JPH0114690B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0114690B2 JPH0114690B2 JP19137183A JP19137183A JPH0114690B2 JP H0114690 B2 JPH0114690 B2 JP H0114690B2 JP 19137183 A JP19137183 A JP 19137183A JP 19137183 A JP19137183 A JP 19137183A JP H0114690 B2 JPH0114690 B2 JP H0114690B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shutter
- control circuit
- wafer
- motor
- control signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000002128 reflection high energy electron diffraction Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はウエハ上に分子線のかたちでGa、Al、
As等の材料を入射して膜成長させる分子線エピ
タキシヤル装置に係り、特には、エピタキシヤル
成長の均一化のための制御装置に関する。
As等の材料を入射して膜成長させる分子線エピ
タキシヤル装置に係り、特には、エピタキシヤル
成長の均一化のための制御装置に関する。
従来の分子線エピタキシヤル装置には第１図に
示すような原理構造をもつものがある。すなわ
ち、同図において１は内部が超高真空のチヤン
バ、２はこのチヤンバ１内に装填されたGa、As
等のウエハ、３はウエハ２を取付けるためのブロ
ツクで、このブロツク３内には加熱ヒータが設け
られている。４はウエハ２上に結晶をエピタキシ
ヤル成長させるために分子線の状態で入射される
Ga、Al、As等の材料供給源、５は材料供給源４
の加熱ヒータ、６はウエハ２上への材料供給を遮
断するシヤツタ、７は電子銃、８は質量分析器、
９はRHEEDスクリーン、１０はモータである。
このモータ１０はエピタキシヤル成長時の膜厚お
よび膜質の均一化のためにウエハ２をブロツク３
とともに回転させるものである。
示すような原理構造をもつものがある。すなわ
ち、同図において１は内部が超高真空のチヤン
バ、２はこのチヤンバ１内に装填されたGa、As
等のウエハ、３はウエハ２を取付けるためのブロ
ツクで、このブロツク３内には加熱ヒータが設け
られている。４はウエハ２上に結晶をエピタキシ
ヤル成長させるために分子線の状態で入射される
Ga、Al、As等の材料供給源、５は材料供給源４
の加熱ヒータ、６はウエハ２上への材料供給を遮
断するシヤツタ、７は電子銃、８は質量分析器、
９はRHEEDスクリーン、１０はモータである。
このモータ１０はエピタキシヤル成長時の膜厚お
よび膜質の均一化のためにウエハ２をブロツク３
とともに回転させるものである。
ところで、このような分子線エピタキシヤル装
置で、たとえばGa、As層とAl、Ga、As層とを
交互に積層してなる多重電子井戸型（MQW）の
活性層を製作する場合などには量子効果を得るた
め各層の膜厚を数＋Åの範囲で制御する必要があ
る。従つて、各層の成長に合せてシヤツタ６の開
放時間を制御し、かつ、シヤツタ６の開放中はウ
エハ２をモータ１０で回転するようにしている。
しかしながら、従来の装置ではモータ２の回転数
の制御までは行なわれておらずシヤツタ６の開閉
のタイミングとウエハ２の回転数とは同期してい
ない。このため、ウエハ２上のエピタキシヤル成
長が特にウエハ２の周辺部において不均一となり
所要の特性をもつものが得られないという難点が
あつた。
置で、たとえばGa、As層とAl、Ga、As層とを
交互に積層してなる多重電子井戸型（MQW）の
活性層を製作する場合などには量子効果を得るた
め各層の膜厚を数＋Åの範囲で制御する必要があ
る。従つて、各層の成長に合せてシヤツタ６の開
放時間を制御し、かつ、シヤツタ６の開放中はウ
エハ２をモータ１０で回転するようにしている。
しかしながら、従来の装置ではモータ２の回転数
の制御までは行なわれておらずシヤツタ６の開閉
のタイミングとウエハ２の回転数とは同期してい
ない。このため、ウエハ２上のエピタキシヤル成
長が特にウエハ２の周辺部において不均一となり
所要の特性をもつものが得られないという難点が
あつた。
本発明は上述の問題点に鑑み、エピタキシヤル
成長時に膜厚および膜質の均一なものが得られる
ようにすることを目的とする。
成長時に膜厚および膜質の均一なものが得られる
ようにすることを目的とする。
本発明はこのような目的を達成するため、シヤ
ツタとモータとの制御系を設け各シヤツタの開放
期間内にウエハが整数回回転するようにしてい
る。
ツタとモータとの制御系を設け各シヤツタの開放
期間内にウエハが整数回回転するようにしてい
る。
以下、本発明を第２図に示す一実施例に基づい
て詳細に説明する。なお、従来例と対応する部分
には同一の参照符号を付して以下説明する。
て詳細に説明する。なお、従来例と対応する部分
には同一の参照符号を付して以下説明する。
第２図はこの実施例の分子線エピタキシヤル装
置の制御部を示すブロツク図である。この実施例
の分子線エピタキシヤル装置２０は、ウエハ２を
回転させるモータ１０の回転速度を制御する回転
制御回路２２と、材料供給源４からウエハ２上へ
の材料供給を遮断するシヤツタ６の開閉動作を制
御するシヤツタ制御回路２４と、このシヤツタ制
御回路２４にシヤツタ６の開閉時間を設定するシ
ヤツタ制御信号S1を出力するとともに、回転制御
回路２２に上記シヤツタ制御信号S1に同期したモ
ータ１０の回転数を設定する回転数制御信号S2を
出力する中央制御回路２６とを備える。なお、２
８は中央制御回路２６にシヤツタ６の開閉時間等
の指定を行なう指令信号S0を入力するための信号
入力部であり、また、３０はモータ１０の回転速
度のフイードバツク補償用のタコジエネレータで
ある。
置の制御部を示すブロツク図である。この実施例
の分子線エピタキシヤル装置２０は、ウエハ２を
回転させるモータ１０の回転速度を制御する回転
制御回路２２と、材料供給源４からウエハ２上へ
の材料供給を遮断するシヤツタ６の開閉動作を制
御するシヤツタ制御回路２４と、このシヤツタ制
御回路２４にシヤツタ６の開閉時間を設定するシ
ヤツタ制御信号S1を出力するとともに、回転制御
回路２２に上記シヤツタ制御信号S1に同期したモ
ータ１０の回転数を設定する回転数制御信号S2を
出力する中央制御回路２６とを備える。なお、２
８は中央制御回路２６にシヤツタ６の開閉時間等
の指定を行なう指令信号S0を入力するための信号
入力部であり、また、３０はモータ１０の回転速
度のフイードバツク補償用のタコジエネレータで
ある。
次に各部の制御動作を説明する。まず、信号入
力部２８より各シヤツタ６の開閉時間を指定する
指令信号S0を中央制御回路２６に入力する。中央
制御回路２６はこの指令信号S0に基づき、シヤツ
タ制御回路２４に対して各シヤツタ６の開閉時間
を設定するシヤツタ制御信号S1を、同時に回転制
御回路２２に対してシヤツタ制御信号S1に同期し
たモータ１０の回転数を設定する回転数制御信号
S2をそれぞれ出力する。つまり、回転数制御信号
S2は、たとえばそのパルス周期の整数倍がシヤツ
タ制御信号S1の出力期間に相当するように設定さ
れる。シヤツタ制御回路２４にシヤツタ制御信号
S1が入力されると、所定のシヤツタ６を定時間開
放する。これにより材料供給源４からウエハ２に
エピタキシヤル成長に必要な材料が分子線のかた
ちで供給される。また、回転制御回路２２は入力
された回転数制御信号S2に基づきモータ１０の回
転速度を制御する。従つて、所定のシヤツタ６の
開放期間内にウエハ２は整数回回転される。ま
た、モータ１０の回転中はタコジエネレータ３０
の速度検知出力が回転制御回路２２にフイードバ
ツクされることによりモータ１０の回転速度の定
常化が図られる。
力部２８より各シヤツタ６の開閉時間を指定する
指令信号S0を中央制御回路２６に入力する。中央
制御回路２６はこの指令信号S0に基づき、シヤツ
タ制御回路２４に対して各シヤツタ６の開閉時間
を設定するシヤツタ制御信号S1を、同時に回転制
御回路２２に対してシヤツタ制御信号S1に同期し
たモータ１０の回転数を設定する回転数制御信号
S2をそれぞれ出力する。つまり、回転数制御信号
S2は、たとえばそのパルス周期の整数倍がシヤツ
タ制御信号S1の出力期間に相当するように設定さ
れる。シヤツタ制御回路２４にシヤツタ制御信号
S1が入力されると、所定のシヤツタ６を定時間開
放する。これにより材料供給源４からウエハ２に
エピタキシヤル成長に必要な材料が分子線のかた
ちで供給される。また、回転制御回路２２は入力
された回転数制御信号S2に基づきモータ１０の回
転速度を制御する。従つて、所定のシヤツタ６の
開放期間内にウエハ２は整数回回転される。ま
た、モータ１０の回転中はタコジエネレータ３０
の速度検知出力が回転制御回路２２にフイードバ
ツクされることによりモータ１０の回転速度の定
常化が図られる。
以上のように本発明によれば、所定のシヤツタ
開放期間内にウエハは整数回回転されるので、エ
ピタキシヤル成長時に膜厚ならびに膜質が一層均
一化される。従つて、多重量子井戸型の活性層を
製作する場合にも優れた特性のものが得られ、工
業化が図れるようになるなどの効果を奏する。
開放期間内にウエハは整数回回転されるので、エ
ピタキシヤル成長時に膜厚ならびに膜質が一層均
一化される。従つて、多重量子井戸型の活性層を
製作する場合にも優れた特性のものが得られ、工
業化が図れるようになるなどの効果を奏する。
第１図は分子線エピタキシヤル装置の原理構造
を示す図、第２図は本発明の一実施例を示す分子
線エピタキシヤル装置の制御部のブロツク図であ
る。 ２０……分子線エピタキシヤル装置、２２……
回転制御回路、２４……シヤツタ制御回路、２６
……中央制御回路。
を示す図、第２図は本発明の一実施例を示す分子
線エピタキシヤル装置の制御部のブロツク図であ
る。 ２０……分子線エピタキシヤル装置、２２……
回転制御回路、２４……シヤツタ制御回路、２６
……中央制御回路。
Claims (1)
- １ ウエハを回転させるモータの回転速度を制御
する回転制御回路と、前記ウエハ上への材料供給
を遮断するシヤツタの開閉動作を制御するシヤツ
タ制御回路と、このシヤツタ制御回路にシヤツタ
の開閉時間を設定するシヤツタ制御信号を出力す
るとともに、前記回転制御回路にこのシヤツタ制
御信号に同期したモータの回転数を設定する回転
数制御信号を出力する中央制御回路とを備え、各
シヤツタの開放期間内にウエハが整数回回転する
ようにしたことを特徴とする分子線エピタキシヤ
ル装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19137183A JPS6081821A (ja) | 1983-10-12 | 1983-10-12 | 分子線エピタキシヤル装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19137183A JPS6081821A (ja) | 1983-10-12 | 1983-10-12 | 分子線エピタキシヤル装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6081821A JPS6081821A (ja) | 1985-05-09 |
| JPH0114690B2 true JPH0114690B2 (ja) | 1989-03-14 |
Family
ID=16273473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19137183A Granted JPS6081821A (ja) | 1983-10-12 | 1983-10-12 | 分子線エピタキシヤル装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6081821A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009157341A1 (ja) | 2008-06-25 | 2009-12-30 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング装置及びその制御用プログラムを記録した記録媒体 |
-
1983
- 1983-10-12 JP JP19137183A patent/JPS6081821A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6081821A (ja) | 1985-05-09 |
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