JPS62139155A - 光磁気メモリ用媒体 - Google Patents
光磁気メモリ用媒体Info
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- JPS62139155A JPS62139155A JP27703185A JP27703185A JPS62139155A JP S62139155 A JPS62139155 A JP S62139155A JP 27703185 A JP27703185 A JP 27703185A JP 27703185 A JP27703185 A JP 27703185A JP S62139155 A JPS62139155 A JP S62139155A
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
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- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10502—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing characterised by the transducing operation to be executed
- G11B11/10515—Reproducing
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、記録情報の読み出し特性を改善した光磁気メ
モリ用媒体に関する。
モリ用媒体に関する。
現在、光磁気メモリ用の半導体レーザーとしては波長8
00nm程度のものが用いられているが、記録密度の点
からもさらに短波長のものが望まれ、盛んに研究・開発
がなされている、光磁気メモリ用媒体の読み出し特性の
改善方法の1つとして、磁性媒体に誘電体層または反射
層を組み合わせて読み出し特性の改善する方法がある(
たとえば特開昭8O−250313)。ここでは、特定
の波長に対して最適な層の構成が調べられていて、その
波長依存性については調べられていなかった。
00nm程度のものが用いられているが、記録密度の点
からもさらに短波長のものが望まれ、盛んに研究・開発
がなされている、光磁気メモリ用媒体の読み出し特性の
改善方法の1つとして、磁性媒体に誘電体層または反射
層を組み合わせて読み出し特性の改善する方法がある(
たとえば特開昭8O−250313)。ここでは、特定
の波長に対して最適な層の構成が調べられていて、その
波長依存性については調べられていなかった。
将来の半導体レーザーの短波長化を考えると、1つの媒
体において、かなり広い波長範囲で読み出し特性が一定
であることが望まれるが、上記のようにして設定された
層構成の媒体ではそれが実現できなかった。
体において、かなり広い波長範囲で読み出し特性が一定
であることが望まれるが、上記のようにして設定された
層構成の媒体ではそれが実現できなかった。
本発明の目的は、上記従来の欠点を改良し、読み出し特
性が広い波長範囲で良好な光磁気メモリ用媒体を提供す
ることにある。
性が広い波長範囲で良好な光磁気メモリ用媒体を提供す
ることにある。
上記目的達成可能な本発明は、
(1)光の入射側に配置される透明基板、少なくとも一
層以上の誘電体層、少なくとも一層以上の磁性層を含む
記録層を順次力する多層構造の光磁気メモリ用媒体、 (2)光の入射側に配置される透明基板、少なくとも一
層以上の磁性層を含む記録層、少なくとも一層以上の誘
電体層、少なくとも一層以」二の反射層を順次力する多
層構造の光磁気メモリ用媒体、 (3)光の入射側に配置される透明基板、少なくとも一
層以上の誘電体層、少なくとも一層以上の磁性層を含む
記録層、少なくとも一層以」二の誘電体層、少なくとも
一層以上の反射層を順次力する多層構造の光磁気メモリ
用媒体、 (4)少なくとも二層以上の磁性層からなる記録層と、
該磁性層間に少なくとも一層以上の誘電体層とを有する
多層構造の光磁気メモリ用媒体の各々において、 該誘電体層の膜厚を光の波長800nmでの読み出し性
能指数F(F=、/R・θk、R:光の゛強度反射率、
θk:磁気光学カー回転角)が最大となる膜厚よりも薄
くし、光の波長8QOn腸におけるFが800nmの値
の75%以上であることを特徴とする光磁気メモリ用媒
体である。
層以上の誘電体層、少なくとも一層以上の磁性層を含む
記録層を順次力する多層構造の光磁気メモリ用媒体、 (2)光の入射側に配置される透明基板、少なくとも一
層以上の磁性層を含む記録層、少なくとも一層以上の誘
電体層、少なくとも一層以」二の反射層を順次力する多
層構造の光磁気メモリ用媒体、 (3)光の入射側に配置される透明基板、少なくとも一
層以上の誘電体層、少なくとも一層以上の磁性層を含む
記録層、少なくとも一層以」二の誘電体層、少なくとも
一層以上の反射層を順次力する多層構造の光磁気メモリ
用媒体、 (4)少なくとも二層以上の磁性層からなる記録層と、
該磁性層間に少なくとも一層以上の誘電体層とを有する
多層構造の光磁気メモリ用媒体の各々において、 該誘電体層の膜厚を光の波長800nmでの読み出し性
能指数F(F=、/R・θk、R:光の゛強度反射率、
θk:磁気光学カー回転角)が最大となる膜厚よりも薄
くし、光の波長8QOn腸におけるFが800nmの値
の75%以上であることを特徴とする光磁気メモリ用媒
体である。
なお、上記誘電体層は、再生光の干渉作用により読み出
し特性を向上させるものであり、その材質は記録・再生
光に対して実質的に透明な誘電体物質であるならば、そ
の種類は任意である。
し特性を向上させるものであり、その材質は記録・再生
光に対して実質的に透明な誘電体物質であるならば、そ
の種類は任意である。
本発明の光磁気メモリ用媒体は、読み出し特性が、再生
光の波長の変動の影響を受けにくく、その広い波長範囲
(この波長範囲の1ブツロクとして例えば、750〜8
4On+w、 550〜840 nmなどが挙げられる
。)で実用上支障ない値を維持する。
光の波長の変動の影響を受けにくく、その広い波長範囲
(この波長範囲の1ブツロクとして例えば、750〜8
4On+w、 550〜840 nmなどが挙げられる
。)で実用上支障ない値を維持する。
本発明を以下詳細に説明する。
図1は従来例であるglass/Tb−Fe(100A
)/SiO2/AIの層構成における読み出し性能指数
Fと強度反射率Rとの変化を、誘導体層の一例であるS
in 2からなる層の膜厚に対してプロットしたもので
ある。ここで、読み出し性能指数Fは強度反射率Rの平
方根に磁気光学カーθkをかけたもので、読み出し特性
の良否を表わす量である。
)/SiO2/AIの層構成における読み出し性能指数
Fと強度反射率Rとの変化を、誘導体層の一例であるS
in 2からなる層の膜厚に対してプロットしたもので
ある。ここで、読み出し性能指数Fは強度反射率Rの平
方根に磁気光学カーθkをかけたもので、読み出し特性
の良否を表わす量である。
読み出し性能指数Fは、再生用の光検出器として自己増
倍性のあるものを用いる場合に関与する指数である。
倍性のあるものを用いる場合に関与する指数である。
図1は、5i02の膜厚が約750Aと1800人とで
再生光の最適な干渉作用を起こし、Fの極大値を与える
ことを示している。このSi02の膜厚な750人に固
定したときのFとRの波長依存性を図2に示す、波長が
短くなるにつれてFもRもかなり小さくなっている。特
にRは短波長ではほとんどなくなっている。またSiO
2の膜厚を1800人に固定したときのF、!l−Hの
波長依存性を図3に示すが、このときには波長が800
nm付近の光では、Fは0となり記録情報をまったく読
み出せないことがわかる。将来の半導体レーザーの短波
長化を考えると、1つの媒体において、かなり広い波長
範囲でFが一定であることが望まれるが、このような構
成ではそれが実現できない。
再生光の最適な干渉作用を起こし、Fの極大値を与える
ことを示している。このSi02の膜厚な750人に固
定したときのFとRの波長依存性を図2に示す、波長が
短くなるにつれてFもRもかなり小さくなっている。特
にRは短波長ではほとんどなくなっている。またSiO
2の膜厚を1800人に固定したときのF、!l−Hの
波長依存性を図3に示すが、このときには波長が800
nm付近の光では、Fは0となり記録情報をまったく読
み出せないことがわかる。将来の半導体レーザーの短波
長化を考えると、1つの媒体において、かなり広い波長
範囲でFが一定であることが望まれるが、このような構
成ではそれが実現できない。
次に、表1を参照しつつ、光磁気メモリ用媒体の代表的
な構成、下記(1)〜(4)について本発明を説明する
。表中において、各欄の上段は各層の膜厚を800nm
におけるFの最適値にほぼ一致するように設定した従来
の媒体であり、下段は波長依存性が良くなるように誘電
体層の膜厚を薄くした本発明の層構成である。
な構成、下記(1)〜(4)について本発明を説明する
。表中において、各欄の上段は各層の膜厚を800nm
におけるFの最適値にほぼ一致するように設定した従来
の媒体であり、下段は波長依存性が良くなるように誘電
体層の膜厚を薄くした本発明の層構成である。
(+)glass/lass/磁性層とした場合。
(1−1)glass/ ZnS/GdTbFeCoの
層構成では、ZnSの膜厚を700Aから600Aに薄
くすると、800nmにおけるFはあまり変らない(約
3%の低下)が、EioonmにおけるFは800nm
のFに対して0.73倍から0.82倍の低下に改善さ
れる。
層構成では、ZnSの膜厚を700Aから600Aに薄
くすると、800nmにおけるFはあまり変らない(約
3%の低下)が、EioonmにおけるFは800nm
のFに対して0.73倍から0.82倍の低下に改善さ
れる。
(1−2)glass/SiC/GdTbFeCo O
)層構成では、SiCの膜厚を500Aから400八に
薄くすると、F(800)/F(800)はさらに0.
90倍の低下に改善される。ただし、反射率がかなり低
下する。
)層構成では、SiCの膜厚を500Aから400八に
薄くすると、F(800)/F(800)はさらに0.
90倍の低下に改善される。ただし、反射率がかなり低
下する。
(2)glass/磁性層/誘磁性層/誘電体層1九射
合(2−1)glass/GdTbFeC:o(400
A)/SiO/AIの層構成では、G’dTbFeCo
層の膜厚が厚いので、誘電体層の膜厚を変化させてもあ
まり効果はない、しかし、(1−2)と組み合せると下
記(3−1)に示すように効果がある。
合(2−1)glass/GdTbFeC:o(400
A)/SiO/AIの層構成では、G’dTbFeCo
層の膜厚が厚いので、誘電体層の膜厚を変化させてもあ
まり効果はない、しかし、(1−2)と組み合せると下
記(3−1)に示すように効果がある。
(2−2)glass/GdTbFeCo(17OA)
/SiO/AIの構成では、磁性層の膜厚が薄いので、
誘電体層の膜厚を薄くすると、eoor+mにおけるF
はあまり変化しないが、Fの波長依存性が改善される。
/SiO/AIの構成では、磁性層の膜厚が薄いので、
誘電体層の膜厚を薄くすると、eoor+mにおけるF
はあまり変化しないが、Fの波長依存性が改善される。
(3)glass/誘電体層/磁性層/誘電体R/反射
層とした場合。
層とした場合。
(3−1)glass/SiC/GdTbFeCo(4
00A)/SiO/AIの層構成は、(1−2)と(2
−1)の構成を組み合わせたものであって、Fの波長依
存性が改善されている。この構成においても反射率が低
いが、これはSiGの屈折率が大きいためで、SiCよ
りも屈折率の小さな誘電体を用いれば1反射率は高くな
る。
00A)/SiO/AIの層構成は、(1−2)と(2
−1)の構成を組み合わせたものであって、Fの波長依
存性が改善されている。この構成においても反射率が低
いが、これはSiGの屈折率が大きいためで、SiCよ
りも屈折率の小さな誘電体を用いれば1反射率は高くな
る。
(3−2)glass/SiO/GdTbFeCo(1
7OA)/SiO/AIの構成は、(2−2)の層構成
にさらにglassと磁性層の間に誘電体層をはさんだ
もので、(2−2)の層構成ですでに反射率がかなり低
下しているので、屈折率の小さいSiOを用いている。
7OA)/SiO/AIの構成は、(2−2)の層構成
にさらにglassと磁性層の間に誘電体層をはさんだ
もので、(2−2)の層構成ですでに反射率がかなり低
下しているので、屈折率の小さいSiOを用いている。
(3−3)glass/MgF2 /SiO/GdTb
FeCo(1?OA)/SiO/AIのは、(3−2)
の層構成においてglassと誘電体層の間にさらに第
2の誘電体層をはさんだものであって、MgF 2が8
0On+*のときにλ/4(入=光の波長)となる膜厚
が145OAであり、800nmのときに入/4となる
膜厚がl100Aである。
FeCo(1?OA)/SiO/AIのは、(3−2)
の層構成においてglassと誘電体層の間にさらに第
2の誘電体層をはさんだものであって、MgF 2が8
0On+*のときにλ/4(入=光の波長)となる膜厚
が145OAであり、800nmのときに入/4となる
膜厚がl100Aである。
(4)glass/lass/電体層/磁性層とした場
合(4−1)glass/(idTbFeco(17O
A)/SiO/GdTbFeCoの層構成は、磁性二層
間に誘電体層をはさんだものであって、第2の磁性層は
反射層としての機能も有する。
合(4−1)glass/(idTbFeco(17O
A)/SiO/GdTbFeCoの層構成は、磁性二層
間に誘電体層をはさんだものであって、第2の磁性層は
反射層としての機能も有する。
(3)、(4)の各場合ともFの波長依存性が改善され
ている。
ている。
以上の代表例から明らかなように、光の波長が80Or
++wのときのFが最大となる膜厚よりも、誘電体層の
膜厚を薄くした本発明の光磁気メモリ用媒体によって、
読み出し特性が再生光波長の広い範囲にわたり変動の少
ない良好なものとなる。
++wのときのFが最大となる膜厚よりも、誘電体層の
膜厚を薄くした本発明の光磁気メモリ用媒体によって、
読み出し特性が再生光波長の広い範囲にわたり変動の少
ない良好なものとなる。
図1は従来例であるglas+/Tb−Fe(100A
)/SiO2/AIの構成におけるFとR(=光の強度
反射率)の変化を、SiO2の膜厚に対してプロットし
た図(光の波長= 800nm )であり、図2はSi
n 2の膜厚を750人に固定したときのFとRの波長
依存性を示す図であり、図3はSi02の膜厚を180
0人に固定したときの波長依存性を示す図である。
)/SiO2/AIの構成におけるFとR(=光の強度
反射率)の変化を、SiO2の膜厚に対してプロットし
た図(光の波長= 800nm )であり、図2はSi
n 2の膜厚を750人に固定したときのFとRの波長
依存性を示す図であり、図3はSi02の膜厚を180
0人に固定したときの波長依存性を示す図である。
Claims (4)
- (1)光の入射側に配置される透明基板、少なくとも一
層以上の誘電体層、少なくとも一層以上の磁性層を含む
記録層を順次有する多層構造の光磁気メモリ用媒体にお
いて、該誘電体層の膜厚を光の波長800nmでの読み
出し性能指数F(F=√R・θk、R:光の強度反射率
、θk:磁気光学カー回転角)が最大となる膜厚よりも
薄くし、光の波長600nmにおけるFが800nmの
値の75%以上であることを特徴とする光磁気メモリ用
媒体。 - (2)光の入射側に配置される透明基板、少なくとも一
層以上の磁性層を含む記録層、少なくとも一層以上の誘
電体層、少なくとも一層以上の反射層を順次有する多層
構造の光磁気メモリ用媒体において、該誘電体層の膜厚
を光の波長 800nmでの読み出し性能指数Fが最大となる膜厚よ
りも薄くし、光の波長600nmにおけるFが800n
mの値の75%以上であることを特徴とする光磁気メモ
リ用媒体。 - (3)光の入射側に配置される透明基板、少なくとも一
層以上の誘電体層、少なくとも一層以上の磁性層を含む
記録層、少なくとも一層以上の誘電体層、少なくとも一
層以上の反射層を順次有する多層構造の光磁気メモリ用
媒体において、該誘電体層の膜厚を光の波長800nm
での読み出し性能指数Fが最大となる膜厚よりも薄くし
、光の波長800nmにおけるFが800nmの値の7
5%以上であることを特徴とする光磁気メモリ用媒体。 - (4)少なくとも二層以上の磁性層からなる記録層と、
該磁性層間に少なくとも一層以上の誘電体層とを有する
多層構造の光磁気メモリ用媒体において、該誘電体層の
膜厚を光の波長800nmでの読み出し性能指数Fが最
大となる膜厚よりも薄くし、光の波長600nmにおけ
るFが800nmの値の75%以上であることを特徴と
する光磁気メモリ用媒体。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27703185A JPS62139155A (ja) | 1985-12-11 | 1985-12-11 | 光磁気メモリ用媒体 |
GB08629107A GB2184618A (en) | 1985-12-11 | 1986-12-05 | Magneto-optical memory medium |
DE19863642225 DE3642225A1 (de) | 1985-12-11 | 1986-12-10 | Magnetooptisches speichermaterial |
FR8617295A FR2591381A1 (fr) | 1985-12-11 | 1986-12-10 | Support de memoire magneto-optique |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27703185A JPS62139155A (ja) | 1985-12-11 | 1985-12-11 | 光磁気メモリ用媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62139155A true JPS62139155A (ja) | 1987-06-22 |
Family
ID=17577806
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27703185A Pending JPS62139155A (ja) | 1985-12-11 | 1985-12-11 | 光磁気メモリ用媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62139155A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5667862A (en) * | 1989-03-15 | 1997-09-16 | Sony Corporation | Magneto-optical disk |
WO2000030087A1 (fr) * | 1998-11-13 | 2000-05-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Support d'enregistrement magneto-optique |
-
1985
- 1985-12-11 JP JP27703185A patent/JPS62139155A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5667862A (en) * | 1989-03-15 | 1997-09-16 | Sony Corporation | Magneto-optical disk |
WO2000030087A1 (fr) * | 1998-11-13 | 2000-05-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Support d'enregistrement magneto-optique |
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