JPH0393683A - 銅ペースト及びそれを用いたメタライズ方法 - Google Patents
銅ペースト及びそれを用いたメタライズ方法Info
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- JPH0393683A JPH0393683A JP22461189A JP22461189A JPH0393683A JP H0393683 A JPH0393683 A JP H0393683A JP 22461189 A JP22461189 A JP 22461189A JP 22461189 A JP22461189 A JP 22461189A JP H0393683 A JPH0393683 A JP H0393683A
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- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 43
- 239000010949 copper Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 57
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 39
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 19
- BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N copper(I) oxide Inorganic materials [Cu]O[Cu] BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N cuprous oxide Chemical compound [O-2].[Cu+].[Cu+] KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 229940112669 cuprous oxide Drugs 0.000 claims abstract description 18
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 claims description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 13
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 6
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 abstract description 4
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N dibutyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 abstract description 4
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 abstract description 4
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 abstract description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 abstract description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 abstract description 2
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 abstract description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 abstract description 2
- 239000005385 borate glass Substances 0.000 abstract 2
- ZPPSOOVFTBGHBI-UHFFFAOYSA-N lead(2+);oxido(oxo)borane Chemical compound [Pb+2].[O-]B=O.[O-]B=O ZPPSOOVFTBGHBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 238000009736 wetting Methods 0.000 abstract 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229960004643 cupric oxide Drugs 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 7
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 4
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(III) oxide Inorganic materials O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXTYOFUMVKNMLR-UHFFFAOYSA-N dioxobismuth Chemical compound O=[Bi]=O AXTYOFUMVKNMLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- -1 copper aluminate Chemical class 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
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- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の概要〕
窒化アルミニウム基板用の銅ペースト及びそれを用いた
メタライズ方法に関し、 導体と窒化アルミニウム基板との密着性を向上素子の発
熱を基板側から放熱するのに有利な熱伝導率の高い窒化
アルミニウム基板の利用の拡大を図ることを目的とし、 厚膜ペーストを、銅粉末と、窒化アルミニウムとのぬれ
性のよい鉛ほうけい酸ガラスと、窒化アルミニウムとの
反応性の高い酸化第一銅と、有機バインダ及び高沸点溶
剤とを配合してなるように構威し、またこの厚膜ペース
トを使って窒化アル逅二ウム基板をメタライズするよう
に構威する．〔産業上の利用分野〕 本発明は、基板の厚膜ペースト及びそれを使用するメタ
ライズ方法に関する．より詳しく述べれば、本発明は、
熱伝導率が高く、熱膨張がシリコンに近い窒化アルミニ
ウムをハイブリッドＩＣ用基板として応用するための銅
ペースト及び表面メタライズ方法に関する． 〔従来の技術〕 近年、素子の高密度実装に伴い素子の発熱が問題になっ
てきており、素子からの熱を基板側から放散することが
必要とされている．そのため、熱伝導率の高い窒化アル
ミニウム基板が応用されるようになってきた． 窒化アル主二ウ五基板表面をメタライズする技術として
、一般的なのは厚膜ペースト法であり、そのための各種
の厚膜ペーストが開発されている．そのほかにもいろい
ろな方法が提案されている．例えば、銅箔を直接窒化ア
ルミニウム基板に接着する方法、無電解めっきによる金
属膜の直接メタライズ法、及び高融点金属のメタライズ
法などが報告されている． 〔発明が解決しようとする課題〕 厚膜ペースト法以外の窒化アルミニウム基板のメタライ
ズ方法は、いずれも複雑な工程を必要としており、現在
のところ比較的簡単な手法で基板のメタライズが行える
のは厚膜ペースト法に限られている．ところが、従来の
厚膜法で用いられているペーストは主としてアルミナ基
板用に開発されているため、従来の方法を窒化アルミニ
ウム基板用に使用した場合にはペーストと窒化アルミニ
ウムとのぬれ性が悪く、導体と基板との密着性が著しく
小さくなってしまう。これは、従来のペーストは酸化物
のアル逅ナ基板と導体との反応を考えて作られているた
め、窒化アルミニウム基板とは反応しにくいことが原因
と考えられる．そこで、本発明は、窒化アル逅ニウム基
板とのぬれ性をよくし、しかもこの基板との反応性を高
めることができ、かくして導体と基板との密着性を向上
させることのできる窒化アルミニウム基仮用の銅ペース
ト及びそれを用いたメタライズ方法を提供し、熱伝導率
の高い窒化アルミニウム基板の利用を更に拡大すること
を目的とする。
メタライズ方法に関し、 導体と窒化アルミニウム基板との密着性を向上素子の発
熱を基板側から放熱するのに有利な熱伝導率の高い窒化
アルミニウム基板の利用の拡大を図ることを目的とし、 厚膜ペーストを、銅粉末と、窒化アルミニウムとのぬれ
性のよい鉛ほうけい酸ガラスと、窒化アルミニウムとの
反応性の高い酸化第一銅と、有機バインダ及び高沸点溶
剤とを配合してなるように構威し、またこの厚膜ペース
トを使って窒化アル逅二ウム基板をメタライズするよう
に構威する．〔産業上の利用分野〕 本発明は、基板の厚膜ペースト及びそれを使用するメタ
ライズ方法に関する．より詳しく述べれば、本発明は、
熱伝導率が高く、熱膨張がシリコンに近い窒化アルミニ
ウムをハイブリッドＩＣ用基板として応用するための銅
ペースト及び表面メタライズ方法に関する． 〔従来の技術〕 近年、素子の高密度実装に伴い素子の発熱が問題になっ
てきており、素子からの熱を基板側から放散することが
必要とされている．そのため、熱伝導率の高い窒化アル
ミニウム基板が応用されるようになってきた． 窒化アル主二ウ五基板表面をメタライズする技術として
、一般的なのは厚膜ペースト法であり、そのための各種
の厚膜ペーストが開発されている．そのほかにもいろい
ろな方法が提案されている．例えば、銅箔を直接窒化ア
ルミニウム基板に接着する方法、無電解めっきによる金
属膜の直接メタライズ法、及び高融点金属のメタライズ
法などが報告されている． 〔発明が解決しようとする課題〕 厚膜ペースト法以外の窒化アルミニウム基板のメタライ
ズ方法は、いずれも複雑な工程を必要としており、現在
のところ比較的簡単な手法で基板のメタライズが行える
のは厚膜ペースト法に限られている．ところが、従来の
厚膜法で用いられているペーストは主としてアルミナ基
板用に開発されているため、従来の方法を窒化アルミニ
ウム基板用に使用した場合にはペーストと窒化アルミニ
ウムとのぬれ性が悪く、導体と基板との密着性が著しく
小さくなってしまう。これは、従来のペーストは酸化物
のアル逅ナ基板と導体との反応を考えて作られているた
め、窒化アルミニウム基板とは反応しにくいことが原因
と考えられる．そこで、本発明は、窒化アル逅ニウム基
板とのぬれ性をよくし、しかもこの基板との反応性を高
めることができ、かくして導体と基板との密着性を向上
させることのできる窒化アルミニウム基仮用の銅ペース
ト及びそれを用いたメタライズ方法を提供し、熱伝導率
の高い窒化アルミニウム基板の利用を更に拡大すること
を目的とする。
本発明の銅ペーストは、（１〉粒子径０．１〜５．０−
の銅粉末１００重量部、（２）鉛ほうけい酸ガラス２〜
２０重量部、（３）酸化第一銅５〜１０重量部、並びに
（４）有機バインダ及び高沸点溶剤を配合してなる． 本発明の窒化アルミニウム基板のメタライズ方法では、
（１）粒子径０．１〜５． ０ ｐｍの銅粉末１００重
量部、（２）鉛ほうけい酸ガラス２〜２０重量部、（３
）酸化第一ｇ４５〜ｉｏ重量部、並びに（４）有機バイ
ンダ及び高沸点溶剤を配合してなる銅ペーストを窒化ア
ル逅二ウ五基板に塗布し、この窒化アルミニウム基板を
窒素雰囲気で焼成して基板のメタライズを行う． 本発明の銅ペーストにおいては、粒子１０．１〜５．０
ｍの銅粉末を使用する．この範囲外の粒子径の銅粉末を
使用すると、焼或後のシート抵抗が著しく増加するため
好ましくない．銅粉末の粒子径は、より好ましくは０．
４〜１． Ｏ ｒａｍである．本発明のペーストに配合
されるガラス威分は、窒化アルミニウムとのぬれ性のよ
い鉛及びケイ素を含んでなる鉛ほうけい酸ガラスである
．このガラスの粒子径は一般に１〜１０ｍであり、好ま
しくは１〜３−である．窒化アルミニウム基板とのぬれ
性を高めるためには、軟化点４００〜６００℃の鉛ほう
けい酸ガラスを選択するのが好ましい。また、鉛ほうけ
い酸ガラスは銅粉末１００重量部について２〜２０重量
部を使用するのが好ましい。ガラスの添加量が２重量部
に満たない場合には導体と基板との良好な密着性を得る
ことができず、ガラス添加量が２０重量部を超えるとシ
ート抵抗が急激に増加するため好ましくない． 本発明の銅ペーストでは、配合威分の一つとして、窒化
アル果二ウム基板との反応性の高い酸化第一銅（Ｃｕｒ
ｂ）を銅粉末１００重量部を基準として２〜２０重量部
使用する．．酸化第一銅の添加量が２重量部より少ない
場合には導体と基板との良好な密着性を得ることができ
ず、２０里量部より多い場合にはシート抵抗の著しい増
加を招くので好ましくない．より好ましい酸化第一銅の
添加量は、銅粉末１００重量部当り５〜１０重量部であ
る．酸化第一銅は、粒子径が一般に０．５〜１０−、好
ましくは１〜３Ｊ！ｍのものを使用する． 本発明の銅ペーストに配合される有機バインダ及び高沸
点溶剤は、通常の厚膜ペーストで用いられているもので
差支えない。
の銅粉末１００重量部、（２）鉛ほうけい酸ガラス２〜
２０重量部、（３）酸化第一銅５〜１０重量部、並びに
（４）有機バインダ及び高沸点溶剤を配合してなる． 本発明の窒化アルミニウム基板のメタライズ方法では、
（１）粒子径０．１〜５． ０ ｐｍの銅粉末１００重
量部、（２）鉛ほうけい酸ガラス２〜２０重量部、（３
）酸化第一ｇ４５〜ｉｏ重量部、並びに（４）有機バイ
ンダ及び高沸点溶剤を配合してなる銅ペーストを窒化ア
ル逅二ウ五基板に塗布し、この窒化アルミニウム基板を
窒素雰囲気で焼成して基板のメタライズを行う． 本発明の銅ペーストにおいては、粒子１０．１〜５．０
ｍの銅粉末を使用する．この範囲外の粒子径の銅粉末を
使用すると、焼或後のシート抵抗が著しく増加するため
好ましくない．銅粉末の粒子径は、より好ましくは０．
４〜１． Ｏ ｒａｍである．本発明のペーストに配合
されるガラス威分は、窒化アルミニウムとのぬれ性のよ
い鉛及びケイ素を含んでなる鉛ほうけい酸ガラスである
．このガラスの粒子径は一般に１〜１０ｍであり、好ま
しくは１〜３−である．窒化アルミニウム基板とのぬれ
性を高めるためには、軟化点４００〜６００℃の鉛ほう
けい酸ガラスを選択するのが好ましい。また、鉛ほうけ
い酸ガラスは銅粉末１００重量部について２〜２０重量
部を使用するのが好ましい。ガラスの添加量が２重量部
に満たない場合には導体と基板との良好な密着性を得る
ことができず、ガラス添加量が２０重量部を超えるとシ
ート抵抗が急激に増加するため好ましくない． 本発明の銅ペーストでは、配合威分の一つとして、窒化
アル果二ウム基板との反応性の高い酸化第一銅（Ｃｕｒ
ｂ）を銅粉末１００重量部を基準として２〜２０重量部
使用する．．酸化第一銅の添加量が２重量部より少ない
場合には導体と基板との良好な密着性を得ることができ
ず、２０里量部より多い場合にはシート抵抗の著しい増
加を招くので好ましくない．より好ましい酸化第一銅の
添加量は、銅粉末１００重量部当り５〜１０重量部であ
る．酸化第一銅は、粒子径が一般に０．５〜１０−、好
ましくは１〜３Ｊ！ｍのものを使用する． 本発明の銅ペーストに配合される有機バインダ及び高沸
点溶剤は、通常の厚膜ペーストで用いられているもので
差支えない。
一例を挙げれば、有機バインダとしてはエチルセルロー
ス、アクリル樹脂等を用いることができ、また高沸点溶
剤としてはテルビネオール、ジブチルフタレート等を使
用することができる．また、これらの有機バインダ及び
高沸点溶剤の使用量は実験でたやすく決めることができ
る． 上記の銅ペーストには、酸化第二銅（Ｃｕｂ）及び二酸
化ビスマスのどちらか一方あるいは両方を更に添加して
もよい．酸化第二銅を添加すると導体と基板との密着性
が改善され、三酸化ビスマスを添加するとシート抵抗を
低下させることができる．これらの戒分を添加する場合
の添加量は、銅粉末１００重量部に対して２〜２０重量
部であるのが好ましい． なお、本発明の好ましい銅ペーストは、粒子径０．４〜
１． Ｏ ＩＩＩａの銅粉末１００重量部に対し、粒子
径１〜３＃Ｉｌｏ鉛ほうけい酸ガラス３〜ｌＯ重量部、
粒子径１〜３ｔｓｓの酸化第一銅３〜１０重量部、有機
バインダとしてエチルセルロース５〜１０重量部、高沸
点溶剤としてテルピネオール５〜２０重量部を配合して
なるものである． 本発明の方法では、上記の本発明の銅ペーストの各威分
に更に低沸点溶剤（例えばメチルエチルケトン等）を加
えて混合後、低沸点溶剤を飛散させ、次いで混練してペ
ーストを調製し、そしてこのペーストを窒化アル逅二ウ
ム基板上に例えば通常のスクリーン印刷法のような方法
で塗布する．次に、ペーストを乾燥させ、そしてこの基
板を窒素雰囲気（酸素含量１０ ｐｐｍ以下が好ましい
）で焼成する．焼戒は、８５０〜９５０℃の焼成温度で
約１０分間行うのが好ましい．最も好ましい焼成温度は
約９００℃である． 〔作 用〕 本発明において、銅ペーストの鉛ほうけい酸ガラス或分
中の鉛及びケイ素は、窒化アル逅ナ基板とのぬれ性がよ
く、基板に拡散して導体と基板との密着性を向上させる
働きをする．また、酸化第一銅は、窒化アルミニウム基
板と反応してアルξン酸１ｉｉ （ＣｕＡ１ｔ０４）を
形威し、この反応相の形威により導体と基板との密着強
度を著しく大きくする．〔実施例〕 次に、実施例により本発明を更に詳しく説明する． 実ＪｕＬＬ 粒子径０．４−の銅粉末１００ｇ、粒子径１．５ｎの鉛
ほうけい酸ガラス５ｇ，粒子径３＃ｌｌの酸化第一銅１
０ｇ、さらにエチルセルロース（１０センチポアズ）１
ｇ１テルピネオール２５ｇ１メチルエチルケトン１００
ｇを加えて、ボールミルで７２時間混合した．その後、
らいかい機でメチルエチルケトンを飛散させてから、三
本ロールξルで混練し、これにより銅ペーストを調製し
た． この銅ペーストを、熱伝導率１４０Ｗ／ｓ・Ｋの市販窒
化アルミニウム基板上にスクリーン印刷した．次に、ペ
ーストを１２０℃でｌＯ分間乾燥させた．これを窒素雰
囲気（酸素１０ｐｐｍ以下）中において９００℃で１０
分間焼成した．焼成後の試料のシート抵抗及び密着強度
を測定した．密着強度は、１． ４ ｗｍ ’の試料に
銅線をはんだ付けし、垂直に引剥す９０＠剥離試験で測
定した．その結果を市販品と比較して表１および表２に
示す．更に、ガラスの添加量、Ｃｕ．０の添加量と密着
強度及びシート抵抗との関係を第１図及び第２図に示し
、銅粉末の粒子径とシート抵抗との関係を第３図に示す
．第１図より、ガラスの添加量が２重量部に満たない領
域では密着強度が急激に低下する一方、ガラス添加量が
２０重量部より多くなるとシート抵抗が急激に増大する
ことが分る．第２図からは、酸化第一銅の添加量が２重
量部に満たない場合には十分な密着強度が得られず、添
加量が２０重量部より多くなるとシート抵抗が急激に増
加することが分る．第３図からは、銅粉末の粒子径が０
．１〜５． Ｏ ｎの範囲をはずれるとシート抵抗が著
しく上昇することが分るまた、密着強度測定後の導体を
剥離した基板面をＸ線回折した結果を第４図及び第５図
に示す．第４図は酸化第一銅を添加した場合であって、
アルミン酸銅の形威されたことを示している．第５図は
酸化第一銅を添加しない場合であり、アルξン酸銅は形
威されていないことが分る．以上の結果から、各威分の
添加量および焼成温度に各特性が依存することが分る．
またペースト威分の拡散量に密着強度も依存している。
ス、アクリル樹脂等を用いることができ、また高沸点溶
剤としてはテルビネオール、ジブチルフタレート等を使
用することができる．また、これらの有機バインダ及び
高沸点溶剤の使用量は実験でたやすく決めることができ
る． 上記の銅ペーストには、酸化第二銅（Ｃｕｂ）及び二酸
化ビスマスのどちらか一方あるいは両方を更に添加して
もよい．酸化第二銅を添加すると導体と基板との密着性
が改善され、三酸化ビスマスを添加するとシート抵抗を
低下させることができる．これらの戒分を添加する場合
の添加量は、銅粉末１００重量部に対して２〜２０重量
部であるのが好ましい． なお、本発明の好ましい銅ペーストは、粒子径０．４〜
１． Ｏ ＩＩＩａの銅粉末１００重量部に対し、粒子
径１〜３＃Ｉｌｏ鉛ほうけい酸ガラス３〜ｌＯ重量部、
粒子径１〜３ｔｓｓの酸化第一銅３〜１０重量部、有機
バインダとしてエチルセルロース５〜１０重量部、高沸
点溶剤としてテルピネオール５〜２０重量部を配合して
なるものである． 本発明の方法では、上記の本発明の銅ペーストの各威分
に更に低沸点溶剤（例えばメチルエチルケトン等）を加
えて混合後、低沸点溶剤を飛散させ、次いで混練してペ
ーストを調製し、そしてこのペーストを窒化アル逅二ウ
ム基板上に例えば通常のスクリーン印刷法のような方法
で塗布する．次に、ペーストを乾燥させ、そしてこの基
板を窒素雰囲気（酸素含量１０ ｐｐｍ以下が好ましい
）で焼成する．焼戒は、８５０〜９５０℃の焼成温度で
約１０分間行うのが好ましい．最も好ましい焼成温度は
約９００℃である． 〔作 用〕 本発明において、銅ペーストの鉛ほうけい酸ガラス或分
中の鉛及びケイ素は、窒化アル逅ナ基板とのぬれ性がよ
く、基板に拡散して導体と基板との密着性を向上させる
働きをする．また、酸化第一銅は、窒化アルミニウム基
板と反応してアルξン酸１ｉｉ （ＣｕＡ１ｔ０４）を
形威し、この反応相の形威により導体と基板との密着強
度を著しく大きくする．〔実施例〕 次に、実施例により本発明を更に詳しく説明する． 実ＪｕＬＬ 粒子径０．４−の銅粉末１００ｇ、粒子径１．５ｎの鉛
ほうけい酸ガラス５ｇ，粒子径３＃ｌｌの酸化第一銅１
０ｇ、さらにエチルセルロース（１０センチポアズ）１
ｇ１テルピネオール２５ｇ１メチルエチルケトン１００
ｇを加えて、ボールミルで７２時間混合した．その後、
らいかい機でメチルエチルケトンを飛散させてから、三
本ロールξルで混練し、これにより銅ペーストを調製し
た． この銅ペーストを、熱伝導率１４０Ｗ／ｓ・Ｋの市販窒
化アルミニウム基板上にスクリーン印刷した．次に、ペ
ーストを１２０℃でｌＯ分間乾燥させた．これを窒素雰
囲気（酸素１０ｐｐｍ以下）中において９００℃で１０
分間焼成した．焼成後の試料のシート抵抗及び密着強度
を測定した．密着強度は、１． ４ ｗｍ ’の試料に
銅線をはんだ付けし、垂直に引剥す９０＠剥離試験で測
定した．その結果を市販品と比較して表１および表２に
示す．更に、ガラスの添加量、Ｃｕ．０の添加量と密着
強度及びシート抵抗との関係を第１図及び第２図に示し
、銅粉末の粒子径とシート抵抗との関係を第３図に示す
．第１図より、ガラスの添加量が２重量部に満たない領
域では密着強度が急激に低下する一方、ガラス添加量が
２０重量部より多くなるとシート抵抗が急激に増大する
ことが分る．第２図からは、酸化第一銅の添加量が２重
量部に満たない場合には十分な密着強度が得られず、添
加量が２０重量部より多くなるとシート抵抗が急激に増
加することが分る．第３図からは、銅粉末の粒子径が０
．１〜５． Ｏ ｎの範囲をはずれるとシート抵抗が著
しく上昇することが分るまた、密着強度測定後の導体を
剥離した基板面をＸ線回折した結果を第４図及び第５図
に示す．第４図は酸化第一銅を添加した場合であって、
アルミン酸銅の形威されたことを示している．第５図は
酸化第一銅を添加しない場合であり、アルξン酸銅は形
威されていないことが分る．以上の結果から、各威分の
添加量および焼成温度に各特性が依存することが分る．
またペースト威分の拡散量に密着強度も依存している。
さらに、Ｘ線回折の結果、基板と導体の界面にＣｕＡ１
．０，が形威していることが確認できた．これにより、
密着強度が大きくなっていることが分る． 表 １ 焼或温度とシート抵抗（ｍΩ／口） 表２ 焼或温度と密着強度（ＭＰａ） 実施例１で使用したペースト威分のほかに酸化第二銅を
添加して実施例１と同じように銅ペーストを調製し、こ
れを窒化アルミニウム基板上にスクリーン印刷し、窒素
雰囲気下に９００℃で１０分間焼成して、酸化第二銅の
添加量と密着強度及びシート抵抗との関係を調べた。そ
の結果を第６図に示す． １巌班主 酸化第二銅を二酸化ビスマスに替えたことを除き、実施
例２と同様に三酸化ビスマスの添加量と密着強度及びシ
ート抵抗との関係を測定した。その結果を第７図に示す
． 〔発明の効果〕 本発明によれば、窒化アルミニウム基板とのぬれ性がよ
く、しかもこの基板との反応性の高い銅ペーストを使っ
て窒化アルミニウム基板をメタライズすることが可能に
なり、これによって銅導体と窒化アルミニウム基板との
密着性が向上し、このため熱伝導率が高くて素子からの
発熱を基板側から放散するのに有利な窒化アルミニウム
基板の利用を一層拡大することができる．
．０，が形威していることが確認できた．これにより、
密着強度が大きくなっていることが分る． 表 １ 焼或温度とシート抵抗（ｍΩ／口） 表２ 焼或温度と密着強度（ＭＰａ） 実施例１で使用したペースト威分のほかに酸化第二銅を
添加して実施例１と同じように銅ペーストを調製し、こ
れを窒化アルミニウム基板上にスクリーン印刷し、窒素
雰囲気下に９００℃で１０分間焼成して、酸化第二銅の
添加量と密着強度及びシート抵抗との関係を調べた。そ
の結果を第６図に示す． １巌班主 酸化第二銅を二酸化ビスマスに替えたことを除き、実施
例２と同様に三酸化ビスマスの添加量と密着強度及びシ
ート抵抗との関係を測定した。その結果を第７図に示す
． 〔発明の効果〕 本発明によれば、窒化アルミニウム基板とのぬれ性がよ
く、しかもこの基板との反応性の高い銅ペーストを使っ
て窒化アルミニウム基板をメタライズすることが可能に
なり、これによって銅導体と窒化アルミニウム基板との
密着性が向上し、このため熱伝導率が高くて素子からの
発熱を基板側から放散するのに有利な窒化アルミニウム
基板の利用を一層拡大することができる．
第１図は鉛ほうけい酸ガラスの添加量と密着強度及びシ
ート抵抗との関係を示すグラフ、第２１！１は酸化第一
銅の添加量と密着強度及びシート抵抗との関係を示すグ
ラフ、第３図は銅粉末の粒子径とシート抵抗との関係を
示すグラフ、第４図は酸化第一銅を添加した場合の導体
剥離基板面のＸ線回折図、第５図は酸化第一銅を添加し
なかった場合の導体剥離基板面のＸ線回折図、第６図は
酸化第二銅の添加量と密着強度及びシート抵抗との関係
を示すグラフ、第７図は三酸化ビスマスの添加量と密着
強度及びシート抵抗との関係を示すグラフである．
ート抵抗との関係を示すグラフ、第２１！１は酸化第一
銅の添加量と密着強度及びシート抵抗との関係を示すグ
ラフ、第３図は銅粉末の粒子径とシート抵抗との関係を
示すグラフ、第４図は酸化第一銅を添加した場合の導体
剥離基板面のＸ線回折図、第５図は酸化第一銅を添加し
なかった場合の導体剥離基板面のＸ線回折図、第６図は
酸化第二銅の添加量と密着強度及びシート抵抗との関係
を示すグラフ、第７図は三酸化ビスマスの添加量と密着
強度及びシート抵抗との関係を示すグラフである．
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、（１）粒子径０．１〜５．０μｍの銅粉末１００重
量部、（２）鉛ほうけい酸ガラス２〜２０重量部、（３
）酸化第一銅５〜１０重量部、並びに（４）有機バイン
ダ及び高沸点溶剤を配合してなる銅ペースト。 ２、（１）粒子径０．１〜５．０μｍの銅粉末１００重
量部、（２）鉛ほうけい酸ガラス２〜２０重量部、（３
）酸化第一銅４５〜１０重量部、並びに（４）有機バイ
ンダ及び高沸点溶剤を配合してなる銅ペーストを窒化ア
ルミニウム基板に塗布し、この窒化アルミニウム基板を
窒素雰囲気で焼成して該基板のメタライズを行うことを
特徴とする、窒化アルミニウム基板のメタライズ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22461189A JP2737292B2 (ja) | 1989-09-01 | 1989-09-01 | 銅ペースト及びそれを用いたメタライズ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22461189A JP2737292B2 (ja) | 1989-09-01 | 1989-09-01 | 銅ペースト及びそれを用いたメタライズ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0393683A true JPH0393683A (ja) | 1991-04-18 |
| JP2737292B2 JP2737292B2 (ja) | 1998-04-08 |
Family
ID=16816438
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22461189A Expired - Fee Related JP2737292B2 (ja) | 1989-09-01 | 1989-09-01 | 銅ペースト及びそれを用いたメタライズ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2737292B2 (ja) |
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0782059A (ja) * | 1993-06-16 | 1995-03-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 高熱伝導性基板およびその製造方法 |
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| JP2005226833A (ja) * | 2004-02-10 | 2005-08-25 | Schieffer Gmbh & Co Kg | ホース接続部品、ホース継手、及びホース接続部品を有するホース金具 |
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| US11076489B2 (en) | 2018-04-10 | 2021-07-27 | 3D Glass Solutions, Inc. | RF integrated power condition capacitor |
| US11101532B2 (en) | 2017-04-28 | 2021-08-24 | 3D Glass Solutions, Inc. | RF circulator |
| US11139582B2 (en) | 2018-09-17 | 2021-10-05 | 3D Glass Solutions, Inc. | High efficiency compact slotted antenna with a ground plane |
| US11161773B2 (en) | 2016-04-08 | 2021-11-02 | 3D Glass Solutions, Inc. | Methods of fabricating photosensitive substrates suitable for optical coupler |
| US11264167B2 (en) | 2016-02-25 | 2022-03-01 | 3D Glass Solutions, Inc. | 3D capacitor and capacitor array fabricating photoactive substrates |
| US11270843B2 (en) | 2018-12-28 | 2022-03-08 | 3D Glass Solutions, Inc. | Annular capacitor RF, microwave and MM wave systems |
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| US11373908B2 (en) | 2019-04-18 | 2022-06-28 | 3D Glass Solutions, Inc. | High efficiency die dicing and release |
| US11594457B2 (en) | 2018-12-28 | 2023-02-28 | 3D Glass Solutions, Inc. | Heterogenous integration for RF, microwave and MM wave systems in photoactive glass substrates |
| US11677373B2 (en) | 2018-01-04 | 2023-06-13 | 3D Glass Solutions, Inc. | Impedence matching conductive structure for high efficiency RF circuits |
| US11908617B2 (en) | 2020-04-17 | 2024-02-20 | 3D Glass Solutions, Inc. | Broadband induction |
| US11929199B2 (en) | 2014-05-05 | 2024-03-12 | 3D Glass Solutions, Inc. | 2D and 3D inductors fabricating photoactive substrates |
| US11962057B2 (en) | 2019-04-05 | 2024-04-16 | 3D Glass Solutions, Inc. | Glass based empty substrate integrated waveguide devices |
-
1989
- 1989-09-01 JP JP22461189A patent/JP2737292B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2737292B2 (ja) | 1998-04-08 |
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