JPS61271817A - 分子線エピタキシ−装置 - Google Patents
分子線エピタキシ−装置Info
- Publication number
- JPS61271817A JPS61271817A JP11339185A JP11339185A JPS61271817A JP S61271817 A JPS61271817 A JP S61271817A JP 11339185 A JP11339185 A JP 11339185A JP 11339185 A JP11339185 A JP 11339185A JP S61271817 A JPS61271817 A JP S61271817A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- molecular beam
- film thickness
- substrate
- driving means
- thickness distribution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、基板の表面にエピタキシャル層を形成させ
る分子線エピタキシー装置に関する。
る分子線エピタキシー装置に関する。
−（従来の技術）
従来１分子線エピタキシー装置は、第３図に示すように
、真空室２１内に分子線セル２２が固定され、さらに基
板２３を保持するホルダー２４が回転駆動機構２５によ
って回転可能に設けられている。そして分子線セル２２
から分子線２２ａを基板２３に向けて放出し、基板２３
の表面にエピタキシャル層を形成するようにしている。
、真空室２１内に分子線セル２２が固定され、さらに基
板２３を保持するホルダー２４が回転駆動機構２５によ
って回転可能に設けられている。そして分子線セル２２
から分子線２２ａを基板２３に向けて放出し、基板２３
の表面にエピタキシャル層を形成するようにしている。
このとき回転駆動機構２５でホルダー２４を回転させる
ことによって、エピタキシャル層の膜厚分布や不純物分
布が均一になるようにしている。
ことによって、エピタキシャル層の膜厚分布や不純物分
布が均一になるようにしている。
（本発明が解決しようとする問題点）
しかし上記の方法では１分子線セル２２に収納された試
料が経時的に減少してくると、分子線の噴出角θ等が変
化してくるため、第４図に示すように、例えば基板２３
の中心から遠ざかるにしたがってその中心Ｏと端部ｘ、
ｙとの膜厚分布が不均一になるなどの不都合を生じ、ホ
ルダー２４を回転させるだけでは十分に補正することが
できなかった。また回転駆動機＄２５によってホルダー
２４をｘ、ｙ、ｚ＠力方向移動させるものもあったが複
数の同一試料または異なる複数の試料から膜を成長させ
る場合、少なくとも２以上の分子線セルの分布変化を補
正しなければならず、また各分布変化の度合が試料の種
類によって異なるため、ホルダー２４のみの移動では十
分な補正ができなかった。
料が経時的に減少してくると、分子線の噴出角θ等が変
化してくるため、第４図に示すように、例えば基板２３
の中心から遠ざかるにしたがってその中心Ｏと端部ｘ、
ｙとの膜厚分布が不均一になるなどの不都合を生じ、ホ
ルダー２４を回転させるだけでは十分に補正することが
できなかった。また回転駆動機＄２５によってホルダー
２４をｘ、ｙ、ｚ＠力方向移動させるものもあったが複
数の同一試料または異なる複数の試料から膜を成長させ
る場合、少なくとも２以上の分子線セルの分布変化を補
正しなければならず、また各分布変化の度合が試料の種
類によって異なるため、ホルダー２４のみの移動では十
分な補正ができなかった。
この発明は、上記問題点を解消することのできる分子線
エピタキシー装置を提供することを目的とする。
エピタキシー装置を提供することを目的とする。
（問題を解決するための手段）
この発明は、上記の目的を達成するために、分子線セル
を、任意の位置に移動または傾斜させる駆動機構を設け
たものである。
を、任意の位置に移動または傾斜させる駆動機構を設け
たものである。
（本発明の作用）
゛分子線セルに収納された試料が減少してきても、常に
エピタキシャル層の膜厚が均一になる位置に、分子線セ
ルを、移動または傾斜させることができる。
エピタキシャル層の膜厚が均一になる位置に、分子線セ
ルを、移動または傾斜させることができる。
（本発明の効果）
分子線セルを前記位置に移動または傾斜させることがで
きるので基板上の膜厚分布を均一にすることができ、ま
た不純物分布の均一性を得ることができる。
きるので基板上の膜厚分布を均一にすることができ、ま
た不純物分布の均一性を得ることができる。
（本発明の実施例）
第１図において、ｌは真空室で、この室内に基板２を保
持するホルダー３が設置され、このホルダー３は回転駆
動機構４によって回転するようになっている。５．６は
分子線セルで、駆動機構７．８によって３次元方向に任
意の位置に移動でき、また傾きも調整することができ１
分子線の放射方向を任意にとれるようになっている。前
記駆動機構７．８はベロー９、ＩＯから構成されている
。
持するホルダー３が設置され、このホルダー３は回転駆
動機構４によって回転するようになっている。５．６は
分子線セルで、駆動機構７．８によって３次元方向に任
意の位置に移動でき、また傾きも調整することができ１
分子線の放射方向を任意にとれるようになっている。前
記駆動機構７．８はベロー９、ＩＯから構成されている
。
いま駆動機構７，８を操作して基板２に均一な膜厚分布
が得られるような最適位置に分子線セル５．６を移動さ
せていく、このとき最適位置は、予め、図示しない膜厚
測定装置でエピタキシャル層の膜厚分布を測定しながら
、その都度設定するようにしている。このような操作を
することによって、第２図に示すように、基板２上の膜
厚分布を均一にすることができる。
が得られるような最適位置に分子線セル５．６を移動さ
せていく、このとき最適位置は、予め、図示しない膜厚
測定装置でエピタキシャル層の膜厚分布を測定しながら
、その都度設定するようにしている。このような操作を
することによって、第２図に示すように、基板２上の膜
厚分布を均一にすることができる。
なを、上記実施例では、分子線セルを２つ設けるように
例示しているが、前記セルの数は生成する成長膜の種類
によって異なることが当然である。また試料の種類によ
っては、膜厚分布の経時変化がほとんどないものもあり
、このような場合、補正の必要がないので駆動機構はす
べての分子線セルに必ずしも設ける必要はない。
例示しているが、前記セルの数は生成する成長膜の種類
によって異なることが当然である。また試料の種類によ
っては、膜厚分布の経時変化がほとんどないものもあり
、このような場合、補正の必要がないので駆動機構はす
べての分子線セルに必ずしも設ける必要はない。
また、上記駆動機構による分子線セルの移動はエピタキ
シャル層の形成中に間欠的にまたは連続的に行なっても
よい、殊に分子線の放射パターンの変化を見越して予め
定めた最適位置や方向に、予め定めた速度態様で連続的
に分子線セルを移動させると、極めて高品質のエピタキ
シャル成長層を生むことができる。
シャル層の形成中に間欠的にまたは連続的に行なっても
よい、殊に分子線の放射パターンの変化を見越して予め
定めた最適位置や方向に、予め定めた速度態様で連続的
に分子線セルを移動させると、極めて高品質のエピタキ
シャル成長層を生むことができる。
第１図は実施例の分子線エピタキシー装置の概略図、第
２図は実施例における基板の位置とエピタキシャル層の
膜厚との関係を示したグラフ、第３図は従来の分子線エ
ピタキシー装置の概略図、第４図は従来の、基板の位置
とエピタキシャル層の膜厚との関係を示したグラフであ
る。
２図は実施例における基板の位置とエピタキシャル層の
膜厚との関係を示したグラフ、第３図は従来の分子線エ
ピタキシー装置の概略図、第４図は従来の、基板の位置
とエピタキシャル層の膜厚との関係を示したグラフであ
る。
Claims (1)
- 真空室内に、分子線セルと、基板を回転させながら保持
するホルダーとを備え、前記分子線セルから前記基板に
向けて噴出する分子線によって、基板の表面にエピタキ
シャル層を形成させる分子線エピタキシー装置において
、前記分子線セルを、任意の位置に移動または分子線の
噴出方向を任意方向に変るために任意の位置に傾斜させ
る駆動機構を設けたことを特徴とする分子線エピタキシ
ー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11339185A JPS61271817A (ja) | 1985-05-27 | 1985-05-27 | 分子線エピタキシ−装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11339185A JPS61271817A (ja) | 1985-05-27 | 1985-05-27 | 分子線エピタキシ−装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61271817A true JPS61271817A (ja) | 1986-12-02 |
Family
ID=14611122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11339185A Pending JPS61271817A (ja) | 1985-05-27 | 1985-05-27 | 分子線エピタキシ−装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61271817A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7235131B2 (en) | 1999-03-01 | 2007-06-26 | The University Of Tokyo | Method for forming a single crystalline film |
| CN107110761A (zh) * | 2014-12-16 | 2017-08-29 | 细胞动力学责任有限公司 | 实时分析流体中悬浮的颗粒的装置和分析所述颗粒的方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5533925B2 (ja) * | 1973-10-09 | 1980-09-03 |
-
1985
- 1985-05-27 JP JP11339185A patent/JPS61271817A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5533925B2 (ja) * | 1973-10-09 | 1980-09-03 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7235131B2 (en) | 1999-03-01 | 2007-06-26 | The University Of Tokyo | Method for forming a single crystalline film |
| CN107110761A (zh) * | 2014-12-16 | 2017-08-29 | 细胞动力学责任有限公司 | 实时分析流体中悬浮的颗粒的装置和分析所述颗粒的方法 |
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