JPS62139155A - 光磁気メモリ用媒体 - Google Patents
光磁気メモリ用媒体Info
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- JPS62139155A JPS62139155A JP27703185A JP27703185A JPS62139155A JP S62139155 A JPS62139155 A JP S62139155A JP 27703185 A JP27703185 A JP 27703185A JP 27703185 A JP27703185 A JP 27703185A JP S62139155 A JPS62139155 A JP S62139155A
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- layer
- light
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
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- G—PHYSICS
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- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10502—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing characterised by the transducing operation to be executed
- G11B11/10515—Reproducing
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、記録情報の読み出し特性を改善した光磁気メ
モリ用媒体に関する。
モリ用媒体に関する。
現在、光磁気メモリ用の半導体レーザーとしては波長８
００ｎｍ程度のものが用いられているが、記録密度の点
からもさらに短波長のものが望まれ、盛んに研究・開発
がなされている、光磁気メモリ用媒体の読み出し特性の
改善方法の１つとして、磁性媒体に誘電体層または反射
層を組み合わせて読み出し特性の改善する方法がある（
たとえば特開昭８Ｏ−２５０３１３）。ここでは、特定
の波長に対して最適な層の構成が調べられていて、その
波長依存性については調べられていなかった。
００ｎｍ程度のものが用いられているが、記録密度の点
からもさらに短波長のものが望まれ、盛んに研究・開発
がなされている、光磁気メモリ用媒体の読み出し特性の
改善方法の１つとして、磁性媒体に誘電体層または反射
層を組み合わせて読み出し特性の改善する方法がある（
たとえば特開昭８Ｏ−２５０３１３）。ここでは、特定
の波長に対して最適な層の構成が調べられていて、その
波長依存性については調べられていなかった。
将来の半導体レーザーの短波長化を考えると、１つの媒
体において、かなり広い波長範囲で読み出し特性が一定
であることが望まれるが、上記のようにして設定された
層構成の媒体ではそれが実現できなかった。
体において、かなり広い波長範囲で読み出し特性が一定
であることが望まれるが、上記のようにして設定された
層構成の媒体ではそれが実現できなかった。
本発明の目的は、上記従来の欠点を改良し、読み出し特
性が広い波長範囲で良好な光磁気メモリ用媒体を提供す
ることにある。
性が広い波長範囲で良好な光磁気メモリ用媒体を提供す
ることにある。
上記目的達成可能な本発明は、
（１）光の入射側に配置される透明基板、少なくとも一
層以上の誘電体層、少なくとも一層以上の磁性層を含む
記録層を順次力する多層構造の光磁気メモリ用媒体、 （２）光の入射側に配置される透明基板、少なくとも一
層以上の磁性層を含む記録層、少なくとも一層以上の誘
電体層、少なくとも一層以」二の反射層を順次力する多
層構造の光磁気メモリ用媒体、 （３）光の入射側に配置される透明基板、少なくとも一
層以上の誘電体層、少なくとも一層以上の磁性層を含む
記録層、少なくとも一層以」二の誘電体層、少なくとも
一層以上の反射層を順次力する多層構造の光磁気メモリ
用媒体、 （４）少なくとも二層以上の磁性層からなる記録層と、
該磁性層間に少なくとも一層以上の誘電体層とを有する
多層構造の光磁気メモリ用媒体の各々において、 該誘電体層の膜厚を光の波長８００ｎｍでの読み出し性
能指数Ｆ（Ｆ＝、／Ｒ・θｋ、Ｒ：光の゛強度反射率、
θｋ：磁気光学カー回転角）が最大となる膜厚よりも薄
くし、光の波長８ＱＯｎ腸におけるＦが８００ｎｍの値
の７５％以上であることを特徴とする光磁気メモリ用媒
体である。
層以上の誘電体層、少なくとも一層以上の磁性層を含む
記録層を順次力する多層構造の光磁気メモリ用媒体、 （２）光の入射側に配置される透明基板、少なくとも一
層以上の磁性層を含む記録層、少なくとも一層以上の誘
電体層、少なくとも一層以」二の反射層を順次力する多
層構造の光磁気メモリ用媒体、 （３）光の入射側に配置される透明基板、少なくとも一
層以上の誘電体層、少なくとも一層以上の磁性層を含む
記録層、少なくとも一層以」二の誘電体層、少なくとも
一層以上の反射層を順次力する多層構造の光磁気メモリ
用媒体、 （４）少なくとも二層以上の磁性層からなる記録層と、
該磁性層間に少なくとも一層以上の誘電体層とを有する
多層構造の光磁気メモリ用媒体の各々において、 該誘電体層の膜厚を光の波長８００ｎｍでの読み出し性
能指数Ｆ（Ｆ＝、／Ｒ・θｋ、Ｒ：光の゛強度反射率、
θｋ：磁気光学カー回転角）が最大となる膜厚よりも薄
くし、光の波長８ＱＯｎ腸におけるＦが８００ｎｍの値
の７５％以上であることを特徴とする光磁気メモリ用媒
体である。
なお、上記誘電体層は、再生光の干渉作用により読み出
し特性を向上させるものであり、その材質は記録・再生
光に対して実質的に透明な誘電体物質であるならば、そ
の種類は任意である。
し特性を向上させるものであり、その材質は記録・再生
光に対して実質的に透明な誘電体物質であるならば、そ
の種類は任意である。
本発明の光磁気メモリ用媒体は、読み出し特性が、再生
光の波長の変動の影響を受けにくく、その広い波長範囲
（この波長範囲の１ブツロクとして例えば、７５０〜８
４Ｏｎ＋ｗ、 ５５０〜８４０ ｎｍなどが挙げられる
。）で実用上支障ない値を維持する。
光の波長の変動の影響を受けにくく、その広い波長範囲
（この波長範囲の１ブツロクとして例えば、７５０〜８
４Ｏｎ＋ｗ、 ５５０〜８４０ ｎｍなどが挙げられる
。）で実用上支障ない値を維持する。
本発明を以下詳細に説明する。
図１は従来例であるｇｌａｓｓ／Ｔｂ−Ｆｅ（１００Ａ
）／ＳｉＯ２／ＡＩの層構成における読み出し性能指数
Ｆと強度反射率Ｒとの変化を、誘導体層の一例であるＳ
ｉｎ ２からなる層の膜厚に対してプロットしたもので
ある。ここで、読み出し性能指数Ｆは強度反射率Ｒの平
方根に磁気光学カーθｋをかけたもので、読み出し特性
の良否を表わす量である。
）／ＳｉＯ２／ＡＩの層構成における読み出し性能指数
Ｆと強度反射率Ｒとの変化を、誘導体層の一例であるＳ
ｉｎ ２からなる層の膜厚に対してプロットしたもので
ある。ここで、読み出し性能指数Ｆは強度反射率Ｒの平
方根に磁気光学カーθｋをかけたもので、読み出し特性
の良否を表わす量である。
読み出し性能指数Ｆは、再生用の光検出器として自己増
倍性のあるものを用いる場合に関与する指数である。
倍性のあるものを用いる場合に関与する指数である。
図１は、５ｉ０２の膜厚が約７５０Ａと１８００人とで
再生光の最適な干渉作用を起こし、Ｆの極大値を与える
ことを示している。このＳｉ０２の膜厚な７５０人に固
定したときのＦとＲの波長依存性を図２に示す、波長が
短くなるにつれてＦもＲもかなり小さくなっている。特
にＲは短波長ではほとんどなくなっている。またＳｉＯ
２の膜厚を１８００人に固定したときのＦ、！ｌ−Ｈの
波長依存性を図３に示すが、このときには波長が８００
ｎｍ付近の光では、Ｆは０となり記録情報をまったく読
み出せないことがわかる。将来の半導体レーザーの短波
長化を考えると、１つの媒体において、かなり広い波長
範囲でＦが一定であることが望まれるが、このような構
成ではそれが実現できない。
再生光の最適な干渉作用を起こし、Ｆの極大値を与える
ことを示している。このＳｉ０２の膜厚な７５０人に固
定したときのＦとＲの波長依存性を図２に示す、波長が
短くなるにつれてＦもＲもかなり小さくなっている。特
にＲは短波長ではほとんどなくなっている。またＳｉＯ
２の膜厚を１８００人に固定したときのＦ、！ｌ−Ｈの
波長依存性を図３に示すが、このときには波長が８００
ｎｍ付近の光では、Ｆは０となり記録情報をまったく読
み出せないことがわかる。将来の半導体レーザーの短波
長化を考えると、１つの媒体において、かなり広い波長
範囲でＦが一定であることが望まれるが、このような構
成ではそれが実現できない。
次に、表１を参照しつつ、光磁気メモリ用媒体の代表的
な構成、下記（１）〜（４）について本発明を説明する
。表中において、各欄の上段は各層の膜厚を８００ｎｍ
におけるＦの最適値にほぼ一致するように設定した従来
の媒体であり、下段は波長依存性が良くなるように誘電
体層の膜厚を薄くした本発明の層構成である。
な構成、下記（１）〜（４）について本発明を説明する
。表中において、各欄の上段は各層の膜厚を８００ｎｍ
におけるＦの最適値にほぼ一致するように設定した従来
の媒体であり、下段は波長依存性が良くなるように誘電
体層の膜厚を薄くした本発明の層構成である。
（＋）ｇｌａｓｓ／ｌａｓｓ／磁性層とした場合。
（１−１）ｇｌａｓｓ／ ＺｎＳ／ＧｄＴｂＦｅＣｏの
層構成では、ＺｎＳの膜厚を７００Ａから６００Ａに薄
くすると、８００ｎｍにおけるＦはあまり変らない（約
３％の低下）が、ＥｉｏｏｎｍにおけるＦは８００ｎｍ
のＦに対して０．７３倍から０．８２倍の低下に改善さ
れる。
層構成では、ＺｎＳの膜厚を７００Ａから６００Ａに薄
くすると、８００ｎｍにおけるＦはあまり変らない（約
３％の低下）が、ＥｉｏｏｎｍにおけるＦは８００ｎｍ
のＦに対して０．７３倍から０．８２倍の低下に改善さ
れる。
（１−２）ｇｌａｓｓ／ＳｉＣ／ＧｄＴｂＦｅＣｏ Ｏ
）層構成では、ＳｉＣの膜厚を５００Ａから４００八に
薄くすると、Ｆ（８００）／Ｆ（８００）はさらに０．
９０倍の低下に改善される。ただし、反射率がかなり低
下する。
）層構成では、ＳｉＣの膜厚を５００Ａから４００八に
薄くすると、Ｆ（８００）／Ｆ（８００）はさらに０．
９０倍の低下に改善される。ただし、反射率がかなり低
下する。
（２）ｇｌａｓｓ／磁性層／誘磁性層／誘電体層１九射
合（２−１）ｇｌａｓｓ／ＧｄＴｂＦｅＣ：ｏ（４００
Ａ）／ＳｉＯ／ＡＩの層構成では、Ｇ’ｄＴｂＦｅＣｏ
層の膜厚が厚いので、誘電体層の膜厚を変化させてもあ
まり効果はない、しかし、（１−２）と組み合せると下
記（３−１）に示すように効果がある。
合（２−１）ｇｌａｓｓ／ＧｄＴｂＦｅＣ：ｏ（４００
Ａ）／ＳｉＯ／ＡＩの層構成では、Ｇ’ｄＴｂＦｅＣｏ
層の膜厚が厚いので、誘電体層の膜厚を変化させてもあ
まり効果はない、しかし、（１−２）と組み合せると下
記（３−１）に示すように効果がある。
（２−２）ｇｌａｓｓ／ＧｄＴｂＦｅＣｏ（１７ＯＡ）
／ＳｉＯ／ＡＩの構成では、磁性層の膜厚が薄いので、
誘電体層の膜厚を薄くすると、ｅｏｏｒ＋ｍにおけるＦ
はあまり変化しないが、Ｆの波長依存性が改善される。
／ＳｉＯ／ＡＩの構成では、磁性層の膜厚が薄いので、
誘電体層の膜厚を薄くすると、ｅｏｏｒ＋ｍにおけるＦ
はあまり変化しないが、Ｆの波長依存性が改善される。
（３）ｇｌａｓｓ／誘電体層／磁性層／誘電体Ｒ／反射
層とした場合。
層とした場合。
（３−１）ｇｌａｓｓ／ＳｉＣ／ＧｄＴｂＦｅＣｏ（４
００Ａ）／ＳｉＯ／ＡＩの層構成は、（１−２）と（２
−１）の構成を組み合わせたものであって、Ｆの波長依
存性が改善されている。この構成においても反射率が低
いが、これはＳｉＧの屈折率が大きいためで、ＳｉＣよ
りも屈折率の小さな誘電体を用いれば１反射率は高くな
る。
００Ａ）／ＳｉＯ／ＡＩの層構成は、（１−２）と（２
−１）の構成を組み合わせたものであって、Ｆの波長依
存性が改善されている。この構成においても反射率が低
いが、これはＳｉＧの屈折率が大きいためで、ＳｉＣよ
りも屈折率の小さな誘電体を用いれば１反射率は高くな
る。
（３−２）ｇｌａｓｓ／ＳｉＯ／ＧｄＴｂＦｅＣｏ（１
７ＯＡ）／ＳｉＯ／ＡＩの構成は、（２−２）の層構成
にさらにｇｌａｓｓと磁性層の間に誘電体層をはさんだ
もので、（２−２）の層構成ですでに反射率がかなり低
下しているので、屈折率の小さいＳｉＯを用いている。
７ＯＡ）／ＳｉＯ／ＡＩの構成は、（２−２）の層構成
にさらにｇｌａｓｓと磁性層の間に誘電体層をはさんだ
もので、（２−２）の層構成ですでに反射率がかなり低
下しているので、屈折率の小さいＳｉＯを用いている。
（３−３）ｇｌａｓｓ／ＭｇＦ２ ／ＳｉＯ／ＧｄＴｂ
ＦｅＣｏ（１？ＯＡ）／ＳｉＯ／ＡＩのは、（３−２）
の層構成においてｇｌａｓｓと誘電体層の間にさらに第
２の誘電体層をはさんだものであって、ＭｇＦ ２が８
０Ｏｎ＋＊のときにλ／４（入＝光の波長）となる膜厚
が１４５ＯＡであり、８００ｎｍのときに入／４となる
膜厚がｌ１００Ａである。
ＦｅＣｏ（１？ＯＡ）／ＳｉＯ／ＡＩのは、（３−２）
の層構成においてｇｌａｓｓと誘電体層の間にさらに第
２の誘電体層をはさんだものであって、ＭｇＦ ２が８
０Ｏｎ＋＊のときにλ／４（入＝光の波長）となる膜厚
が１４５ＯＡであり、８００ｎｍのときに入／４となる
膜厚がｌ１００Ａである。
（４）ｇｌａｓｓ／ｌａｓｓ／電体層／磁性層とした場
合（４−１）ｇｌａｓｓ／（ｉｄＴｂＦｅｃｏ（１７Ｏ
Ａ）／ＳｉＯ／ＧｄＴｂＦｅＣｏの層構成は、磁性二層
間に誘電体層をはさんだものであって、第２の磁性層は
反射層としての機能も有する。
合（４−１）ｇｌａｓｓ／（ｉｄＴｂＦｅｃｏ（１７Ｏ
Ａ）／ＳｉＯ／ＧｄＴｂＦｅＣｏの層構成は、磁性二層
間に誘電体層をはさんだものであって、第２の磁性層は
反射層としての機能も有する。
（３）、（４）の各場合ともＦの波長依存性が改善され
ている。
ている。
以上の代表例から明らかなように、光の波長が８０Ｏｒ
＋＋ｗのときのＦが最大となる膜厚よりも、誘電体層の
膜厚を薄くした本発明の光磁気メモリ用媒体によって、
読み出し特性が再生光波長の広い範囲にわたり変動の少
ない良好なものとなる。
＋＋ｗのときのＦが最大となる膜厚よりも、誘電体層の
膜厚を薄くした本発明の光磁気メモリ用媒体によって、
読み出し特性が再生光波長の広い範囲にわたり変動の少
ない良好なものとなる。
図１は従来例であるｇｌａｓ＋／Ｔｂ−Ｆｅ（１００Ａ
）／ＳｉＯ２／ＡＩの構成におけるＦとＲ（＝光の強度
反射率）の変化を、ＳｉＯ２の膜厚に対してプロットし
た図（光の波長＝ ８００ｎｍ ）であり、図２はＳｉ
ｎ ２の膜厚を７５０人に固定したときのＦとＲの波長
依存性を示す図であり、図３はＳｉ０２の膜厚を１８０
０人に固定したときの波長依存性を示す図である。
）／ＳｉＯ２／ＡＩの構成におけるＦとＲ（＝光の強度
反射率）の変化を、ＳｉＯ２の膜厚に対してプロットし
た図（光の波長＝ ８００ｎｍ ）であり、図２はＳｉ
ｎ ２の膜厚を７５０人に固定したときのＦとＲの波長
依存性を示す図であり、図３はＳｉ０２の膜厚を１８０
０人に固定したときの波長依存性を示す図である。
Claims (4)
- （１）光の入射側に配置される透明基板、少なくとも一
層以上の誘電体層、少なくとも一層以上の磁性層を含む
記録層を順次有する多層構造の光磁気メモリ用媒体にお
いて、該誘電体層の膜厚を光の波長８００ｎｍでの読み
出し性能指数Ｆ（Ｆ＝√Ｒ・θｋ、Ｒ：光の強度反射率
、θｋ：磁気光学カー回転角）が最大となる膜厚よりも
薄くし、光の波長６００ｎｍにおけるＦが８００ｎｍの
値の７５％以上であることを特徴とする光磁気メモリ用
媒体。 - （２）光の入射側に配置される透明基板、少なくとも一
層以上の磁性層を含む記録層、少なくとも一層以上の誘
電体層、少なくとも一層以上の反射層を順次有する多層
構造の光磁気メモリ用媒体において、該誘電体層の膜厚
を光の波長 ８００ｎｍでの読み出し性能指数Ｆが最大となる膜厚よ
りも薄くし、光の波長６００ｎｍにおけるＦが８００ｎ
ｍの値の７５％以上であることを特徴とする光磁気メモ
リ用媒体。 - （３）光の入射側に配置される透明基板、少なくとも一
層以上の誘電体層、少なくとも一層以上の磁性層を含む
記録層、少なくとも一層以上の誘電体層、少なくとも一
層以上の反射層を順次有する多層構造の光磁気メモリ用
媒体において、該誘電体層の膜厚を光の波長８００ｎｍ
での読み出し性能指数Ｆが最大となる膜厚よりも薄くし
、光の波長８００ｎｍにおけるＦが８００ｎｍの値の７
５％以上であることを特徴とする光磁気メモリ用媒体。 - （４）少なくとも二層以上の磁性層からなる記録層と、
該磁性層間に少なくとも一層以上の誘電体層とを有する
多層構造の光磁気メモリ用媒体において、該誘電体層の
膜厚を光の波長８００ｎｍでの読み出し性能指数Ｆが最
大となる膜厚よりも薄くし、光の波長６００ｎｍにおけ
るＦが８００ｎｍの値の７５％以上であることを特徴と
する光磁気メモリ用媒体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27703185A JPS62139155A (ja) | 1985-12-11 | 1985-12-11 | 光磁気メモリ用媒体 |
| GB08629107A GB2184618A (en) | 1985-12-11 | 1986-12-05 | Magneto-optical memory medium |
| FR8617295A FR2591381A1 (fr) | 1985-12-11 | 1986-12-10 | Support de memoire magneto-optique |
| DE19863642225 DE3642225A1 (de) | 1985-12-11 | 1986-12-10 | Magnetooptisches speichermaterial |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27703185A JPS62139155A (ja) | 1985-12-11 | 1985-12-11 | 光磁気メモリ用媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62139155A true JPS62139155A (ja) | 1987-06-22 |
Family
ID=17577806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27703185A Pending JPS62139155A (ja) | 1985-12-11 | 1985-12-11 | 光磁気メモリ用媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62139155A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5667862A (en) * | 1989-03-15 | 1997-09-16 | Sony Corporation | Magneto-optical disk |
| WO2000030087A1 (fr) * | 1998-11-13 | 2000-05-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Support d'enregistrement magneto-optique |
-
1985
- 1985-12-11 JP JP27703185A patent/JPS62139155A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5667862A (en) * | 1989-03-15 | 1997-09-16 | Sony Corporation | Magneto-optical disk |
| WO2000030087A1 (fr) * | 1998-11-13 | 2000-05-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Support d'enregistrement magneto-optique |
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