KR102147775B1 - 에지링 측정 장치 - Google Patents

에지링 측정 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102147775B1
KR102147775B1 KR1020190027521A KR20190027521A KR102147775B1 KR 102147775 B1 KR102147775 B1 KR 102147775B1 KR 1020190027521 A KR1020190027521 A KR 1020190027521A KR 20190027521 A KR20190027521 A KR 20190027521A KR 102147775 B1 KR102147775 B1 KR 102147775B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
edge ring
sensor
base
sensor unit
chuck
Prior art date
Application number
KR1020190027521A
Other languages
English (en)
Inventor
한석현
장정현
김한일
Original Assignee
(주)드림솔
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)드림솔 filed Critical (주)드림솔
Priority to KR1020190027521A priority Critical patent/KR102147775B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102147775B1 publication Critical patent/KR102147775B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 상면 가장자리에 에지링이 장착된 척에 놓여 상기 에지링의 장착 상태를 확인 하는 에지링 측정 장치에 관한 것으로, 상기 척의 상면에 놓일 수 있으며 하면 가장자리가 상기 에지링과 마주할 수 있는 베이스, 상기 베이스에 배치되어 있고 상기 에지링의 상면 위치를 측정하는 제1 센서부, 상기 베이스에 배치되어 있고 상기 척으로부터 상기 에지링의 편심 상태를 측정하는 제2 센서부 및 상기 베이스에 배치되어 상기 제1 센서부 및 상기 제2 센서부와 연결된 제어부를 포함하고, 상기 제1 센서부와 상기 제2 센서부는 상기 베이스의 원주 방향을 따라 등간격으로 각각 배열되어 있다.

Description

에지링 측정 장치{Edge ring measurement apparatus}
본 발명은 에지링 측정 장치에 관한 것이다.
반도체 제조 공정 중 에칭공정은 웨이퍼 상에 사진공정 이후 형성된 포토레지스트 패턴으로 노출된 부위를 제거하기 위한 공정이다. 그 방법에 있어서 투입되는 공정가스를 플라즈마 상태로 변환시켜 요구되는 불필요한 부위와 반응토록 하는 플라즈마 에칭이 주로 이용되고 있다.
이러한 플라즈마를 이용한 에칭공정은, 고주파 파워가 인가되는 상, 하부전극 사이에 위치되는 웨이퍼에 대하여 공정가스가 공급되어 플라즈마 상태로 변환된 상태로 반응하게 됨으로써 이루어진다.
에칭공정이 이루어지는 에칭장비는 에칭공간을 갖는 챔버, 챔버에 위치하고 웨이퍼가 놓이는 척, 척의 상면 가장자리에 형성된 단차부에 배치된 에지링 등으로 이루어져 있다. 여기서 웨이퍼의 가장자리는 척의 상면을 벗어나 에지링에 의해 지지된다.
에지링은 인가되는 고주파파워에 대응하여 플라즈마의 형성 영역의 분포를 웨이퍼의 외측 부위까지 확대 형성하게 되고, 이에 따라 웨이퍼는 그 전면이 플라즈마 영역의 중심 부위에 위치되어 전체적으로 균일한 작용을 받게 된다.
도면 [도 10]을 참고하면, 에지링(2)은 척(1)의 가장자리를 따라 형성된 단차부(1b)에 배치되어 원형을 이루고 있다. 척(1)이 온도에 따라 변형되므로 척(1)의 단차부(1b) 둘레와 에지링(2)의 내부 둘레는 간격을 두고 있다. 에지링(2)의 장착 상태를 작업자의 육안으로만 확인하게 되면서 정밀성이 저하되었다. 에지링(2)의 중심이 척의 중심과 일치하지 않고 척(1)의 중심으로부터 편심되게 배치되면 에칭공정 시 불량이 발생하였다.
그리고 에지링(2)의 하면과 단차부(1b)의 바닥 사이에는 원주 방향을 따라 척(1)의 온도를 에지링(2)에 전달하는 시트(도시하지 않음)가 배치되어 있다. 그러나 완충력을 갖는 시트가 단차부(1b)에서 원주 방향을 따라 균일하게 배치되지 못할 경우 그 위에 놓이는 에지링(2)이 기울어지게 되었다. 원주 방향을 따라 위치하는 에지링(2)의 상면 위치가 달라지었다.
배치된 에지링(2)과 척(1)의 동심이 일치하는지, 에지링(2)의 상면이 단차부(1b)의 바닥을 기준으로 균일하게 위치하는지를 작업자의 육안으로만 확인하게 되면서 측정의 정밀성이 저하되었다. 에지링의 배치 상태를 정확하게 장착되었는지 측정할 수 있는 기술이 요구되고 있다.
공개특허 제10-2007-0034790호 (2007.03.29.) 등록실용신안공보 제20-0467708호 (2013.06.24.)
본 발명은 웨이퍼가 놓이는 척의 가장자리를 따라 배치되는 에지링의 장착 상태를 점검할 수 있는 에지링 측정 장치를 제공한다.
본 발명의 한 실시예에 따른 에지링 측정 장치는, 상면 가장자리에 에지링이 장착된 척에 놓여 상기 에지링의 장착 상태를 확인 하는 것으로, 상기 척의 상면에 놓일 수 있으며 하면 가장자리가 상기 에지링과 마주할 수 있는 베이스, 상기 베이스에 배치되어 있고 상기 에지링의 상면 위치를 측정하는 제1 센서부, 상기 베이스에 배치되어 있고 상기 척으로부터 상기 에지링의 편심 상태를 측정하는 제2 센서부 및 상기 베이스에 배치되어 상기 제1 센서부 및 상기 제2 센서부와 연결된 제어부를 포함한다.
상기 제1 센서부와 상기 제2 센서부는 상기 베이스의 원주 방향을 따라 등간격으로 각각 배열될 수 있다.
상기 에지링 측정 장치는, 상기 베이스에 배치되어 상기 제1 센서부, 상기 제2 센서부 및 상기 제어부를 덮고 있는 덮개를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 센서부는 45°내지 90° 간격이고, 상기 제2 센서부는 90°간격으로 배열될 수 있다.
상기 베이스의 상면에는 상기 제어부가 위치하는 제어홈과, 상기 제어홈과 연결되어 있고 상기 제1 센서부가 위치하는 제1 센서홈이 형성되어 있으며, 상기 제1 센서홈의 바닥에는 상하 관통된 제1 센서홀이 형성될 수 있다.
상기 에지링 측정 장치는, 상기 베이스의 상면에서 상기 제1 센서부를 덮고 있는 제1 센서덮개를 더 포함할 수 있다.
상기 베이스의 상면에는 상기 제어부가 위치하는 제어홈이 형성되어 있고, 상기 베이스의 하면에는 상기 제어홈과 연결되어 있으며 상기 제2 센서부가 위치하는 제2 센서홈이 형성되어 있고, 상기 제2 센서홈의 바닥에는 상하 관통된 제2 센서홀이 형성될 수 있다.
상기 에지링 측정 장치는, 상기 제2 센서홈에서 상기 제2 센서부를 지지하는 제2 센서덮개를 더 포함할 수 있다.
배열된 상기 제1 센서부들은 각각 상기 에지링의 상면 위치를 감지하여 상기 에지링의 평탄도를 측정할 수 있다.
상기 척의 가장자리에는 원주 방향을 따라 상기 에지링이 놓이는 안착부가 형성되어 있으며, 상기 에지링은 상기 안착부에 놓인 상태에서 내부 둘레가 상기 안착부의 측면 둘레와 간격을 두고 마주하게 배치될 수 있다.
상기 제2 센서부는 상기 에지링의 내부 둘레와 상기 안착부의 측면 둘레의 간격을 측정할 수 있다.
상기 베이스의 하면에는 상기 제2 센서부가 놓이는 제2 센서홈이 형성되어 있고, 상기 베이스가 상기 척의 상면에 놓일때 상기 제2 센서홈의 바닥면은 상기 에지링의 상면 일부분과 상기 척의 상면 일부분과 중첩될 수 있다.
배열된 상기 제2 센서부들은 각각, 상기 에지링의 상면에 형성된 가상의 제1 지점과 상기 척의 상면에 형성된 가상의 제2 지점의 거리를 측정하여 상기 에지링의 편심 상태를 측정할 수 있다.
상기 에지링 측정 장치는, 상기 베이스의 하면에서 수직하게 돌출되어 있고 상기 척의 상면에 접하여 상기 베이스의 하면 가장자리를 상기 에지링의 상면으로부터 이격시키는 지지부를 더 포함할 수 있다.
상기 지지부는 상기 베이스의 원주 방향을 따라 배열될 수 있다.
상기 에지링 측정 장치는, 상기 베이스가 놓여 보관될 수 있는 보관대를 더 포함하며, 상기 보관대와 상기 베이스에는 충전부가 배치될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 베이스가 지지부를 통해 척의 상면에 놓이면 제1 센서부는 에지링의 상면 위치를 측정하고, 제2 센서부는 에지링의 편심 여부를 측정한다. 이에 센서부를 통해 에지링의 장착 상태를 측정하므로 보다 정밀하게 에지링의 장착 상태를 측정할 수 있다. 에지링 측정 장치를 통해 에지링을 척에 정밀하게 장착하므로 웨이퍼 에칭공정에 따른 불량을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 에지링 측정 장치를 나타낸 개략도.
도 2는 도 1의 분해 사시도.
도 3은 도 2의 베이스를 나타낸 것으로, a)는 평면을 나타낸 사시도이고, b)는 저면을 나타낸 사시도.
도 4는 도 1의 베이스가 척 위에 놓인 상태를 나타낸 개략도.
도 5는 도 4를 Ⅴ-Ⅴ선을 따라 자른 단면도.
도 6은 도 5의 A부분 확대도.
도 7은 도 4의 에지링 측정 장치 저면 사시도.
도 8은 도 7을 Ⅷ-Ⅷ을 따라 자른 단면도.
도 9는 도 8의 B부분 확대도.
도 10은 척과 에지링을 나타낸 개략도.
이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참고로 하여 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다.
그러면 본 발명의 한 실시예에 따른 에지링 측정 장치에 대하여 도 1 내지 도 9를 참고하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 에지링 측정 장치를 나타낸 개략도이고, 도 2는 도 1의 분해 사시도이며, 도 3은 도 2의 베이스를 나타낸 것으로, a)는 평면을 나타낸 사시도이고, b)는 저면을 나타낸 사시도이며, 도 4는 도 1의 베이스가 척 위에 놓인 상태를 나타낸 개략도이고, 도 5는 도 4를 Ⅴ-Ⅴ선을 따라 자른 단면도이며, 도 6은 도 5의 A부분 확대도이고, 도 7은 도 4의 에지링 측정 장치 저면 사시도이며, 도 8은 도 7을 Ⅷ-Ⅷ을 따라 자른 단면도이고, 도 9는 도 8의 B부분 확대도이다.
먼저 [도 1] 내지 [도 4]를 참고하면, 본 실시예에 따른 에지링 측정 장치(100)는, 베이스(20), 제1 센서부(30) 및 제2 센서부(40)를 포함하며, 상면 가장자리에 에지링이 장착된 척에 놓여 상기 에지링의 장착 상태를 확인한다. 에지링 측정 장치(100)가 척(1)의 상면에 놓일 때 에지링 측정 장치(100)의 중심과 척(1)의 중심이 일치한 상태로 놓인다. 본 실시예에 따른 에지링 측정 장치(100)는 덮개(60) 및 보관대(10)를 더 포함할 수 있다.
보관대(10)는 베이스(20)가 놓여 보관될 수 있는 것으로 충전부(도시하지 않음)가 배치되어 있다. 충전부를 통해 베이스(20)에 배치된 전원부(도시하지 않음)는 충전될 수 있다. 충전부와 전원부는 무선으로 연결되어 충전될 수 있다. 그러나 충전부와 전원부는 유선으로 연결되어 충전될 수도 있다. 아울러, 보관대(10)에는 제1 센서부(30)와 제2 센서부(40)의 위치를 설정할 수 있다.
베이스(20)는 보관대(10)에서 분리되어 가장자리에 에지링(2)이 결합된 척(1)에 놓일 수 있다. 베이스(20)의 하면에는 지지부(26)가 형성되어 있다. 지지부(26)는 척(1)의 상면과 접하여 베이스(20)의 하면 가장자리가 에지링(2)으로부터 떨어질 수 있도록 한다. 척(1)과 접하고 있는 지지부(26)의 표면은 베이스(20)의 하면과 평행을 이룬다. 이에 지지부(26)가 척(1)의 상면과 접하면 베이스(20)의 하면은 전체적으로 척(1)의 상면과 동일한 간격을 유지할 수 있다.
도면 [도 3의 b)]에서, 사각돌기 형태로 돌출되어 베이스(20)의 원주 방향을 따라 배열된 것을 지지부(26)로 도시하였으나, 지지부(26)는 다양하게 변경될 수 있다.
베이스(20)의 상면 중앙에는 제어홈(21)이 기설정된 깊이로 형성되어 있다. 베이스(20)의 상면 가장자리에는 제1 배치유로(22)를 통해 제어홈(21)과 연결된 제1 센서홈(23)이 기설정된 깊이로 형성되어 있다.
제1 센서홈(23)은 베이스(20)의 원주 방향을 따라 45°내지 90° 간격으로 배열되어 있다. 이에 제1 센서홈(23)들은 등 간격을 이루고 있다. 제1 센서홈(23)의 배열 간격은 에지링 측정 장치(100) 설계에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 제1 센서홈(23)의 바닥에는 제1 센서홀(231)이 상하 관통되어 있다.
또한, 베이스(20)의 하면 가장자리에는 제어홈(21)과 연결된 제2 센서홈(25)이 기설정된 깊이로 형성되어 있다. 제2 센서홈(25)은 베이스(20)의 상면에 형성된 제2 배치유로(24)를 통해 제어홈(21)과 연결되어 있다. 여기서 제2 배치유로(24)는 제1 배치유로(22)와 연결되어 제어홈(21)과 연결되어 있다. 그러나 제2 배치유로(24)는 제어홈(21)과 직접적으로 연결될 수도 있다.
제2 센서홈(25)은 이웃한 제1 센서홈(23)의 사이에 위치하여 베이스(20)의 원주 방향을 따라 90° 간격으로 배열되어 있다. 이에 제2 센서홈(25)들은 등 간격을 이루고 있다. 제2 센서홈(25)의 배열 간격은 에지링 측정 장치(100)의 설계에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 제2 센서홈(25)의 바닥(상면)에는 제2 배치유로(24)를 통해 제어홈(21)과 연결되는 제2 센서홀(251)이 상하 관통되어 있다. 제2 센서홀(251)은 제2 센서홈(25)의 바닥 내에서 제2 배치유로(24)를 따라 복수 형성되어 있다.
도면 [도 5] 및 [도 6]을 더 참고하면, 제1 센서부(30)는 제1 센서홈(23) 마다 배치되어 에지링(2)의 상면 위치를 측정한다. 제1 센서부(30)는 제1 센서덮개(31), 센서부재(32), 푸시부재(33) 및 탄성부재(34)를 포함한다.
제1 센서덮개(31)는 베이스(20)의 상면에 위치하여 제1 센서홈(23)의 바닥을 덮고 있다. 제1 센서덮개(31)는 나사 따위의 체결수단을 통해 분리할 수 있게 결합되어 있다.
센서부재(32)는 홀 센서(hall sensor)를 포함한다. 센서부재(32)는 제1 센서덮개(31)의 하면에 결합되어 제1 센서홈(23)의 바닥과 간격을 두고 마주한다. 센서부재(32)는 제1 배치유로(22)에 위치하는 배선을 통해 제어홈(21)에 위치한 제어부(50)와 연결되어 있다.
푸시부재(33)는 제1 센서홈(23)의 바닥에 위치하여 상면이 센서부재(32)와 마주한다. 푸시부재(33)의 상면에는 자석(331)이 배치되어 있다. 그리고 푸시부재(33)의 하면 중앙 부분은 제1 센서홀(231)을 통해 베이스(20) 외부로 돌출되어 있다. 베이스(20)가 지지부(26)를 통해 척(1)의 상면에 놓일 때 돌출된 푸시부재(33)의 끝부분은 에지링(2)의 상면과 접할 수 있다. 이때 푸시부재(33)는 제1 센서홈(23)의 바닥에서 센서부재(32) 방향으로 상승할 수 있다.
탄성부재(34)는 제1 센서홈(23)에 배치되어 있으며 지지부(26)가 에지링(2)의 상면에 밀착된 상태를 유지할 수 있도록 탄성력을 제공한다. 탄성부재(34)는 코일 스프링을 포함한다.
이에 따라, 푸시부재(33)가 상승하게 되면 자석(331)은 센서부재(32)와 가까워진다. 이때 센서부재(32)는 자석(331)의 자력을 감지하게 되는데, 자석(331)이 센서부재(32)에 근접될수록 자력의 세기는 커지게 된다. 제어부(50)는 센서부재(32)의 자력의 세기를 통해 에지링(2)의 상면 위치를 측정하게 된다.
이때 시트가 평탄하게 배치된 경우 제1 센서부(30)들에서 측정된 에지링(2)의 상면 위치 값은 기준 범위 내에 위치한다. 하지만, 특정 제1 센서부에서 측정된 값이 다른 제1 센서부에서 측정된 값이 기준 범위를 벗어나는 경우 특정 제1 센서부가 위치한 에지링(2)의 상면이 다른 부위의 상면보다 높거나 낮음을 확인할 수 있다. 이에 시트를 다시 배치한 후 에지링(2)을 단차부에 배치시킬 수 있다.
제1 센서부(30)를 푸시부재(33), 탄성부재(34) 및 센서부재(32)로 한정하지 않는다. 에지링(2)의 상면 위치를 측정할 수 있는 것이라면 다양하게 적용될 수 있다.
도면 [도 7] 내지 [도 9]를 더 참고하면, 제2 센서부(40)는 제2 센서홈(25) 마다 배치되어 척(1)으로부터 에지링(2)의 편심 상태를 측정한다. 제2 센서부(40)는 제2 센서덮개(41), 모터(42), 스크류(43) 및 센서부재(44)를 포함한다.
제2 센서덮개(41)는 제2 센서홈(25)의 바닥(상면)에 배치되어 나사 따위의 체결수단으로 분리할 수 있게 결합되어 있다. 제2 센서덮개(41)의 하면에는 길이 방향을 따라 배치홈(411)이 형성되어 있다. 제2 센서덮개(41)는 베이스(20)가 지지부(26)를 통해 척(1)의 상면에 놓일 때 척(1)의 상면 가장자리와 에지링(2)의 상면 일부분과 마주한다.
모터(42)와 스크류(43)는 서로 연결되어 있다. 모터(42)가 제2 센서덮개(41)에 결합된 상태에서 스크류(43)는 배치홈(411)을 따라 위치한다. 모터(42)는 제2 센서홀(251)과 제2 배치유로(24)를 따라 배치된 배선을 통해 제어부(50)와 연결되어 있다.
센서부재(44)는 적외선 센서(IR senser)를 포함할 수 있다. 센서부재(44)는 스크류(43)와 연결되어 스크류(43)가 회전하면 스크류(43) 범위 내에서 직선 이동할 수 있다. 센서부재(44)는 스크류(43)에 의해 이동하면서 에지링(2)에 형성된 가상의 제1 지점인 에지링(2)의 상면과 내부 둘레를 연결하는 에지(2a)부위와 척(1)에 형성된 가상의 제2 지점인 척(1)의 상면과 단차부의 둘레를 연결하는 에지(1a)부위의 거리를 측정한다. 측정된 거리는 제어부(50)로 전송될 수 있다.
각 제2 센서부(40)에서 측정된 값이 기준 범위 내에 있는 경우 에지링(2)과 척(1)의 중심은 일치한 상태이다. 그러나, 특정 제2 센서부에서 측정된 거리가 기준 범위를 크게 벗어나는 경우 에지링(2)과 척(1)의 중심이 불일치한 상태일 수 있다. 기준 범위가 큰 제2 센서부가 위치한 에지링(2) 부분으로 에지링(2)이 편심된 것을 측정할 수 있다. 측정값 확인 후 에지링(2)의 위치를 조절하여 중심을 일치시킬 수 있다.
덮개(60)는 베이스(20)의 상면에 배치되어 제어부(50)를 덮고 있다. 덮개(60)에 의해 제어부(50), 전원부(도시하지 않음) 따위는 외부요건으로부터 안전하게 보호될 수 있다. 덮개(60)는 베이스(20) 상면에서 분리될 수 있으며, 손잡이(61)가 상면에 형성되어 있다.
그리고 덮개(60)에는 제어부(50)와 연결된 입력부(70)가 배치되어 있다. 입력부(70)를 통해 전원, 제1 센서부(30), 제2 센서부(40) 등을 제어한다.
한편, 제어부(50)는 저장부(도시하지 않음), 통신부(도시하지 않음), 입출력포트(도시하지 않음) 따위를 포함할 수 있다. 이에 측정된 데이터를 저장과 전송할 수 있다.
제2 센서부(40)를 모터, 스크류 및 센서부재 따위로 한정하지 않는다. 에지링 측정 장치(100)의 설계에 따라 제2 센서부(40)는 다양하게 변경될 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
1: 척 2: 에지링
1a, 2a: 에지
100: 에지링 측정 장치 10: 보관대
20: 베이스 21: 제어홈
22: 제1 배치유로 23: 제1 센서홈
231: 제1 센서홀 24: 제2 배치유로
25: 제2 센서홈 251: 제2 센서홀
26: 지지부 30: 제1 센서부
31: 제1 센서덮개 32: 센서부재
33: 푸시부재 331: 자석
34: 탄성부재 40: 제2 센서부
41: 제2 센서덮개 411: 배치홈
42: 모터 43: 스크류
44: 센서부재 50: 제어부
60: 덮개 61: 손잡이
70: 입력부

Claims (10)

  1. 에지링이 장착된 척에 놓여 상기 에지링의 장착 상태를 확인하는 것으로,
    상기 척에 놓여 상기 에지링과 마주할 수 있는 베이스,
    상기 베이스에 원주 방향을 따라 등간격으로 각각 배열되어 있고 상기 에지링의 상면 위치를 측정하는 제1 센서부,
    상기 베이스에 원주 방향을 따라 등간격으로 각각 배열되어 있고 상기 척으로부터 상기 에지링의 편심 상태를 측정하는 제2 센서부 및
    상기 베이스에 배치되어 상기 제1 센서부 및 상기 제2 센서부와 연결된 제어부
    를 포함하며,
    상기 베이스의 하면에는 상기 제2 센서부가 위치하는 제2 센서홈이 형성되어 있고, 상기 베이스가 상기 척의 상면에 놓일 때 상기 제2 센서홈의 바닥면은 상기 에지링의 상면 일부분과 상기 척의 상면 일부분과 중첩되며, 상기 제2 센서부는 상기 에지링의 상면에 형성된 가상의 제1 지점과 상기 척의 상면에 형성된 가상의 제2 지점의 거리를 측정하여 상기 에지링의 편심 상태를 측정하는
    에지링 측정 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 베이스에 배치되어 상기 제1 센서부, 상기 제2 센서부 및 상기 제어부를 덮고 있는 덮개를 더 포함하는 에지링 측정 장치.
  3. 제1항에서,
    상기 제1 센서부는 45° 내지 90° 간격이고, 상기 제2 센서부는 90° 간격으로 배열된 에지링 측정 장치.
  4. 제1항에서,
    상기 베이스의 상면에는 상기 제어부가 위치하는 제어홈과, 상기 제어홈과 연결되어 있고 상기 제1 센서부가 위치하는 제1 센서홈이 형성되어 있으며, 상기 제1 센서홈의 바닥에는 상하 관통된 제1 센서홀이 형성되어 있고,
    상기 베이스의 상면에서 상기 제1 센서부를 덮고 있는 제1 센서덮개를 더 포함하는
    에지링 측정 장치.
  5. 제1항에서,
    상기 베이스의 상면에는 상기 제어부가 위치하는 제어홈이 형성되어 있고, 상기 베이스의 하면에는 상기 제어홈과 연결되어 있으며 상기 제2 센서부가 위치하는 제2 센서홈이 형성되어 있고, 상기 제2 센서홈의 바닥에는 상하 관통된 제2 센서홀이 형성되어 있으며,
    상기 제2 센서홈에서 상기 제2 센서부를 지지하는 제2 센서덮개를 더 포함하는
    에지링 측정 장치.
  6. 제1항에서,
    상기 척의 가장자리에는 원주 방향을 따라 상기 에지링이 놓이는 안착부가 형성되어 있으며, 상기 에지링은 상기 안착부에 놓인 상태에서 내부 둘레가 상기 안착부의 측면 둘레와 간격을 두고 마주하게 배치되어 있고,
    상기 제2 센서부는 상기 에지링의 내부 둘레와 상기 안착부의 측면 둘레의 간격을 측정하는 에지링 측정 장치.
  7. 삭제
  8. 제1항에서,
    상기 베이스의 하면에서 수직하게 돌출되어 있고 상기 척의 상면에 접하여 상기 베이스의 하면 가장자리를 상기 에지링의 상면으로부터 이격시키는 지지부를 더 포함하는 에지링 측정 장치.
  9. 제8항에서,
    상기 지지부는 상기 베이스의 원주 방향을 따라 배열된 에지링 측정 장치.
  10. 제1항에서,
    상기 베이스가 놓여 보관될 수 있는 보관대를 더 포함하며, 상기 보관대와 상기 베이스에는 충전부가 배치되어 있는 에지링 측정 장치.
KR1020190027521A 2019-03-11 2019-03-11 에지링 측정 장치 KR102147775B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190027521A KR102147775B1 (ko) 2019-03-11 2019-03-11 에지링 측정 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190027521A KR102147775B1 (ko) 2019-03-11 2019-03-11 에지링 측정 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR102147775B1 true KR102147775B1 (ko) 2020-08-25

Family

ID=72242145

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190027521A KR102147775B1 (ko) 2019-03-11 2019-03-11 에지링 측정 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102147775B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230014936A (ko) 2021-07-22 2023-01-31 주식회사 서림 웨이퍼 에지 링 검사장치

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060121362A (ko) * 2005-05-24 2006-11-29 삼성전자주식회사 정전척 에지 링 측정 장치
KR20070034790A (ko) 2005-09-26 2007-03-29 삼성전자주식회사 웨이퍼 에지링 및 이를 갖는 반도체 제조설비
KR200467708Y1 (ko) 2009-12-01 2013-07-05 램 리써치 코포레이션 플라즈마 에칭 챔버용 에지 링 어셈블리
KR20160059976A (ko) * 2014-11-19 2016-05-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 측정 시스템 및 측정 방법
KR20160146576A (ko) * 2015-06-11 2016-12-21 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 포커스 링을 검사하기 위한 시스템 및 포커스 링을 검사하는 방법
KR20180115222A (ko) * 2017-04-12 2018-10-22 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 위치 검출 시스템 및 처리 장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060121362A (ko) * 2005-05-24 2006-11-29 삼성전자주식회사 정전척 에지 링 측정 장치
KR20070034790A (ko) 2005-09-26 2007-03-29 삼성전자주식회사 웨이퍼 에지링 및 이를 갖는 반도체 제조설비
KR200467708Y1 (ko) 2009-12-01 2013-07-05 램 리써치 코포레이션 플라즈마 에칭 챔버용 에지 링 어셈블리
KR20160059976A (ko) * 2014-11-19 2016-05-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 측정 시스템 및 측정 방법
KR20160146576A (ko) * 2015-06-11 2016-12-21 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 포커스 링을 검사하기 위한 시스템 및 포커스 링을 검사하는 방법
KR20180115222A (ko) * 2017-04-12 2018-10-22 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 위치 검출 시스템 및 처리 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230014936A (ko) 2021-07-22 2023-01-31 주식회사 서림 웨이퍼 에지 링 검사장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI692046B (zh) 消耗品用感測器及調整器
TWI774652B (zh) 用以進行邊緣環特徵化之系統及方法
CN109219863B (zh) 基板距离监控
KR102378049B1 (ko) 플라즈마 프로세싱 장치 및 이의 온도를 결정하기 위한 광 섬유를 포함하는 이의 컴포넌트
US20180330926A1 (en) Real time monitoring with closed loop chucking force control
US11264291B2 (en) Sensor device and etching apparatus having the same
US20230013805A1 (en) Plasma processing apparatus, and method and program for controlling elevation of focus ring
US9117866B2 (en) Apparatus and method for calculating a wafer position in a processing chamber under process conditions
KR102639660B1 (ko) 프로세스 키트 센터링을 측정하기 위한 방법 및 장치
CN107403745A (zh) 用于在衬底处理系统中对准测量装置的系统和方法
US11935773B2 (en) Calibration jig and calibration method
KR102147775B1 (ko) 에지링 측정 장치
US20200072594A1 (en) Long range capacitive gap measurement in a wafer form sensor system
US20200234929A1 (en) Plasma processing apparatus and method for measuring misalignment of ring member
US11315766B2 (en) Plasma processing apparatus and method for measuring thickness of ring member
US20200075369A1 (en) Method and apparatus for measuring wafer movement and placement using vibration data
KR20210013331A (ko) 히터 페데스탈 상의 기판의 배치를 측정하기 위한 방법 및 장치
KR102651492B1 (ko) 이동 프로세스 키트에 대한 침식을 측정하고 포지션을 교정하기 위한 방법 및 장치
KR102412223B1 (ko) 흡착력 감지센서를 갖는 모니터링 웨이퍼를 이용하여 정전척 상에서의 흡착력 판단 방법
JP2020087969A (ja) プラズマ処理装置、及びリング部材の形状測定方法
CN112470262B (zh) 用于测量工艺配件中心的方法和设备
WO2020023199A1 (en) Systems and methods for pedestal configuration
US11721569B2 (en) Method and apparatus for determining a position of a ring within a process kit
KR20170004552A (ko) 화학 기계적 연마 시스템의 웨이퍼 로딩 장치
JP2017058174A (ja) リニアゲージ

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant