JPH038793A - 分子線エピタキシ装置 - Google Patents
分子線エピタキシ装置Info
- Publication number
- JPH038793A JPH038793A JP14296189A JP14296189A JPH038793A JP H038793 A JPH038793 A JP H038793A JP 14296189 A JP14296189 A JP 14296189A JP 14296189 A JP14296189 A JP 14296189A JP H038793 A JPH038793 A JP H038793A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- molecular beam
- shutter
- beam source
- molecular
- source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 claims description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は薄膜成長法の−っである分子線エピタキシ装置
に係わり、特に、同じ原料を複数の分子線源に装着して
、それらを連続的に一つずつ運転していくような１分子
線エピタキシ装置に関する。
に係わり、特に、同じ原料を複数の分子線源に装着して
、それらを連続的に一つずつ運転していくような１分子
線エピタキシ装置に関する。
近年、ＨＥ Ｍ Ｔ （）Ｉｉｇｈ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ
ＭｏｂｉｌｉｔｙＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）などの素子
が、分子線エピタキシ装置によって大量生産されている
。現在、生産に使われている装置では、分子線源に充填
された原料がなくなったり、分子線源が故障したりする
と。
ＭｏｂｉｌｉｔｙＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）などの素子
が、分子線エピタキシ装置によって大量生産されている
。現在、生産に使われている装置では、分子線源に充填
された原料がなくなったり、分子線源が故障したりする
と。
原料の補充や分子線源の管理のために、成長室を大気開
放している。−旦、大気開放した真空槽を超高真空に排
気するためには、真空槽をベーキングしなければならな
いので、装置の稼動率を上げるためには、なるべく大気
開放の頻度を低くしなければならない。
放している。−旦、大気開放した真空槽を超高真空に排
気するためには、真空槽をベーキングしなければならな
いので、装置の稼動率を上げるためには、なるべく大気
開放の頻度を低くしなければならない。
そこで、一つの対策として、同じ原料（特にガリウムや
ヒ素）を複数の分子線源に装着して、それらを連続的に
一つずつ運転していく方式が採られている。しかし、装
置に多数の分子線源を取付けねばならず、また、それぞ
れの分子線源に、シャッタを一つずつ設けているので、
装置が大型化している。
ヒ素）を複数の分子線源に装着して、それらを連続的に
一つずつ運転していく方式が採られている。しかし、装
置に多数の分子線源を取付けねばならず、また、それぞ
れの分子線源に、シャッタを一つずつ設けているので、
装置が大型化している。
そこで、シャッタの数を減らすために、特開昭５３−９
１５７３号公報に記載されているように、一つのシャッ
タと一つのコリメータ板を設けて、複数の分子線源を開
閉する方式が考案されている。
１５７３号公報に記載されているように、一つのシャッ
タと一つのコリメータ板を設けて、複数の分子線源を開
閉する方式が考案されている。
また、特開昭６３−２０４７１２号公報に記載されてい
るように１分子線源を円周上に配置し１円の中心点を通
る軸を中心に回転するような大きな円盤状のシャッタを
設けて、複数の分子線源を開閉する方式も考案されてい
る。
るように１分子線源を円周上に配置し１円の中心点を通
る軸を中心に回転するような大きな円盤状のシャッタを
設けて、複数の分子線源を開閉する方式も考案されてい
る。
特開昭５３−９１５７３号公報に記載されている従来技
術では、シャッタの他にコリメータ板を設けねばならな
いので、装置の構造が複雑になり、装置が大型化する。
術では、シャッタの他にコリメータ板を設けねばならな
いので、装置の構造が複雑になり、装置が大型化する。
また、特開昭６３−２０４７１２号公報に記載されてい
る従来技術では、シャッタが大型化するため、装置が大
型化するだけでなく、シャッタの動作速度が遅くなる。
る従来技術では、シャッタが大型化するため、装置が大
型化するだけでなく、シャッタの動作速度が遅くなる。
本発明の目的は、シャッタの数を減らして、装置を小型
化することにある。また、そのシャッタを小さくして、
動作速度を速くすることにある。
化することにある。また、そのシャッタを小さくして、
動作速度を速くすることにある。
上記目的は、シャッタに、それが回転すると、一つある
いは複数の分子線源からの分子線を透過させると同時に
、他の分子線源からの分子線を遮るような、切欠部を設
けることにより達成される。
いは複数の分子線源からの分子線を透過させると同時に
、他の分子線源からの分子線を遮るような、切欠部を設
けることにより達成される。
また、複数の分子線源を複数の組に分け、その組ごとに
、一つのシャッタを設けることにより達成される。
、一つのシャッタを設けることにより達成される。
シャッタを適当な位置へ回転させると、一つあるいは複
数の分子線源からの分子線を透過させると同時に、他の
分子線源からの分子線を遮る。このようにすると、複数
の分子線源に対し、一つのシャッタを設けるだけで良い
ので、装置を小型化することができる。
数の分子線源からの分子線を透過させると同時に、他の
分子線源からの分子線を遮る。このようにすると、複数
の分子線源に対し、一つのシャッタを設けるだけで良い
ので、装置を小型化することができる。
また、複数の分子線源を複数の組に分け、その組ごとに
、一つのシャッタを設けるようにすると、シャッタの数
を少なく出来るので、装置がｌＪＳ型化できる。また、
シャッタが小型化できるので１分子線源の開閉動作が速
くなる。
、一つのシャッタを設けるようにすると、シャッタの数
を少なく出来るので、装置がｌＪＳ型化できる。また、
シャッタが小型化できるので１分子線源の開閉動作が速
くなる。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。
シャツタ板１１は、シャツタ軸１２を中心に回転する。
シャツタ板１１の切欠部が、分子線源の正面にくると、
その分子線源から照射される分子線のみが透過して、基
板上に到達し、他の分子線源の分子線は遮られて到達し
ない。それぞれの分子線源には１例えば、ガリウムなど
の消費量の多い原料が装着されている。この場合、少な
くとも一つの分子線源を運転して分子線を照射し、他の
分子線源は予備として、運転しない。よって、運転しな
い分子線源は、常にシャッタで閉じておけば良い。例え
ば１分子線源Ａ １３の分子線のみを透過させるとき
には、第１図に示されるような位置にシャツタ板１１を
回転する。すべての分子線源の分子線を遮るときには、
第２図に示されるような位置にシャツタ板１１を回転す
る。分子線源Ｂ １４は予備なので、常にシャッタで
閉じられている。
その分子線源から照射される分子線のみが透過して、基
板上に到達し、他の分子線源の分子線は遮られて到達し
ない。それぞれの分子線源には１例えば、ガリウムなど
の消費量の多い原料が装着されている。この場合、少な
くとも一つの分子線源を運転して分子線を照射し、他の
分子線源は予備として、運転しない。よって、運転しな
い分子線源は、常にシャッタで閉じておけば良い。例え
ば１分子線源Ａ １３の分子線のみを透過させるとき
には、第１図に示されるような位置にシャツタ板１１を
回転する。すべての分子線源の分子線を遮るときには、
第２図に示されるような位置にシャツタ板１１を回転す
る。分子線源Ｂ １４は予備なので、常にシャッタで
閉じられている。
もちろん、分子線源の数は、いくつでも良い。
たとえば、第３図のように、三つの分子線源３１に一つ
のシャツタ板１１を設けてもよい。また、切欠部を広く
すると、−度に、隣合う二つの分子線源から分子線を照
射させることも出来る。
のシャツタ板１１を設けてもよい。また、切欠部を広く
すると、−度に、隣合う二つの分子線源から分子線を照
射させることも出来る。
また、シャツタ板１１を、例えば、ステッピングモータ
で駆動すると、回転の角度や位置をコンピュータで制御
できるので、装置の自動化に都合が良い。
で駆動すると、回転の角度や位置をコンピュータで制御
できるので、装置の自動化に都合が良い。
以上のようにすると、一つのシャッタで、複数の゛分子
線源のうち、特定の分子線源を開け、他の分子線源を閉
じることができるので、装置を小型化できる。
線源のうち、特定の分子線源を開け、他の分子線源を閉
じることができるので、装置を小型化できる。
また、複数の分子線源を複数の組に分け、その組ごとに
、一つのシャッタを設けた例を第４図で説明する。
、一つのシャッタを設けた例を第４図で説明する。
第４図は、基板の裏面４０側から見た、シャッタと分子
線源の配置図である。Ｇａ、ＡＭ、Ａｓ。
線源の配置図である。Ｇａ、ＡＭ、Ａｓ。
Ｓｉの分子線源は、それぞれ二つずつある。結晶成長時
には、二つのうち一つを運転し、もう一つは予備機とし
て運転しない。第４図では、運転中のＧａ、ＡＱ、Ａｓ
、Ｓｉのそれぞれの分子線源４１．４３，４５．４７が
結晶成長に使用されており、予備のＧ ａ Ｉ Ａ Ｑ
、Ａ ｓ ＋ Ｓ 主のそれぞれの分子線源４２，４
４．４６．４８は運転されていない。運転中のＡＱの分
子線源４３はシャツタ板１１で閉じられており、運転中
のＧａ、Ａｓ。
には、二つのうち一つを運転し、もう一つは予備機とし
て運転しない。第４図では、運転中のＧａ、ＡＱ、Ａｓ
、Ｓｉのそれぞれの分子線源４１．４３，４５．４７が
結晶成長に使用されており、予備のＧ ａ Ｉ Ａ Ｑ
、Ａ ｓ ＋ Ｓ 主のそれぞれの分子線源４２，４
４．４６．４８は運転されていない。運転中のＡＱの分
子線源４３はシャツタ板１１で閉じられており、運転中
のＧａ、Ａｓ。
Ｓｉのそれぞれの分子４１１ｊ９ｆ４１，４５．４７は
閉じられていないので、基板の表面に、Ｓｉがドーピン
グされたＧａＡｓの結晶が成長している。
閉じられていないので、基板の表面に、Ｓｉがドーピン
グされたＧａＡｓの結晶が成長している。
このような装置構造にすると、シャッタの数を少なく出
来るので、装置が小型化できる。また、シャッタが小型
化できるので、分子線源の開閉動作が速くなる効果があ
る。
来るので、装置が小型化できる。また、シャッタが小型
化できるので、分子線源の開閉動作が速くなる効果があ
る。
以上述べたように、本発明は、一つのシャッタで、複数
の分子線源のうち、特定の分子線源を開け、他の分子線
源を閉じることができるので、装置を小型化できるとい
う効果がある。また、シャッタが比較的小さいので、分
子線源の開閉動作が速くなるという効果がある。
の分子線源のうち、特定の分子線源を開け、他の分子線
源を閉じることができるので、装置を小型化できるとい
う効果がある。また、シャッタが比較的小さいので、分
子線源の開閉動作が速くなるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例の外観図、第２図は、第１図
において、二つの分子線源の両方を閉じたときの上面図
、第３図は三つの分子線源の一つのシャッタを設けた上
面図、第４図は基板の裏面側から見た。シャッタと分子
線源の配置図である。 １１・・・シャツタ板、１２・・・シャツタ軸、１３・
・・分子線源Ａ、１４・・・分子線源Ｂ、３１・・・分
子１源。
において、二つの分子線源の両方を閉じたときの上面図
、第３図は三つの分子線源の一つのシャッタを設けた上
面図、第４図は基板の裏面側から見た。シャッタと分子
線源の配置図である。 １１・・・シャツタ板、１２・・・シャツタ軸、１３・
・・分子線源Ａ、１４・・・分子線源Ｂ、３１・・・分
子１源。
Claims (1)
- １、複数の分子線源と、分子線源より照射される分子線
を遮るためのシャッタより成る分子線エピタキシ装置に
おいて、シャッタが回転すると、一つあるいは複数の分
子線源からの分子線を透過させると同時に、他の分子線
源からの分子線を遮ることが出来るような切欠部を、シ
ャッタに設けたことを特徴とする分子線エピタキシ装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14296189A JPH038793A (ja) | 1989-06-07 | 1989-06-07 | 分子線エピタキシ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14296189A JPH038793A (ja) | 1989-06-07 | 1989-06-07 | 分子線エピタキシ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH038793A true JPH038793A (ja) | 1991-01-16 |
Family
ID=15327688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14296189A Pending JPH038793A (ja) | 1989-06-07 | 1989-06-07 | 分子線エピタキシ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH038793A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001289977A (ja) * | 2000-03-17 | 2001-10-19 | Eta Sa Fab Ebauches | 特に計時器などの携帯用物体へのデータのロードおよび携帯用物体からのデータの抽出を行うための手段 |
-
1989
- 1989-06-07 JP JP14296189A patent/JPH038793A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001289977A (ja) * | 2000-03-17 | 2001-10-19 | Eta Sa Fab Ebauches | 特に計時器などの携帯用物体へのデータのロードおよび携帯用物体からのデータの抽出を行うための手段 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3397802B2 (ja) | カソードスパッタリング装置 | |
| JPH038793A (ja) | 分子線エピタキシ装置 | |
| JP2003193217A (ja) | 蒸着装置 | |
| JPH04193948A (ja) | 成膜装置 | |
| JPS60131966A (ja) | スパツタ装置 | |
| JP2612467B2 (ja) | 異種構造薄膜同時成長装置 | |
| JPH04260691A (ja) | 分子線源用シャッター | |
| JPH0114690B2 (ja) | ||
| JP2722961B2 (ja) | 分子線セルのシャッタ駆動装置 | |
| JP2820471B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH0527501Y2 (ja) | ||
| JP3010811B2 (ja) | イオンビームスパッタリング装置 | |
| JPS6129722Y2 (ja) | ||
| JPS63290261A (ja) | 膜形成装置のシヤツタ機構 | |
| JPH01306551A (ja) | イオンビームミキシング装置 | |
| JPH04260627A (ja) | 分子線源用シャッター | |
| JPH02208287A (ja) | 結晶成長法およびその装置 | |
| JPS63204712A (ja) | 分子線結晶成長装置 | |
| JPH02141573A (ja) | イオンビームスパツタリング法及びその装置 | |
| JPH077329Y2 (ja) | 分子線エピタキシー装置 | |
| JPH0264092A (ja) | 分子線エピタキシャル成長方法 | |
| JPH01305891A (ja) | 分子線エピタキシヤル成長装置の分子線セルシヤツター | |
| JPS61271817A (ja) | 分子線エピタキシ−装置 | |
| JPS59226177A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH0264093A (ja) | 分子線エピタキシャル成長方法 |