JPH01306551A - イオンビームミキシング装置 - Google Patents
イオンビームミキシング装置Info
- Publication number
- JPH01306551A JPH01306551A JP13274288A JP13274288A JPH01306551A JP H01306551 A JPH01306551 A JP H01306551A JP 13274288 A JP13274288 A JP 13274288A JP 13274288 A JP13274288 A JP 13274288A JP H01306551 A JPH01306551 A JP H01306551A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shutter
- specimen
- ion beam
- ion
- sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000009684 ion beam mixing Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 9
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、材料の表面を改質するイオンビームミキシン
グ装置に係り、特に、成膜の純度を保つために設けるシ
ャッタに関する。
グ装置に係り、特に、成膜の純度を保つために設けるシ
ャッタに関する。
従来のイオンビームミキシング装置では、公知例に示す
ように、イオン源、蒸発源夫々にシャッタを備えており
、発生初期のイオンビーム、および、蒸着物の不純物が
試料表面に到達しないように考慮されていた。しかし、
この方式では、イオン源や蒸着源を増やした際、夫々に
シャッタを設けなければならず、装置の小型化、原価の
低減が困難であった。
ように、イオン源、蒸発源夫々にシャッタを備えており
、発生初期のイオンビーム、および、蒸着物の不純物が
試料表面に到達しないように考慮されていた。しかし、
この方式では、イオン源や蒸着源を増やした際、夫々に
シャッタを設けなければならず、装置の小型化、原価の
低減が困難であった。
従来のイオンビームミキシング装置のシャッタは、イオ
ン源および蒸着源の夫々に設けられており、イオン源や
蒸着源が増えれば、それに応じた数量が必要であった。
ン源および蒸着源の夫々に設けられており、イオン源や
蒸着源が増えれば、それに応じた数量が必要であった。
このため、イオン源や蒸着源が複数の場合にはその数量
も対応して増えるため、真空容器が大きくならざるを得
す、また、大気と真空の貫通部が多くなり、小形化が困
難で、真空リークの可能性が大きかった。
も対応して増えるため、真空容器が大きくならざるを得
す、また、大気と真空の貫通部が多くなり、小形化が困
難で、真空リークの可能性が大きかった。
一方、シャッタの機能は、発生初期のイオンビーム、お
よび、蒸着源からの不純物が試料表面に到達させないた
めのものであり、試料の直前にあれば目的は達せられる
。
よび、蒸着源からの不純物が試料表面に到達させないた
めのものであり、試料の直前にあれば目的は達せられる
。
本発明は、試料直前に−ケのシャッタを設けることによ
り、イオンビーム、および、蒸着源からの不純物をカッ
トし、イオン源、蒸着源夫々に設けられていたシャッタ
を止め、装置の小型化を図り、真空リークの可能性の少
ない、イオンビームミキシング装置を提供することにあ
る。
り、イオンビーム、および、蒸着源からの不純物をカッ
トし、イオン源、蒸着源夫々に設けられていたシャッタ
を止め、装置の小型化を図り、真空リークの可能性の少
ない、イオンビームミキシング装置を提供することにあ
る。
上記目的は、閉時は試料の直前にあり、開時はイオンビ
ームおよび蒸着金属が試料表面に到達する経路を外れた
位置に来るような回転中心を持つシャッタを設けること
により達成される。
ームおよび蒸着金属が試料表面に到達する経路を外れた
位置に来るような回転中心を持つシャッタを設けること
により達成される。
本発明によるシャッタは、真空容器を貫通する真空シー
ル回転軸に取付けられている。この回転軸の位置は、試
料ホルダ下方の閉位置でシャッタは、イオンビーム、お
よび、蒸着金属の経路にあるため、後方の試料には、発
生初期のイオンビームおよび蒸着金属の不純物は到達し
ない。
ル回転軸に取付けられている。この回転軸の位置は、試
料ホルダ下方の閉位置でシャッタは、イオンビーム、お
よび、蒸着金属の経路にあるため、後方の試料には、発
生初期のイオンビームおよび蒸着金属の不純物は到達し
ない。
イオンビームおよび蒸着が安定した後、シャッタを開位
置に移動させる。開位置で、シャッタはイオンビーム、
および、蒸着金属の経路外となるため、試料表面は、シ
ャッタ自体のスパッタによる不純物が付着することなく
、イオンビームミキシング処理を行なうことができる。
置に移動させる。開位置で、シャッタはイオンビーム、
および、蒸着金属の経路外となるため、試料表面は、シ
ャッタ自体のスパッタによる不純物が付着することなく
、イオンビームミキシング処理を行なうことができる。
このように、試料表面に不純物が到達することを防ぐシ
ャッタは、その回転中心を適切な位置に設定すれば、−
個でイオン源および蒸着源夫々に備えたと同等の効果が
ある。
ャッタは、その回転中心を適切な位置に設定すれば、−
個でイオン源および蒸着源夫々に備えたと同等の効果が
ある。
以下、本発明の一実施例を第1図、第2図により説明す
る。
る。
第2図は従来の装置を示す。シャッタは、ミキシング用
イオン源9.スパッタ用イオン源4゜EBB着源7の直
前に、それぞれ、設けられている。
イオン源9.スパッタ用イオン源4゜EBB着源7の直
前に、それぞれ、設けられている。
第1図は本発明の実施例を示す。シャッタ11は真空容
器1を貫通した真空シール回転軸12に取付けられてい
る。シャッタ位[Aは閉状態であり、ミキシング用イオ
ン源9からのイオンビームも、スパッタ用イオン源4に
よりスパッタされた粒子も、EBB着源7からの蒸着物
も試料2の表面には到達しない。シャッタ位置Bはプレ
スパツタ状態で、試料2の表面をクリーニングする。
器1を貫通した真空シール回転軸12に取付けられてい
る。シャッタ位[Aは閉状態であり、ミキシング用イオ
ン源9からのイオンビームも、スパッタ用イオン源4に
よりスパッタされた粒子も、EBB着源7からの蒸着物
も試料2の表面には到達しない。シャッタ位置Bはプレ
スパツタ状態で、試料2の表面をクリーニングする。
シャッタ位ICは、スパッタ材料8のみをミキシング処
理する状態となる。
理する状態となる。
シャッタ位置りは、スパッタ蒸着、および、EB蒸着を
併合した、複合処理を行なう場合の状態を示す。図中3
は試料ホルダ、5はスパッタ用シャッタ、6はEB用ラ
シャツタ10はミキシング用シャッタ。
併合した、複合処理を行なう場合の状態を示す。図中3
は試料ホルダ、5はスパッタ用シャッタ、6はEB用ラ
シャツタ10はミキシング用シャッタ。
本実施例によれば、真空容器の小型化、および大気−真
空貫通部が三ケ所から一ケ所になり、真空リークの可能
性が少なくなり、原価低減、信頼性向上に大きな効果が
ある。
空貫通部が三ケ所から一ケ所になり、真空リークの可能
性が少なくなり、原価低減、信頼性向上に大きな効果が
ある。
本発明によれば、ミキシング用イオン源シャッタ、スパ
ッタ用イオン源シャッタ、EBB着源シャッタを止め、
試料直前に設けたシャッタで機能を満足させることがで
きる。
ッタ用イオン源シャッタ、EBB着源シャッタを止め、
試料直前に設けたシャッタで機能を満足させることがで
きる。
第1図は本発明の一実施の装置断面図、第2図は従来構
造の装置断面図である。 1・・・真空容器、2・・・試料、3・・・試料ホルダ
。
造の装置断面図である。 1・・・真空容器、2・・・試料、3・・・試料ホルダ
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、材料の表面改質のため、蒸着とイオンビームの照射
を同時に行なう処理装置において、 成膜の純度を保つため発生初期の前記イオンビームおよ
び蒸着金属の不純物が試料の表面に到達しないように、
前記試料の直前にのみスパッタ用およびミキシング用イ
オン源およびEB蒸着源用シャッタを設けたことを特徴
とするイオンビームミキシング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13274288A JPH01306551A (ja) | 1988-06-01 | 1988-06-01 | イオンビームミキシング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13274288A JPH01306551A (ja) | 1988-06-01 | 1988-06-01 | イオンビームミキシング装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01306551A true JPH01306551A (ja) | 1989-12-11 |
Family
ID=15088532
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13274288A Pending JPH01306551A (ja) | 1988-06-01 | 1988-06-01 | イオンビームミキシング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01306551A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1870488A1 (de) * | 2006-06-23 | 2007-12-26 | Applied Materials GmbH & Co. KG | Vorrichtung zur Beeinflussung des elektrostatischen Zustands einer Folie |
-
1988
- 1988-06-01 JP JP13274288A patent/JPH01306551A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1870488A1 (de) * | 2006-06-23 | 2007-12-26 | Applied Materials GmbH & Co. KG | Vorrichtung zur Beeinflussung des elektrostatischen Zustands einer Folie |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9017534B2 (en) | Vacuum deposition apparatus | |
KR20200014169A (ko) | 성막 장치 및 전자 디바이스의 제조 방법 | |
JPH01306551A (ja) | イオンビームミキシング装置 | |
JPS60262969A (ja) | スパツタタ−ゲツト装置 | |
JP3789507B2 (ja) | スパッタリング装置 | |
JPH07122136B2 (ja) | イオンビームスパッタ装置および運転方法 | |
JPS595666B2 (ja) | スパツタリング装置 | |
JPH04193948A (ja) | 成膜装置 | |
JPS63238267A (ja) | 薄膜形成装置 | |
JP2008038192A (ja) | スパッタ源、スパッタ成膜装置およびスパッタ成膜方法 | |
JP2009001889A (ja) | 減光フィルタの成膜方法及びこれを用いた減光フィルタ並びに撮像光量絞り装置 | |
JPS61272375A (ja) | 薄膜形成装置 | |
JPS6353265A (ja) | イオンビ−ムスパツタリング装置 | |
JPH0748669A (ja) | 成膜装置 | |
JPH08139024A (ja) | イオンビームスパッタ装置 | |
CN216378360U (zh) | 一种斜交式离化源的镀膜腔 | |
JPS62214172A (ja) | イオンビ−ムスパツタ装置 | |
JPH02179870A (ja) | 薄膜形成装置 | |
JPS59226177A (ja) | 薄膜形成装置 | |
JPH05339725A (ja) | スパッタリング装置 | |
KR960000403Y1 (ko) | 스퍼터링 박막 형성장치 | |
JPH01205071A (ja) | 多層膜形成装置 | |
JPH0556951U (ja) | 真空蒸着装置 | |
JPH04280962A (ja) | ヘテロ接合薄膜の形成方法及び形成装置 | |
JPH02163369A (ja) | スパッタリング装置 |