JP2969738B2 - 気相成長装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、気相成長装置に関し、特に常圧気相成長装
置に関する。

〔従来の技術〕

第２図は従来の常圧気相成長装置の一例を示す斜視図
である。従来のこの種の常圧気相成長装置（以後CVD装
置と呼ぶ）は、第２図に示すように、左右の車輪５によ
ってはられたベルト１と、一方の車輪５には回転力を伝
えるモータ２と、複数個のウェハ４が乗せられたベルト
１の中央部に気相成長用のガス供給部３とを有してい
る。このCVD装置によりウェハ４に薄膜を形成する場合
は、ウェハ４をベルト１により矢印の方向に送り、ガス
供給部３よりガスを噴出させ、薄膜を成長させていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来のCVD装置では、ガス供給部が固定さ
れ、ベルトが一方向のみ移動する方式であるので、ガス
の噴出による濃度を一定にすることが難しく、均一な薄
膜が成長しにくいという欠点がある。

本発明の目的は、かかる問題を解消する気相成長装置
を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の特徴は、半導体基板を乗せるベルトまたはト
レーと、前記半導体基板に対向して配置されるガス供給
部と、前記ベルトまたは前記トレーの長手方向および該
長手方向に直交する方向に前記ガス供給部を前記ベルト
または前記トレーの平面範囲内に直線移動させて二次元
走行させる機構と、前記半導体基板上のガスの微圧を検
出しながら前記直線移動の速度を制御する手段とを有す
る気相成長装置である。

〔実施例〕

次に、本発明について図面を参照して説明する。

第１図は本発明の一実施例を示す常圧気相成長装置の
斜視図である。この気相成長装置は、同図に示すよう
に、この常圧気相成長装置は、第２図において、ベルト
1aまたはトレーを固定し、その上にウェハ８をのせて、
ガス供給部3aを矢印の方向に同期的に移動させることで
ある。また、図面には示していないが、ガス噴出時にお
ける半導体基板であるウェハ４上の微圧を検出しなが
ら、移動速度を検出することである。さらに、このガス
供給部3aの走行範囲をベルト1aの巾方向及び長さ方向の
一定範囲内に限定したことである。

このように、常圧気相成長装置を構造にすることによ
って、ウェハ上のガス濃度を一定にすることによって、
均一な薄膜を得ることが出来た。また、この実施例以外
にガス供給部を固定し、ベルトあるいはトレーを移動す
ることによっても同様の効果が得られる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明の気相成長装置は半導体基
板に膜形成用ガス濃度が一定になるようにガス供給部と
ウェハとを相対的に二次元的走行させかつその速度を可
変することによって、発生する膜厚の不均一性を改善
し、より均一性をよくする効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す常圧気相成長装置の斜
視図、第２図は従来の一例を示す常圧気相成長装置の斜
視図である。 1,1a……ベルト、２……モータ、3,3a……ガス供給部、
４……ウェハー、５……車輪。

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体基板を乗せるベルトまたはトレー
   と、前記半導体基板に対向して配置されるガス供給部
   と、前記ベルトまたは前記トレーの長手方向および該長
   手方向に直交する方向に前記ガス供給部を前記ベルトま
   たは前記トレーの平面範囲内に直線移動させて二次元走
   行させる機構と、前記半導体基板上のガスの微圧を検出
   しながら前記直線移動の速度を制御する手段とを有する
   ことを特徴とする気相成長装置。