JP2000285536A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 記録密度が高密度になっても録層の各磁区を
正確に再生層に転写し、その転写した磁区を大きな再生
信号強度で検出できる光磁気記録媒体を提供する。 【解決手段】 光磁気記録媒体１０は、透光性基板１
と、下地層２と、再生層３と、非磁性層４と、マスク層
５と、記録層６と、保護層７とを備える。再生層３は所
定の温度以上で面内磁化膜から垂直磁化膜になる磁性層
であり、マスク層５は、室温で面内磁化膜であり、所定
の温度以上で磁化が消滅する磁性層である。また、再生
層３と非磁性層４との界面でもレーザ光の反射率が大き
くなるように再生層３の屈折率と非磁性層４の屈折率が
決定される。
正確に再生層に転写し、その転写した磁区を大きな再生
信号強度で検出できる光磁気記録媒体を提供する。 【解決手段】 光磁気記録媒体１０は、透光性基板１
と、下地層２と、再生層３と、非磁性層４と、マスク層
５と、記録層６と、保護層７とを備える。再生層３は所
定の温度以上で面内磁化膜から垂直磁化膜になる磁性層
であり、マスク層５は、室温で面内磁化膜であり、所定
の温度以上で磁化が消滅する磁性層である。また、再生
層３と非磁性層４との界面でもレーザ光の反射率が大き
くなるように再生層３の屈折率と非磁性層４の屈折率が
決定される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、信号を記録および
／または再生する光磁気記録媒体に関するものである。
／または再生する光磁気記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録媒体は、書き換え可能で、記
憶容量が大きく、且つ、信頼性の高い記録媒体として注
目されており、コンピュータメモリ等として実用化され
始めている。また、最近では、記録容量が６．０Ｇｂｙ
ｔｅｓの光磁気記録媒体がＡＳ−ＭＯ（Ａｄｖａｎｃｅ
ｄ Ｓｔｏｒａｇｅ Ｍａｇｎｅｔｏ Ｏｐｔｉｃａｌ
Ｄｉｓｋ）規格として進められ、実用化されようとして
いる。かかる高密度な光磁気記録媒体からの信号の再生
は、レーザ光を照射することにより、光磁気記録媒体の
記録層の磁区を再生層へ転写すると共に、その転写した
磁区だけを検出できるように再生層に検出窓を形成し、
その形成した検出窓から転写した磁区を検出するＭＳＲ
（Ｍａｇｎｅｔｉｃａｌｌｙ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｓｕｐ
ｅｒ Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ）法により行われている。
憶容量が大きく、且つ、信頼性の高い記録媒体として注
目されており、コンピュータメモリ等として実用化され
始めている。また、最近では、記録容量が６．０Ｇｂｙ
ｔｅｓの光磁気記録媒体がＡＳ−ＭＯ（Ａｄｖａｎｃｅ
ｄ Ｓｔｏｒａｇｅ Ｍａｇｎｅｔｏ Ｏｐｔｉｃａｌ
Ｄｉｓｋ）規格として進められ、実用化されようとして
いる。かかる高密度な光磁気記録媒体からの信号の再生
は、レーザ光を照射することにより、光磁気記録媒体の
記録層の磁区を再生層へ転写すると共に、その転写した
磁区だけを検出できるように再生層に検出窓を形成し、
その形成した検出窓から転写した磁区を検出するＭＳＲ
（Ｍａｇｎｅｔｉｃａｌｌｙ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｓｕｐ
ｅｒ Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ）法により行われている。
【０００３】また、光磁気記録媒体からの信号再生にお
いて交番磁界を印加し、レーザ光と交番磁界とにより記
録層の磁区を再生層へ拡大転写して信号を再生する磁区
拡大再生技術も開発されており、この技術を用いること
により１４Ｇｂｙｔｅｓの信号を記録および／または再
生することができる光磁気記録媒体も提案されている。
いて交番磁界を印加し、レーザ光と交番磁界とにより記
録層の磁区を再生層へ拡大転写して信号を再生する磁区
拡大再生技術も開発されており、この技術を用いること
により１４Ｇｂｙｔｅｓの信号を記録および／または再
生することができる光磁気記録媒体も提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、記録密度が高
密度になるに伴い、レーザ光を照射して記録層の磁区を
再生層へ転写する際に複数の磁区が再生層へ転写され、
信号再生を正確に行うことができないという問題が生じ
た。この問題は、ＭＳＲ法により信号再生を行う光磁気
記録媒体および磁区拡大再生により信号再生を行う光磁
気記録媒体において生じている。また、検出される再生
信号の強度を増加させる必要もある。
密度になるに伴い、レーザ光を照射して記録層の磁区を
再生層へ転写する際に複数の磁区が再生層へ転写され、
信号再生を正確に行うことができないという問題が生じ
た。この問題は、ＭＳＲ法により信号再生を行う光磁気
記録媒体および磁区拡大再生により信号再生を行う光磁
気記録媒体において生じている。また、検出される再生
信号の強度を増加させる必要もある。
【０００５】そこで、本発明は、かかる問題を解決し、
記録密度が高くなっても記録層の各磁区を正確に再生層
に転写し、その転写した磁区を大きな再生信号強度で検
出できる光磁気記録媒体を提供することを目的とする。
記録密度が高くなっても記録層の各磁区を正確に再生層
に転写し、その転写した磁区を大きな再生信号強度で検
出できる光磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段および発明の効果】請求項
１に係る発明は、再生層と、非磁性層と、マスク層と、
記録層とを含む光磁気記録媒体である。
１に係る発明は、再生層と、非磁性層と、マスク層と、
記録層とを含む光磁気記録媒体である。
【０００７】非磁性層は、再生層に接して形成される。
【０００８】また、マスク層は、非磁性層に接して形成
された第１の温度以上で所定の領域は磁化が消滅し、所
定の領域以外の領域は面内磁化を保持する。
された第１の温度以上で所定の領域は磁化が消滅し、所
定の領域以外の領域は面内磁化を保持する。
【０００９】また、記録層は、マスク層に接して形成さ
れる。
れる。
【００１０】そして、再生層の屈折率をｎ１、非磁性層
の屈折率をｎ２とした場合、ｎ１＞ｎ２の関係を満た
す。
の屈折率をｎ２とした場合、ｎ１＞ｎ２の関係を満た
す。
【００１１】請求項１に記載された光磁気記録媒体にお
いては、レーザ光が照射されると、マスク層のうち、第
１の温度以上の領域は磁化が消滅し、第１の温度以下の
領域は面内磁化を保持する。そして、再生層とマスク層
との間には非磁性層が挿入され、再生層の屈折率ｎ１と
非磁性層の屈折率ｎ２との間にはｎ１＞ｎ２の関係が成
立する。
いては、レーザ光が照射されると、マスク層のうち、第
１の温度以上の領域は磁化が消滅し、第１の温度以下の
領域は面内磁化を保持する。そして、再生層とマスク層
との間には非磁性層が挿入され、再生層の屈折率ｎ１と
非磁性層の屈折率ｎ２との間にはｎ１＞ｎ２の関係が成
立する。
【００１２】そうすると、記録層のうち、第１の温度以
上に昇温されたマスク層に隣接する記録層の磁区がマス
ク層の磁化が消滅した領域、および非磁性層を介して静
磁結合により再生層へ転写される。そして再生層に照射
されたレーザ光は、再生層表面で反射されると共に、再
生層と非磁性層との界面でも反射され、再生層の表面で
反射されたレーザ光と、再生層と非磁性層との界面で反
射されたレーザ光とが再生信号として検出される。
上に昇温されたマスク層に隣接する記録層の磁区がマス
ク層の磁化が消滅した領域、および非磁性層を介して静
磁結合により再生層へ転写される。そして再生層に照射
されたレーザ光は、再生層表面で反射されると共に、再
生層と非磁性層との界面でも反射され、再生層の表面で
反射されたレーザ光と、再生層と非磁性層との界面で反
射されたレーザ光とが再生信号として検出される。
【００１３】従って、請求項１に記載された発明によれ
ば、記録層の各磁区を独立に再生層へ静磁結合により転
写できると共に、再生信号の強度を大きくできる。
ば、記録層の各磁区を独立に再生層へ静磁結合により転
写できると共に、再生信号の強度を大きくできる。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図を参照し
つつ説明する。図１を参照して、本願発明に係る光磁気
記録媒体の断面構造について説明する。光磁気記録媒体
１０は、透光性基板１と、下地層２と、再生層３と、非
磁性層４と、マスク層５と、記録層６と、保護層７とを
備える。
つつ説明する。図１を参照して、本願発明に係る光磁気
記録媒体の断面構造について説明する。光磁気記録媒体
１０は、透光性基板１と、下地層２と、再生層３と、非
磁性層４と、マスク層５と、記録層６と、保護層７とを
備える。
【００１５】透光性基板１は、ガラス、ポリカーボネー
ト等から成り、下地層２は、ＳｉＮから成り、再生層３
は、ＧｄＦｅＣｏから成り、非磁性層４は、ＳｉＮから
成り、マスク層５は、ＧｄＦｅ若しくはＧｄＦｅＡｌか
ら成り、記録層６は、ＴｄＦｅＣｏから成り、保護層７
は、紫外線硬化樹脂から成る。
ト等から成り、下地層２は、ＳｉＮから成り、再生層３
は、ＧｄＦｅＣｏから成り、非磁性層４は、ＳｉＮから
成り、マスク層５は、ＧｄＦｅ若しくはＧｄＦｅＡｌか
ら成り、記録層６は、ＴｄＦｅＣｏから成り、保護層７
は、紫外線硬化樹脂から成る。
【００１６】また、下地層２の膜厚は、３５０〜１６０
０Åであり、再生層３の膜厚は、１５０〜８００Åであ
り、非磁性層４の膜厚は、５０〜４００Åであり、マス
ク層５の膜厚は、５０〜４００Åであり、記録層６の膜
厚は２００〜２０００Åであり、保護層７の膜厚は１０
μｍ程度である。
０Åであり、再生層３の膜厚は、１５０〜８００Åであ
り、非磁性層４の膜厚は、５０〜４００Åであり、マス
ク層５の膜厚は、５０〜４００Åであり、記録層６の膜
厚は２００〜２０００Åであり、保護層７の膜厚は１０
μｍ程度である。
【００１７】下地層２は、透光性基板１上にＧｄＦｅＣ
ｏ等の磁性層を直接形成すると、ＧｄＦｅＣｏ等の磁性
層の品質が低下し、記録特性や再生特性が低下するのを
防止するために形成される。
ｏ等の磁性層を直接形成すると、ＧｄＦｅＣｏ等の磁性
層の品質が低下し、記録特性や再生特性が低下するのを
防止するために形成される。
【００１８】再生層３を構成するＧｄＦｅＣｏは、室温
で面内磁化膜であり、レーザ光が照射され、１５０℃以
上に昇温されると垂直磁化膜となる。
で面内磁化膜であり、レーザ光が照射され、１５０℃以
上に昇温されると垂直磁化膜となる。
【００１９】また、マスク層５を構成するＧｄＦｅ若し
くはＧｄＦｅＡｌは、室温で面内磁化膜であり、信号の
再生温度である１５０℃より低い１４０℃程度で磁化が
消滅する。即ち、マスク層５は、室温では面内方向の磁
化を有し、再生温度より低い温度で磁化が消滅する磁性
膜である。
くはＧｄＦｅＡｌは、室温で面内磁化膜であり、信号の
再生温度である１５０℃より低い１４０℃程度で磁化が
消滅する。即ち、マスク層５は、室温では面内方向の磁
化を有し、再生温度より低い温度で磁化が消滅する磁性
膜である。
【００２０】また、記録層６を構成するＴｂＦｅＣｏ
は、垂直磁化膜である。
は、垂直磁化膜である。
【００２１】下地層２を構成するＳｉＮ、再生層３を構
成するＧｄＦｅＣｏ、非磁性層４を構成するＳｉＮ、マ
スク層５を構成するＧｄＦｅ若しくはＧｄＦｅＡｌ、お
よび記録層６を構成するＴｄＦｅＣｏは、スパッタリン
グ法により形成される。下地層２を構成するＳｉＮ、お
よび記録層７を構成するＴｂＦｅＣｏは、周知の条件で
形成することができる。
成するＧｄＦｅＣｏ、非磁性層４を構成するＳｉＮ、マ
スク層５を構成するＧｄＦｅ若しくはＧｄＦｅＡｌ、お
よび記録層６を構成するＴｄＦｅＣｏは、スパッタリン
グ法により形成される。下地層２を構成するＳｉＮ、お
よび記録層７を構成するＴｂＦｅＣｏは、周知の条件で
形成することができる。
【００２２】図２を参照して、マスク層５用のＧｄＦｅ
の形成条件について説明する。ターゲットは、ＧｄＦｅ
であり、スパッタガスとしてのＡｒガス流量は、４０〜
８０ｓｃｃｍの範囲であり、典型的には６０ｓｃｃｍで
ある。また、反応圧力は、３〜１０ｍＴｏｒｒの範囲で
あり、典型的には７ｍＴｏｒｒである。また、ＤＣパワ
ーは、０．５〜３．０Ｗ／ｃｍ2の範囲であり、典型的
には１．４Ｗ／ｃｍ2である。また、基板温度は、２０
〜８０℃の範囲であり、典型的には６０℃である。
の形成条件について説明する。ターゲットは、ＧｄＦｅ
であり、スパッタガスとしてのＡｒガス流量は、４０〜
８０ｓｃｃｍの範囲であり、典型的には６０ｓｃｃｍで
ある。また、反応圧力は、３〜１０ｍＴｏｒｒの範囲で
あり、典型的には７ｍＴｏｒｒである。また、ＤＣパワ
ーは、０．５〜３．０Ｗ／ｃｍ2の範囲であり、典型的
には１．４Ｗ／ｃｍ2である。また、基板温度は、２０
〜８０℃の範囲であり、典型的には６０℃である。
【００２３】図３は、マスク層５用のＧｄＦｅＡｌの形
成条件である。ＧｄＦｅＡｌを形成する場合には、Ｇｄ
Ｆｅターゲット上にＡｌチップを載せ、それをスパッタ
リングすることにより形成する。その場合のＡｒガス流
量は、４０〜８０ｓｃｃｍの範囲であり、典型的には６
０ｓｃｃｍである。また、反応圧力は、３〜１０ｍＴｏ
ｒｒの範囲であり、典型的には７ｍＴｏｒｒである。ま
た、ＤＣパワーは、０．５〜３．０Ｗ／ｃｍ2の範囲で
あり、典型的には１．４Ｗ／ｃｍ2である。また、基板
温度は、２０〜８０℃の範囲であり、典型的には６０℃
である。
成条件である。ＧｄＦｅＡｌを形成する場合には、Ｇｄ
Ｆｅターゲット上にＡｌチップを載せ、それをスパッタ
リングすることにより形成する。その場合のＡｒガス流
量は、４０〜８０ｓｃｃｍの範囲であり、典型的には６
０ｓｃｃｍである。また、反応圧力は、３〜１０ｍＴｏ
ｒｒの範囲であり、典型的には７ｍＴｏｒｒである。ま
た、ＤＣパワーは、０．５〜３．０Ｗ／ｃｍ2の範囲で
あり、典型的には１．４Ｗ／ｃｍ2である。また、基板
温度は、２０〜８０℃の範囲であり、典型的には６０℃
である。
【００２４】なお、図２、３に示した形成条件でマスク
層５を形成する際には、透光性基板１は、３３ｒｐｍで
回転されている。
層５を形成する際には、透光性基板１は、３３ｒｐｍで
回転されている。
【００２５】図４を参照して、本願発明に係る光磁気記
録媒体１０の再生層３とマスク層５の磁性特性について
説明する。縦軸は磁化、横軸は温度である。再生層３
は、室温で面内磁化膜であり、温度が室温以上に上昇し
て１５０℃程度になると垂直磁化膜となる。そして、更
に温度が上昇して３５０℃程度になるとキュリー温度Ｔ
ｃ１に達し、磁化が消滅する。一方、マスク層５は、室
温で面内磁化膜であり、温度上昇と共に磁化が弱くな
り、１４０℃程度になるとキュリー温度Ｔｃ２に達し、
磁化が消滅する。
録媒体１０の再生層３とマスク層５の磁性特性について
説明する。縦軸は磁化、横軸は温度である。再生層３
は、室温で面内磁化膜であり、温度が室温以上に上昇し
て１５０℃程度になると垂直磁化膜となる。そして、更
に温度が上昇して３５０℃程度になるとキュリー温度Ｔ
ｃ１に達し、磁化が消滅する。一方、マスク層５は、室
温で面内磁化膜であり、温度上昇と共に磁化が弱くな
り、１４０℃程度になるとキュリー温度Ｔｃ２に達し、
磁化が消滅する。
【００２６】一般に、光磁気記録媒体にレーザ光を照射
し、信号を再生する際の温度は１５０℃程度である。従
って、光磁気記録媒体１０にレーザ光を照射し、信号を
再生する際にはマスク層５のうち１４０℃以上の領域は
磁化が消滅し、１４０℃以上の領域以外の領域は、面内
方向の磁化を有する。
し、信号を再生する際の温度は１５０℃程度である。従
って、光磁気記録媒体１０にレーザ光を照射し、信号を
再生する際にはマスク層５のうち１４０℃以上の領域は
磁化が消滅し、１４０℃以上の領域以外の領域は、面内
方向の磁化を有する。
【００２７】図５を参照して、レーザ光は、一般にガウ
ス分布で表される強度分布を有し、この強度分布を有す
るレーザ光が光磁気記録媒体１０に照射されると、所定
の値Ｗを有する領域が１４０℃以上に昇温される。即
ち、所定の値Ｗを有する領域は、磁化が消滅し、それ以
外の領域は面内磁化を有する。そして、本願発明では、
所定の値Ｗが記録層６の最短ドメイン長とほぼ一致す
る。
ス分布で表される強度分布を有し、この強度分布を有す
るレーザ光が光磁気記録媒体１０に照射されると、所定
の値Ｗを有する領域が１４０℃以上に昇温される。即
ち、所定の値Ｗを有する領域は、磁化が消滅し、それ以
外の領域は面内磁化を有する。そして、本願発明では、
所定の値Ｗが記録層６の最短ドメイン長とほぼ一致す
る。
【００２８】記録容量が６Ｇｂｙｔｅｓの場合、最短ド
メイン長は、０．２３５μｍであり、その場合、レーザ
光が照射された場合に１４０℃以上に昇温される領域が
０．２３５μｍとなるようにＧｄＦｅ中のＧｄの含有
量、もしくはＧｄＦｅＡｌ中のＧｄの含有量を制御す
る。同様に、記録容量が１４Ｇｂｙｔｅｓの場合には、
最短ドメイン長は、０．１μｍであり、レーザ光が照射
された場合に１４０℃以上に昇温される領域が０．１μ
ｍとなるようにＧｄＦｅ中のＧｄの含有量、もしくはＧ
ｄＦｅＡｌ中のＧｄの含有量を制御する。
メイン長は、０．２３５μｍであり、その場合、レーザ
光が照射された場合に１４０℃以上に昇温される領域が
０．２３５μｍとなるようにＧｄＦｅ中のＧｄの含有
量、もしくはＧｄＦｅＡｌ中のＧｄの含有量を制御す
る。同様に、記録容量が１４Ｇｂｙｔｅｓの場合には、
最短ドメイン長は、０．１μｍであり、レーザ光が照射
された場合に１４０℃以上に昇温される領域が０．１μ
ｍとなるようにＧｄＦｅ中のＧｄの含有量、もしくはＧ
ｄＦｅＡｌ中のＧｄの含有量を制御する。
【００２９】例えば、１４０℃以上に昇温される領域を
０．２３５μｍとするためには、ＧｄＦｅ中のＧｄの含
有量を２０ａｔ．％、ＧｄＦｅＡｌ中のＧｄの含有量を
１５ａｔ．％とする。また、１４０℃以上に昇温される
領域を０．１μｍとするためには、ＧｄＦｅ中のＧｄの
含有量を２０ａｔ．％、ＧｄＦｅＡｌ中のＧｄの含有量
を１５ａｔ．％とする。
０．２３５μｍとするためには、ＧｄＦｅ中のＧｄの含
有量を２０ａｔ．％、ＧｄＦｅＡｌ中のＧｄの含有量を
１５ａｔ．％とする。また、１４０℃以上に昇温される
領域を０．１μｍとするためには、ＧｄＦｅ中のＧｄの
含有量を２０ａｔ．％、ＧｄＦｅＡｌ中のＧｄの含有量
を１５ａｔ．％とする。
【００３０】一般に、室温で面内磁化膜であり、再生温
度より低い１４０℃程度でキュリー温度に達する磁性材
料とするには、ＧｄＦｅ中のＧｄの含有量を１７〜２２
ａｔ．％の範囲、ＧｄＦｅＡｌ中のＧｄの含有量を１３
〜１８ａｔ．％の範囲とすれば良い。
度より低い１４０℃程度でキュリー温度に達する磁性材
料とするには、ＧｄＦｅ中のＧｄの含有量を１７〜２２
ａｔ．％の範囲、ＧｄＦｅＡｌ中のＧｄの含有量を１３
〜１８ａｔ．％の範囲とすれば良い。
【００３１】従って、本願発明においては、レーザ光が
光磁気記録媒体１０に照射された場合、マスク層５のう
ち磁化が消滅する領域を記録層６の最短ドメイン長とほ
ぼ同等にすることにより記録層７の各磁区を独立に再生
層３に転写することを第１の特徴とする。
光磁気記録媒体１０に照射された場合、マスク層５のう
ち磁化が消滅する領域を記録層６の最短ドメイン長とほ
ぼ同等にすることにより記録層７の各磁区を独立に再生
層３に転写することを第１の特徴とする。
【００３２】図６を参照して、非磁性層４を構成するＳ
ｉＮの形成条件について説明する。ターゲットは、Ｓｉ
であり、スパッタガスとしてのＡｒガス流量は、４０〜
８０ｓｃｃｍの範囲であり、典型的には６０ｓｃｃｍで
あり、Ｎ2ガス流量は、５〜２０ｓｃｃｍの範囲であ
り、典型的には１５ｓｃｃｍである。また、反応圧力
は、３〜１０ｍＴｏｒｒの範囲であり、典型的には７ｍ
Ｔｏｒｒである。また、ＤＣパワーは、２．５〜４．０
Ｗ／ｃｍ2の範囲であり、典型的には３．６Ｗ／ｃｍ2で
ある。また、基板温度は、２０〜８０℃の範囲であり、
典型的には６０℃である。図６に示す形成条件でＳｉＮ
を形成することにより屈折率が１．８〜２．５の範囲の
ＳｉＮを形成することができる。
ｉＮの形成条件について説明する。ターゲットは、Ｓｉ
であり、スパッタガスとしてのＡｒガス流量は、４０〜
８０ｓｃｃｍの範囲であり、典型的には６０ｓｃｃｍで
あり、Ｎ2ガス流量は、５〜２０ｓｃｃｍの範囲であ
り、典型的には１５ｓｃｃｍである。また、反応圧力
は、３〜１０ｍＴｏｒｒの範囲であり、典型的には７ｍ
Ｔｏｒｒである。また、ＤＣパワーは、２．５〜４．０
Ｗ／ｃｍ2の範囲であり、典型的には３．６Ｗ／ｃｍ2で
ある。また、基板温度は、２０〜８０℃の範囲であり、
典型的には６０℃である。図６に示す形成条件でＳｉＮ
を形成することにより屈折率が１．８〜２．５の範囲の
ＳｉＮを形成することができる。
【００３３】また、図７を参照して、再生層３を構成す
るＧｄＦｅＣｏの形成条件について説明する。ターゲッ
トはＧｄとＦｅＣｏであり、スパッタガスとしてのＡｒ
ガス流量は、４０〜８０ｓｃｃｍの範囲であり、典型的
には６０ｓｃｃｍである。また、反応圧力は、３〜１０
ｍＴｏｒｒの範囲であり、典型的には７ｍＴｏｒｒであ
る。また、ＤＣパワーは、Ｇｄターゲットに印加えるパ
ワーは０．２〜０．７Ｗ／ｃｍ2の範囲であり、典型的
には０．３Ｗ／ｃｍ2である。また、ＦｅＣｏターゲッ
トに印加するパワーは、０．７〜１．８Ｗ／ｃｍ2の範
囲であり、典型的には０．９Ｗ／ｃｍ2である。更に、
基板温度は、２０〜８０℃の範囲であり、典型的には６
０℃である。図７に示す形成条件でＧｄＦｅＣｏを形成
することにより屈折率が２．５〜３．５の範囲のＧｄＦ
ｅＣｏを形成することができる。
るＧｄＦｅＣｏの形成条件について説明する。ターゲッ
トはＧｄとＦｅＣｏであり、スパッタガスとしてのＡｒ
ガス流量は、４０〜８０ｓｃｃｍの範囲であり、典型的
には６０ｓｃｃｍである。また、反応圧力は、３〜１０
ｍＴｏｒｒの範囲であり、典型的には７ｍＴｏｒｒであ
る。また、ＤＣパワーは、Ｇｄターゲットに印加えるパ
ワーは０．２〜０．７Ｗ／ｃｍ2の範囲であり、典型的
には０．３Ｗ／ｃｍ2である。また、ＦｅＣｏターゲッ
トに印加するパワーは、０．７〜１．８Ｗ／ｃｍ2の範
囲であり、典型的には０．９Ｗ／ｃｍ2である。更に、
基板温度は、２０〜８０℃の範囲であり、典型的には６
０℃である。図７に示す形成条件でＧｄＦｅＣｏを形成
することにより屈折率が２．５〜３．５の範囲のＧｄＦ
ｅＣｏを形成することができる。
【００３４】本願発明においては、再生層３の屈折率と
非磁性層４の屈折率との差を大きくすることにより再生
層３の表面のみならず、再生層３と非磁性層４との界面
で多重反射させ、光磁気記録媒体１０で反射された見か
け上のカー回転角を大きくし、再生信号を大きくするこ
とを第２の特徴とする。
非磁性層４の屈折率との差を大きくすることにより再生
層３の表面のみならず、再生層３と非磁性層４との界面
で多重反射させ、光磁気記録媒体１０で反射された見か
け上のカー回転角を大きくし、再生信号を大きくするこ
とを第２の特徴とする。
【００３５】図８を参照して、光磁気記録媒体１０から
の信号の再生方法について説明する。信号が記録された
状態では、記録層６は、信号に基づいた垂直磁化を有
し、再生層３、およびマスク層５は共に面内磁化を有す
る（図８の（ａ）参照）。
の信号の再生方法について説明する。信号が記録された
状態では、記録層６は、信号に基づいた垂直磁化を有
し、再生層３、およびマスク層５は共に面内磁化を有す
る（図８の（ａ）参照）。
【００３６】この状態で再生層３側からレーザ光ＬＢが
照射されると、記録層６のうち、ある磁区６０に隣接す
るマスク層５の領域５０では磁化が消滅し、領域５０以
外の領域は面内磁化を保持する（図８の（ｂ）参照）。
そして、光磁気記録媒体１０の温度上昇と共に、記録層
６の磁区６０からの漏洩磁界が強くなり、磁区６０は、
マスク層５の磁化が消滅した領域４０、および非磁性層
４を介して静磁結合により再生層３へ転写され、再生層
３に磁区３０が現れる（図８の（ｃ）参照）。記録層６
の磁区６０の両隣に存在する磁区は、隣接するマスク層
５の領域は面内磁化を保持するため、漏洩磁界が再生層
３に及ばず、再生層３へ転写されない。
照射されると、記録層６のうち、ある磁区６０に隣接す
るマスク層５の領域５０では磁化が消滅し、領域５０以
外の領域は面内磁化を保持する（図８の（ｂ）参照）。
そして、光磁気記録媒体１０の温度上昇と共に、記録層
６の磁区６０からの漏洩磁界が強くなり、磁区６０は、
マスク層５の磁化が消滅した領域４０、および非磁性層
４を介して静磁結合により再生層３へ転写され、再生層
３に磁区３０が現れる（図８の（ｃ）参照）。記録層６
の磁区６０の両隣に存在する磁区は、隣接するマスク層
５の領域は面内磁化を保持するため、漏洩磁界が再生層
３に及ばず、再生層３へ転写されない。
【００３７】従って、記録層６の磁区６０だけがマスク
層５の磁化が消滅した領域５０、および非磁性層４を介
して再生層３に転写される。
層５の磁化が消滅した領域５０、および非磁性層４を介
して再生層３に転写される。
【００３８】照射されたレーザ光ＬＢは、再生層３に転
写された磁区３０によりその偏光面を回転されて反射
し、その反射光を検出することにより磁区３０が検出さ
れる。この場合、レーザ光は、再生層３の表面３１のみ
ならず、再生層３と非磁性層４との界面３２でも反射さ
れるため、カー回転角で決まる性能指数が大きくなり、
振幅の大きい再生信号が得られる。
写された磁区３０によりその偏光面を回転されて反射
し、その反射光を検出することにより磁区３０が検出さ
れる。この場合、レーザ光は、再生層３の表面３１のみ
ならず、再生層３と非磁性層４との界面３２でも反射さ
れるため、カー回転角で決まる性能指数が大きくなり、
振幅の大きい再生信号が得られる。
【００３９】磁区３０の検出が終了した後、レーザ光Ｌ
Ｂが移動し、磁区３０、領域５０、磁区６０の温度が下
がると最初の状態に戻る（図８の（ａ）参照）。
Ｂが移動し、磁区３０、領域５０、磁区６０の温度が下
がると最初の状態に戻る（図８の（ａ）参照）。
【００４０】上記説明した図８の（ａ）〜（ｃ）の過程
を経て光磁気記録媒体１０から信号が再生される。
を経て光磁気記録媒体１０から信号が再生される。
【００４１】この場合、光磁気記録媒体１０に照射され
るレーザ光ＬＢの強度は、１．３〜３．０ｍＷの範囲で
あり、この範囲の強度を有するレーザ光ＬＢを照射する
ことによりマスク層５の磁化が消滅する領域５０の長さ
を記録層６の最短ドメイン長とほぼ同等にできる。
るレーザ光ＬＢの強度は、１．３〜３．０ｍＷの範囲で
あり、この範囲の強度を有するレーザ光ＬＢを照射する
ことによりマスク層５の磁化が消滅する領域５０の長さ
を記録層６の最短ドメイン長とほぼ同等にできる。
【００４２】光磁気記録媒体１０は、ＭＳＲ法により信
号再生を行う光磁気記録媒体のみならず、磁区拡大によ
り信号再生を行う光磁気記録媒体としても使用可能であ
る。その場合の再生方法を図９を参照して説明する。図
９の（ａ）、（ｂ）、および（ｃ）は、上記図８の
（ａ）、（ｂ）、および（ｃ）と同じであるので、説明
を省略する。記録層６の磁区６０がマスク層５の磁化が
消滅した領域５０、および非磁性層４を介して再生層３
へ転写され、再生層３に磁区３０が現れたタイミングで
外部から交番磁界Ｈｅｘを印加すると、磁区３０の磁化
と同じ方向の磁界が印加されたタイミングで磁区３０は
磁区３００に拡大される（図９の（ｄ）参照）。この場
合、マスク層５の領域５０以外の領域は面内磁化を保持
しているため、磁区６０の両隣の磁区からの漏洩磁界は
再生層３へ及ばないので、磁区３０は外部磁界により磁
区３００に容易に拡大される。 拡大された磁区３００
は、レーザ光ＬＢと相互作用し、レーザ光ＬＢの反射光
は磁区３００の磁化によりその偏光面を回転される。従
って、偏光面が回転された反射光を検出することにより
磁区３００を検出することができる。この場合、磁区３
００は、磁区３０より大きくなっているので、磁区３０
０によりレーザ光の反射光はその偏光面を大きく回転さ
れ、検出信号が大きくなる。更に、レーザ光ＬＢは、再
生層３の表面３０１のみならず、再生層３と非磁性層４
との界面３０２でも反射されるため、検出されるレーザ
光の強度は更に強くなり、振幅の大きい再生信号が得ら
れる。
号再生を行う光磁気記録媒体のみならず、磁区拡大によ
り信号再生を行う光磁気記録媒体としても使用可能であ
る。その場合の再生方法を図９を参照して説明する。図
９の（ａ）、（ｂ）、および（ｃ）は、上記図８の
（ａ）、（ｂ）、および（ｃ）と同じであるので、説明
を省略する。記録層６の磁区６０がマスク層５の磁化が
消滅した領域５０、および非磁性層４を介して再生層３
へ転写され、再生層３に磁区３０が現れたタイミングで
外部から交番磁界Ｈｅｘを印加すると、磁区３０の磁化
と同じ方向の磁界が印加されたタイミングで磁区３０は
磁区３００に拡大される（図９の（ｄ）参照）。この場
合、マスク層５の領域５０以外の領域は面内磁化を保持
しているため、磁区６０の両隣の磁区からの漏洩磁界は
再生層３へ及ばないので、磁区３０は外部磁界により磁
区３００に容易に拡大される。 拡大された磁区３００
は、レーザ光ＬＢと相互作用し、レーザ光ＬＢの反射光
は磁区３００の磁化によりその偏光面を回転される。従
って、偏光面が回転された反射光を検出することにより
磁区３００を検出することができる。この場合、磁区３
００は、磁区３０より大きくなっているので、磁区３０
０によりレーザ光の反射光はその偏光面を大きく回転さ
れ、検出信号が大きくなる。更に、レーザ光ＬＢは、再
生層３の表面３０１のみならず、再生層３と非磁性層４
との界面３０２でも反射されるため、検出されるレーザ
光の強度は更に強くなり、振幅の大きい再生信号が得ら
れる。
【００４３】磁区３００が検出された後、磁区３００の
磁化と反対方向の外部磁界が印加されると共に、レーザ
光ＬＢが移動して温度が下がると磁区３００は面内磁化
を有し、マスク層５の領域５０には、面内磁化が現れ
る。その結果、初期状態（図９の（ａ））に戻る。
磁化と反対方向の外部磁界が印加されると共に、レーザ
光ＬＢが移動して温度が下がると磁区３００は面内磁化
を有し、マスク層５の領域５０には、面内磁化が現れ
る。その結果、初期状態（図９の（ａ））に戻る。
【００４４】上記説明した図９の（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）、および（ｄ）の過程を経て記録層６の各磁区が
再生層３へ独立に拡大転写され、信号が再生される。
（ｃ）、および（ｄ）の過程を経て記録層６の各磁区が
再生層３へ独立に拡大転写され、信号が再生される。
【００４５】また、光磁気記録媒体１０の再生層３は、
室温で面内磁化膜であり、所定の温度以上で垂直磁化膜
となる磁性層として説明したが、これに限らず、垂直磁
化膜であっても良い。再生層３が垂直磁化膜から構成さ
れる場合には、ＴｂＦｅＣｏが用いられ、屈折率は、上
記と同様に２．５〜３．５の範囲に設定される。
室温で面内磁化膜であり、所定の温度以上で垂直磁化膜
となる磁性層として説明したが、これに限らず、垂直磁
化膜であっても良い。再生層３が垂直磁化膜から構成さ
れる場合には、ＴｂＦｅＣｏが用いられ、屈折率は、上
記と同様に２．５〜３．５の範囲に設定される。
【００４６】更に、光磁気記録媒体１０にレーザ光を照
射し、交番磁界を印加して記録層６の磁区を再生層３へ
転写し、拡大して再生する磁区拡大再生においては、照
射されるレーザ光の強度は、０．５〜２．５ｍＷの範囲
であり、印加される交番磁界の強度は、±３００Ｏｅ、
周波数は、２５ＭＨｚである。
射し、交番磁界を印加して記録層６の磁区を再生層３へ
転写し、拡大して再生する磁区拡大再生においては、照
射されるレーザ光の強度は、０．５〜２．５ｍＷの範囲
であり、印加される交番磁界の強度は、±３００Ｏｅ、
周波数は、２５ＭＨｚである。
【００４７】非磁性層４を構成する材料はＳｉＮのみな
らず、再生層３に用いる磁性材料の屈折率より小さい屈
折率を有する材料であれば良い。
らず、再生層３に用いる磁性材料の屈折率より小さい屈
折率を有する材料であれば良い。
【図１】本願発明に係る光磁気記録媒体の断面構造図で
ある。
ある。
【図２】図１に示す光磁気記録媒体のマスク層の形成条
件である。
件である。
【図３】図１に示す光磁気記録媒体のマスク層の他の形
成条件である。
成条件である。
【図４】図１に示す光磁気記録媒体の再生層とマスク層
の磁気特性である。
の磁気特性である。
【図５】レーザ光の強度分布とマスク層のうち１４０℃
以上に昇温度される領域との関係を説明する図である。
以上に昇温度される領域との関係を説明する図である。
【図６】図１に示す光磁気記録媒体の非磁性層に用いる
ＳｉＮの形成条件である。
ＳｉＮの形成条件である。
【図７】図１に示す光磁気記録媒体の再生層に用いるＧ
ｄＦｅＣｏの形成条件である。
ｄＦｅＣｏの形成条件である。
【図８】光磁気記録媒体のＭＳＲ法による再生方法を説
明する図である。
明する図である。
【図９】光磁気記録媒体の磁区拡大による再生方法を説
明する図である。
明する図である。
１・・・透光性基板 ２・・・下地層 ３・・・再生層 ４・・・非磁性層 ５・・・マスク層 ６・・・記録層 ７・・・保護層 １０・・・光磁気記録媒体 ５０・・・磁化が消滅した領域 ３０、６０、３００・・・磁区 ３１、３０１・・・表面 ３２、３０２・・・界面
Claims (1)
- 【請求項１】 再生層と、 前記再生層に接して形成された非磁性層と、 前記非磁性層に接して形成された第１の温度以上で所定
の領域は磁化が消滅し、前記所定の領域以外の領域は面
内磁化を保持するマスク層と、 前記マスク層に接して形成された記録層とを含む光磁気
記録媒体であって、 前記再生層の屈折率をｎ１、前記非磁性層の屈折率をｎ
２とした場合、 ｎ１＞ｎ２の関係を満たす光磁気記録媒体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11093143A JP2000285536A (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | 光磁気記録媒体 |
| US09/522,467 US6335908B1 (en) | 1999-03-12 | 2000-03-09 | Magneto optical recording medium with mask layer |
| KR1020000012224A KR20000062830A (ko) | 1999-03-12 | 2000-03-11 | 마스크층을 갖는 광자기 기록 매체 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11093143A JP2000285536A (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000285536A true JP2000285536A (ja) | 2000-10-13 |
Family
ID=14074319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11093143A Pending JP2000285536A (ja) | 1999-03-12 | 1999-03-31 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000285536A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004029936A1 (en) * | 2002-09-26 | 2004-04-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | High density recording medium with super-resolution near-field structure manufactured using high-melting point metal oxide or silicon oxide mask layer |
| WO2005031730A1 (en) * | 2003-10-02 | 2005-04-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | High density read only optical disc |
-
1999
- 1999-03-31 JP JP11093143A patent/JP2000285536A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004029936A1 (en) * | 2002-09-26 | 2004-04-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | High density recording medium with super-resolution near-field structure manufactured using high-melting point metal oxide or silicon oxide mask layer |
| US7651793B2 (en) | 2002-09-26 | 2010-01-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | High density recording medium with super-resolution near-field structure manufactured using high-melting point metal oxide or silicon oxide mask layer |
| WO2005031730A1 (en) * | 2003-10-02 | 2005-04-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | High density read only optical disc |
| US7172798B2 (en) | 2003-10-02 | 2007-02-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | High density read only optical disc |
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