がキュリー温度付近まで上がるの
ならば、この領域Ｃからのカー回転角の信号も存在しな
い。この場合はビーム中央部の領域Ｂ（７０１）のみが
再生信号に寄与し、領域Ａ（７０２）、領域Ｃ（７０
３）がマスクされるため、磁気的超解像におけるセンタ
ーアパチャーが実現される。図６、図７いずれが実現す
るかは、多層薄膜の熱拡散構造、レーザービームのパワ
ー、磁性層の磁気特性（キュリー温度Tc、垂直磁気異方
性Ku、原子間の交換結合力Ａ、保磁力Hc）に依存する。
方の領域Ｃ（７０３）がキュリー温度付近まで上がるの
ならば、この領域Ｃからのカー回転角の信号も存在しな
い。この場合はビーム中央部の領域Ｂ（７０１）のみが
再生信号に寄与し、領域Ａ（７０２）、領域Ｃ（７０
３）がマスクされるため、磁気的超解像におけるセンタ
ーアパチャーが実現される。図６、図７いずれが実現す
るかは、多層薄膜の熱拡散構造、レーザービームのパワ
ー、磁性層の磁気特性（キュリー温度Tc、垂直磁気異方
性Ku、原子間の交換結合力Ａ、保磁力Hc）に依存する。
【００２８】ディスク構成（３）：前記した（２）の構
成において、磁性層５０１に隣接して交換結合する磁性
層５０２を配置する。これを図８に示す。３０２、３０
３は透明な誘電体である。磁性層５０２は室温で垂直磁
化であり、５０１がキュリー温度に達しても垂直磁化を
保つとする。例えば１例としてTb20Fe70Co10（ａｔ％）
があげられる。このようにすると再生時に外部磁界を加
えなくても、磁性層５０２からの交換結合力で磁性層５
０１は、面内磁化から垂直磁化に遷移することができ
る。またビーム通過後の降温時には、磁性層５０１は面
内磁化にもどる。従って図６に示した磁気的超解像にお
けるリアアパチャーが実現される。
成において、磁性層５０１に隣接して交換結合する磁性
層５０２を配置する。これを図８に示す。３０２、３０
３は透明な誘電体である。磁性層５０２は室温で垂直磁
化であり、５０１がキュリー温度に達しても垂直磁化を
保つとする。例えば１例としてTb20Fe70Co10（ａｔ％）
があげられる。このようにすると再生時に外部磁界を加
えなくても、磁性層５０２からの交換結合力で磁性層５
０１は、面内磁化から垂直磁化に遷移することができ
る。またビーム通過後の降温時には、磁性層５０１は面
内磁化にもどる。従って図６に示した磁気的超解像にお
けるリアアパチャーが実現される。
【００２９】ディスク構成（４）：本構成を図９に示
す。磁性層９０１として垂直磁化膜であるGdFeCoを使
う。垂直磁化を実現するGdの組成範囲は１５ａｔ％以
上、２８ａｔ％以下が好ましい。これに隣接して交換結
合する磁性層９０２、磁性層９０３を順に配置する。３
０２、３０３は透明な誘電体である。磁性層９０３は室
温から高温にかけて面内磁化膜である。また磁性層９０
２は、磁性層９０１、９０３と比較して低いキュリー温
度を有する。このようにすると、室温において磁性層９
０１は、磁性層９０３からの交換結合のために面内磁化
となる。これはGdの垂直磁気異方性が低いからである。
しかし昇温すると磁性層９０２がキュリー温度に達する
ため、磁性層９０１と磁性層９０３の間の交換結合力が
切れて、磁性層９０１は垂直磁化に遷移する。このよう
な構成をとれば図６に示した磁気的超解像におけるリア
アパチャーが実現される。またビーム通過後の降温時に
は、磁性層９０３からの交換結合力が復活して磁性層９
０１は面内磁化にもどる。
す。磁性層９０１として垂直磁化膜であるGdFeCoを使
う。垂直磁化を実現するGdの組成範囲は１５ａｔ％以
上、２８ａｔ％以下が好ましい。これに隣接して交換結
合する磁性層９０２、磁性層９０３を順に配置する。３
０２、３０３は透明な誘電体である。磁性層９０３は室
温から高温にかけて面内磁化膜である。また磁性層９０
２は、磁性層９０１、９０３と比較して低いキュリー温
度を有する。このようにすると、室温において磁性層９
０１は、磁性層９０３からの交換結合のために面内磁化
となる。これはGdの垂直磁気異方性が低いからである。
しかし昇温すると磁性層９０２がキュリー温度に達する
ため、磁性層９０１と磁性層９０３の間の交換結合力が
切れて、磁性層９０１は垂直磁化に遷移する。このよう
な構成をとれば図６に示した磁気的超解像におけるリア
アパチャーが実現される。またビーム通過後の降温時に
は、磁性層９０３からの交換結合力が復活して磁性層９
０１は面内磁化にもどる。
【００３０】以下の実施例の中でnは屈折率の実数部、k
は虚数部を表す。
は虚数部を表す。
【００３１】〔実施例２〕ここでは実施例１で述べたデ
ィスク構成（１）に関して具体的な実施例を述べる。 ディスク構成 図３は本実施例の側面断面図である。１０１は垂直磁化
を有する磁性層を少なくとも１層含む多層薄膜である。
１０２は透明な樹脂からなるエンハンスメント層、１０
３は基板、１０４は屈折率が１０２、１０３とは異なる
誘電体薄膜である。基板は、表面に２Ｐ法で深さ50nmの
プリピットを形成した屈折率1.6のＰＣ基板を用いた。
多層薄膜１０１の構成も含めて、各薄膜を表２に示し
た。プリピットは直径０．４ミクロンであり、ピット列
のピッチは０．８ミクロンである。またトラック間の間
隔は１．６ミクロンである。１０２の樹脂としてフォト
レジストを用いた。
ィスク構成（１）に関して具体的な実施例を述べる。 ディスク構成 図３は本実施例の側面断面図である。１０１は垂直磁化
を有する磁性層を少なくとも１層含む多層薄膜である。
１０２は透明な樹脂からなるエンハンスメント層、１０
３は基板、１０４は屈折率が１０２、１０３とは異なる
誘電体薄膜である。基板は、表面に２Ｐ法で深さ50nmの
プリピットを形成した屈折率1.6のＰＣ基板を用いた。
多層薄膜１０１の構成も含めて、各薄膜を表２に示し
た。プリピットは直径０．４ミクロンであり、ピット列
のピッチは０．８ミクロンである。またトラック間の間
隔は１．６ミクロンである。１０２の樹脂としてフォト
レジストを用いた。
【００３２】
【表２】
【００３３】磁性層で用いたTbFeCoは、アモルファスの
垂直磁化膜で、Tcは200℃、Hcは800kA/mである。エンハ
ンスメント層は屈折率1.6の樹脂を用いる。また各薄膜
の屈折率は以下の通りである。
垂直磁化膜で、Tcは200℃、Hcは800kA/mである。エンハ
ンスメント層は屈折率1.6の樹脂を用いる。また各薄膜
の屈折率は以下の通りである。
【００３４】
【表３】
【００３５】このときピット部と平坦部のエンハンスメ
ント層厚み、カー回転角Ｋと反射率Ｒ、さらにその積Ｋ
×Ｒは次の表のようになる。
ント層厚み、カー回転角Ｋと反射率Ｒ、さらにその積Ｋ
×Ｒは次の表のようになる。
【００３６】
【表４】
【００３７】また平坦部におけるカー回転角の温度変化
を図１０に示した。測定は24 kA/mの外部磁界のもとで
行った。図１０より、室温のカー回転角の絶対値をθ
1、昇温時のカー回転角の絶対値をθ2としたとき、 θ1＞θ２ が成り立つ。例えば１５０℃でのカー回転角は室温の約
１/２である。従って150℃以上に昇温した領域からの信
号は室温の領域に比べて（１/２）2の強度に抑圧されて
いる。
を図１０に示した。測定は24 kA/mの外部磁界のもとで
行った。図１０より、室温のカー回転角の絶対値をθ
1、昇温時のカー回転角の絶対値をθ2としたとき、 θ1＞θ２ が成り立つ。例えば１５０℃でのカー回転角は室温の約
１/２である。従って150℃以上に昇温した領域からの信
号は室温の領域に比べて（１/２）2の強度に抑圧されて
いる。
【００３８】再生方法 また再生条件は以下のとおりである。
【００３９】
【表５】
【００４０】ただし、再生磁界は基板に対して垂直方向
であり、この方向を第１の方向とする。
であり、この方向を第１の方向とする。
【００４１】再生信号の評価結果 再生時のC/N（狭帯域S/N）を再生パワーごとに以下に示
す。
す。
【００４２】
【表６】
【００４３】表６によれば3.0mW以上でC/Nが高くなるこ
とがわかる。この3.0mWという値は、通常の光磁気記録
を行ったとき、磁区が形成される温度に対応するレーザ
ーパワーである。また再生磁界を0 A/mにして5.0mWで同
一トラックを読み続けると、C/Nは32dBとなってしま
う。再生磁界が0 A/mであれば、高パワーの再生レーザ
ービームがそのトラックをスキャンしても、ビーム内に
は外部磁界が存在しないためにメイズ磁区が形成され、
見かけのカー回転角を失い本発明の効果を失ってしまう
からである。
とがわかる。この3.0mWという値は、通常の光磁気記録
を行ったとき、磁区が形成される温度に対応するレーザ
ーパワーである。また再生磁界を0 A/mにして5.0mWで同
一トラックを読み続けると、C/Nは32dBとなってしま
う。再生磁界が0 A/mであれば、高パワーの再生レーザ
ービームがそのトラックをスキャンしても、ビーム内に
は外部磁界が存在しないためにメイズ磁区が形成され、
見かけのカー回転角を失い本発明の効果を失ってしまう
からである。
【００４４】次に比較例として以下の構成を有するディ
スクを作製した。
スクを作製した。
【００４５】
【表７】
【００４６】5.0mWの再生パワーで比較例を評価する
と、C/Nは
と、C/Nは
【００４７】
【表８】
【００４８】であった。これらの比較例から、本発明の
必要条件として次のことが要求される。
必要条件として次のことが要求される。
【００４９】（１）１０４の誘電体薄膜が必要である。
【００５０】（２）多層膜には、基板側からの測定にお
いて磁気光学的に活性な磁性層を含むことが必要であ
る。
いて磁気光学的に活性な磁性層を含むことが必要であ
る。
【００５１】（３）ピット深さは０ではない有限の値が
必要である。
必要である。
【００５２】なお本実施例１において、エンハンスメン
ト層としてフォトレジストのかわりにSiO2系被膜形成用
塗布液をもちいても、本発明におけるエンハンスメント
層の効果を有する。そこで実施例２ー１として、実施例
２の樹脂層のかわりにSiO2系被膜形成用塗布液をエンハ
ンスメント層として用いた。このときSiO2層の屈折率は
１．５である。この実施例２ー１に対して表５の再生条
件において信号再生を行った時、3.0ｍＷの再生パワー
で47dBが得られた。したがって実施例２と同等の効果を
有する。
ト層としてフォトレジストのかわりにSiO2系被膜形成用
塗布液をもちいても、本発明におけるエンハンスメント
層の効果を有する。そこで実施例２ー１として、実施例
２の樹脂層のかわりにSiO2系被膜形成用塗布液をエンハ
ンスメント層として用いた。このときSiO2層の屈折率は
１．５である。この実施例２ー１に対して表５の再生条
件において信号再生を行った時、3.0ｍＷの再生パワー
で47dBが得られた。したがって実施例２と同等の効果を
有する。
【００５３】なお本発明の磁性層は、室温で垂直磁化
膜、再生レーザービームを照射して昇温したときの温度
でカー回転角が低下する特性を持つものであれば本発明
と同等の効果を有する。従ってこの特性を満たす範囲で
本実施例の磁性層組成のTb量を変えても、Tbを他の希土
類（Gd、Dy）で置き換えても、あるいはCo量を変えても
本発明の効果は失われない。
膜、再生レーザービームを照射して昇温したときの温度
でカー回転角が低下する特性を持つものであれば本発明
と同等の効果を有する。従ってこの特性を満たす範囲で
本実施例の磁性層組成のTb量を変えても、Tbを他の希土
類（Gd、Dy）で置き換えても、あるいはCo量を変えても
本発明の効果は失われない。
【００５４】また本実施例において、ピットは凸形状で
も本発明の効果を有する。
も本発明の効果を有する。
【００５５】〔実施例３〕ここでは実施例１で述べたデ
ィスク構成（２）に関して具体的な実施例を述べる。
ィスク構成（２）に関して具体的な実施例を述べる。
【００５６】ディスク構成 図５は本実施例の側面断面図である。１０１は垂直磁化
を有する磁性層を少なくとも１層含む多層薄膜である。
１０２は透明な樹脂からなるエンハンスメント層、１０
３は基板、１０４は屈折率が１０２、１０３とは異なる
誘電体薄膜である。基板は、表面に２Ｐ法で深さ50nmの
プリピットを形成した屈折率1.6のＰＣ基板を用いた。
多層薄膜１０１の構成も含めて、各薄膜を表９に示し
た。プリピットは直径０．４ミクロンであり、ピット列
のピッチは０．８ミクロンである。またトラック間の間
隔は１．６ミクロンである。１０２の樹脂としてフォト
レジストを用いた。
を有する磁性層を少なくとも１層含む多層薄膜である。
１０２は透明な樹脂からなるエンハンスメント層、１０
３は基板、１０４は屈折率が１０２、１０３とは異なる
誘電体薄膜である。基板は、表面に２Ｐ法で深さ50nmの
プリピットを形成した屈折率1.6のＰＣ基板を用いた。
多層薄膜１０１の構成も含めて、各薄膜を表９に示し
た。プリピットは直径０．４ミクロンであり、ピット列
のピッチは０．８ミクロンである。またトラック間の間
隔は１．６ミクロンである。１０２の樹脂としてフォト
レジストを用いた。
【００５７】
【表９】
【００５８】磁性層で用いたGdFeCoは、室温で希土類の
副格子磁化が優勢（希土類リッチ）であり、室温とキュ
リー温度との間に補償温度を持つ。その組成は、 Gd32Fe59Co9 でありアモルファス膜である。このGdFeCoは単独で、室
温では面内磁化膜、昇温すると垂直磁化膜に遷移し、２
００℃では垂直磁化膜である。この理由は、垂直磁気異
方性の大きさより、磁化による反磁界が優勢なときには
面内磁化膜であり、補償温度近傍でみかけの磁化が低下
すると反磁界が低下し、垂直磁気異方性が優勢となり垂
直磁化となるからである。垂直磁化膜を示す温度領域で
は、面に垂直な方向にかけた外部磁界と同じ方向にみか
けの磁化は向き、垂直磁化膜特有の角形のヒステリシス
ループをえがく。
副格子磁化が優勢（希土類リッチ）であり、室温とキュ
リー温度との間に補償温度を持つ。その組成は、 Gd32Fe59Co9 でありアモルファス膜である。このGdFeCoは単独で、室
温では面内磁化膜、昇温すると垂直磁化膜に遷移し、２
００℃では垂直磁化膜である。この理由は、垂直磁気異
方性の大きさより、磁化による反磁界が優勢なときには
面内磁化膜であり、補償温度近傍でみかけの磁化が低下
すると反磁界が低下し、垂直磁気異方性が優勢となり垂
直磁化となるからである。垂直磁化膜を示す温度領域で
は、面に垂直な方向にかけた外部磁界と同じ方向にみか
けの磁化は向き、垂直磁化膜特有の角形のヒステリシス
ループをえがく。
【００５９】エンハンスメント層は屈折率1.6の樹脂を
用いる。また各薄膜の屈折率は以下の通りである。
用いる。また各薄膜の屈折率は以下の通りである。
【００６０】
【表１０】
【００６１】このときピット部と平坦部のエンハンスメ
ント層厚み、カー回転角Ｋと反射率Ｒ、さらにその積Ｋ
×Ｒは次の表のようになる。ただし測定は、室温におい
て磁性層１を外部磁界により垂直に磁化した状態で測定
した。
ント層厚み、カー回転角Ｋと反射率Ｒ、さらにその積Ｋ
×Ｒは次の表のようになる。ただし測定は、室温におい
て磁性層１を外部磁界により垂直に磁化した状態で測定
した。
【００６２】
【表１１】
【００６３】また平坦部におけるカー回転角の温度変化
を図１１に示した。24 kA/mの外部磁界のもとでカー回
転角の測定を行った。図１１より室温のカー回転角の絶
対値をθ1、昇温時のカー回転角の絶対値をθ2としたと
き、 θ1＜θ2 が成り立つ領域が存在する。例えば室温でのカー回転角
は0°であるが、150℃でのカー回転角は0.7°である。
従って室温の領域からの信号は抑圧され、150℃以上の
領域からの信号が検出可能となる。ただし300℃以上の
領域ではカー回転角が急激に低下するため、再び信号強
度が低下する。従って、150℃から300℃付近までがアパ
チャー領域に対応する。
を図１１に示した。24 kA/mの外部磁界のもとでカー回
転角の測定を行った。図１１より室温のカー回転角の絶
対値をθ1、昇温時のカー回転角の絶対値をθ2としたと
き、 θ1＜θ2 が成り立つ領域が存在する。例えば室温でのカー回転角
は0°であるが、150℃でのカー回転角は0.7°である。
従って室温の領域からの信号は抑圧され、150℃以上の
領域からの信号が検出可能となる。ただし300℃以上の
領域ではカー回転角が急激に低下するため、再び信号強
度が低下する。従って、150℃から300℃付近までがアパ
チャー領域に対応する。
【００６４】製造方法 製造方法を図１８に示す。図１８（ａ）で示したよう
に、厚み1.2mmの透明でフラットなＰＣ基板１８０１上
に、2P法で情報信号を有する凹状のプリピット１８０３
を形成する。１８０２は２Ｐ樹脂である。この状態が図
５の符号１０３に相当する。プリピットの直径は0.4μ
m、深さは50nmの円筒である。ピット底面は平坦であ
る。プリピットはトラック方向に0.8μmのピッチで形成
される。隣接トラックとの距離は1.6μmである。次に図
１８（ｂ）で示したようにスパッタリングによりZnSを5
0nm成膜し１０４の誘電体薄膜とする。100nm程度までの
誘電体薄膜はピットの凹凸構造をそのまま再現すること
ができる。次に図１８（ｃ）で示すようにエンハンスメ
ント層１０２として樹脂をスピンコートにより塗布す
る。フォトレジストは紫外線で硬化させる。フォトレジ
ストの厚みは平坦部において710nmである。図１８
（ｃ）に示したようにピットはフォトレジストにより充
填されており、フォトレジストの大気側表面は平坦にな
っている。この平坦性に関して、5nm以下の凹凸であれ
ば、再生信号に悪影響を与えない。またフォトレジスト
の厚みが2.0μm以内であれば、本実施例でＰＣ基板上に
形成した構造は再生レーザー光のビームウエストにおさ
まり、レーザー光の多重反射を引き起こして本発明の効
果を発揮することができる。次にフォトレジストの上に
前記多層薄膜１０１をスパッタリングにより順に形成す
る。こうして図５で示したディスク構造ができる。
に、厚み1.2mmの透明でフラットなＰＣ基板１８０１上
に、2P法で情報信号を有する凹状のプリピット１８０３
を形成する。１８０２は２Ｐ樹脂である。この状態が図
５の符号１０３に相当する。プリピットの直径は0.4μ
m、深さは50nmの円筒である。ピット底面は平坦であ
る。プリピットはトラック方向に0.8μmのピッチで形成
される。隣接トラックとの距離は1.6μmである。次に図
１８（ｂ）で示したようにスパッタリングによりZnSを5
0nm成膜し１０４の誘電体薄膜とする。100nm程度までの
誘電体薄膜はピットの凹凸構造をそのまま再現すること
ができる。次に図１８（ｃ）で示すようにエンハンスメ
ント層１０２として樹脂をスピンコートにより塗布す
る。フォトレジストは紫外線で硬化させる。フォトレジ
ストの厚みは平坦部において710nmである。図１８
（ｃ）に示したようにピットはフォトレジストにより充
填されており、フォトレジストの大気側表面は平坦にな
っている。この平坦性に関して、5nm以下の凹凸であれ
ば、再生信号に悪影響を与えない。またフォトレジスト
の厚みが2.0μm以内であれば、本実施例でＰＣ基板上に
形成した構造は再生レーザー光のビームウエストにおさ
まり、レーザー光の多重反射を引き起こして本発明の効
果を発揮することができる。次にフォトレジストの上に
前記多層薄膜１０１をスパッタリングにより順に形成す
る。こうして図５で示したディスク構造ができる。
【００６５】再生方法 信号再生条件は以下のとおりである。
【００６６】
【表１２】
【００６７】ただし、再生磁界は基板に対して垂直方向
であり、この方向を第１の方向とする。
であり、この方向を第１の方向とする。
【００６８】再生信号の評価結果 再生時のC/N（狭帯域S/N）を再生パワーごとに以下に示
す。
す。
【００６９】
【表１３】
【００７０】表６によれば3.0mW以上でC/Nが高くなるこ
とがわかる。この3.0mWという値は、通常の光磁気記録
を行ったとき、磁区が形成される温度に対応するレーザ
ーパワーである。また再生磁界を0 A/mにして5.0mWで同
一トラックを読み続けると、C/Nは32dBとなってしま
う。再生磁界が0 A/mであれば、高パワーの再生レーザ
ービームがそのトラックをスキャンしても、ビーム内に
は外部磁界が存在しないためにメイズ磁区が形成され、
見かけのカー回転角を失い本発明の効果を失ってしまう
からである。
とがわかる。この3.0mWという値は、通常の光磁気記録
を行ったとき、磁区が形成される温度に対応するレーザ
ーパワーである。また再生磁界を0 A/mにして5.0mWで同
一トラックを読み続けると、C/Nは32dBとなってしま
う。再生磁界が0 A/mであれば、高パワーの再生レーザ
ービームがそのトラックをスキャンしても、ビーム内に
は外部磁界が存在しないためにメイズ磁区が形成され、
見かけのカー回転角を失い本発明の効果を失ってしまう
からである。
【００７１】次に比較例として以下の構成を有するディ
スクを作製した。
スクを作製した。
【００７２】
【表１４】
【００７３】5.0mWの再生パワーで比較例を評価する
と、C/Nは
と、C/Nは
【００７４】
【表１５】
【００７５】であった。これらの比較例から、本発明の
必要条件として次のことが要求される。
必要条件として次のことが要求される。
【００７６】（１）１０４の誘電体薄膜が必要である。
【００７７】（２）多層膜には、基板側からの測定にお
いて磁気光学的に活性な磁性層を含むことが必要であ
る。
いて磁気光学的に活性な磁性層を含むことが必要であ
る。
【００７８】（３）ピット深さは０ではない有限の値が
必要である。
必要である。
【００７９】なお本実施例３において、エンハンスメン
ト層としてフォトレジストのかわりにSiO2系被膜形成用
塗布液をもちいても、本発明におけるエンハンスメント
層の効果を有する。また本実施例において、ピットは凸
形状でも本発明の効果を有する。
ト層としてフォトレジストのかわりにSiO2系被膜形成用
塗布液をもちいても、本発明におけるエンハンスメント
層の効果を有する。また本実施例において、ピットは凸
形状でも本発明の効果を有する。
【００８０】なお本発明の磁性層は、室温で面内磁化
膜、再生レーザービームを照射して昇温したときの温度
で垂直磁化となる特性を持つものであれば本発明と同等
の効果を有する。従ってこの特性を満たす範囲で本実施
例の磁性層組成のGd量を変えても、あるいは同時にCo量
を変えても本発明の効果は失われない。
膜、再生レーザービームを照射して昇温したときの温度
で垂直磁化となる特性を持つものであれば本発明と同等
の効果を有する。従ってこの特性を満たす範囲で本実施
例の磁性層組成のGd量を変えても、あるいは同時にCo量
を変えても本発明の効果は失われない。
【００８１】〔実施例４〕ここでは実施例１で述べたデ
ィスク構成（３）に関して具体的な実施例を述べる。
ィスク構成（３）に関して具体的な実施例を述べる。
【００８２】ディスク構成 図８は本実施例の側面断面図である。１０１は垂直磁化
を有する磁性層を少なくとも１層含む多層薄膜である。
１０２は透明な樹脂からなるエンハンスメント層、１０
３は基板、１０４は屈折率が１０２、１０３とは異なる
誘電体薄膜である。基板は、表面に２Ｐ法で深さ50nmの
プリピットを形成した屈折率1.6のＰＣ基板を用いた。
多層薄膜１０１の構成も含めて、各薄膜を表１６に示し
た。プリピットは直径０．４ミクロンであり、ピット列
のピッチは０．８ミクロンである。またトラック間の間
隔は１．６ミクロンである。１０２の樹脂としてフォト
レジストを用いた。
を有する磁性層を少なくとも１層含む多層薄膜である。
１０２は透明な樹脂からなるエンハンスメント層、１０
３は基板、１０４は屈折率が１０２、１０３とは異なる
誘電体薄膜である。基板は、表面に２Ｐ法で深さ50nmの
プリピットを形成した屈折率1.6のＰＣ基板を用いた。
多層薄膜１０１の構成も含めて、各薄膜を表１６に示し
た。プリピットは直径０．４ミクロンであり、ピット列
のピッチは０．８ミクロンである。またトラック間の間
隔は１．６ミクロンである。１０２の樹脂としてフォト
レジストを用いた。
【００８３】
【表１６】
【００８４】磁性層で用いたGdFeCoは、室温で希土類の
副格子磁化が優勢（希土類リッチ）であり、室温とキュ
リー温度との間に補償温度を持つ。その組成は、 Gd32Fe59Co9 でありアモルファス膜である。このGdFeCoは単独で室温
では面内磁化膜、昇温すると垂直磁化膜に遷移し、２０
０℃では垂直磁化膜である。磁性層２はキュリー温度３
００℃を有する垂直磁化膜である。磁性層１が垂直磁化
を示す温度領域では、磁性層１の副格子磁化は磁性層２
の副格子磁化方向と同じ方向に向き、垂直磁化膜特有の
角形のヒステリシスループをえがく。
副格子磁化が優勢（希土類リッチ）であり、室温とキュ
リー温度との間に補償温度を持つ。その組成は、 Gd32Fe59Co9 でありアモルファス膜である。このGdFeCoは単独で室温
では面内磁化膜、昇温すると垂直磁化膜に遷移し、２０
０℃では垂直磁化膜である。磁性層２はキュリー温度３
００℃を有する垂直磁化膜である。磁性層１が垂直磁化
を示す温度領域では、磁性層１の副格子磁化は磁性層２
の副格子磁化方向と同じ方向に向き、垂直磁化膜特有の
角形のヒステリシスループをえがく。
【００８５】エンハンスメント層は屈折率1.6の樹脂を
用いる。また各薄膜の屈折率は以下の通りである。
用いる。また各薄膜の屈折率は以下の通りである。
【００８６】
【表１７】
【００８７】このときピット部と平坦部のエンハンスメ
ント層厚み、カー回転角Ｋと反射率Ｒ、さらにその積Ｋ
×Ｒは次の表のようになる。ただし測定は、室温におい
て磁性層１を外部磁界により垂直に磁化した状態で測定
した。
ント層厚み、カー回転角Ｋと反射率Ｒ、さらにその積Ｋ
×Ｒは次の表のようになる。ただし測定は、室温におい
て磁性層１を外部磁界により垂直に磁化した状態で測定
した。
【００８８】
【表１８】
【００８９】また平坦部におけるカー回転角の温度変化
を図１２に示した。各温度ステップごとに800 kA/mの外
部磁界で初期化を行った後、24 kA/mの外部磁界のもと
でカー回転角の測定を行った。図１２より室温のカー回
転角の絶対値をθ1、昇温時のカー回転角の絶対値をθ2
としたとき、 θ1＜θ２ が成り立つ領域が存在する。例えば室温でのカー回転角
は０．１５°であるが、150℃でのカー回転角は0.7°で
ある。従って室温の領域からの信号は抑圧され、150℃
以上の領域からの信号が検出可能となる。ただし300℃
以上の領域ではカー回転角が急激に低下するため、再び
信号強度が低下する。従って、150℃から300℃付近まで
がアパチャー領域に対応する。
を図１２に示した。各温度ステップごとに800 kA/mの外
部磁界で初期化を行った後、24 kA/mの外部磁界のもと
でカー回転角の測定を行った。図１２より室温のカー回
転角の絶対値をθ1、昇温時のカー回転角の絶対値をθ2
としたとき、 θ1＜θ２ が成り立つ領域が存在する。例えば室温でのカー回転角
は０．１５°であるが、150℃でのカー回転角は0.7°で
ある。従って室温の領域からの信号は抑圧され、150℃
以上の領域からの信号が検出可能となる。ただし300℃
以上の領域ではカー回転角が急激に低下するため、再び
信号強度が低下する。従って、150℃から300℃付近まで
がアパチャー領域に対応する。
【００９０】再生方法 信号再生条件は以下のとおりである。
【００９１】
【表１９】
【００９２】信号再生前にはあらかじめ外部磁界を加え
て、磁性層２の磁化方向を初期化しておく。
て、磁性層２の磁化方向を初期化しておく。
【００９３】再生信号の評価結果 再生時のC/N（狭帯域S/N）を再生パワーごとに以下に示
す。
す。
【００９４】
【表２０】
【００９５】表６によれば1.5mW以上でC/Nが高くなるこ
とがわかる。
とがわかる。
【００９６】〔実施例５〕ここでは実施例１で述べたデ
ィスク構成（４）に関して具体的な実施例を述べる。
ィスク構成（４）に関して具体的な実施例を述べる。
【００９７】ディスク構成 図９は本実施例の側面断面図である。１０１は垂直磁化
を有する磁性層を少なくとも１層含む多層薄膜である。
１０２は透明な樹脂からなるエンハンスメント層、１０
３は基板、１０４は屈折率が１０２、１０３とは異なる
誘電体薄膜である。基板は、表面に２Ｐ法で深さ50nmの
プリピットを形成した屈折率1.6のＰＣ基板を用いた。
多層薄膜１０１の構成も含めて、各薄膜を表２１に示し
た。プリピットは直径０．４ミクロンであり、ピット列
のピッチは０．８ミクロンである。またトラック間の間
隔は１．６ミクロンである。１０２の樹脂としてフォト
レジストを用いた。
を有する磁性層を少なくとも１層含む多層薄膜である。
１０２は透明な樹脂からなるエンハンスメント層、１０
３は基板、１０４は屈折率が１０２、１０３とは異なる
誘電体薄膜である。基板は、表面に２Ｐ法で深さ50nmの
プリピットを形成した屈折率1.6のＰＣ基板を用いた。
多層薄膜１０１の構成も含めて、各薄膜を表２１に示し
た。プリピットは直径０．４ミクロンであり、ピット列
のピッチは０．８ミクロンである。またトラック間の間
隔は１．６ミクロンである。１０２の樹脂としてフォト
レジストを用いた。
【００９８】
【表２１】
【００９９】磁性層で用いたGdFeCoは、室温で遷移金属
副格子磁化が優勢（遷移金属リッチ）であり、室温とキ
ュリー温度との間に補償温度を持つ。その組成は、 Gd20Fe70Co10 でありアモルファス膜である。このGdFeCoは、室温では
垂直磁化膜である。一方、磁性層２はキュリー温度が１
３０℃の面内磁化膜である。また磁性層３はキュリー温
度が３００℃以上の面内磁化膜である。磁性層１と磁性
層２、磁性層２と磁性層３は室温で互いに交換結合して
いる。そのため磁性層１は、この多層膜構成において室
温で面内磁化膜となる。しかし昇温すると、磁性層２の
交換結合力が失われ、磁性層１の磁化は磁性層３の支配
から解き放たれる。そのため昇温時には磁性層１は垂直
磁化膜である。
副格子磁化が優勢（遷移金属リッチ）であり、室温とキ
ュリー温度との間に補償温度を持つ。その組成は、 Gd20Fe70Co10 でありアモルファス膜である。このGdFeCoは、室温では
垂直磁化膜である。一方、磁性層２はキュリー温度が１
３０℃の面内磁化膜である。また磁性層３はキュリー温
度が３００℃以上の面内磁化膜である。磁性層１と磁性
層２、磁性層２と磁性層３は室温で互いに交換結合して
いる。そのため磁性層１は、この多層膜構成において室
温で面内磁化膜となる。しかし昇温すると、磁性層２の
交換結合力が失われ、磁性層１の磁化は磁性層３の支配
から解き放たれる。そのため昇温時には磁性層１は垂直
磁化膜である。
【０１００】エンハンスメント層は屈折率1.6の樹脂を
用いる。また各薄膜の屈折率は以下の通りである。
用いる。また各薄膜の屈折率は以下の通りである。
【０１０１】
【表２２】
【０１０２】このときピット部と平坦部のエンハンスメ
ント層厚み、カー回転角Ｋと反射率Ｒ、さらにその積Ｋ
×Ｒは次の表のようになる。ただし測定は、室温におい
て磁性層１を外部磁界により垂直に磁化した状態で測定
した。
ント層厚み、カー回転角Ｋと反射率Ｒ、さらにその積Ｋ
×Ｒは次の表のようになる。ただし測定は、室温におい
て磁性層１を外部磁界により垂直に磁化した状態で測定
した。
【０１０３】
【表２３】
【０１０４】また平坦部におけるカー回転角の温度変化
を図１３に示した。24 kA/mの外部磁界のもとでカー回
転角の測定を行った。図１３より室温のカー回転角の絶
対値をθ1、昇温時のカー回転角の絶対値をθ2としたと
き、 θ1＜θ2 が成り立つ領域が存在する。例えば室温でのカー回転角
は0°であるが、150℃でのカー回転角は0.8°である。
従って室温の領域からの信号は抑圧され、150℃以上の
領域からの信号が検出可能となる。ただし300℃以上の
領域ではカー回転角が急激に低下するため、再び信号強
度が低下する。従って、150℃から300℃付近までがアパ
チャー領域に対応する。
を図１３に示した。24 kA/mの外部磁界のもとでカー回
転角の測定を行った。図１３より室温のカー回転角の絶
対値をθ1、昇温時のカー回転角の絶対値をθ2としたと
き、 θ1＜θ2 が成り立つ領域が存在する。例えば室温でのカー回転角
は0°であるが、150℃でのカー回転角は0.8°である。
従って室温の領域からの信号は抑圧され、150℃以上の
領域からの信号が検出可能となる。ただし300℃以上の
領域ではカー回転角が急激に低下するため、再び信号強
度が低下する。従って、150℃から300℃付近までがアパ
チャー領域に対応する。
【０１０５】再生方法 信号再生条件は以下のとおりである。
【０１０６】
【表２４】
【０１０７】再生信号の評価結果 再生時のC/N（狭帯域S/N）を再生パワーごとに以下に示
す。
す。
【０１０８】
【表２５】
【０１０９】表６によれば1.5mW以上でC/Nが高くなるこ
とがわかる。
とがわかる。
【０１１０】〔実施例６〕実施例２におけるエンハンス
メント層の最適な厚みについて、光学シミュレーション
と測定を用いて議論する。シミュレーションは仮想屈折
率法に従う。波長は830nmとする。なお本実施例のシミ
ュレーションでは、ピットの形状による反射光の回折は
考えず、無限平面を仮定する。また測定はフラット基板
に多層薄膜を積層して行った。図１４は光学シミュレー
ション、測定で取り上げるディスクの側面断面図であ
る。１４００はフラットなＰＣ基板である。媒体構造を
表２６に示した。
メント層の最適な厚みについて、光学シミュレーション
と測定を用いて議論する。シミュレーションは仮想屈折
率法に従う。波長は830nmとする。なお本実施例のシミ
ュレーションでは、ピットの形状による反射光の回折は
考えず、無限平面を仮定する。また測定はフラット基板
に多層薄膜を積層して行った。図１４は光学シミュレー
ション、測定で取り上げるディスクの側面断面図であ
る。１４００はフラットなＰＣ基板である。媒体構造を
表２６に示した。
【０１１１】
【表２６】
【０１１２】基板の屈折率を１．６とする。光は基板側
から入射する。また各薄膜の屈折率は以下の通りであ
る。
から入射する。また各薄膜の屈折率は以下の通りであ
る。
【０１１３】
【表２７】
【０１１４】以下にｘ＝50nmのときの光学シミュレーシ
ョン値と測定結果を示す。以下の図では、横軸がエンハ
ンスメント層厚みy nmである。また実線はシミュレーシ
ョン値、黒ぬきの正方形は測定値である。またこれらの
シミュレーションにおいては、エンハンスメント層の吸
収が０であるため、カー回転角、反射率、カー回転角と
反射率の積はエンハンスメント層の厚みyに対してそれ
ぞれ周期関数となっている。従って少なくとも１周期分
のみを表示すれば、エンハンスメント層厚みy nmに関す
る光学特性を調べる上では十分である。
ョン値と測定結果を示す。以下の図では、横軸がエンハ
ンスメント層厚みy nmである。また実線はシミュレーシ
ョン値、黒ぬきの正方形は測定値である。またこれらの
シミュレーションにおいては、エンハンスメント層の吸
収が０であるため、カー回転角、反射率、カー回転角と
反射率の積はエンハンスメント層の厚みyに対してそれ
ぞれ周期関数となっている。従って少なくとも１周期分
のみを表示すれば、エンハンスメント層厚みy nmに関す
る光学特性を調べる上では十分である。
【０１１５】図１５はエンハンスメント層厚みyとカー
回転角の関係である。エンハンスメント層厚みの２つの
異なる点をとり、この内、小さい方の厚みを情報信号ピ
ット列における平坦部に対応させる。そして大きい方の
厚みを情報ピット列におけるピット部に対応させる。こ
こでカー回転角のプラス領域のピークとマイナス領域の
ピークをこの２点としてとれば、以下の表に示す２つの
エンハンスメント層厚みyの組み合わせにより、情報信
号ピットの変調を実現することができる。例えばその１
例を表１１に示した。
回転角の関係である。エンハンスメント層厚みの２つの
異なる点をとり、この内、小さい方の厚みを情報信号ピ
ット列における平坦部に対応させる。そして大きい方の
厚みを情報ピット列におけるピット部に対応させる。こ
こでカー回転角のプラス領域のピークとマイナス領域の
ピークをこの２点としてとれば、以下の表に示す２つの
エンハンスメント層厚みyの組み合わせにより、情報信
号ピットの変調を実現することができる。例えばその１
例を表１１に示した。
【０１１６】
【表２８】
【０１１７】この場合ａ）よりもｂ）の組合わせを採用
するのが製造技術上有利である。なぜならば深いピット
をフォトレジストで平坦に充填することが困難だからで
ある。図１６はエンハンスメント層厚みyと反射率の関
係である。表１１のａ）ｂ）の組合わせのとき、同じ反
射率間の変調になる。図１７はエンハンスメント層厚み
yと性能指数の関係である。表１１ａ）ｂ）いずれの組
合わせにおいても、性能指数はプラス領域とマイナス領
域のあいだの変調をとることができ、良質な信号品質を
得ることができる。これは多層薄膜１０１の構造をセラ
ミックス／磁性層（20nm程度）／セラミックスとしたこ
とに起因する。例えば比較例７として、多層薄膜１０１
の構造をセラミックス／磁性層（20nm程度）／セラミッ
クス／金属反射膜とした場合、あるいは比較例８として
セラミックス／磁性層（100nm程度）／セラミックスと
した場合、性能指数はプラス領域のみとなり、その変調
量は本実施例と比べて小さいものとなる。比較例７、８
においても第０のセラミックス層にSiなどの高屈折率材
料をつければ、プラス領域とマイナス領域の変調をつく
ることができる。しかしこの場合、第０のセラミックス
層の膜厚依存性が急峻であるた製造マージンが狭くなっ
てしまう。
するのが製造技術上有利である。なぜならば深いピット
をフォトレジストで平坦に充填することが困難だからで
ある。図１６はエンハンスメント層厚みyと反射率の関
係である。表１１のａ）ｂ）の組合わせのとき、同じ反
射率間の変調になる。図１７はエンハンスメント層厚み
yと性能指数の関係である。表１１ａ）ｂ）いずれの組
合わせにおいても、性能指数はプラス領域とマイナス領
域のあいだの変調をとることができ、良質な信号品質を
得ることができる。これは多層薄膜１０１の構造をセラ
ミックス／磁性層（20nm程度）／セラミックスとしたこ
とに起因する。例えば比較例７として、多層薄膜１０１
の構造をセラミックス／磁性層（20nm程度）／セラミッ
クス／金属反射膜とした場合、あるいは比較例８として
セラミックス／磁性層（100nm程度）／セラミックスと
した場合、性能指数はプラス領域のみとなり、その変調
量は本実施例と比べて小さいものとなる。比較例７、８
においても第０のセラミックス層にSiなどの高屈折率材
料をつければ、プラス領域とマイナス領域の変調をつく
ることができる。しかしこの場合、第０のセラミックス
層の膜厚依存性が急峻であるた製造マージンが狭くなっ
てしまう。
【０１１８】さらに仮想屈折率のシミュレーション式か
ら明らかなように、x=0 nmであるときカー回転角の周期
的な変調は起こらない。またこのシミュレーションにお
いては基板とエンハンスメント層の屈折率は等しいとし
たので、仮に第０のセラミックス層の屈折率を、基板あ
るいはエンハンスメント層の屈折率と等しくとればカー
回転角の周期的な変調は起こらないことが明らかであ
る。
ら明らかなように、x=0 nmであるときカー回転角の周期
的な変調は起こらない。またこのシミュレーションにお
いては基板とエンハンスメント層の屈折率は等しいとし
たので、仮に第０のセラミックス層の屈折率を、基板あ
るいはエンハンスメント層の屈折率と等しくとればカー
回転角の周期的な変調は起こらないことが明らかであ
る。
【０１１９】図１９は第０セラミックスの膜厚の下限と
上限を示した図である。構成は表２６と同一である。図
１９において、横軸は第０セラミックス層の厚みxであ
る。縦軸はTmaxである。ただし、エンハンスメント層の
膜厚yをふって最大のカー回転角と最小のカー回転角を
もとめ、その差をとってTmaxとした。信号品質を維持す
る為には、０．５度以上のカー回転角差が好ましい。し
たがって図１９から第０セラミックス層の膜厚xは以下
の条件を満たすことを要求される。
上限を示した図である。構成は表２６と同一である。図
１９において、横軸は第０セラミックス層の厚みxであ
る。縦軸はTmaxである。ただし、エンハンスメント層の
膜厚yをふって最大のカー回転角と最小のカー回転角を
もとめ、その差をとってTmaxとした。信号品質を維持す
る為には、０．５度以上のカー回転角差が好ましい。し
たがって図１９から第０セラミックス層の膜厚xは以下
の条件を満たすことを要求される。
【０１２０】20nm≦ x ≦150nm
【０１２１】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、光磁
気記録方式に用いられている単純な薄膜構造と単純な再
生方法で、高密度なピット信号を超解像で再生すること
ができる。磁性層として室温で垂直磁化、再生レーザー
ビームを照射して昇温したときに面内磁化あるいはキュ
リー温度に達する特性を有するものを用いれば、フロン
トアパチャー再生を実現できる。また磁性層として、室
温で面内磁化、再生レーザービームを照射して昇温した
ときの温度で垂直磁化となる特性を持つものを用いるな
らば、リアアパチャーの超解像再生を行うことができ
る。実施例で述べたように磁性層は交換結合多層膜を用
いてもよい。このように本発明を用いた超解像再生を行
うことで、高密度なＲＯＭの再生が可能となる。
気記録方式に用いられている単純な薄膜構造と単純な再
生方法で、高密度なピット信号を超解像で再生すること
ができる。磁性層として室温で垂直磁化、再生レーザー
ビームを照射して昇温したときに面内磁化あるいはキュ
リー温度に達する特性を有するものを用いれば、フロン
トアパチャー再生を実現できる。また磁性層として、室
温で面内磁化、再生レーザービームを照射して昇温した
ときの温度で垂直磁化となる特性を持つものを用いるな
らば、リアアパチャーの超解像再生を行うことができ
る。実施例で述べたように磁性層は交換結合多層膜を用
いてもよい。このように本発明を用いた超解像再生を行
うことで、高密度なＲＯＭの再生が可能となる。
【０１２２】
【図１】実施例１の側面断面図。
【図２】ピット部でのカー回転角変調を模式的に示した
図。
図。
【図３】ディスク構造（１）に関する側面断面図。
【図４】本発明のフロントアパチャーによる超解像再生
過程を模式的に示した図。
過程を模式的に示した図。
【図５】ディスク構造（２）に関する側面断面図。
【図６】本発明のリアアパチャーによる超解像再生過程
を模式的に示した図。
を模式的に示した図。
【図７】本発明のセンターアパチャーによる超解像再生
過程を模式的に示した図。
過程を模式的に示した図。
【図８】ディスク構造（３）に関する側面断面図。
【図９】ディスク構造（４）に関する側面断面図
【図１０】実施例２でカー回転角の温度依存性を示す
図。
図。
【図１１】実施例３でカー回転角の温度依存性を示す
図。
図。
【図１２】実施例４でカー回転角の温度依存性を示す
図。
図。
【図１３】実施例５でカー回転角の温度依存性を示す
図。
図。
【図１４】実施例６におけるディスクの側面断面図。
【図１５】エンハンスメント層厚みとカー回転角の関係
を示す図。
を示す図。
【図１６】エンハンスメント層厚みと反射率の関係を示
す図。
す図。
【図１７】エンハンスメント層厚みと性能指数の関係を
示す図。
示す図。
【図１８】実施例２でディスクの製造過程を示す図。
【図１９】第０セラミックスの膜厚の下限と上限を示し
た図。
た図。
１０１ 磁性層を含んだ多層薄膜 １０２ エンハンスメント層 １０３ 基板 １０４ 誘電体 ２０１ 第１の領域（平坦部） ２０２ 第２の領域（ROMピット部） ２０３ ROMヒ゜ット部でかつ、磁性層の磁化が垂直方向を
向くことでカー回転角による情報信号を有する領域 ４０１ フロントアパチャー再生におけるマスク領域A ４０２ フロントアパチャー再生におけるアパチャー領
域B ６０１ リアアパチャー再生におけるアパチャー領域Ｂ ６０２ リアアパチャー再生におけるマスク領域Ａ ７０１ センターアパチャー再生におけるアパチャー領
域Ｂ ７０２ センターアパチャー再生におけるマスク領域Ａ ７０３ センターアパチャー再生におけるもう一つのマ
スク領域Ｃ
向くことでカー回転角による情報信号を有する領域 ４０１ フロントアパチャー再生におけるマスク領域A ４０２ フロントアパチャー再生におけるアパチャー領
域B ６０１ リアアパチャー再生におけるアパチャー領域Ｂ ６０２ リアアパチャー再生におけるマスク領域Ａ ７０１ センターアパチャー再生におけるアパチャー領
域Ｂ ７０２ センターアパチャー再生におけるマスク領域Ａ ７０３ センターアパチャー再生におけるもう一つのマ
スク領域Ｃ
フロントページの続き (72)発明者 石田 方哉 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 (72)発明者 川瀬 健夫 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内
Claims (17)
- 【請求項１】ａ）透明な基板表面上に情報信号を担うピ
ット部を形成し、 ｂ）前記ピット部は凹状または凸状で、 ｃ）前記ピット部のみ光学的干渉構造を変えた多層薄膜
を前記基板表面上に積層し、前記多層薄膜は少なくとも
１層の磁性層を有し、前記ピット部と前記ピット部以外
の場所のカー回転角を異ならせ、かつ前記ピット部と前
記ピット部以外の場所のカー回転角と反射率の積を異な
らせ ｄ）前記多層薄膜は、室温におけるカー回転角の絶対値
をθ1とし、昇温時のカー回転角の絶対値をθ2としたと
き、 θ1≠θ2 としたことを特徴とする高密度光ディスク。 - 【請求項２】 請求項１に記載の高密度光ディスクを再
生する方法において、 ａ）再生レーザビームのパワーを一定の値Ｐｒに上げ、
前記パワーＰｒによって前記ビームスポット内の一部の
領域Ａを昇温し、前記領域Ａに含まれる前記磁性層をキ
ュリー温度付近まで昇温し、前記領域Ａをマスク領域と
することで磁気的超解像を達成し、 ｂ）磁気光学効果の差として前記情報信号を再生するこ
とを特徴とする高密度光ディスクの再生方法。 - 【請求項３】 請求項１に記載の高密度光ディスクを再
生する方法において、 ａ）再生レーザビームのパワーを一定の値Ｐｒに上げ、
前記パワーＰｒによって前記ビームスポット内の一部の
領域Ａを昇温し、前記領域Ａをアパチャー領域とするこ
とで磁気的超解像を達成し、 ｂ）磁気光学効果の差として前記情報信号を再生するこ
とを特徴とする高密度光ディスクの再生方法。 - 【請求項４】ａ）透明な基板表面上に情報信号を担うピ
ット部を形成し、 ｂ）前記ピット部は凹状または凸状で、 ｃ）前記ピット部のみ光学的干渉構造を変えた多層薄膜
を前記基板表面上に積層し、前記多層薄膜は少なくとも
１層の希土類遷移金属アモルファス合金からなる磁性層
を有し、前記ピット部と前記ピット部以外の場所のカー
回転角を異ならせ、かつ前記ピット部と前記ピット部以
外の場所のカー回転角と反射率の積を異ならせ ｄ）前記磁性層は室温で垂直磁化膜であり ｅ）前記多層薄膜は、室温におけるカー回転角の絶対値
をθ1とし、昇温時のカー回転角の絶対値をθ2としたと
き、 θ1＞θ2 としたことを特徴とする高密度光ディスク。 - 【請求項５】 請求項４に記載の高密度光ディスクを再
生する方法において、 ａ）再生レーザビームのパワーを一定の値Ｐｒに上げ、
前記パワーＰｒによって前記ビームスポット内の一部の
領域Ａを昇温し、前記領域Ａに含まれる前記磁性層をキ
ュリー温度付近まで昇温し、前記領域Ａをマスク領域と
することで磁気的超解像を達成し、 ｂ）磁気光学効果の差として前記情報信号を再生するこ
とを特徴とする高密度光ディスクの再生方法。 - 【請求項６】ａ）透明な基板表面上に情報信号を担うピ
ット部を形成し、 ｂ）前記ピット部は凹状または凸状で、 ｃ）前記ピット部のみ光学的干渉構造を変えた多層薄膜
を前記基板表面上に積層し、前記多層薄膜は少なくとも
１層の希土類遷移金属アモルファス合金からなる磁性層
を有し、前記ピット部と前記ピット部以外の場所のカー
回転角を異ならせ、かつ前記ピット部と前記ピット部以
外の場所のカー回転角と反射率の積を異ならせ ｄ）前記磁性層は、室温で面内磁化であり、昇温時に垂
直磁化となり ｅ）前記多層薄膜は、室温におけるカー回転角の絶対値
をθ1とし、昇温時のカー回転角の絶対値をθ2としたと
き、 θ1＜θ2 としたことを特徴とする高密度光ディスク。 - 【請求項７】 請求項６に記載の高密度光ディスクを再
生する方法において、 ａ）再生レーザビームのパワーを一定の値Ｐｒに上げ、
前記パワーＰｒによって前記ビームスポット内の一部の
領域Ａを昇温し、前記領域Ａをアパチャー領域とするこ
とで磁気的超解像を達成し、 ｂ）磁気光学効果の差として前記情報信号を再生するこ
とを特徴とする高密度光ディスクの再生方法。 - 【請求項８】 請求項６記載の高密度光ディスクにおい
て、前記磁性層の主たる成分が希土類リッチのGdFeCoか
らなることを特徴とする高密度光ディスク。 - 【請求項９】 請求項６記載の高密度光ディスクにおい
て、前記磁性層が有すべき、室温で面内磁化であり昇温
時に垂直磁化となる前記特性を、以下の構成によって実
現する、 ａ）前記磁性層を磁性層１と記すとき、前記磁性層１に
隣接して少なくとも磁性層２を順に積層し、 ｂ）前記磁性層２は垂直磁化膜であり、 ｄ）前記磁性層１と前記磁性層２は交換結合をする、 以上のことを特徴とする高密度光ディスク。 - 【請求項１０】 請求項９に記載の高密度光ディスクを
再生する方法において、 ａ）再生レーザビームのパワーを一定の値Ｐｒに上げ、
前記パワーＰｒによって前記ビームスポット内の一部の
領域Ａを昇温し、前記領域Ａをアパチャー領域とするこ
とで磁気的超解像を達成し、 ｂ）磁気光学効果の差として前記情報信号を再生するこ
とを特徴とする高密度光ディスクの再生方法。 - 【請求項１１】ａ）透明な基板表面上に情報信号を担う
ピット部を形成し、 ｂ）前記ピット部は凹状または凸状で、 ｃ）前記ピット部のみ光学的干渉構造を変えた多層薄膜
を前記基板表面上に積層し、前記多層薄膜は少なくとも
１層の希土類遷移金属アモルファス合金からなる磁性層
を有し、前記ピット部と前記ピット部以外の場所のカー
回転角を異ならせ、かつ前記ピット部と前記ピット部以
外の場所のカー回転角と反射率の積を異ならせ ｄ）前記磁性層は、少なくとも３つの磁性層からなり、
その内訳は、単独では室温で垂直磁化である磁性層１
と、比較的キュリー温度の低い磁性層２と、単独では室
温で面内磁化である磁性層３からなり、前記磁性層１と
前記磁性層３は室温で前記磁性層２を介して交換結合し
ており、 ｅ）前記磁性層１は室温で前記交換結合のために面内磁
化であり、 ｆ）昇温時に、前記磁性層２の交換結合力が低下し、前
記磁性層１と前記磁性層３の交換結合力が低下し、前記
磁性層１は垂直磁化に遷移する、 ｇ）前記多層薄膜は、室温におけるカー回転角の絶対値
をθ1とし、昇温時のカー回転角の絶対値をθ2としたと
き、 θ1＜θ2 としたことを特徴とする高密度光ディスク。 - 【請求項１２】 請求項１１に記載の高密度光ディスク
を再生する方法において、 ａ）再生レーザビームのパワーを一定の値Ｐｒに上げ、
前記パワーＰｒによって前記ビームスポット内の一部の
領域Ａを昇温し、前記領域Ａをアパチャー領域とするこ
とで磁気的超解像を達成し、 ｂ）磁気光学効果の差として前記情報信号を再生するこ
とを特徴とする高密度光ディスクの再生方法。 - 【請求項１３】 請求項１１記載の高密度光ディスクに
おいて、前記磁性層１の希土類の主たる成分がGdからな
ることを特徴とする高密度光ディスク。 - 【請求項１４】ａ）透明な基板表面上に情報信号を担う
ピット部を形成し、 ｂ）前記ピット部は凹状または凸状で、 ｃ）前記ピット部のみ光学的干渉構造を変えた多層薄膜
を前記基板表面上に積層し、前記多層薄膜は少なくとも
１層の磁性層を有し、前記ピット部と前記ピット部以外
の場所のカー回転角を異ならせ、かつ前記ピット部と前
記ピット部以外の場所のカー回転角と反射率の積を異な
らせ ｄ）前記多層薄膜は、室温におけるカー回転角の絶対値
をθ1とし、昇温時のカー回転角の絶対値をθ2としたと
き、 θ1≠θ2 ｅ）前記光学的干渉構造は、基板上に第１の薄膜、第２
の透明な薄膜、第３の多層薄膜を順に積層することで構
成され、前記第２の薄膜の厚みを前記ピット部と前記ピ
ット部以外の場所で変調し、前記第１の薄膜の屈折率を
n１、前記第２の薄膜の屈折率をn２、前記第３の多層薄
膜の屈折率をn３としたとき n2≠n1 かつ n2≠n3 としたことを特徴とする高密度光ディスク。 - 【請求項１５】 請求項１４記載の高密度光ディスクに
おいて、前記第３の多層薄膜が、前記ピット部と前記ピ
ット部以外の場所によらず平坦であることを特徴とする
高密度光ディスク。 - 【請求項１６】 請求項１５記載の高密度光ディスクに
おいて、前記平坦な面を形成するために前記ピット部に
充填する材料として、フォトレジストを用いることを特
徴とする高密度光ディスク。 - 【請求項１７】 請求項１５記載の高密度光ディスクに
おいて、前記平坦な面を形成するために前記ピット部に
充填する材料として、 SiO2系被膜形成用塗布液を用い
て形成されるSiO2を用いることを特徴とする高密度光デ
ィスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03412996A JP3557770B2 (ja) | 1995-02-22 | 1996-02-21 | 高密度光ディスク、および、その再生方法 |
Applications Claiming Priority (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3359495 | 1995-02-22 | ||
| JP13953995 | 1995-06-06 | ||
| JP15061895 | 1995-06-16 | ||
| JP7-139539 | 1995-06-16 | ||
| JP7-150618 | 1995-06-16 | ||
| JP7-33594 | 1995-06-16 | ||
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