KR102496284B1 - 웨이퍼 에지 링 검사장치 - Google Patents
웨이퍼 에지 링 검사장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102496284B1 KR102496284B1 KR1020210096105A KR20210096105A KR102496284B1 KR 102496284 B1 KR102496284 B1 KR 102496284B1 KR 1020210096105 A KR1020210096105 A KR 1020210096105A KR 20210096105 A KR20210096105 A KR 20210096105A KR 102496284 B1 KR102496284 B1 KR 102496284B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- unit
- edge ring
- seating
- height
- wafer edge
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
- H01J37/32642—Focus rings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
- H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
웨이퍼 에지 링 검사장치가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 에지 링 검사장치는, 에지 링이 놓여지며 센터 정렬되는 안착부; 상기 에지 링을 측정하는 측정장비가 장착되며 상기 안착부의 상방에 위치되는 홀더부; 상기 홀더부의 각도를 조절하는 각도 조절부; 상기 각도 조절부를 전·후 방향으로 이동시키는 직선 이동부; 및 상기 홀더부의 상기 안착부로부터의 높이를 조절하는 높이 조절부;를 포함하며, 상기 안착부는, 상기 에지 링이 놓여지는 안착판;과, 한 쌍으로 마련되어 상기 안착판에 서로 이격 장착되며, 함께 서로 멀어지거나 가까워지는 방향으로 이동하며, 정렬 시 상기 에지 링의 측면과 접촉되는 센터 정렬부;를 포함하며, 상기 안착판은 중앙부에 길이방향을 따라 관통공이 형성되며, 상기 센터 정렬부는, 상기 안착판의 하방에 배치되는 가이드봉을 따라 이동 가능하게 마련되며, 양 단부에는 높이 방향을 축으로 하여 회전가능한 한 쌍의 휠이 각각 장착된다.
Description
본 발명은 웨이퍼 에지 링 검사장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 웨이퍼 에지 링의 정렬을 정확히 하고 다양한 각도에서 검사할 수 있는 웨이퍼 에지 링 검사장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 제조 공정에서 사용되는 플라즈마 처리 기법은 건식 식각공정 중 하나로서 가스를 사용하여 대상을 식각하는 방법이다. 이는 식각 가스를 반응용기 내로 주입시키고 이온화시킨 후, 웨이퍼 표면으로 가속시켜 웨이퍼 표면을 물리적, 화학적으로 제거하는 공정을 따른다. 이 방법은 식각의 조절이 용이하고 생산성이 높으며 수십 nm 수준의 미세 패턴형성이 가능하여 널리 사용되고 있다.
반도체 웨이퍼 제조공정은 기술의 발전을 거듭하여 선폭의 미세화와 적층수의 증가를 통해 챔버 내 인가되는 플라즈마 RF 파워는 급격하게 증가하고 있다. 한편, 이에 사용되는 반도체 제조용 세라믹 부품은 점차 가혹해지고 있는 플라즈마를 견뎌내야 할 필요성이 있고, 이에 따라 이들 세라믹 부품의 구조 역시 개선될 필요성이 있다.
플라즈마 처리 기법의 균일한 식각을 위해 고려해야 할 변수 중 하나로서 피대상물 표면에의 고른 고주파의 적용을 꼽을 수 있다. 고른 고주파의 적용은 실제 식각 공정에 있어서 웨이퍼 표면 전체에 대한 균일한 에너지 분포가 형성되도록 하는 필수적 요소이다. 이는 고주파의 출력 조절만으로는 달성될 수 없으며 고주파 전극으로서의 스테이지와 애노우드의 형태 및 실질적으로 웨이퍼를 고정시키는 기능을 하는 에지 링 등에 의하여 크게 좌우된다.
에지 링은 플라즈마가 존재하는 가혹한 조건의 플라즈마 처리장치의 반응 챔버 내에서 플라즈마의 확산을 방지하고, 식각 처리가 이루어지는 웨이퍼 주변에 플라즈마가 한정되도록 하는 역할을 하는 것이다.
에지 링의 상태가 불량한 경우 식각 공정의 품질에도 영향을 미치는 바, 에지 링의 상태를 정밀하면서도 쉽게 측정할 수 있는 장치의 개발이 필요한 실정이다.
본 발명에 따른 웨이퍼 에지 링 검사장치는, 웨이퍼 에지 링의 정렬을 정확히 하며 다양한 각도에서 웨이퍼 에지 링을 검사할 수 있는 웨이퍼 에지 링 검사장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 에지 링 검사장치는, 에지 링이 놓여지며 센터 정렬되는 안착부; 상기 에지 링을 측정하는 측정장비가 장착되며 상기 안착부의 상방에 위치되는 홀더부; 상기 홀더부의 각도를 조절하는 각도 조절부; 상기 각도 조절부를 전·후 방향으로 이동시키는 직선 이동부; 및 상기 홀더부의 상기 안착부로부터의 높이를 조절하는 높이 조절부;를 포함하며, 상기 안착부는, 상기 에지 링이 놓여지는 안착판;과, 한 쌍으로 마련되어 상기 안착판에 서로 이격 장착되며, 함께 서로 멀어지거나 가까워지는 방향으로 이동하며, 정렬 시 상기 에지 링의 측면과 접촉되는 센터 정렬부;를 포함하며, 상기 안착판은 중앙부에 길이방향을 따라 관통공이 형성되며, 상기 센터 정렬부는, 상기 안착판의 하방에 배치되는 가이드봉을 따라 이동 가능하게 마련되며, 양 단부에는 높이 방향을 축으로 하여 회전가능한 한 쌍의 휠이 각각 장착된다.
삭제
여기서, 상기 안착부가 상부에 장착되는 베이스부를 더 포함하며, 상기 높이 조절부는, 상기 베이스부에 장착되며, 높이방향을 따라 배치되는 볼 스크류와, 상기 볼 스크류를 따라 높이방향으로 이동되며, 상면 일 영역에 상기 직선 이동부가 장착되는 높이 조절판;을 포함할 수 있다.
여기서, 상기 각도 조절부의 하면에는 레일홈이 형성되며, 상기 직선 이동부는, 상기 각도 조절부가 길이방향을 따라 이동하며 상면에 요철이 형성되는 미세조절부; 상기 높이 조절부의 상면에 장착되며 길이 방향을 따라 상기 미세조절부가 전·후 방향으로 이동되는 레일부;를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 각도 조절부는, 상기 높이 조절부를 따라 이동하는 장착부와, 상기 장착부의 일측면에 장착되어 회전 가능하게 마련되며, 타측면에는 상기 홀더부가 장착되는 틸팅부 및 상기 틸팅부의 회전을 허용/잠금하는 잠금나사를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 잠금나사의 양 측면을 가압하며, 회전에 따라 상기 잠금나사의 미세 이동을 허용하는 미세조절나사;를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 홀더부는, 상기 각도 조절부의 일측면에 고정되는 슬라이딩부; 상기 측정장비가 장착되며, 상기 슬라이딩부를 따라 높이방향으로 이동하는 홀더;를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면 적어도 다음과 같은 효과가 있다.
본 발명에 따른 웨이퍼 에지 링 검사장치에 의하면, 웨이퍼 에지 링의 정렬을 정확히 하고 다양한 각도에서 웨이퍼 에지 링을 검사할 수 있는 웨이퍼 에지 링 검사장치가 제공된다.
또한, 안착부는 베이스판에 대해 회전가능하게 마련되어 공간활용성을 증대시킬 수 있으며 다양한 각도에서 에지 링을 검사할 수 있다.
또한, 높이 조절부에 의해 측정장비의 에지 링으로부터의 높이를 용이하게 조절할 수 있다.
또한, 홀더는 미세한 높이 조절이 가능하게 마련되어 측정장비의 에지 링으로부터의 높이를 정밀하게 조절할 수 있다.
또한, 직선 이동부는 레일부와 미세 조절부를 포함하며 측정장비의 전·후 방향으로의 이동을 용이하게 조절할 수 있다.
또한, 각도 조절부는 잠금나사에 의한 큰 회전의 허용과 미세조절나사에 의한 미세한 회전의 허용을 통해 측정방비의 기울기를 정밀하게 제어할 수 있다.
또한, 직선 이동부와 각도 조절부에 의해 다양한 각도에서 에지 링을 검사할 수 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 에지 링 검사장치의 사시도
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 에지 링 검사장치의 베이스부 사시도
도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 에지 링 검사장치의 안착부 설명도
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 에지 링 검사장치의 안착부의 측면도
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 에지 링 검사장치의 높이 조절부의 사시도
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 에지 링 검사장치의 높이 조절부의 측면도
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 에지 링 검사장치의 요부 사시도
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 에지 링 검사장치의 요부 측면도
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 에지 링 검사장치의 각도 조절부 설명도
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 에지 링 검사장치의 홀더부의 설명도
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 에지 링 검사장치의 사용설명도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 에지 링 검사장치의 베이스부 사시도
도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 에지 링 검사장치의 안착부 설명도
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 에지 링 검사장치의 안착부의 측면도
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 에지 링 검사장치의 높이 조절부의 사시도
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 에지 링 검사장치의 높이 조절부의 측면도
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 에지 링 검사장치의 요부 사시도
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 에지 링 검사장치의 요부 측면도
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 에지 링 검사장치의 각도 조절부 설명도
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 에지 링 검사장치의 홀더부의 설명도
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 에지 링 검사장치의 사용설명도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예를 도면에 예시하고 이에 대해 상세한 설명에 상세하게 설명한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
설명에 앞서 상세한 설명에 기재된 용어에 대해 설명한다. 이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다. 또한, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한, '포함하다' 또는 '가지다' 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
또한, 도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
이하, 본 발명에 따른 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성요소는 동일한 도면 부호를 부여하고 이에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
본 발명은 웨이퍼 에지 링 검사장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 웨이퍼 에지 링의 정렬을 정확히 하고, 다양한 각도에서 웨이퍼 에지 링을 검사할 수 있는 웨이퍼 에지 링 검사장치에 관한 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 에지 링 검사장치의 사시도이며, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 에지 링 검사장치의 베이스부의 사시도이다.
설명에 앞서, 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 에지 링 검사장치(1000)에 적용되는 에지 링(R)은 공지의 에지 링(R)이다. 반도체 공정에서 웨이퍼 표면들 상에서 증착, 식각 등의 처리를 하기 위한 임의의 프로세스의 조건들이 프로세스가 진행되는 챔버 내에서 유지되는데, 식각 프로세스 동안 식각 프로세스에서 사용되는 플라즈마는 웨이퍼 표면에 걸쳐 균일하게 분포되지 않을 수 있다. 불균일성은 기판 표면의 엣지(edge)에서 특히 현저하다. 이러한 불균일성은 불량한 프로세싱 결과들의 원인이 된다. 따라서 일부 프로세스 챔버들은, 플라즈마 균일성을 증가시키고 프로세스 수율을 개선하기 위해 에지 링(R)을 사용한다. 즉 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 에지 링 검사장치(1000)에 적용되는 에지 링(R)은 웨이퍼가 놓여지는 공지의 에지 링(R)을 의미한다. 웨이퍼는 공정 장치 구조에 따라 에지 링(R)의 안착면 전체 또는 일부에 걸치도록 장착될 수 있다. 이후 장착된 웨이퍼와 에지 링(R)은 플라즈마 처리장치의 챔버 내에서 플라즈마에 노출되어 식각된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 에지 링 검사장치(1000)는, 베이스부(100)와, 안착부(200)와, 홀더부(300)와, 높이 조절부(400)와, 직선 이동부(500) 및 각도 조절부(600)를 포함한다.
베이스부(100)는 웨이퍼 에지 링 검사장치(1000)의 구성들을 지지하는 구성으로서 가장 하부에 배치되며 안착부(200)와 높이 조절부(400)가 장착되는 구성이다. 본 실시예에서 베이스부(100)는 대략 판형으로 마련되며, 안착부(200)의 회전축이 관통되는 축공(110)이 형성된다. 즉 안착부(200)는 베이스부(100)에 대해 회전 가능하게 마련된다.
본 실시예에서 안착부(200)의 회전은 수동 방식으로 마련되거나, 모터가 설치되어 자동 방식으로 구현될 수 있다. 또한, 베이스부(100) 자체도 모터가 설치되어 회전 가능하게 마련될 수 있다.
베이스부(100)의 상면 후단에는 높이 조절부(400)가 장착된다. 본 실시예에서 전,후는 방향을 한정하는 것이 아니며 설명의 편의를 위해 도면에 도시된 방향을 의미하는 것으로 이해되어야 한다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 에지 링 검사장치의 안착부 설명도이며, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 에지 링 검사장치의 안착부의 측면도이다.
안착부(200)는 검사 대상인 에지 링(R)이 안착되며, 에지 링(R)의 센터 정렬을 위한 구성이다. 안착부(200)는 안착판(210)과 센터 정렬부(220)를 포함한다.
안착판(210)은 에지 링(R)이 놓여지도록 평평한 판형으로 마련될 수 있다. 안착판(210)은 중앙부에 길이방향을 따라 관통공(211)이 형성된다. 관통공(211)은 센터 정렬부(220)가 이동하는 가이드로서의 역할을 할 수 있다.
센터 정렬부(220)는 한 쌍으로 마련되어 함께 서로 멀어지거나 가까워지는 방향으로 이동하여 에지 링(R)이 안착판(210)의 센터(중심부)에 정렬되도록 하는 구성이다. 센터 정렬부(220)가 서로 멀어진 방향으로 이동된 상태에서 안착판(210) 상에 에지 링(R)을 올려 놓는다. 이 때 에지 링(R)은 안착판(210)의 센터에 정렬되지 않을 수 있다. 이 후 센터 정렬부(220)를 서로 가까워지는 방향으로 이동시키면 에지 링(R)의 측면을 밀면서 센터 정렬을 시키게 된다.
이에 센터 정렬부(220)는 안착판(210)의 하방에 배치되는 제1가이드봉(221)을 따라 함께 이동 가능하게 마련된다. 제1가이드봉(221)은 관통공(211)과 나란한 방향으로 마련되며, 본 실시예에서 제1가이드봉(221)은 관통공(211)의 하방에 배치된다.
즉 센터 정렬부(220)는 하부에 제1가이드봉(221)이 관통되어 제1가이드봉(221)을 따라 한 쌍이 함께 이동가능하게 마련되며 이는 제1가이드봉(221)의 회전에 따라 이동된다. 제1가이드봉(221)의 회전을 제어하는 잠금부(222)가 설치될 수도 있다.
한편, 한 쌍의 센터 정렬부(220)의 서로 대향되는 단부인 양 단부는 에지 링(R)의 형상에 대응되는 호 형상으로 마련될 수 있으며, 양 단부에는 높이 방향을 축으로 하여 회전가능한 한 쌍의 휠(223)이 각각 장착될 수 있다. 상술한 바와 같이, 센터 정렬부(220)가 서로 가까워지는 방향으로 이동되면서 에지 링(R)의 측면을 밀게 되고, 이로 인해 에지 링(R)이 안착판(210)의 센터에 정렬되는데, 에지 링(R)의 측면 손상을 최소화하면서도 용이하게 밀 수 있도록 한 쌍의 휠(223)이 각각의 센터 정렬부(220)의 양 단부에 장착된다.
홀더부(300)는 에지 링(R)의 상태를 측정하는 측정장비(C)가 장착되는 구성이다. 측정장비(C)는 공지의 CCD카메라일 수 있다. 홀더부(300)는 각도 조절부(600)에 장착되며, 각도 조절부(600)는 직선 이동부(500)에 장착된다. 각 구성에 대해서는 후술한다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 에지 링 검사장치의 높이 조절부의 사시도이며, 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 에지 링 검사장치의 높이 조절부의 측면도이다.
높이 조절부(400)는 홀더부(300)의 안착부(200)로부터의 높이를 조절하는 구성이다. 높이 조절부(400)는 볼 스크류(410)와, 제2가이드봉(420)과, 높이 조절판(430)을 포함한다.
볼 스크류(410)는 베이스부(100)의 상면 후단에 높이방향을 따라 장착되며, 높이 조절판(430)은 볼 스크류(410)가 관통되어 볼 스크류(410)의 회전에 따라 안착부(200)로부터의 높이가 조절된다. 볼 스크류(410)의 상부에는 회전을 위한 핸들(430)이 설치될 수 있으며, 잠금부재(440) 또한 설치될 수 있다.
높이 조절판(430)의 상면에는 직선 이동부(500)가 장착되며, 상술한 바와 같이 직선 이동부(500)에 각도 조절부(600)가 장착되는 바, 높이 조절판(430)의 높이 방향으로의 이동에 따라 홀더부(300)의 높이가 변경된다.
제2가이드봉(420)은 선택적으로 설치될 수 있으며, 본 실시예에서는 한 쌍의 제2가이드봉(420)이 설치된다. 제2가이드봉(420) 또한 베이스부(100)의 상면 후단에 높이방향을 따라 장착되며 높이 조절판(430)이 관통된다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 에지 링 검사장치의 요부 사시도이며, 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 에지 링 검사장치의 요부 측면도이다.
직선 이동부(500)는 홀더부(300)의 전·후 방향으로의 이동을 위한 것으로서 레일부(510)와 미세 조절부(520)를 포함한다.
레일부(510)는 홀더부(300)의 상대적으로 큰 전·후 방향으로의 이동을 허용하는 구성이며, 미세 조절부(520)는 홀더부(300)의 전·후 방향으로의 미세한 이동을 위한 구성이다.
레일부(510)는 슬라이딩 레일로 마련될 수 있으며 높이 조절판(430)의 상면에 장착된다. 레일부(510)에는 미세 조절부(520)가 장착되어 레일부(510)를 따라 전·후 방향으로 이동될 수 있다.
미세 조절부(520)의 상부에는 각도 조절부(600)가 장착되어 미세 조절부(520)의 길이방향을 따라 미세하게 이동 가능하게 마련된다. 이 때 미세 조절부(520)의 상면에는 요철(521)이 형성되어 각도 조절부(600)가 철부 또는 요부의 간격만큼씩 이동할 수 있도록 마련될 수 있다. 이 때 미세 조절부(520)와 레일부(510)에는 눈금이 형성되어 이동된 거리를 측정할 수 있다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 에지 링 검사장치의 각도 조절부 설명도이다.
각도 조절부(600)는 홀더부(300)의 기울기를 조절하기 위한 구성이다. 각도 조절부(600)는 장착부(610)와, 틸팅부(620) 및 잠금나사(630) 및 미세조절나사(640)를 포함한다.
장착부(610)는 높이 조절부(400)를 따라 이동가능하게 마련되는 것으로서 하면에 미세 조절부(520)의 형상에 대응되는 레일홈이 형성되어, 미세 조절부(520)를 따라 전후방향으로 이동된다.
틸팅부(620)는 장착부(610)의 일측면에 장착되어 회전 가능하게 마련되며, 타측면에는 홀더부(300)가 장착된다. 틸팅부(620)는 고정판(621)과 회전판(622)을 포함할 수 있다. 회전판(622)은 고정판(621)에 대해 회전가능하게 마련되는데 이는 잠금나사(630)에 의해 회전이 허용되거나 잠금된다. 구체적으로, 회전판(622)은 잠금나사(630)에 맞물림, 걸림 등으로 인해 이동이 제한되도록 마련될 수 있으며, 잠금나사(630)와의 맞물림, 걸림 등의 이동제한 상태가 해제되면 고정판(621)에 대해 회전되도록 마련된다.
한편, 잠금나사(630)의 측면은 미세조절나사(640)에 의해 가압될 수 있다. 미세조절나사(640)는 잠금나사(630)의 미세 회전을 허용하는 구성으로서, 미세조절나사(640)의 회전 정도에 의해 잠금나사(630)의 미세 회전정도가 결정된다. 구체적으로, 미세조절나사(640)가 회전하여 잠금나사(630)를 보다 가압하는 경우 잠금나사(630)가 미세하게 회전되고, 회전판(622)은 잠금나사(630)에 맞물림, 걸림 등의 결합상태을 이루고 있으므로 홀더부(300)가 미세하게 회전된다. 이 때 미세조절나사(640)는 한 쌍으로 마련되어 잠금나사(630)의 회전방향을 결정할 수 있다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 에지 링 검사장치의 홀더부의 설명도이다.
홀더부(300)는 각도 조절부(600)의 회전판(622)의 일측면에 고정되는 슬라이딩부(310)와, 측정장비(C)가 장착되며 슬라이딩부(310)를 따라 높이방향으로 이동되는 홀더(320)를 포함한다. 홀더(320)가 슬라이딩부(310)를 따라 높이방향으로 이동됨으로써 미세한 높이조절이 가능하다.
직선 이동부(500)와 각도 조절부(300)에 의해 측정장비(C)/홀더부(300)의 전후방향으로 이동폭 및 틸팅 각도의 폭이 증가되어, 다양한 위치 및 각도에서 에지 링(R)을 측정할 수 있다.(도 12 참조)
상술한 바에 의하면, 웨이퍼 에지 링의 정렬을 정확히 하고, 다양한 각도에서 웨이퍼 에지 링을 검사할 수 있는 웨이퍼 에지 링 검사장치가 제공된다.
본 발명에서 모든 예들 또는 예시적인 용어(예를 들어, 등등)의 사용은 단순히 본 발명을 상세히 설명하기 위한 것으로서 청구범위에 의해 한정되지 않는 이상 상기 예들 또는 예시적인 용어로 인해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다. 또한 해당 기술 분야의 통상의 기술자는 다양한 수정, 조합 및 변경이 부가된 청구범위 또는 그 균등물의 범주 내에서 설계 조건 및 팩터(factor)에 따라 구성될 수 있음을 알 수 있다.
따라서, 본 발명의 사상은 상기 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 청구범위 뿐만 아니라, 이 청구범위와 균등한 또는 이로부터 등가적으로 변경된 모든 범위는 본 발명의 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
1000 : 웨이퍼 에지 링 검사장치
100 : 베이스부 200 : 안착부
300 : 홀더부 400 : 높이 조절부
500 : 직선 이동부 600 : 각도 조절부
100 : 베이스부 200 : 안착부
300 : 홀더부 400 : 높이 조절부
500 : 직선 이동부 600 : 각도 조절부
Claims (7)
- 에지 링이 놓여지며 센터 정렬되는 안착부;
상기 에지 링을 측정하는 측정장비가 장착되며 상기 안착부의 상방에 위치되는 홀더부;
상기 홀더부의 각도를 조절하는 각도 조절부;
상기 각도 조절부를 전·후 방향으로 이동시키는 직선 이동부; 및
상기 홀더부의 상기 안착부로부터의 높이를 조절하는 높이 조절부;를 포함하며,
상기 안착부는,
상기 에지 링이 놓여지는 안착판;과, 한 쌍으로 마련되어 상기 안착판에 서로 이격 장착되며, 함께 서로 멀어지거나 가까워지는 방향으로 이동하며, 정렬 시 상기 에지 링의 측면과 접촉되는 센터 정렬부;를 포함하며,
상기 안착판은 중앙부에 길이방향을 따라 관통공이 형성되며,
상기 센터 정렬부는, 상기 안착판의 하방에 배치되는 가이드봉을 따라 이동 가능하게 마련되며, 양 단부에는 높이 방향을 축으로 하여 회전가능한 한 쌍의 휠이 각각 장착되는
웨이퍼 에지 링 검사장치.
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 안착부가 상부에 장착되는 베이스부를 더 포함하며,
상기 높이 조절부는,
상기 베이스부에 장착되며, 높이방향을 따라 배치되는 볼 스크류와, 상기 볼 스크류를 따라 높이방향으로 이동되며, 상면 일 영역에 상기 직선 이동부가 장착되는 높이 조절판;을 포함하는 웨이퍼 에지 링 검사장치.
- 제1항에 있어서,
상기 각도 조절부의 하면에는 레일홈이 형성되며,
상기 직선 이동부는,
상기 각도 조절부가 길이방향을 따라 이동하며 상면에 요철이 형성되는 미세조절부; 상기 높이 조절부의 상면에 장착되며 길이 방향을 따라 상기 미세조절부가 전·후 방향으로 이동되는 레일부;를 포함하는 웨이퍼 에지 링 검사장치.
- 제4항에 있어서,
상기 각도 조절부는,
상기 높이 조절부를 따라 이동하는 장착부와,
상기 장착부의 일측면에 장착되어 회전 가능하게 마련되며, 타측면에는 상기 홀더부가 장착되는 틸팅부 및
상기 틸팅부의 회전을 허용/잠금하는 잠금나사를 포함하는 웨이퍼 에지 링 검사장치.
- 제5항에 있어서,
상기 잠금나사의 양 측면을 가압하며, 회전에 따라 상기 잠금나사의 미세 이동을 허용하는 미세조절나사;를 포함하는 웨이퍼 에지 링 검사장치.
- 제1항에 있어서,
상기 홀더부는,
상기 각도 조절부의 일측면에 고정되는 슬라이딩부;
상기 측정장비가 장착되며, 상기 슬라이딩부를 따라 높이방향으로 이동하는 홀더;를 포함하는 웨이퍼 에지 링 검사장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210096105A KR102496284B1 (ko) | 2021-07-22 | 2021-07-22 | 웨이퍼 에지 링 검사장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210096105A KR102496284B1 (ko) | 2021-07-22 | 2021-07-22 | 웨이퍼 에지 링 검사장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20230014936A KR20230014936A (ko) | 2023-01-31 |
| KR102496284B1 true KR102496284B1 (ko) | 2023-02-06 |
Family
ID=85109573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020210096105A KR102496284B1 (ko) | 2021-07-22 | 2021-07-22 | 웨이퍼 에지 링 검사장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102496284B1 (ko) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101019831B1 (ko) * | 2010-09-02 | 2011-03-04 | 주식회사 투아이스펙트라 | 유리기판의 에지 검사시스템 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100976604B1 (ko) * | 2008-03-06 | 2010-08-18 | 주식회사 아이. 피. 에스시스템 | 웨이퍼 에지영역 검사장치, 이를 이용하는 웨이퍼 에지영역검사방법 및 웨이퍼 정렬방법 |
| KR100997651B1 (ko) * | 2008-10-29 | 2010-12-01 | 주식회사 케이씨텍 | 웨이퍼 로딩장치의 웨이퍼 센터링 장치 및 이를 포함하는 웨이퍼 로딩장치 |
| JP6512954B2 (ja) | 2015-06-11 | 2019-05-15 | 東京エレクトロン株式会社 | フォーカスリングを検査するためのシステム、及びフォーカスリングを検査する方法 |
| KR20190083952A (ko) * | 2018-07-19 | 2019-07-15 | 조관국 | 기판의 비아홀 검사장치 |
| KR102147775B1 (ko) | 2019-03-11 | 2020-08-25 | (주)드림솔 | 에지링 측정 장치 |
-
2021
- 2021-07-22 KR KR1020210096105A patent/KR102496284B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101019831B1 (ko) * | 2010-09-02 | 2011-03-04 | 주식회사 투아이스펙트라 | 유리기판의 에지 검사시스템 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20230014936A (ko) | 2023-01-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10446453B2 (en) | Surface modification control for etch metric enhancement | |
| US6770852B1 (en) | Critical dimension variation compensation across a wafer by means of local wafer temperature control | |
| US11180846B2 (en) | Fine leveling of large carousel based susceptor | |
| KR102412185B1 (ko) | 다중―세그먼트 전극 어셈블리 및 그에 대한 방법들 | |
| TW200822274A (en) | Substrate transfer device, substrate processing apparatus and substrate transfer method | |
| US7723697B2 (en) | Techniques for optical ion beam metrology | |
| KR102419803B1 (ko) | 기판 처리 설비의 레벨링 장치 | |
| KR102496284B1 (ko) | 웨이퍼 에지 링 검사장치 | |
| TWI394626B (zh) | 可調節雷射光束線條長度的鐳射加工裝置 | |
| CN107533961B (zh) | 碳化硅半导体装置的制造方法、半导体基体的制造方法、碳化硅半导体装置以及碳化硅半导体装置的制造装置 | |
| KR101651879B1 (ko) | 히터 레벨링 장치 | |
| KR100485387B1 (ko) | 이온 주입 장치의 모니터링 방법 및 이를 수행하기 위한섀도우 지그를 갖는 이온 주입 장치 | |
| US20080110745A1 (en) | Method and Device for Ion Beam Processing of Surfaces | |
| JP2001230307A (ja) | 半導体製造装置 | |
| US20160104601A1 (en) | Local dry etching apparatus | |
| JP4923272B2 (ja) | 単結晶基板表面に形成されるステップ構造のピン止め方法、及びピン止めされたステップ構造を有する単結晶基板 | |
| JP2020136622A (ja) | 調整用冶具、調整方法及び位置ずれ測定方法 | |
| KR200334521Y1 (ko) | 공작물 클램프장치 | |
| KR20130136385A (ko) | 증발 재료를 코팅하는 방법 | |
| US6837936B2 (en) | Semiconductor manufacturing device | |
| KR100499172B1 (ko) | 이온 주입 공정의 기판 경사각 측정 방법 | |
| KR100513426B1 (ko) | 반도체장치 분석설비의 샘플홀더 | |
| US20210242027A1 (en) | Substrate processing method, modification device and substrate processing system | |
| US9012337B2 (en) | Platen control | |
| US20230205091A1 (en) | Substrate treating apparatus and substrate treating method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |