JPS62188044A - 光磁気メモリ用媒体 - Google Patents
光磁気メモリ用媒体Info
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- JPS62188044A JPS62188044A JP2890686A JP2890686A JPS62188044A JP S62188044 A JPS62188044 A JP S62188044A JP 2890686 A JP2890686 A JP 2890686A JP 2890686 A JP2890686 A JP 2890686A JP S62188044 A JPS62188044 A JP S62188044A
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
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- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10502—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing characterised by the transducing operation to be executed
- G11B11/10515—Reproducing
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、記録情報の読み出し特性を改善した光磁気メ
モリ用媒体に関する。
モリ用媒体に関する。
（従来の技術）
現在、光磁気メモリ用の半導体レーザーとしては波長８
００ｎｍ程度のものが用いられているが、記録密度の点
からもさらに短波長のものが望まれ、盛んに研究・開発
が進められている。光磁気メモリ用媒体の読み出し特性
の改善方法の１つとして、磁性媒体に誘電体層または反
射層を組み合わせて読み出し特性の改善する方法がある
（例えば特開昭６０−２５０３６号）。この方法では、
特定の波長に対して最適な層の構成が調べられていて、
その波長依存性については調べられていなかった。
００ｎｍ程度のものが用いられているが、記録密度の点
からもさらに短波長のものが望まれ、盛んに研究・開発
が進められている。光磁気メモリ用媒体の読み出し特性
の改善方法の１つとして、磁性媒体に誘電体層または反
射層を組み合わせて読み出し特性の改善する方法がある
（例えば特開昭６０−２５０３６号）。この方法では、
特定の波長に対して最適な層の構成が調べられていて、
その波長依存性については調べられていなかった。
（発明が解決しようとする問題点）
将来の半導体レーザーの短波長化を考えると、１つの媒
体において、かなり広い波長範囲で読み出し特性が一定
であることが望まれるが、上記のようにして設定された
層構成の媒体ではそれが実現できなかった。
体において、かなり広い波長範囲で読み出し特性が一定
であることが望まれるが、上記のようにして設定された
層構成の媒体ではそれが実現できなかった。
本発明の目的は、上記従来の欠点を改良し、読み出し特
性が広い波長範囲で良好な光磁気メモリ用媒体を提供す
ることにある。
性が広い波長範囲で良好な光磁気メモリ用媒体を提供す
ることにある。
ｃ間層点を解決するための手段〕
上記目的達成可能な本発明は、
（＋）光の入射側に配置される透明基板、少なくとも一
層以上の磁性層を含む記録層、少なくとも一層以上の誘
電体層および少なくとも一層以上の反射層を順次有する
多Ｐ：！Ｉ構造の光磁気メモリ用媒体、 （２）光の入射側に配置される透明基板、少なくとカ一
層以上の誘電体層、少なくとも一層以上の磁性層を含む
記録層、少なくとも一層以上の誘電体層および少なくと
も一層以上の反射層を順次有する多層構造の光磁気メモ
リ用媒体 。
層以上の磁性層を含む記録層、少なくとも一層以上の誘
電体層および少なくとも一層以上の反射層を順次有する
多Ｐ：！Ｉ構造の光磁気メモリ用媒体、 （２）光の入射側に配置される透明基板、少なくとカ一
層以上の誘電体層、少なくとも一層以上の磁性層を含む
記録層、少なくとも一層以上の誘電体層および少なくと
も一層以上の反射層を順次有する多層構造の光磁気メモ
リ用媒体 。
のそれぞれにおいて、光の波長８００ｎｍでの読み出し
性能指数Ｆ （Ｆ＝Ｒ・θｋ、Ｒ：光の強度反射率、θ
ｂ：ｉｆｉ気光学カー回転角）が最大となる＋＋ｑ Ｊ
ｑよりも該誘電体層の膜厚を薄くし、光の波長６００ｎ
ｍにおけるＦが、８００ｎｍの値の８０％以上であるこ
とを特徴とする光磁気メモリ用媒体である。
性能指数Ｆ （Ｆ＝Ｒ・θｋ、Ｒ：光の強度反射率、θ
ｂ：ｉｆｉ気光学カー回転角）が最大となる＋＋ｑ Ｊ
ｑよりも該誘電体層の膜厚を薄くし、光の波長６００ｎ
ｍにおけるＦが、８００ｎｍの値の８０％以上であるこ
とを特徴とする光磁気メモリ用媒体である。
なお、上記誘電体層は、再生光の干渉作用により読み出
し特性を向上させるものであり、その材質は記録・再生
光に対して実質的に透明な誘電体物質であるならば、そ
の種類は任意である。
し特性を向上させるものであり、その材質は記録・再生
光に対して実質的に透明な誘電体物質であるならば、そ
の種類は任意である。
（作 用）
本発明の光磁気メモリ用媒体は、読み出し特性が、再生
光の波長の変動の影Δを受けにくく、その広い波長範囲
、特に５５０〜Ｑ４０ ｎｍで実用上支障ない値を維持
する。
光の波長の変動の影Δを受けにくく、その広い波長範囲
、特に５５０〜Ｑ４０ ｎｍで実用上支障ない値を維持
する。
（実施例〕
本発明を以下に詳細に説明する。
まず、従来例であるガラス基板／磁性層：Ｔｂ−Ｆｅ（
１００人）／５ｉ０２／＾ｌの層構成を有する光磁気メ
モリ媒体におけるＦとＲの変化を、５ｉ０２の膜厚に対
してプロットしたもの（光の波長＝ ８００ｎｍ）を図
１に示す。ここで、Ｆは光の検出器として、ＰＩＮフォ
トダイオード等の自己増倍性のないものを用いた場合の
読み出し性能指数であり、強度反射率Ｒに磁気光学カー
回転角θｋをかけたもので、読み出し特性の良否を表わ
す量である。
１００人）／５ｉ０２／＾ｌの層構成を有する光磁気メ
モリ媒体におけるＦとＲの変化を、５ｉ０２の膜厚に対
してプロットしたもの（光の波長＝ ８００ｎｍ）を図
１に示す。ここで、Ｆは光の検出器として、ＰＩＮフォ
トダイオード等の自己増倍性のないものを用いた場合の
読み出し性能指数であり、強度反射率Ｒに磁気光学カー
回転角θｋをかけたもので、読み出し特性の良否を表わ
す量である。
図１は、誘電体層（Ｓｉ０２ ）の膜厚が約４５０人と
２００ＯＡのときに再生光の最適な干渉作用を起こし、
Ｆの極大値を与えることを示している。この５ｉ０２の
膜厚を７５０人に固定したときのＦとＲの波長依存性を
図２に示す。波長が短くなるにつれてＦもＲもかなり小
さくなる。またＳｉ０２の膜厚を２０００人に固定した
ときのＦと凡の波長依存性を図３に示すが、このときに
は波長が６５０ｎｍ付近の光では、Ｆは０となり記録情
報をまったく読み出せないことがわかる。将来の半導体
レーザーの短波長化を考えると、１つの媒体において、
かなり広い波長範囲でＦが一定であることが望まれるが
、このような層構成の光磁気メモリ用媒体ではそれが実
現できない。
２００ＯＡのときに再生光の最適な干渉作用を起こし、
Ｆの極大値を与えることを示している。この５ｉ０２の
膜厚を７５０人に固定したときのＦとＲの波長依存性を
図２に示す。波長が短くなるにつれてＦもＲもかなり小
さくなる。またＳｉ０２の膜厚を２０００人に固定した
ときのＦと凡の波長依存性を図３に示すが、このときに
は波長が６５０ｎｍ付近の光では、Ｆは０となり記録情
報をまったく読み出せないことがわかる。将来の半導体
レーザーの短波長化を考えると、１つの媒体において、
かなり広い波長範囲でＦが一定であることが望まれるが
、このような層構成の光磁気メモリ用媒体ではそれが実
現できない。
次に、表１を参照しつつ、代表例により本発明の光磁気
メモリ用媒体を説明する。表中において、各欄の上段は
各層のｎｑ厚を８００ｎｍにおけるＦの最適値にほぼ一
致するように設定した従来の光磁気メモリ用媒体の測定
結果であり、下段は波長依存性が良くなるように誘電体
層の膜厚を薄くした本発明の層構成を有する光磁気メモ
リ用媒体の測定結果である。
メモリ用媒体を説明する。表中において、各欄の上段は
各層のｎｑ厚を８００ｎｍにおけるＦの最適値にほぼ一
致するように設定した従来の光磁気メモリ用媒体の測定
結果であり、下段は波長依存性が良くなるように誘電体
層の膜厚を薄くした本発明の層構成を有する光磁気メモ
リ用媒体の測定結果である。
（１）ガラス基板／ｉｉｔ性層／誘電体層／反射層とし
た場合。
た場合。
ガラス基板／ ＧｄＴｂＦｅＣｏ （１７０人）／Ｓｉ
ｎ／パノの層構成では、誘導体層（Ｓｉｎ）の膜厚を４
００人から３００人に薄くすると、８００ｒｖ＋におけ
るＦは１５．２ｍ１ｎから１４．８ｍ１ｎとあまり変わ
らないが、 ６００ｍｎにおけるＦは８００ｎｍの０．
７４倍から０．８２倍となり、Ｆの波長依存性が改善さ
れる。
ｎ／パノの層構成では、誘導体層（Ｓｉｎ）の膜厚を４
００人から３００人に薄くすると、８００ｒｖ＋におけ
るＦは１５．２ｍ１ｎから１４．８ｍ１ｎとあまり変わ
らないが、 ６００ｍｎにおけるＦは８００ｎｍの０．
７４倍から０．８２倍となり、Ｆの波長依存性が改善さ
れる。
（２）ガラス基板／誘電体層（＾）／ｌ性層／誘電体層
（Ｂ）／反射層とした場合、 ガラス基板／５ｉＯ（Ａ）／ＧｄＴｂＦｅＣｏ（１７０
人） ／Ｓ ｉＯ（Ｂ）／パノの構成は、（１）の構成
の光磁気メモリ用媒体のガラスと磁性層との間にさらに
誘電体層（Ａ）をはざんたもので、（１）の構成ですで
に反射率がかなり低下しており、誘電体層（八）に屈折
率の大きいものを用いると反射率が極端に低下し、フォ
カスサーボやトラッキングサーボがかからなくなるので
、誘電体層（＾）には屈折率の小さいＳｉＯを用いてい
る。Ｓ ｉＯ（八）層の膜厚を２２００人から２０００
人、５ｉＯ（Ｂ）層の膜厚を４００人から３００人に薄
くすると、Ｆ （６００ｎｍ）／Ｆ （８００ｎｍ）は
０，６８から０．旧に改善され５しかもＦ （８００ｎ
ｍ）の値はほとんど低下してない。
（Ｂ）／反射層とした場合、 ガラス基板／５ｉＯ（Ａ）／ＧｄＴｂＦｅＣｏ（１７０
人） ／Ｓ ｉＯ（Ｂ）／パノの構成は、（１）の構成
の光磁気メモリ用媒体のガラスと磁性層との間にさらに
誘電体層（Ａ）をはざんたもので、（１）の構成ですで
に反射率がかなり低下しており、誘電体層（八）に屈折
率の大きいものを用いると反射率が極端に低下し、フォ
カスサーボやトラッキングサーボがかからなくなるので
、誘電体層（＾）には屈折率の小さいＳｉＯを用いてい
る。Ｓ ｉＯ（八）層の膜厚を２２００人から２０００
人、５ｉＯ（Ｂ）層の膜厚を４００人から３００人に薄
くすると、Ｆ （６００ｎｍ）／Ｆ （８００ｎｍ）は
０，６８から０．旧に改善され５しかもＦ （８００ｎ
ｍ）の値はほとんど低下してない。
（２）の構成の光磁気メモリ用媒体において、誘電体層
や磁性層の材料の選定の仕方等によっては、２つの誘電
体層の一方のみのＩ１５！厚を薄くするだけでＦ （６
００ｎｍ）／Ｆ （８００ｎｍ）を０．８０以上にする
ことができる。
や磁性層の材料の選定の仕方等によっては、２つの誘電
体層の一方のみのＩ１５！厚を薄くするだけでＦ （６
００ｎｍ）／Ｆ （８００ｎｍ）を０．８０以上にする
ことができる。
以上の代表例から明らかなように、誘電体層の膜厚を光
の波長が８００ｎｍのときのＦが最大となる膜厚よりも
薄くして、の値８０Ｊ以上とした本発明の光磁気メモリ
用媒体によって、読み出し特性が再生光波長の広い範囲
にわたり変動の少ない良好なものとなる。
の波長が８００ｎｍのときのＦが最大となる膜厚よりも
薄くして、の値８０Ｊ以上とした本発明の光磁気メモリ
用媒体によって、読み出し特性が再生光波長の広い範囲
にわたり変動の少ない良好なものとなる。
図１は従来例であるガラス基板／Ｔｂ−Ｆｅ（１００人
）／ＳｉＯ２ハｌの構成におけるＦとＲ（＝光の強度反
射率）の変化を、ＳｉＯ２の膜厚に対してプロットした
図（光の波長＝ ８００ｎｍ ）であり、図２は５ｉ０
２の膜厚を４５０人に固定したときのＦとＲの波長依存
性を示す図であり、図３は５ｉ０２の■ｑ厚を２０００
人に固定したときの波長依存性を示す図である。
）／ＳｉＯ２ハｌの構成におけるＦとＲ（＝光の強度反
射率）の変化を、ＳｉＯ２の膜厚に対してプロットした
図（光の波長＝ ８００ｎｍ ）であり、図２は５ｉ０
２の膜厚を４５０人に固定したときのＦとＲの波長依存
性を示す図であり、図３は５ｉ０２の■ｑ厚を２０００
人に固定したときの波長依存性を示す図である。
Claims (2)
- （１）光の入射側に配置される透明基板、少なくとも一
層以上の磁性層を含む記録層、少なくとも一層以上の誘
電体層および少なくとも一層以上の反射層を順次有する
多層構造の光磁気メモリ用媒体において、光の波長８０
０ｎｍでの読み出し性能指数Ｆ（Ｆ＝Ｒ・θ＿ｋ、Ｒ：
光の強度反射率、θ＿ｋ：磁気光学カー回転角）が最大
となる膜厚よりも該誘電体層の膜厚を薄くし、光の波長
６００ｎｍにおけるＦが、８００ｎｍの値の８０％以上
であることを特徴とする光磁気メモリ用媒体。 - （２）光の入射側に配置される透明基板、少なくとも一
層以上の誘電体層、少なくとも一層以上の磁性層を含む
記録層、少なくとも一層以上の誘電体層および少なくと
も一層以上の反射層を順次有する多層構造の光磁気メモ
リ用媒体において、光の波長８００ｎｍでの読み出し性
能指数Ｆ（Ｆ＝Ｒ・θ＿ｋ、Ｒ：光の強度反射率、θ＿
ｋ：磁気光学カー回転角）が最大となる膜厚よりも該誘
電体層の膜厚を薄くし、光の波長６００ｎｍにおけるＦ
が、８００ｎｍの値の８０％以上であることを特徴とす
る光磁気メモリ用媒体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2890686A JPS62188044A (ja) | 1986-02-14 | 1986-02-14 | 光磁気メモリ用媒体 |
| GB08629107A GB2184618A (en) | 1985-12-11 | 1986-12-05 | Magneto-optical memory medium |
| FR8617295A FR2591381A1 (fr) | 1985-12-11 | 1986-12-10 | Support de memoire magneto-optique |
| DE19863642225 DE3642225A1 (de) | 1985-12-11 | 1986-12-10 | Magnetooptisches speichermaterial |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2890686A JPS62188044A (ja) | 1986-02-14 | 1986-02-14 | 光磁気メモリ用媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62188044A true JPS62188044A (ja) | 1987-08-17 |
Family
ID=12261447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2890686A Pending JPS62188044A (ja) | 1985-12-11 | 1986-02-14 | 光磁気メモリ用媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62188044A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5357494A (en) * | 1989-09-08 | 1994-10-18 | Sony Corporation | Magneto-optical playback method |
-
1986
- 1986-02-14 JP JP2890686A patent/JPS62188044A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5357494A (en) * | 1989-09-08 | 1994-10-18 | Sony Corporation | Magneto-optical playback method |
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