JPH0385532A - 液晶マトリックスディスプレイ - Google Patents
液晶マトリックスディスプレイInfo
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
平行支持板;前記支持板上の個々の像点を切り替えるた
めの集積非線形素子:および前記セル中に収容された、
正の誘電率異方性および高い比抵抗を有するネマティッ
ク液晶混合物を有する液晶マトリックスディスプレイで
あって、前記液晶混合物が、 a>+1.5より高い誘電率異方性を有する1種または
それ以上の化合物から成る96重量%までの液晶腹左旦
; b)−1,5〜+1.5の誘電率異方性を有する一般式
I: (式中、 RおよびR2は、それぞれの場合に互いに独立して、9
個までの炭素原子を有するn−アルキル、ω−フルオロ
アルキルまたはn−アルケニルであり、 環A 、A およびA3は、それぞれの場合に互い
に独立して、1.4−7エニレン、2−もしくは3−フ
ルオロ−1,4−フェニレン、トランス−1,4−シク
ロヘキシレンまたは1.4−シクロヘキセニレンであり
、 Z およびZ2は、それぞれの場合に互いに独立して、
−CH2CH2−または−重結合であり、および mは0.1または2である)の1種またはそれ以上の化
合物から成る0〜70重量%の液晶tiJkA : c)−1,5より低い誘電率異方性を有する1種または
それ以上の化合物から成るO〜20f!量%の液晶炙左
旦;および d)式 (式中、 R、R、Z およびZ2は式Iの場合に特定した意味
である)の1種またはそれ以上の化合物から成る4〜1
5重量%の高透明化成分D、を基礎として構成され、お
よび前記ネマティック液晶混合物が少なくとも60℃の
ネマティック相領域および20℃で3011Pa、s以
下の粘度を有するものであることを特徴とするデイスプ
レィに関する。
Mデイスプレィ)は公知である0個々の像点をそれぞれ
切り替える非線形素子として、例えば、能動素子(すな
わち、トランジスタ)を使用することができる。その場
合、2タイプ、すなわち 1、基板としてのシリコンウェハ上のMOS(金属酸化
物半導体) 2、基板としてのガラス板上の薄膜トランジスタ(TP
T) に区別される「アクティブマトリックス」が言及される
。
電気光学効果として標準的に使用される。
ブデイスプレィのモジュール結合でさえ結合部に問題が
生じるので、デイスプレィの大きさが制限される。
光学効果として標準的に使用される。2技術、すなわち
、例えばCdSeのような化合物半導体から製造される
TPTと多結晶またはアモルファスシリコンに基づ<:
TFTとに区別される。後者の技術は猛烈な激しさで世
界中で研究されている。
付け、他方のガラス板は内側に透明な対向電極を支持し
ている。(1点電極の大きさと比べて、TPTは非常に
小さく、像を実質的に外乱しない、この技術は、切り替
え可能な画像素子が各フィルター素子と対向して位置す
るようにモザイク状の赤、緑および青フィルターを配設
するフルカラー可能な画像表示に拡げることもできる。
Nセルとして標準的に作用し、背後から照明される。
集積非線形素子を有するいかなるマトリックスディスプ
レイ、すなわちアクティブマトリックスに加えてバリス
タまたはダイオード(MIM=金属−絶縁体金属)等の
パッシブ素子を有するデイスプレィも包含するものであ
る。
ば、ポケットテレビ受像機)または自動車もしくは航空
機構造における高い情報量のデイスプレィに適している
。LCMデイスプレィの場合、コントラストの角度依存
性および切り替え時間に間する問題以外に、液晶混合物
の不十分な高さの比抵抗のために種々の困難が生じる[
トガシ、m、l、 (TQGASHI、 S、)、セキ
グチ、ケ−(SEKIGUCHI、に、)、タナベ、エ
ッチ(TANABE、 H,) 、ヤマモト、イー(Y
AHAHOTO,E、) 、ソリマチ、ケー(SORI
HACHI、に、)、タジマ、イー(TAJIH^、E
、)、ワタナベ、エッチ(WATANABE、 H,)
、シミズ、エッチ(SHIHIZU、 H,)、Pr
oc、 Eurodisplay旦」、(1984年9
月)二「二段ダイオードリングによって制御されるA2
10〜288 マトリックスLCD(A210〜288
Matrix LCD Controlled by
Double Stage Diode Rings
) J 、141頁、パリ:ストロマー、エム(5T
ROHER,H,)、Proc、 Eurodispl
ay 84 (1984年9月)二「テレビ用液晶デイ
スプレィのマトリックスをアドレスするための薄膜トラ
ンジスタの設計(Design of Th1n Fi
tlTransistors for Matrix
Addressing of Te1evision
Liquid Crystal Display
s)」 、 1 4 5頁、バリ1.抵抗が低下するほ
ど、LCMデイスプレィのコントラストが劣化する。一
般に、液晶混合物の比抵抗はLCMデイスプレィの内面
との相互作用のためにデイスプレィの生涯に亘って低下
するので、容認できる運用寿命を得るために高い(初期
)抵抗が非常に重要である。
時間および低いしきい電圧を伴う非常に高い比抵抗を有
するLCMデイスプレィをなお大いに必要としている0
本発明の目的は、上記に明記した不都合を有せず、また
はほんの僅かしか有せず、同時に非常に高い比抵抗を有
するLCMデイスプレィを提供することにある。
分BおよびAまたは成分Bを基礎として構成されるネマ
ティック液晶混合物を前記デイスプレィ要素に使用する
場合に、この目的が達成できることをここに見出した。
2枚の平らな平行支持板:前記支持板上の個々の像点を
切り替えるための集積非線形素子;および前記セル中に
収容された、正の誘電率異方性および高い比抵抗を有す
るネマティック液晶混合物を有する液晶マトリックスデ
ィスプレイであって、前記液晶混合物が、 a)+1.5より高い誘電率異方性を有する1種または
それ以上の化合物から成る96重量%までの液晶炙北旦
: b)−1,5〜+1.5のrAt率異方性を有する一般
式!= (式中、 RおよびR2は、それぞれの場合に互いに独立して、9
個までの炭素原子を有するn−アルキル、ω−フルオロ
アルキルまたはn−アルケニルであり、 環A 、A およびA3は、それぞれの場合に互い
に独立して、1,4−フェニレン、2−もしくは3−フ
ルオロ−1,4−フェニレン、トランス−1,4−シク
ロヘキシレンまたは1.4−シクロヘキセニレンであり
、 2 およびZ2は、それぞれの場合に互いに独立して、
−CH2CH2−または−重結合であり、および mはOllまたは2である)の1種またはそれ以上の化
合物から成る0〜70重量%の液晶eJkA ; c)−1,5より低い誘電率異方性を有する1[!また
はそれ以上の化合物から成る0〜20重量%の液晶炙立
旦:および d)式 (式中、 RRZ およびz2は式Tの場合に特定した意味であ
る)の1種またはそれ以上の化合物から成る4〜15重
量%の高透明化成分D、を基礎として構成され、および
前記ネマティック液晶混合物が少なくとも60℃のネマ
ティック相領域および20℃で3011Pa、S以下の
粘度を有するものであることを特徴とするデイスプレィ
に関する。
当する液晶混合物にも関する。しかしながら、これらの
混合物は、例えばTN、STNまたはOMI等の多くの
他の用途にも適している。
対する安定化作用、したがって高導電性または低抵抗を
有しているので、誘電率異方性が低い場合、液晶混合物
の比抵抗は一般に高い、驚くべきことに、平均誘電率τ
[=1/3 (2ε土+εI+ 3が低く、同時に液晶
混合物の誘電的に中性(+1.5から−1,5までのΔ
ε)の成分が、例えば芳香族環に結合したアルコキシま
たはエステル官能基のような官能基を含んでいない場合
、比抵抗が特に高いことをここに見出した。誘電的に正
(Δε≧1.5)の成分は通常末端シアノ基を有してい
る。しかしながら、好ましくは末端シアノ以外に末端基
−NC8,F、CI、 CF 3、−CHF2、−0C
F3、−0CHF2、−〇〇F20F2Hまたは一〇
C2F sを有するものも本発明の混合物に使用される
。
a〜IIfの化合物類であるのが好ましいニトリル基含
有化合物だけから本質的に構成されてもよい、この場合
、液晶混合物は本質的に成分A、BおよびCまたは成分
AおよびBから成るものである。
−CHF2、−0CF3、−0CHF 、L−OCF
2CF2Hまたは一〇−C2F5である式11a〜If
fに相当するニトリル基を含まない弗素化化合物を含ん
でいる液晶混合物が特に好ましい。
有する化合物との比は好ましくは〉1:1、特に〉2:
1である。特に好ましい範囲は2.5:1〜6:1であ
る。
合物から本質的に成る液晶混合物が特に非常に好ましい
1式11a〜llfの上述の好ましい化合物を使用する
のが好ましい。
20%、特に210%であることを意味するものである
。
らに好ましい。そのような化合物は当業者に知られてお
り、好ましくはXがC1の式11a〜11fの化合物に
相当する。特に好ましい実施態様において、混合物は、
A”−XまたはA”−Xが4X (Xは一〇F 、−
0CF3、−0−CHF 2またはC1である)である
式11a−Iffの1種またはそれ以上の化合物を含ん
でいる。成分Bは、例えば環X1〜X3の1つが重複し
て存在する式11c〜Iffに相当する4核化合物をさ
らに含んでいてもよい。
〜50重量%の割合で末端ニトリル基を有する化合物を
含んでいる。末端ニトリル基を有する化合物を含んでい
ない混合物が特に好ましい。
CF Hまたは一〇02F5等の基は−OCHま
たは−OC2H5よりかなり低い程度にしかディスグレ
イ中のイオンを安定化させないことを見出した。脂肪族
的に結合されたアルコキシ(後述の式■およびIVの化
合eJ)も同様である。
特に好ましくは〉1013Ω・CIの比抵抗を有するの
が好ましい、平均εは好ましくは≦7、特に好ましくは
≦5である。
において、測定すべき化合物が分子長軸中に双極子を含
んでいる場合は、極性混合物[24%のP−トランス−
4−グロビルシクロへキシルベンゾニトリル、36%の
P−トランス−4−ペンチルシクロへキシルベンゾニト
リル、25%のP−トランス−4−へブチルシクロへキ
シルベンゾニトリルおよび15%の4−シアノ−4′(
トランス−4−ペンチルシクロヘキシル〉ビフェニルを
含む]から、また中性化合物の場合は、中性混合物[2
2%のトランス−1−p−エチルフェニル−4−プロピ
ルシクロヘキサン、20%のトランス−1−p−メトキ
シフェニル−1−プロピルシクロヘキサン、15%のト
ランス−1−p−エトキシフェニル−4−プロピルシク
ロヘキサン、19%の4−エチル−4−(トランス−4
−プロピルシクロヘキシル〉ビフェニル、14%の4−
エチル−4’ −(トランス−4−ペンチルシクロヘキ
シル)ビフェニル、5%の4.4′ビス(トランス−4
−プロピルシクロヘキシル)ビフェニルおよび5%の4
−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4’−
(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)ビフェニル
を含む]から外挿法によって決定される。
抗に関し高い値を得ることを可能とし、その結果優れた
LCMデイスプレィを得ることができる0本発明のLC
Mデイスプレィはグーチ(Gooch)およびタリー(
TarrV) [シー・エッチ・グーチおよびエッチ・
ニー・タリー、Electron。
ー・エッチ・グーチおよびエッチ・ニー・タリーApp
1. Phys、 、旦、1575〜1584頁(19
75)]によって提案された第一の透過極小(firs
t transmission l1iniIlua)
で操作するのが好ましい0例えば、第二の極小における
アナログディスグレイにおけると同様なしきい電圧と共
に傾斜がきついことおよびコントラストゐ低い角度依存
性(ドイツ特許明細書第3,022,818号)等の特
に好ましい電気光学特性以外に、この場合はより小さな
誘電率異方性で十分である。この結果、第一の極小にお
いて本発明の混合物を用いて、著しく高い比抵抗を得る
ことができる。
しい、ネマティック相領域は少なくとも70℃、特に少
なくとも80℃であるのが好ましい。
好ましい。
I〜IVおよびそれらの下位式の個々の化合物は公知で
あるか、公知の化合物に準じて製造することができるか
のいずれかである。
しくは10%〜90%、特に10%〜40%の式Iの化
合物類を含んでいる。成分Bが強い誘電的に正のニトリ
ル化合物から主として構成されるのではなく、例えば、
以下の特定弗素化化合物におけるもののような弱い誘電
的に正の化金物だけを主として含んでいる場合、ある状
況下に成分Aを完全に省略して、この特定の実施態様に
おいては、本発明の混合物を成分Bだけを、またことに
よると成分BとCを基礎として梢或しうる。成分Bが式
11a 〜l1f (式中、 Rは9個までの炭素原子を有するn−アルキルまたはn
−アルケニルであり、 Xはシアノ、−NC3,F、CI、−CF3、CHF、
、 、−0CF3、−0CHF2、−〇CF2CF2H
′iたは−OC2F sであり、および 環A 、A およびA3は、それぞれの場合に互い
に独立して、1.4−フェニレン、2−もしくは3−フ
ルオロ−1,4−フェニレン、2.3−ジフルオロ−1
,4−フェニレン、トランス−1,4−シクロシクロヘ
キシレンまたは1.4−シクロヘキセニレンである)の
化合物から成る群から選択される1種またはそれ以上の
化合物を含んでいる液晶混合物が特に好ましい。
およびXが−NC3,F、CI、−CF3、CHF2、
−0CF3、−0CHF2、−0−CF2CF2Hまた
は一〇 C2F sである式11a〜Iffの化合物を
含んでおり、成分B中のシアノ化合物の割合が0〜50
重景%であるのが好ましい。
ある式11a〜Ilfの化合物を含んでいない。
、−CF 、−0CF3、−0CHF2.またはCH
F2であるのが好ましい。
に独立して、トランス−1,4−シクロシクロヘキシレ
ンまたは1.4−フェニレンであるのが好ましい、好ま
しい実施9様において、環A1A およびA3の1つは
2−もしくは3−フルオロ−1,4−フェニレンまたは
2,3−ジフルオロ−1,4−フェニレンである。Xに
結合した環(すなわち、式11aおよびIlbにおける
A2または式11c〜IffにおけるA3)は必要に応
じて弗素でモノまたはジ置換されてもよい1.4−フェ
ニレンであるのが好ましい、A2−X、tたはA3−X
は式(a)〜(h) (a) (b) (c)
(d)(e) (f) (q) (h)か
ら選択される基であるのが好ましく、(a)、(b)、
(d)、(f)、(g)または(h)であるのが特に好
ましい。
場合に、9@までの炭素原子を有するn−アIレキルま
たはn−アルケニルである。YおよびZGよ、それぞれ
の場合に互いに独立して、Hまた番よFであるが、同時
に基Yおよび2の一方また(よ両方力(弗素であるのが
好ましい、しかしながら、XCよF、C1、−CF3、
−0CF3または一0CHF2であるのが好ましい。
%〜80%を占めるのが好ましく1゜成分Aは式111
〜117 (式中、RおよびR2は式Iで特定した意味マある)か
ら成る群から選択される1種またはそt以上の化合物を
含んでいるのが好ましい。
118〜1117における1、4−フェニレン基は、そ
れぞれの場合に互いに独立して、弗素でモノまたはポリ
置換されてもよい)から成る群から選択される1種また
はそれ以上の化合物をさらに含んでいるのが好ましい。
1121〜1125における1、4−フェニレン基は、
それぞれの場合に互いに独立して、弗素でモノまたはポ
リ置換されてもよい)から成る群から選択される1種ま
たはそれ以上の化合物をなおさらに含んでいるのが好ま
しい。
、H2□1は7個までの炭素原子を有する直鎖アルキル
基である)から成る群から選択される1種またはそれ以
上の化合物を含んでいる混合物が好ましい。
を抑制するのに有利になる。そのようにする場合、用途
に対するパラメーターの最適な組合わせを達成するため
に、当業者はこれらの化合物をどのような量で添加しう
るかを容易に決定することができる。
びR2は上述した意味である〉から成る群から選択され
る1種またはそれ以上の化合物および/、tたは式■お
よびVl(式中、R1およびR2は上述した意味である
)から成る群から選択される1種またはそれ以上の化合
物および/または式Vll〜XI (式中、R1およびR2は上述した意味であり、および
SはO,tたは1である)から成る群から選択される1
種またはそれ以上の化合物をさらに含んでいる液晶混合
物がさらに好ましい。
い範囲)は以下の表から明らかになる。
10%〜30% 化合物VおよびVlの合計:0%〜40%、好ましくは
5%〜20% 化合物■〜XIの合計二 0%〜20%、好ましくは
5%〜15% 成分りの割合は5〜12重量%であるのが好ましく、成
分りの2種又はそれ以上の同族体を添加するのが好まし
い、成分りは以下の好ましい化合物01.02およびD
3を含みうる。
3.4または5であるのが好ましい、nとmの好ましい
組合わせは、3/3.3/4.315.2/3.4/3
.5/3.3/2である。 DIが特に好ましい。
に成るのが好ましい本発明の混合物がここでは明示的に
列挙しないさらに他の化合物を必要に応じて含みうるこ
とは自明のことである。しかしながら、その時は多くの
場合、不利な特性となる。当業者は、適用できる場合に
、さらに追加の化合物をどのような量で使用しうるかを
容易に決定することができる。
発明のLCMデイスプレィの構造はそのようなデイスプ
レィに関する普通の構造と一致する。この点についてニ
ーiP通の構造の定義は、この場合広範に解釈され、L
CMデイスプレィの全ての変更および改質、特に、ポリ
シリコン’T’ F TまたはMIMに基づくマトリッ
クスディスプレイも包含するものである。
ックセルに基づ〈従来の普通のデイスプレィとの本質的
な相違は液晶層の液晶パラメーターの選択である。
方法で製造される。一般に、所望の量の少量成分を便宜
上高温で主構成要素形成成分に溶解する。有機溶媒、例
えばアセトン、クロロホルムまたはメタノールに各成分
の溶液を混合し、混合後、例えば蒸留によって溶媒を除
去することら可能である。
ている添加剤をさらに含んでもよい。例えば、0〜15
%の多色染料またはキラルドーピング剤を添加すること
ができる。
限定するものではない、上記および下記において、温度
は全て℃表示であり、パーセントは重量%である。
ように符号化して以下に詳述する。
ェニル−4−プロピルシクロヘキサン CCH−301: トランス、トランス−4−メト
キシ−4′−プロピルシクロへキシルシ クロヘキサン CBG−33F: 4.4’−ビス(トランス−4
−プロピルシクロヘキシル)−2−フル オロビフェニル CBE−55F: 4.4’−ビス(トランス−4
−ペンチルシクロヘキシル)−2−フル オロビフェニル CBC−53F: 4−()ランス−4−ペンチル
シクロヘキシル)−4′−()ランス− 4−プロピルシクロヘキシル)−2 −フルオロビフェニル CBC−33: 4,4’−ビス(トランス−4
−プロピルシクロヘキシル)ビフェニル CBC−55゜ CBC−53゜ ECCP−33: CCI+−51F: CC11−31F FTP−102: FTP−201: CPTP−301: 4.4′−ビス(トランス−4−ペ ンチルシクロヘキシル)ビフェニル 4−(トランス−4−ペンチルシク ロヘキシル)−4’−()−ランス− 4−プロピルシクロヘキシル)ビフ ェニル 1−[トランス−4−(トランス− 4−プロピルシクロヘキシル)シク ロヘキシル]−2−(p−プロピル フェニル)エタン トランス、トランス−4−フルオロ ノー1−ルー4’−ペンチルシクロへキシルシクロヘキ
サン トランス、トランス−4−フルオロ ノー9−ルー4′−プロピルシクロへキシルシクロヘキ
サン 4〜メチル−4′〜エトキシトラン 4〜メトキシ−4′−エチルトラン 4−(トランス−4−プロピルシク ロヘキシル)−4′−メトキシトラ CPTP−302、 CPTP−303 PCH−5F PCH−6F: PCH−7F: EPCll−20CF3 EPCH−30CF3: EPCH−50CF3゜ 4−(トランス−4−プロピルシク ロヘキシル)−4′−エトキシトラ ン 4−(トランス−4−プロピルシク ロヘキシル)−4′−グロポキシト ラン トランス−1−p−フルオロフェニ ル−4−ペンチルシクロヘキサン トランス−1−p−フルオロフェニ ル−4−へキシルシクロヘキサン トランス−1−ρ−フルオロフェニ ルー4−ヘプチルシクロヘキサン 1−(トランス−4−エチルシクロ ヘキシル)−2−(ρ−トリフルオ ロメトキシフェニル)エタン l−(トランス−4−プロピルシク ロヘキシル)−2−(p−トリフル オロメトキシフェニル)エタン 1−(トランス−4−ペンチルシフ EPCH−70CF3゜ PCH−30CF3: PCH−50CF3: ECCP−30CF3: ECCP−50CF3: CCP−20CF3 0ヘキシル)−2−(p−トリフル オロメトキシフェニル)エタン 1−(トランス−4−へブチルシク ロヘキシル)−2−(p−トリフル オロメトキシフェニル)エタン トランス−1−ρ−トリフルオロメ トキシフェニル−4−プロピルシク ロヘキサン トランス−1−p−トリフルオロメ トキシフェニル−4−ペンチルシク ロヘキサン 1−[トランス−4−(トランス− 4−プロピルシクロヘキシル〉シク ロヘキシル] −2−(ρ−トリフル オロメトキシフェニル)エタン 1−[トランス−4−(トランス− 4−ペンチルシクロヘキシル)シク ロヘキシル]−2−(p−トリフル オロメトキシフェニル)エタン ρ−[トランス−4−(トランス− CCP−300F3 CCP−40CF3 ccp−socr3: BCH−30CF3゜ ECCP−3F、F 4−エチルシクロヘキシル)シクロ ヘキシル]トリフルオロメトキシベ ンゼン P−[トランス−4−(トランス− 4−プロピルシクロヘキシル)シク ロヘキシル]トリフルオロメトキシ ベンゼン P−[トランス−4−(トランス− 4−ブチルシクロヘキシル)シクロ ヘキシル]トリフルオロメトキシベ ンゼン P−[トランス−4−(トランス− 4−ペンチルシクロヘキシル)シク ロヘキシル]トリフルオロメトキシ ベンゼン 4−トリフルオロメトキシ−4′ (トランス−4−プロピルシクロヘ キシル)ビフェニル 1−[トランス−4−(トランス− 4−プロピルシクロヘキシル)シフ ECCP−5F、F: CCP−3F、F: CCP−5F、F: CCP−3F: ECCP−3F: ロヘキシル]−2−(3,4−ジフ ルオロフェニル)エタン 1−[トランス−4−(トランス− 4−ペンチルシクロヘキシル)シク ロヘキシル] −2−(3,4−ジフ ルオロフェニル)エタン 4−[トランス−4−(トランス− 4−プロピルシクロヘキシル)シク ロヘキシル]−1,2−ジフルオロ ベンゼン 4−[トランス−4−(トランス− 4−ペンチルシクロヘキシル〉シク ロヘキシル]−1,2−ジフルオロ ベンゼン 4−[トランス−4−(トランス− 4−プロピルシクロヘキシル)シク ロヘキシル]フルオロベンゼン 1−[トランス−4−(トランス 4−プロピルシクロヘキシル)シク ロヘキシル]−2−(p−フルオn ECCP−5F: CP−3F: CP−5F: PYP−5F: PYP−6F: PYP−7F: PYP−30CF3 フェニル)エタン 1−[トランス−4−(トランス− 4−ペンチルシクロヘキシル)シク ロヘキシル] −2−(p−フルオロ フェニル)エタン トランス−4−(トランス−4−プ ロピルシクロヘキシル)シクロヘキ サンカルボン酸P−フルオロフェニ ル トランス−4−(トランス−4−ペ ンチルシクロヘキシル)シクロヘキ サンカルボン酸P−フルオロフェニ ル 2−p−フルオロフェニル−5−ペ ンチルピリミジン 2−p−フルオロフェニル−5−ヘ キシルピリミジン 2−p−フルオロフェニル−5−ヘ ゲチルピリミジン 2−p−トリフルオロメトキシフエ PYP−50CF3゜ PYP−70CF3: PCH−2: PCH−3 PCI−4: PCtl−5: ECCP−3: ECCP−3CF3: 二ル−5−プロピルピリミジン 2−ρ−トリフルオロメトキシフェ ニル−5−ペンチルピリミジン 2−p−トリフルオロメトキシフェ ニル−5−ヘプチルピリミジン p−トランス−4−エチルシクロへ キシルベンゾニトリル p−トランス−4−プロピルシクロ へキシルベンゾニトリル p−トランス−4−ブチルシクロへ キシルベンゾニトリル P−トランス−4−ペンチルシクロ へキシルベンゾニトリル 1−[トランス−4−(トランス− 4−プロピルシクロヘキシル)シク ロヘキシル]−2−(p−シアノフ ェニル〉エタン 1−[トランス−4−(トランス 4−プロピルシクロヘキシル)シク ロヘキシル]−2−(p−トリプル ECCP−5CF3: PYP−5N、F: PYP−7N、F: PCH−30CF2゜ PCI−50CF2: CCPC−33: CCPC−34 オロメチルフェニル)エタン 1−[トランス−4−(トランス 4−ペンチルシクロヘキシル)シク ロヘキシル] −2−(ρ−トリフル オロメチルフェニル)エタン 2−(3−フルオロ−4−シアノフ ェニル)−5−ペンチルピリミジン 2−(3−フルオロ−4−シアノフ ェニル)−5−へブチルピリミジン トランス−1−ρ−ジフルオロメト キシフェニルー4−グロビルシアノ ヘキサン トランス−1−ρ−ジフルオロメト キシフェニルー4−ペンチルシアノ ヘキサン トランス−(トランス−4−プロピ ルシクロヘキシル)シクロヘキサン カルボン酸ρ−(トランス−4−プ ロピルシクロヘキシル)フェニル トランス−(トランス−4−プロピ CCPC−35ニ ルシクロヘキシル)シクロヘキサン カルボン酸p−(トランス−4−ブ チルシクロヘキシル)フエニlレ トランス−(トランス−4−プロピ ルシクロヘキシル)シクロヘキサン カルボン酸P−(トランス−4−ペ ンチルシクロヘキシル)フェニル 実施例I PCH−301 Cl−7F EPCH−30CF3 EPCI−70CF3 cCP−30CF3 ccP−50CF3 ECCP−30F3 ECCP−50CF3 2CCP−3F、F ECCP−3F CBC−33F CCPC−33 10゜00 4.00 9.00 5.00 13.00 12.00 12.00 8.00 12.0O S、 OO 2,00 3、00 CCPC−34 実施例2 PCH−30CF2 PCH−50CF2 PCH−70CF2 CCH,−30I CCP−30CF3 CCP−50CF3 ECCP−30CF3 ECCP−50CF3 ECCP−3F、 P ECCP−3F CCPC−33 CCPC−34 CCPC−35 実施例3 CCH−301 PCH−5F PCH−7F CCP−30CF3 2゜ 7゜ 12゜ 9゜ 13゜ O O O CCP−50CF3 ECCP−30CF3 ECCP−50CF3 ECCP−3F、 F ECCP−3F CCPC−33 CCPC−34 CCPC−35 実施例4 PCH−5F PCH−7F CCP−30CF3 CCP−40CP3 CCP−50CF3 ECCP−30CFS ECCP−50CFS ECCP−3F、F BCCP−5F、F CCPC−33 CCPC−34 ■ 2゜ 11. 8゜ 12゜ 7゜ 3 。
9.00CCP−3F、F 1
3.00CCP−5F、F 12.00ECC
P−30CF3 11.00 ECCP−50CF3 8.00 ECCP−3F、F 12.00ECCP−3F
7.00CCPC−333,00 CCPC−343,00 CCPC−353,00 実施例20 PCH−5F 13.00PCH−7F
10.00CCP−30CF3 13.
00 cCP−40CF3 11.00 CCP−50CF3 12.00 ECCP−30CF3 ECCP−50CF3 CCP−3F、 F CCP−5F、 F CCPC−33 CCPC−34 CCPC−35 実施例21 PCH−5F PCH−6F PCH−7F CCP−20CF3 CCP−30CF3 CCP−40CF3 CCP−50CF3 CCP−2F、F CCP−5F、F CCP−3F、F CCPC−33 CCPC−34 11。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、フレームと共にセルを形成する2枚の平らな平行支
持板;前記支持板上の個々の像点を切り替えるための集
積非線形素子;および前記セル中に収容された、正の誘
電率異方性および高い比抵抗を有するネマティック液晶
混合物を有する液晶マトリックスディスプレイであって
、前記液晶混合物が、 a)+1.5より高い誘電率異方性を有する1種または
それ以上の化合物から成る96重量%までの液晶¥成分
B¥; b)−1.5〜+1.5の誘電率異方性を有する一般式
I : ▲数式、化学式、表等があります▼ I (式中、 R^1およびR^2は、それぞれの場合に互いに独立し
て、9個までの炭素原子を有するn−アルキル、ω−フ
ルオロアルキルまたはn−アルケニルであり、 環A^1、A^2およびA^3は、それぞれの場合に互
いに独立して、1,4−フェニレン、2−もしくは3−
フルオロ−1,4−フェニレン、トランス−1,4−シ
クロヘキシレンまたは1,4−シクロヘキセニレンであ
り、 Z^1およびZ^2は、それぞれの場合に互いに独立し
て、−CH_2CH_2−または一重結合であり、およ
び mは0、1または2である)の1種またはそれ以上の化
合物から成る0〜70重量%の液晶¥成分A¥; c)−1.5より低い誘電率異方性を有する1種または
それ以上の化合物から成る0〜20重量%の液晶¥成分
C¥;および d)式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、 R^1、R^2、Z^1およびZ^2は式 I の場合に
特定した意味である)の1種またはそれ以上の化合物か
ら成る4〜15重量%の高透明化成分D、を基礎として
構成され、および前記ネマティック液晶混合物が少なく
とも60℃のネマティック相領域および20℃で30m
Pa.s以下の粘度を有するものであることを特徴とす
るディスプレイ。 2、成分Bがニトリル基含有化合物から本質的に成る請
求項1記載のディスプレイ。 3、成分Bがニトリル基含有化合物およびニトリル基を
含まない弗素化化合物を含んでいる請求項1記載のディ
スプレイ。 4、成分Bがニトリル基を含まない弗素化化合物から本
質的に成る請求項1記載のディスプレイ。 5、成分Bが式IIa〜IIf ▲数式、化学式、表等があります▼IIa ▲数式、化学式、表等があります▼IIb ▲数式、化学式、表等があります▼IIc ▲数式、化学式、表等があります▼IId ▲数式、化学式、表等があります▼IIe ▲数式、化学式、表等があります▼IIf (式中、 Rは9個までの炭素原子を有するn−アルキルまたはn
−アルケニルであり、 Xはシアノ、−NCS、F、Cl、−CF_3、−CH
F_2、−OCF_3、−OCHF_2、−OCF_2
CF_2Hまたは−OC_2F_5であり、および 環A^1、A^2およびA^3は、それぞれの場合に互
いに独立して、1,4−フェニレン、2−もしくは3−
フルオロ−1,4−フェニレン、2,3−ジフルオロ−
1,4−フェニレン、トランス−1,4−シクロヘキシ
レンまたは1,4−シクロヘキセニレンである)の化合
物から成る群から選択される1種またはそれ以上の化合
物を含んでいる請求項1〜4のいずれかに記載のディス
プレイ。 6、成分Bが、Xがシアノである式IIa〜 IIfの化合物およびXが−NCS、F、Cl、−CF_
3、−CHF_2、−OCF_3、−OCHF_2、−
OCF_2CF_2Hまたは−OC_2F_5である式
IIa〜IIfの化合物を含んでおり、成分B中のシアノ化
合物の割合が0〜50重量%である請求項5記載のディ
スプレイ。 7、成分Bが、Xがシアノである式IIa〜 IIfの化合物を含んでいない請求項6記載のディスプレ
イ。 8、XがF、Cl、−CF_3、−OCF_3、−OC
HF_2または−CHF_2である請求項5〜7のいず
れかに記載のディスプレイ。 9、成分Aが式II1〜II7 ▲数式、化学式、表等があります▼II1 ▲数式、化学式、表等があります▼II2 ▲数式、化学式、表等があります▼II3 ▲数式、化学式、表等があります▼II4 ▲数式、化学式、表等があります▼II5 ▲数式、化学式、表等があります▼II6 ▲数式、化学式、表等があります▼II7 (式中、R^1およびR^2は請求項1で特定した意味
である)から成る群から選択される1種またはそれ以上
の化合物を含んでいる請求項1〜8のいずれかに記載の
ディスプレイ。 10、成分Aが式II8〜II20 ▲数式、化学式、表等があります▼II8 ▲数式、化学式、表等があります▼II9 ▲数式、化学式、表等があります▼II10 ▲数式、化学式、表等があります▼II11 ▲数式、化学式、表等があります▼II12 ▲数式、化学式、表等があります▼II13 ▲数式、化学式、表等があります▼II14 ▲数式、化学式、表等があります▼II15 ▲数式、化学式、表等があります▼II16 ▲数式、化学式、表等があります▼II17 ▲数式、化学式、表等があります▼II18 ▲数式、化学式、表等があります▼II19 ▲数式、化学式、表等があります▼II20 (式中、R^1およびR^2は請求項1で特定した意味
であり、式II8〜II17の1,4−フェニレン基は、そ
れぞれの場合に互いに独立して、弗素でモノまたはポリ
置換されていてもよい)から成る群から選択される1種
またはそれ以上の化合物をさらに含んでいる請求項9記
載のディスプレイ。 11、成分Aが式II21〜II25 ▲数式、化学式、表等があります▼II21 ▲数式、化学式、表等があります▼II22 ▲数式、化学式、表等があります▼II23 ▲数式、化学式、表等があります▼II24 ▲数式、化学式、表等があります▼II25 (式中、R^1およびR^2は請求項1で特定した意味
であり、式II21〜II25の1,4−フェニレン基は、
それぞれの場合に互いに独立して、弗素でモノまたはポ
リ置換されていてもよい)から成る群から選択される1
種またはそれ以上の化合物をさらに含んでいる請求項9
または10記載のディスプレイ。 12、成分Aが式II26〜II27 ▲数式、化学式、表等があります▼II26 ▲数式、化学式、表等があります▼II27 (式中、C_rH_2_r_+_1は7個までの炭素原
子を有する直鎖アルキル基である)から成る群から選択
される1種またはそれ以上の化合物を含んでいる請求項
1〜11のいずれかに記載のディスプレイ。 13、液晶混合物が、成分A、BおよびC以外に式III
およびIV ▲数式、化学式、表等があります▼III ▲数式、化学式、表等があります▼IV (式中、R^1およびR^2は請求項1で特定した意味
である)から成る群から選択される1種またはそれ以上
の化合物をさらに含んでいる請求項1〜12のいずれか
に記載のディスプレイ。 14、液晶混合物が、成分A、BおよびC以外に式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、 R^1およびR^2は請求項1で特定した意味であり、
および Z^0は一重結合、−CH_2CH_2−、▲数式、化
学式、表等があります▼または▲数式、化学式、表等が
あります▼CH_2CH_2−である)の1種またはそ
れ以上の化合物をさらに含んでいる請求項1〜13のい
ずれかに記載のディスプレイ。 15、液晶混合物が、成分A、BおよびC以外に式Vお
よびVI ▲数式、化学式、表等があります▼V ▲数式、化学式、表等があります▼VI (式中、R^1およびR^2は請求項1で特定した意味
である)から成る群から選択される1種またはそれ以上
の化合物をさらに含んでいる請求項1〜14のいずれか
に記載のディスプレイ。 16、液晶混合物が、成分A、BおよびC以外に式VII
〜X I ▲数式、化学式、表等があります▼VII ▲数式、化学式、表等があります▼VIII ▲数式、化学式、表等があります▼IX ▲数式、化学式、表等があります▼X ▲数式、化学式、表等があります▼X I (式中、 R^1およびR^2は請求項1で特定した意味であり、
および sは0または1である)から成る群から選択される1種
またはそれ以上の化合物をさらに含んでいる請求項1〜
15のいずれかに記載のディスプレイ。 17、請求項1〜16のいずれかに定義した組成物から
成る液晶混合物。
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