JPH07192326A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 光強度変調方式によりオーバーライト可能な
光磁気記録媒体において、磁気記録層の膜厚の最適化を
図り、再生信号出力を向上させることを目的とする。 【構成】 互いのキュリー点と保持力とが異なる少なく
とも２つの磁性層が磁気的に結合されてなる磁気記録層
１０及び金属反射層６を基板５上に順次積層してなる光
磁気記録媒体において、前記磁気記録層１０がキュリー
点が低く室温での保持力が大きい第１磁性層１と、前記
第１磁性層と比べて相対的に、キュリー点が高く室温で
の保持力が小さい第２磁性層２とを有し、且つ前記第１
磁性層１の膜厚が１０ｎｍ以上であり前記磁気記録層１
０の膜厚が６０ｎｍ以下であることを特徴とする光磁気
記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光磁気相互作用を利用
する光磁気記録媒体に係わり、特に２層以上の磁性多層
膜よりなる光磁気記録媒体に係わる。

【０００２】

【従来の技術】光磁気相互作用によって情報ビット（磁
区）の読み出しを行ういわゆる光磁気記録媒体に対して
その情報記録方法は、垂直磁化膜による磁性層を有する
記録媒体に対し、その磁化の方向を膜面に垂直な一方向
に予め揃えるいわゆる初期化を施しておき、この磁化方
向と反対向きの垂直磁化を有する磁区をレーザー光照射
等の局部加熱により形成することによって、２値化され
た情報ビットを記録している。

【０００３】この記録方法においては、情報の書換えに
先立って、上述の初期化に相当する記録された情報の消
去の過程すなわち消去のための時間を要し、高転送レー
トでの記録を実現できない。これに対し、このような独
立の消去過程の時間が不要とされる重ね書きによるいわ
ゆるオーバーライト方式による記録方法が種々提案され
ている。このオーバーライト方式の記録方法の中で有望
視されている方法としては、例えば媒体に対する外部磁
場変調法と、記録用ヘッドの他に消去用のヘッドを設け
る２ヘッド法とが知られている。

【０００４】外部磁場変調法とは、膜面に垂直な磁化容
易軸を有する非晶質フェリ磁性薄膜記録媒体に対して昇
温用光ビームを照射して、この照射領域に入力デジタル
信号電流の状態に対応する極性の磁場を印加することに
よって記録を行うものである。

【０００５】ところが、上述のような外部磁場変調法に
よって情報転送レートの高い高速記録を行おうとする
と、例えばＭＨｚオーダーで動作する電磁石が必要とな
り、このような電磁石の作成は困難であり、作成できた
としても消費電力及び発熱が大きく実用的でないという
問題点がある。

【０００６】また２ヘッド法では２つのヘッドを必要と
することに加えて、２つのヘッドを離して設置しなけれ
ばならないので、ドライブシステムへの負担が大きく経
済性が悪いため量産に向かない等の問題点を有してい
る。

【０００７】このような問題点を解決するために、レー
ザー光等による媒体の加熱温度を切り換え制御するのみ
で容易に書換えすなわちオーバーライトを行うことが可
能な光磁気記録法が、例えば特開昭６２−１７５９４８
号、特開昭６３−４８６３７号、特開昭６３−５２３５
４号公報等で提案されている。

【０００８】これらの光磁気記録方法によるオーバーラ
イトの基本プロセスを説明する。第１磁性層は室温での
保磁力が高くキュリー点が低い材料、第２磁性層は逆に
室温での保磁力が低くキュリー点が高い材料からなって
いる。この２層は界面で交換結合しており、レーザー照
射による昇降温過程で第２磁性層に記録された情報ビッ
ト（磁区）が第１磁性層に転写される。レーザーは記録
しようとする情報に応じて、第２磁性層への記録を行う
高温レベルと第１磁性層への転写を行う低温レベルに対
応する２値のレーザーパワーで変調する。レーザーの照
射後は、媒体温度が室温に戻るとともに、所要の初期化
磁界が印加されて、第２磁性層が初期化される。第１磁
性層に転写された情報ビットは、この層の室温での保磁
力が大きいために初期化磁界で消去されることなく保持
される。この結果、第１磁性層の初期状態によらず、常
に新しく第２磁性層に記録された情報が、第１磁性層に
記録且つ保持されることとなり、オーバーライトが成立
する。

【０００９】この場合、消去のために特別な過程（時
間）を要することなく、高転送レート化をはかることが
でき、上述した２ヘッド法や外部磁界変調法式による場
合の諸問題を解決できる。

【００１０】この記録方法では、室温下において、両磁
性層の磁化の向きが同一である状態Ａと、互いに逆向き
の状態Ｂとの二態様によって”０”、”１”の情報の記
録がなされる。ここで代表的な交換結合２層膜を用いた
オーバーライトの記録磁化過程について説明する。図７
にこの交換結合２層媒体のオーバーライト過程における
磁化の様子を示す。また図全体の横軸は温度を表す。レ
ーザーは記録しようとする情報に応じて２値のレーザー
パワーで変調される。第１種のレーザーパワーにより媒
体は第１磁性層のキュリー点付近まで昇温され、第２種
のレーザーパワーにより第２磁性層のキュリー点付近ま
で昇温される。すなわち、両磁性層の保磁力と温度との
関係を概略した図８において、第１種のレーザーパワー
は低いキュリー点Ｔc1付近、第２種のレーザーパワーは
高いキュリー点Ｔc2付近まで媒体を加熱できる。また記
録過程中、記録用ヘッドと異なる場所で小さい保磁力Ｈ
c2の第２磁性層を一方向に磁化するのに充分で、大きい
保磁力Ｈc1の第１磁性層の磁化の向きを反転させること
のない大きさの初期化磁界Ｈiniが下向きに印加されて
いる。さらに、記録用ヘッドの場所において第２磁性層
への記録を助けるバイアス磁界Ｈrecが上向きに印加さ
れている。ここでは、２層とも遷移金属原子優勢の場合
について説明する。この場合には、両層間の交換結合作
用によって両層の磁化が平行な状態（状態Ａ）が安定状
態であり、反平行な状態（状態Ｂ）は不安定状態であっ
て、この不安定状態（状態Ｂ）では界面磁壁が存在す
る。室温状態（状態Ａ、状態Ｂ）では保磁力の小さい第
２磁性層の磁化は初期化磁界Ｈiniによって下向きとな
っている。

【００１１】先ず例えば、状態Ｂにある部位に対して第
１種のレーザーパワーを照射して媒体を第１磁性層のキ
ュリー点付近まで加熱すると、図８に示すように第１磁
性層の保磁力が小さくなり（状態Ｂ’）、第２磁性層と
の交換結合相互作用により両層の磁化が平行になろうと
するために、第１磁性層の磁化が反転して下向きとなる
（状態Ａ’）。この状態から温度を下げると、磁化状態
が変化しないまま冷え、状態Ａに移る。状態Ａから第１
種のレーザーパワーを照射して温度を上げた後、温度を
下げてもやはり状態Ａに移る。すなわち第１種のレーザ
ーパワーの照射によって、状態Ａも状態Ｂもすべて状態
Ａに移る。

【００１２】次に第２種のレーザーパワーを照射して第
２磁性層のキュリー点付近まで媒体を加熱すると図７に
示すように、初期状態が状態Ａであっても状態Ｂであっ
ても、第１磁性層の磁化は消失し（状態Ｃ）、第２磁性
層の保磁力が低下し、バイアス磁界Ｈrecにより、第２
磁性層の磁化が反転して上向きとなる（状態Ｄ）。この
状態から温度を下げると、磁化状態が変化しないまま冷
え、第１磁性層のキュリー点以下になると交換相互作用
により、第１磁性層の磁化が上向きに生じ（状態
Ｅ’）、そのまま室温で冷え（状態Ｅ）、第２磁性層の
磁化は再び初期化磁界により反転して下向きとなる（状
態Ｂ）。但し、この際には第１磁性層の保磁力は大きい
ので、初期化磁界Ｈiniによって反転せず、記録状態を
保持している。すなわち第２種のレーザーパワーの照射
によって、状態Ａも状態Ｂもすべて状態Ｂに移る。

【００１３】したがって、異なる２値のレーザーパワー
の照射によって初期状態によらず、最終的に状態Ａ及び
状態Ｂのオーバーライトが可能となる。また記録された
情報の再生は、この第１磁性層の磁化の向きを読み出し
レーザー光照射のカー回転角によって検出するものであ
る。

【００１４】以上の過程のうち、転写を行うために必要
な作用が２層間に働く交換相互作用である。この作用
は、両層の原子スピンを互いに平行に配位させようとす
る作用であり、これらが互いに反平行に配位されている
と界面にスピンの遷移領域（界面磁壁）が形成され、界
面磁壁エネルギーσｗが蓄えられる。このエネルギーに
より、第１磁性層のスピンが第２磁性層のスピンに対し
て平行に配位させられることで転写が実現する。

【００１５】そして、そのオーバーライトのために必要
な条件は次の各式によって表される。まず室温において
状態Ｂから状態Ａへ移行しないための条件は、下記の数
１となる。

【００１６】

【数１】Ｈc1＞Ｈw1＝σｗ／２Ｍs1ｈ1 また状態Ｂから状態Ｅへ移行しないために下記数２の条
件を満たすことが必要である。

【００１７】

【数２】Ｈc2＞Ｈw2＝σｗ／２Ｍs2ｈ2 さらにまた状態Ｅにおいて、その第１磁性層が、初期化
磁界Ｈiniによって反転しないためには下記数３を満足
することが必要である。

【００１８】

【数３】Ｈc1−Ｈw1＞Ｈini 一方状態Ｅから状態Ｂへ移行するためには、下記数４を
満足することが必要である。

【００１９】

【数４】Ｈini＞Ｈc2＋Ｈw2＝Ｈc2＋σｗ／２Ｍs2ｈ2 また、さらに第１種のレーザーパワーを照射して、第１
磁性層のキュリー点Ｔc1付近まで媒体を加熱したとき、
状態Ｂ’から状態Ａ’へ移行、すなわち第１磁性層の磁
化の向きが第２磁性層の磁化の向きに揃えられるために
は、下記数５の条件が満たされることが必要である。

【００２０】

【数５】Ｈw1＞Ｈc1＋Ｈrec さらに状態Ｂ’から状態Ｅ’へ移行しないために、下記
数６の条件が満たされることが必要である。

【００２１】

【数６】Ｈc2＞Ｈw2＋Ｈrec なお、上述の各式においてＨw1及びＨw2は交換結合力に
よる実効的磁界、Ｈc1及びＨc2、Ｍs1及びＭs2、ｈ1及
びｈ2はそれぞれ第１及び第２の磁性層の保磁力、飽和
磁化及び厚さ、またＨiniは初期化磁界、Ｈrecは記録バ
イアス磁界である。

【００２２】これらより明らかなように、室温において
は上記数１及び数２を満たすよう磁壁エネルギーσｗは
小さい方が望ましいが、実際にはかなり大きい値を示
し、第２磁性層の膜厚ｈ2を小さくすると、上記数４を
満足するためには大きな初期化磁界Ｈiniが必要とな
る。

【００２３】一方、前述の図７により説明した光磁気記
録方法において、その室温での磁壁エネルギー密度σｗ
を小さくし、かつ上記数４を満足させるようなσｗの温
度特性を改善することによって、第２磁性層の膜厚ｈ2
及び初期化磁界Ｈiniの低減化をはかる方法として、一
般的に第１磁性層と第２磁性層との間に、両層に比べ相
対的に小さな垂直磁気異方性定数を有する第３磁性層を
設けることが知られている。

【００２４】磁気記録層の膜厚が厚くなるほど、光磁気
記録媒体の感度が低下するので、第２磁性層の膜厚ｈ2
の低減は感度向上にもつながる。

【００２５】上述したような光強度変調オーバーライト
の動作原理に基づけば、第２種のレーザーパワーの照射
後は磁気記録層内の磁化状態は図７における状態Ｅにな
るが、次のオーバーライト動作のために、初期化磁界Ｈ
iniにより第２磁性層のみ磁化反転させて状態Ｂを実現
する必要があり、従って、第２種レーザーパワー照射後
の再生は状態Ｂに対して行われることとなり、磁気モー
メントの向きが第１磁性層と第２磁性層とで逆向きにな
った状態を観測することとなる。

【００２６】従来、再生信号出力を向上させる方法とし
て、磁気記録層に対しレーザー光線の入射側とは反対側
に金属反射膜を設け、光の多重干渉により光磁気効果を
大きくする方法が知られているが、上記記録方式のよう
に両磁性層の磁化の向きが互いに逆向きの場合、再生時
の光磁気効果を大きくするためには第１磁性層の膜厚ｈ
1と第２磁性層の膜厚ｈ2との組合せを最適化する必要が
あった。

【００２７】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、光変
調方式のオーバーライト方法において、磁気記録層の膜
厚の最適化をはかり、再生信号出力の向上をはかること
にある。

【００２８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明は、互いのキュリー点と保磁力とが異なる少なくとも
２つの磁性層が磁気的に結合されてなる磁気記録層及び
金属反射層を基板上に順次積層してなる光磁気記録媒体
において、前記磁気記録層がキュリー点が低く室温での
保磁力が大きい第１磁性層と、前記第１磁性層と比べて
相対的に、キュリー点が高く室温での保磁力が小さい第
２磁性層とを有し、且つ前記第１磁性層の膜厚が１０ｎ
ｍ以上であり前記磁気記録層の膜厚が６０ｎｍ以下であ
ることを特徴とする光磁気記録媒体である。

【００２９】また、本発明は上記記録媒体において第１
磁性層と第２磁性層との間に、第１磁性層及び第２磁性
層に比べて相対的に垂直磁気異方性が小さい第３磁性層
を設けてなることを含むものである。

【００３０】本発明において「室温」とは光磁気記録媒
体が通常に使用される環境の温度を意味し、通常〜２５
℃であることが好ましい。

【００３１】

【作用】この本発明による光磁気記録媒体においても、
図７における状態Ａ及び状態Ｂを形成することによっ
て”０”、”１”の２値記録を行う。

【００３２】そして上述したように、本発明の光磁気記
録媒体においては、磁気記録層の膜厚を６０ｎｍ以下か
つ第１磁性層の膜厚を１０ｎｍ以上に選定するものであ
るが、このような膜厚範囲に選定することによって、図
７における状態Ａと状態Ｂとのカー回転角の差すなわ
ち”０”、”１”の再生出力の増大化をはかることがで
きるものである。

【００３３】図５には光強度変調オーバーライトで用い
られる光磁気記録媒体の第１磁性層及び第２磁性層の膜
厚に対する再生性能指数を光学シミュレーションにより
計算した結果を示す。この再生性能指数は、図１に示す
ように光透過性透明基板５上に誘電体層７を介して第１
磁性層及び第２磁性層とさらにこれの上に金属反射層６
を積層し、基板５及び誘電体層７を通して測定される状
態Ａと状態Ｂとのカー回転角の差を計算して求めたもの
である。

【００３４】また比較のため図６には状態Ａと状態Ｅと
のカー回転角の差を計算した結果を示す。これは、両磁
性層の磁化の向きが同じ場合であり、従来のオーバーラ
イトできない交換結合２層膜の膜厚に対する再生性能指
数を光学シミュレーションにより計算した結果に相当す
る。

【００３５】図５から明らかなように記録磁性層の膜厚
を６０ｎｍ以下かつ第１磁性層の膜厚を１０ｎｍ以上に
選定することによって、信号”０”レベルと”１”レベ
ルの差が大となって光磁気再生信号をより増大化するこ
とができる。

【００３６】

【実施例】以下、図面を参照して本発明を具体的に説明
する。

【００３７】実施例１ 図１は本発明記録媒体の一態様を示す断面図である。こ
の例では、垂直磁気異方性を有する第１磁性層１及び第
２磁性層２が磁気的に結合された磁気記録層１０を有し
てなる場合を示す。

【００３８】図１に示すように、厚さ１．２ｍｍの光透
過性のポリカーボネートよりなるディスク状の基板５上
に、窒化シリコンよりなる透明な誘電体層７、Ｔｂ（Ｆ
ｅ₉₅Ｃｏ₅ ）よりなる第１磁性層１、ＧｄＴｂ（Ｆｅ₇₀
Ｃｏ₃₀ ）よりなる第２磁性層２、さらにＡｌよりなる
反射層６を順次スパッタリング法によって積層させてデ
ィスク状の光磁気記録媒体２０を構成した。ここで室温
における保磁力は、第１磁性層が２０〔ｋＯｅ〕、第２
磁性層が２〔ｋＯｅ〕であり、キュリー点は第１磁性層
が１５０℃、第２磁性層が２００℃である。また誘電体
層７の膜厚は６０ｎｍ、反射膜６の膜厚は５０ｎｍとし
た。

【００３９】再生信号の、第１磁性層の膜厚ｈ1に対す
る依存性を調べるために、第２磁性層の膜厚ｈ2を２０
ｎｍとして、第１磁性層の膜厚ｈ1を０ｎｍ〜１００ｎ
ｍの間で１０ｎｍ毎に変化させてサンプルを作成した。
また、同様に第２磁性層の膜厚ｈ2に対する再生信号の
依存性を調べるために、第１磁性層の膜厚ｈ1は３０ｎ
ｍとして、第２磁性層の膜厚ｈ2を０ｎｍ〜１００ｎｍ
の間で１０ｎｍ毎に変化させてサンプルを作成した。

【００４０】各サンプルの再生信号を評価する目安とし
てサンプルの８３０ｎｍの波長における反射率Ｒとカー
回転角θｋを測定し、再生性能指数とされている反射率
とカー回転角との積Ｒ・θｋを算出した。この結果を図
９と図１０に示す。図中の●印は実測値であり、点線は
光学シミュレーションによる計算値である。実測値と計
算値は非常によく一致しており、磁気記録層の膜厚ｈ10
すなわち第１磁性層の膜厚ｈ1と第２磁性層の膜厚ｈ2
との和（ｈ1＋ｈ2）が６０ｎｍ以下かつ第１磁性層の膜
厚ｈ1が１０ｎｍ以上のとき、大きな再生性能指数を示
すことがわかった。

【００４１】またこれらの光磁気記録媒体を２４００ｒ
ｐｍで回転させ、基板５の中心から半径３６ｍｍの位置
で記録再生を行ったところ２値の信号が再生できた。こ
のとき記録バイアス磁界Ｈrecは５００〔Ｏｅ〕、初期
化磁界Ｈiniは６．０〔ｋＯｅ〕、高レベルレーザー光
のパワーを１２．０ｍＷ、低レベルレーザー光のパワー
を６．０ｍＷに固定し、２．０ＭＨｚの信号を記録し
た。またこのようにして記録されたディスクに対し３．
０ＭＨｚの信号をオーバーライトしたところ、前に記録
された信号成分は検出されずオーバーライトされたこと
が確認された。

【００４２】実施例２ 図２に示すように、第１磁性層１と第２磁性層２との間
に、両層に比べ相対的に小さな垂直磁気異方性を有する
第３磁性層３を設けたこと以外は実施例１と同様な光磁
気記録媒体を作成し、同様の実験を行った。ここで、第
３磁性層３としてはＧｄ（Ｆｅ₇₀ Ｃｏ₃₀ ）を用い、膜
厚ｈ3は１０ｎｍとした。ここで各層の垂直磁気異方性
定数は第１磁性層が２．０×１０⁶ 〔ｅｒｇ／ｃ
ｍ³〕、第２磁性層が１．０×１０⁶〔ｅｒｇ／ｃ
ｍ³〕、第３磁性層は４．０×１０⁵ 〔ｅｒｇ／ｃｍ³〕
である。そして実施例１と同様、第１磁性層と第２磁性
層の膜厚を変化させて、再生信号のそれぞれの膜厚に対
する依存性を調べた。

【００４３】この結果を図１１と図１２に示す。図中の
●印は実測値であり、点線は光学シミュレーションによ
る計算値である。実測値と計算値は非常によく一致して
おり、磁気記録層の膜厚ｈ10すなわち第１磁性層の膜厚
ｈ1と第２磁性層の膜厚ｈ2と第３磁性層の膜厚ｈ3との
和（ｈ1＋ｈ2＋ｈ3）が６０ｎｍ以下かつ第１磁性層の
膜厚ｈ1が１０ｎｍ以上のとき、大きな再生性能指数を
示すことがわかった。

【００４４】また、これらの光磁気記録媒体について
も、実施例１と同様にしてオーバーライトが可能である
ことが確認された。

【００４５】実施例３ 再生信号の品質を決定する因子の一つであるカー回転角
は、キュリー点の低下とともに減少する性質がある。一
方、通常、読み出しを行っている第１磁性層（記録保持
層）は記録感度の点から充分にキュリー点を上げること
ができない。そこで、図３に示すように窒化シリコンよ
りなる透明な誘電体層７と第１磁性層１との間に、第１
磁性層に比べて相対的に高いキュリー点と、低い保磁力
を有する第４磁性層４（再生層）を設けてこれを改善し
た。ただし第４磁性層は読み出し特性を改善する目的で
設けられているため、第２磁性層との間では特にキュリ
ー点、保磁力の関係は限定されない。ここで再生層の原
子スピンは再生時に常に第１磁性層（記録保持層）の原
子スピンに平行に配位されているものとする。すなわち
次の関係を満たしているものとする。

【００４６】

【数７】Ｈc4＜Ｈw4＝σｗ／２Ｍs4ｈ4 ここでσｗは第４磁性層と第１磁性層との間に働く界面
磁壁エネルギーである。

【００４７】この第４磁性層を設けたこと以外は実施例
１と同様な光磁気記録媒体を作成し、同様の実験を行っ
た。ここで第４磁性層４としてはＧｄ（Ｆｅ₇₀ Ｃｏ
₃₀ ）を用い、膜厚ｈ4は１０ｎｍとした。そして実施例
１と同様、第１磁性層と第２磁性層の膜厚を変化させ
て、信号出力のそれぞれの膜厚に対する依存性を調べ
た。

【００４８】この結果は、先ほどの図１１と図１２とほ
ぼ同様であり、実測値と計算値は非常に良く一致してお
り、磁気記録層の膜厚ｈ10すなわち第１磁性層の膜厚ｈ
1と第２磁性層の膜厚ｈ2と第４磁性層の膜厚ｈ4との和
（ｈ1＋ｈ2＋ｈ4）が６０ｎｍ以下かつ第１磁性層の膜
厚ｈ1が１０ｎｍ以上のとき、大きな再生性能指数を示
すことがわかった。

【００４９】また、これらの光磁気記録媒体について
も、実施例１と同様にしてオーバーライトが可能である
ことが確認された。

【００５０】以上のように本発明光磁気記録媒体におい
ては、再生性能指数の膜厚依存性に着目したことによっ
て、少なくとも第１磁性層及び第２磁性層よりなる磁気
記録層の膜厚選定の最適化をはかり、再生出力の増大化
をはかることができたものである。

【００５１】

【発明の効果】上述したように、本発明光磁気記録媒体
によれば、光強度変調方式のオーバーライト方法におい
て、磁気記録層の膜厚を最適化することにより、第１磁
性層と第２磁性層との室温における２つの状態間でのカ
ー回転角の差を増大させ、再生信号出力を向上させるこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光磁気記録媒体の一態様を示す模式断
面図である。

【図２】本発明の光磁気記録媒体の他の一態様を示す模
式断面図である。

【図３】本発明の光磁気記録媒体の他の一態様を示す模
式断面図である。

【図４】本発明に係る記録再生方式における性能指数と
第１磁性層及び第２磁性層の膜厚との関係をシミュレー
ションした結果を示すグラフである。

【図５】本発明に係る記録再生方式における性能指数と
第１磁性層及び第２磁性層の膜厚との関係をシミュレー
ションした結果を示すグラフである。

【図６】磁気記録層の磁化状態を示す模式図である。

【図７】第１磁性層及び第２磁性層における温度と保磁
力との関係を示すグラフである。

【図８】実施例１で作製した光磁気記録媒体における性
能指数と第１磁性層の膜厚との関係を示すグラフであ
る。

【図９】実施例１で作製した光磁気記録媒体における性
能指数と第２磁性層の膜厚との関係を示すグラフであ
る。

【図１０】実施例２で作製した光磁気記録媒体における
性能指数と第１磁性層の膜厚との関係を示すグラフであ
る。

【図１１】実施例２で作製した光磁気記録媒体における
性能指数と第２磁性層の膜厚との関係を示すグラフであ
る。

【符号の説明】

１ 第１磁性層 ２ 第２磁性層 ３ 第３磁性層 ４ 第４磁性層 ５ 光透過性透明基板 ６ 金属反射層 ７ 誘電体層 ８ 誘電体層 １０ 磁気記録層 ５０ 性能指数が０゜以上０．０２゜未満の領域 ５１ 性能指数が０．０２゜以上０．０４゜未満の領
域 ５２ 性能指数が０．０４゜以上０．０６゜未満の領
域 ５３ 性能指数が０．０６゜以上０．０８゜未満の領
域 ５４ 性能指数が０．０８゜以上０．１０゜未満の領
域 ５５ 性能指数が０．１０゜以上０．１２゜未満の領
域 ５６ 性能指数が０．１２゜以上０．１４゜未満の領
域 ５７ 性能指数が０．１４゜以上０．１６゜未満の領
域 ５８ 性能指数が０．１６゜以上０．１８゜未満の領
域 ５９ 性能指数が０．１８゜以上０．２０゜未満の領
域 ７０ 性能指数が０゜以上０．０２゜未満の領域 ７１ 性能指数が０．０２゜以上０．０４゜未満の領
域 ７２ 性能指数が０．０４゜以上０．０６゜未満の領
域 ７３ 性能指数が０．０６゜以上０．０８゜未満の領
域 ７４ 性能指数が０．０８゜以上０．１０゜未満の領
域 ７５ 性能指数が０．１０゜以上０．１２゜未満の領
域 ７６ 性能指数が０．１２゜以上０．１４゜未満の領
域 ７７ 性能指数が０．１４゜以上０．１６゜未満の領
域 ７８ 性能指数が０．１６゜以上０．１８゜未満の領
域 ７９ 性能指数が０．１８゜以上０．２０゜未満の領
域 ８０ 性能指数が０．２０゜以上０．２２゜未満の領
域 ８１ 性能指数が０．２２゜以上０．２４゜未満の領
域

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 互いのキュリー点と保磁力とが異なる少
   なくとも２つの磁性層が磁気的に結合されてなる磁気記
   録層及び金属反射層を基板上に順次積層してなる光磁気
   記録媒体において、前記磁気記録層がキュリー点が低く
   室温での保磁力が大きい第１磁性層と、前記第１磁性層
   と比べて相対的に、キュリー点が高く室温での保磁力が
   小さい第２磁性層とを有し、且つ前記第１磁性層の膜厚
   が１０ｎｍ以上であり前記磁気記録層の膜厚が６０ｎｍ
   以下であることを特徴とする光磁気記録媒体。
2. 【請求項２】 第１磁性層と第２磁性層との間に、第１
   磁性層及び第２磁性層に比べて相対的に垂直磁気異方性
   が小さい第３磁性層を設けてなる請求項１に記載の光磁
   気記録媒体。