JPH0382762A - 基板の反転装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、真空槽内でスパッタリング等により成膜され
る基板を反転させる反転装置の改良に関する。

（従来の技術） 従来より、基板に成膜する成膜装置の一種として、真空
中でアルゴンガス等の不活性ガスの衝突により蒸発分子
を放出するターゲットを有する真空槽を備え、この真空
槽内に投入された基板にターゲットからの蒸発分子を付
着させることにより、基板の表面に成膜するようにした
スパッタリング装置はよく知られ、ＩＣ等の製造分野で
広く採用されている。

このようなスパッタリング装置において、基板の成膜処
理をいわゆるバッチ式で行う場合、基板の取出しの都度
、真空槽内から空気を抜いて真空状態にする必要があり
、その時間が長くかかることから、成膜処理の効率を上
げるためには、真空槽に投入する１回の基板の数を可能
なかぎり多くすることが望ましい。また、１枚のＪＪｌ
ｆについてみると、その一方の面を成膜した後、続いて
他方の面を成膜することがあり、さらにはその表裏面で
成膜の成分を変えることも考えられる。

そこで、従来、特開昭５６−１１９７７０号公報に開示
されるものでは、真空槽内にモータ等により駆動回転す
る機枠を設けるとともに、その機枠の上下フランジ間に
基板（ワーク）を保持するホルダを回転自在に支持し、
このホルダの回転軸一端に１対のローラを回転軸と直交
方向に一定間隔をあけて取り付けるとともに、ホルダ回
転軸の一端に対応する側の真空槽壁部にローラをそれぞ
れ転勤可能に案内する２本のがイドレールを円周方向に
配設し、この２本のガイドレールを途中で交差させ、機
枠の回転に伴って基板を真空槽内の周縁で走行させると
ともに、機枠の１回転によりローラがガイドレールの交
差部を通過する毎に基板を反転させて、その表裏面が逆
に向（ようにすることにより、基板の表裏面を連続して
成膜できるようになされている。

（発明が解決しようとする課題） ところが、この従来のものでは、機枠が１回転して基板
が真空槽内を１周する毎に自動的に基板を反転できるも
のの、基板の反転角度は１８０６のみに限定されてしま
い、その他の角度で反転させるのは不可能であった。

しかも、基板は機枠の回転に伴って常に反転するので、
例えば基板の表面のみを続けて成膜した後、裏面の成膜
に移るということはできず、成膜のパターンが限定され
る。

また、このため、基板の表裏面を異なった条件で成膜す
る場合には、基板の１周毎に蒸発源やシャッタを切り換
える必要があり、横進が複雑になるのは避けられ得ない
。

さらに、ローラをガイドレールによって案内しながら基
板を走行させるため、両者間のがたによリホルダが回転
軸回りに揺動して基板がぶれ、その結果、基板の安定し
た成膜が得られないという問題もある 本発明は斯かる諸点に鑑みてなされたもので、その目的
は、基板を上記ローラとガイドレールとは異なる所定の
反転機構で反転させるようにして、基板を任意の反転角
度でかつ真空槽内の周回と無関係に反転させるとともに
、走行特の基板のぶれをなくして基板を安定して成膜で
きるようにすることにある。

（課題を解決するための手段） 上記の目的を達成するために、請求項（１）に係る発明
では、ゼネバ機構（マルタクロス機構）を利用して基板
を反転させるようにする。

具体的には、この発明では、側面にターゲット等の蒸発
源を有する真空槽と、該真空槽内に回転可能に支持され
、多数の基板を支持する回転部材とを有し、回転部材の
回転により基板を順次蒸発源に対向させて成膜するよう
にした成膜装置が前提である。

そして、上記回転部材の外周に回転可能に支持され、基
板を保持する基板ホルダを設ける。さらに、この基板ホ
ルダの回転軸に回転一体に取り付けられ、外周縁に半径
方向中心側に延びる複数の係合溝が円周方向に所定間隔
をあけて形成されたゼネバと、真空槽の壁部の所定位置
に回転部材の回転中心と平行な回転中心をもって回転軸
回りに回転可能に支持され、この回転軸回りの回転によ
り上記ゼネバの各係合溝に順に係合して基板ホルダを所
定角度だけ回転させる反転ピンと、該反転ピンを回転駆
動するピン駆動手段とを設ける。

また、請求項（２）に係る発明では、基板が反転動作を
しないときには確実に蒸発源に対向する位置に位置付け
られるようにするために、基板ホルダを基板が蒸発源に
対向するように所定の回転直置に位置決め保持するスト
ッパ手段を設ける。

（作用） 上記の構成により、請求項（１）に係る発明では、回転
部材が駆動されて回転するのに伴い、該回転部材に基板
ホルダを介して支持されている基板が真空槽内を周回し
、基板が蒸発源に対向した位置に移動したときに蒸発源
からの蒸発分子を受けて成膜される。そして、この成膜
処理において、基板を反転させるときには、予め反転ビ
ンをゼネバの周回軌跡上に位置付けておき、ゼネバが反
転ピンと交差する位置を移動するときにビン駆動手段に
より反転ピンを回転軸回りに回転させると、その反転ピ
ンはゼネバの係合溝に係合しなからゼネバを押して回転
させ、このことによりゼネバと回転一体の基板ホルダが
所定角度回転して基板が反転する。

その際、基板の反転角度はゼネバと反転ピンとの関係に
よって決定されるので、この関係を変えることで、基板
を任意の角度で反転させることができる。

また、上記反転ピンをゼネバの周回軌跡上から離れた位
置に退避させれば、反転ピンはゼネバの係合溝に係合し
ないので、基板は反転せずにそのまま周回することとな
り、例えば基板の表面のみを続けて成膜した後、裏面を
成膜することも可能で、成膜のパターンを拡大すること
ができる。また、基板の表裏面を異なった条件で成膜す
る場合にも、基板の１周毎に蒸発源やシャッタを切り換
える必要はなく、構造を簡単にすることができる。

さらに、基板は真空槽内を周回中、ゼネバが反転ピンと
交差する１箇所のみで反転し、それ以外の部分では回転
軸回りに全く揺動しないので、基板がぶれることはなく
、基板を安定して成膜することができる。

請求項（３に係る発明では、基板が蒸発源に対向するよ
うに基板ホルダがストッパ手段により所定回転位置に位
置決めされるので、基板は反転しない状態では常に蒸発
源に対向する位置に固定保持される；このことにより、
基板を蒸発源に確実に対向させて正確な成膜処理を行う
ことができるとともに、基板の不用意なぶれをなくして
、成膜をより一層安定させることができる。

（実施例） 以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。

第８図及び第９図は本発明の第１実施例に係る成膜装置
としてのスパッタリング装置Ａの全体構成を示し、１は
内部に真空チャンバ２を有する密閉円筒状の真空槽であ
る。この真空槽１の側壁１ａには開口３．３が直径方向
に対向して形成され、この各開口３は開閉蓋４により気
密状態に閉塞されている。そして、上記一方の開閉Ｍ（
図で左側のもの）には、真空チャンバ２内に噴出ノズル
５から噴出されたアルゴンガスによりＮＩ　Ｃｒ分子を
放出する第１ターゲツトＴ１が、また他方の開閉蓋４（
同右側のもの）には同様に５ｉ０２分子を放出する第２
ターゲットＴ：がそれぞれ配設され、これらターゲット
Ｔ、、　　Ｔ、は基板Ｗを成膜するための蒸発源を構成
している。また、上記開口３．３と直角な方向の側壁１
ａには真空ポンプ（図示せず）に連通ずる排気口１２が
開口されている。

上記真空チャンバ２内には回転部材としての基板治具６
がチャンバ２の中心と同心の鉛直上下方向の回転中心を
もって回転自在に支持されている。

この基板治具６は、第３図にも示すように、チャンバ２
内上下部に上下に対向配置された同じ形状の上部及び下
部円板７，８と、この両円板７．８をその半径方向中間
部で同心一体向に連結する６本の連結ロッド９．９．・
・・とを備え、この６本の連結ロッド９，９．・・・を
取り囲むように防着板１０が張り巡らされている。上記
上部円板７の中心部には上方に延びる上部支持軸１１が
回転一体に取り付けられ、この上部支持軸１１は真空槽
１の上壁１ｂに図示しないベアリングを介して回転自在
に支持されている。一方、下部円板８の下方には下部円
板８よりも小径の円板１３が同心状に配置され、この円
板１３の中心部には上記上部支持軸１１と同心位置を下
方に延びる円筒状の下部支持軸１４が回転一体に取り付
けられ、この下部支持軸１１は真空槽１の底壁１Ｃを貫
通してその中間部で底壁ＩＣにベアリング１５を介して
回転自在に支持されている。そして、上記円板１３の外
周部と下部円板８とは円周方向の４等分位置で連結ボル
ト１６，１６．・・・及び仔性部材１７．１７゜・・・
を介して回転一体に連結されており、円板１３によって
両円板７，８、連結ロッド９，９．・・・等を弾性支持
するようにしている。

また、真空槽ｌの底壁１ｃ下面には公転モータ１８が取
付固定されている。この公転モータ１８の出力軸１８ａ
は上方に突出し、該出力軸１８ａにはギヤ１８ｂが回転
一体に取り付けられ、このギヤ１８ｂは上記下部支持軸
１４に取り付けたギヤ１９に中間ギヤ２０を介して駆動
連結されており、公転モータ１８の作動により下部支持
軸１４を介して基板治具６を回転させるようにしている
。

上記基板治具６の外周部には１２の基板ホルダ３４．３
４．・・・がそれぞれホルダ取付治具２１によって取付
支持されている。上記各ホルダ取付冶具２１は、上部円
板７の′外周縁部にその円周方向の１２等分位置に鉛直
上下方向の回転中心をもって回転自在に支持されたホル
ダ吊り部材２２と、下部円板８の外周縁部に上記ホルダ
吊り部材２２と対応した位置に鉛直上下方向の回転中心
をもって回転自在に支持されたホルダ支持部材２７とを
備えている。上記ホルダ吊り部材２２は上部円板７にベ
アリング２３を介して回転自在に支持された回転軸２４
と、該回転軸２４の下端に一体に連設され、水平方向に
延びるホルダ同定ピン２５が取り付けられた吊下げ部２
６とからなる。一方、ホルダ支持部材２７は下部円板８
にベアリング２８を介して回転自在に支持された回転軸
２つと、該回転軸２つの上端に一体に連設された支持部
３０と、該支持部３０にボルト３１によって一体的に固
定され、支持部３０との間に構法のホルダ係合凹部３２
を形成する係合片３３とからなる。そして、各ホルダ吊
り部材２２と該吊り部材２２に対応するホルダ支持部材
２７との間に、多数の矩形基板Ｗ、　Ｗ、・・・を保持
するための基板ホルダ３４が掛は渡されるようになって
おり、この構造により基板ホルダ３４は基板治具６にそ
の外周縁で回転軸２４．２９を介して回転自在に支持さ
れている。

上記各基板ホルダ３４は、第５図〜第７図に拡大詳ホす
るように、上板３４ａ及び下板３４ｂと、該両板３４ａ
、３４ｂの左右両測部同士及び中央部同士をそれぞれ連
結する３つの連結板３４Ｃ１３４Ｃ１・・・とを有する
長方形状の枠部材からなり、上記各連結板３４Ｃには板
状のカバー３５がビス３６によって着脱可能に取り付け
られている。そして、ホルダ３４の表裏面においてそれ
ぞれ隣り合う連結板３４　ｃ、　　３４　ｃ間に複数の
基板Ｗ、　Ｗ。

・・・を上下に並べ、この各基板Ｗを側縁部にてカバー
３５によって連結板３４ｃとの間に挟持することで、複
数の基板Ｗ、　Ｗ、・・・を基板ホルダ３４に保持する
ようにしている。尚、基板Ｗは正方形状のものと長方形
状のものと２種類あり、同じ社類のものが上下に並べら
れて取り付けられる。

さらに、上記基板ホルダ３４の上板３４ａには、上記ホ
ルダ吊り部材２２のホルダ固定ピン２５に係合される吊
下げ孔３７が貫通形成されている。

この吊下げ孔３７はホルダ固定ピン２５のヘッド部２５
ａを挿通可能な大径部３７ａと、該大径部３７ａ上半を
切り欠いてなり、ビン２５の本体のみを挿通可能な小径
部３７ｂとで構成されており、第６図に示す如く、基板
ホルダ３４の下板３４ｂ下端をＥ記ホルダ支持部材２７
における係合凹部３２に嵌押しながら、吊下げ孔３７の
大径部３７ａにホルダ固定ピン２５のヘッド部２５ａを
押通させ、次いで、基板ホルダ３４全体を押し下げて吊
下げ孔３７の小径部３７ｂに固定ビン２５を嵌め込み、
しかる後、固定ビン２５を螺動締結することにより、基
板ホルダ３４をホルダ吊り部材２２及びホルダ支持部材
２７間に取付固定するようにしている。

上記各ホルダ支持部材２７の回転軸２９は下部円板８を
貫通してその下側に延び、その下端部には上側から順に
フランジ状のストッパ部材３８及びゼネバ４３が回転一
体に取付同定されている。

そして、第４図に示すように、上記ストッパ部材３８外
周縁の所定位置、詳しくは上記ホルダ取付治具２１によ
り支持されている基板ホルダ３４と上下方向に対応する
位置には直径方向に対向する１対の係合凹部３８ａ、３
８ａが切欠形成されている。また、下部円板８の下面に
は上記ストッパ部材３８よりも円板８の中心側側方に２
本の支持ボルト３９．３９が突出状態で植設され、この
支持ボルト３９．３９にはストッパ部材３８に向かって
互いに平行に延びる阪ばね４０，４０が支持されている
。この各板ばね４０の先端はストッパ部＋４３８の外周
側方に延び、その先端にはストッパ部材３８の凹部３８
ａに係合するローラ４１が「１１転可能に取り付けられ
ており、板ばね４０の（ｌｉｔ性によりローラ４１をス
トッパ部材３８のＩ’ｌ！１部３８ａに押し付けて係合
させることにより、基板ホルダ３４をその表裏面の複数
の基板Ｗ、　Ｗ、・・・が第１又は第２ターゲツト７１
　、　　Ｔ、、つまり真空＋！！！１１の側壁１ａに平
行に対向するように所定回転位置に位置決め保持するス
トッパ機構４２が構成されている。

一方、第１図及び第２図にも示すように、上記ゼネバ４
３の外周縁にはその外周縁から中心部に向かって切り欠
いてなる所定深さの４つの係合溝４４．４４．・・・が
円周方向に等間隔（９０°間隔）をあけて形成されてい
る。また、真空槽１の底壁１Ｃには上記排気口１２に対
応する位置に回転軸４５が底壁ＩＣを貫通した状態でベ
アリング４６により回転自在に支持されている。この回
転軸４５の上端には所定の大きさ及び形状を有する三角
板からなる反転レバー４７がその１つの隅角部にて回転
一体に取り付けられ、この反転レバー４７の残り２つの
隅角部には上方に突出する第１及び第２の反転ピン４８
．４９が取付固定され、第１反転ピン４８の回転軸４５
の軸心からの距離は第２反転ピン４９よりも長くされて
いる。この各反転ピン４８．４９は上端に上記ゼネバ４
３の係合溝４４．４４．・・・に係合する係合部４８ａ
、４９ａを有している。そして、上記ゼネバ４３及び反
転ピン４８．４９により、第２図に示す如く、両反転ビ
ン４８．４９がゼネバ４３の周回軌跡と交差する反転位
置にある状態において、基板治具６の回転により各ゼネ
バ４３が真空冶１の側壁１ａの排気口１２に対応する反
転ステージＳに移動したとき、それと同期して回転軸４
５を１回転させて反転レバー４７を回転させ、第１及び
第２反転ピン４８．４９をそれぞれゼネバ４３の隣り合
う２つの係合溝４４．４４に順に係合させなからゼネバ
４３及びそれと一体の基板ホルダ３４を所定角度（１８
０”）だけ回転させることにより、基板ホルダ３４の表
裏面を反転させるようにした基板反転機構５１が構成さ
れている。尚、上記両反転ビン４８．４９をゼネバ４３
の周回軌跡と交差しないチャンバ２中心側の退避位置（
第２図で仮想線にて示す位置）に位置付けたどきには、
ピン４８．４９をゼネバ４３の係合溝４４．４４と係合
させず、基板ホルダ３４の反転を行わないようにしてい
る。

上記回転軸４５の下端はピン駆動手段としての基板反転
モータ５２に駆動連結されており、このモータ５２の作
動により反転ビン４８．４９を回転軸４５回りに１回転
させて基板ホルダ３４を反転させるようにしている。

尚、第３図、第８図及び第９図中、５３は基板治具６と
ターゲットＴＩ　、Ｔ：との間に配設されたンヤッタで
、このシャッタ５３の上部は基板冶具６の上部支持軸１
１の周りに配設した円筒状の回転軸５４に支持され、こ
の回転軸５４は真空槽１外部のシャッタ駆動部５５に駆
動連結されており、このシャッタ駆動部５５によりシャ
ッタ５３を回動させるようにしている。また、第８図中
、５８は対向電極、５９は加熱ヒータ、６０はヒータパ
ネルである。

次に、上記実施例の作動について説明する。

基板Ｗ、Ｗ、・・・をスパッタリング装置Ａにより成膜
する場合、予め、基板ホルダ３４，３４．・・・の各々
にそれぞれ２種類の基板Ｗ、　Ｗ、・・・を取り付けて
保持する。そして、公転モータ１８の駆動により基板治
具６を所定角度ずつ回転させながら、上記基板Ｗ、　Ｗ
、・・・が保持された基板ホルダ３４゜３４、・・・を
真空槽１の各開口３から真空チャンバ２内に挿入して、
順にホルダ取付治具２１のホルダ吊り部材２２と該吊り
部材２２に対応するホルダ支持部材２７との間に掛は渡
した状態で取り付ける。この取付けの際、基板ホルダ３
４の下板３４ｂ下端を上記ホルダ支持部材２７における
係合凹部３２に嵌挿しながら、吊下げ孔３７の大径部３
７ａにホルダ固定ピン２５のへ・ンド部２５ａを押通さ
せ、次いで、基板ホルダ３４全体を押し下げて吊下げ孔
３７の小径部３７ｂに固定ピン２５を嵌め込み、しかる
後、固定ピン２５を螺動締結することにより、基板ホル
ダ３４がホルダ吊り部材２２及びホルダ支持部材２７に
取付固定される。

このことにより各基板ホルダ３４は基板治具６め外周縁
に上下回転軸２４．２９を介して回転自在に支持され、
下側回転軸２つに取り付けたゼネノく４３と一体的に回
転するようになる。

その場合、上記の如く、基板ホルダ３４の下板３４ｂ下
端をホルダ支持部材２７の係合四部３２に嵌押しながら
吊下げ孔３７をホルダ固定ピン２５に係止させ、しかる
後、該固定ピン２５を螺動締結することにより、基板ホ
ルダ３４が取付固定されるので、基板ホルダ３４をワン
タッチ操作により容易に基板治具６に取り付けることが
できる。

また、上記基板ホルダ３４はその表面又は裏面が真空槽
１の側壁１ａと平行になるように回転位置が位置付けら
れる。この位置では、ストッパ機構４２における板ばね
４０，４０の弾性によりその先端のローラ４１，４１が
それぞれストッパ部材３８外周の凹部３８ａ、３８ａに
押圧状態で係合し、このことにより基板ホルダ３４がそ
の表裏面の複数の基板Ｗ、　Ｗ、・・・を真空＃ｆｊｌ
の側壁１ａに平行に対向させるように位置決めされて固
定保持される。

上記基板治具６に全ての基板ホルダ３４，３４゜・・・
が取り付けられた後、各開口３を開閉蓋４により閉塞し
、真空ポンプにより真空チャンバ２内を真空状態にする
。この真空チャンバ２内の真空度が所定値に達すると、
公転モータ１８の作動により基板治具６を回転させて基
板ホルダ３４上の基板Ｗ、　Ｗ、・・・を真空チャンバ
２内で周回走行させるとともに、それと同時に、アルゴ
ンガスを噴出ノズル５から噴出させて第１ターゲツトＴ
１からＮｉ　Ｃｒ分子を放出させ、又は第２ターゲツト
Ｔ二から５Ｉ０２分子を放出させ、これら金属化合物の
分子を基板Ｗ、Ｗ、・・・に付着させて成膜処理を行う
。

その際、上記各基板ホルダ３４はストッパ機構４２によ
り常に真空槽１の側壁１ａと平行となるように固定保持
されるので、その基板ホルダ３４上の基板Ｗ、Ｗ、　・
・・は常にターゲットＴ、、’ｒ！に対し正確に対向す
る位置に保たれる。このことにより、基板Ｗをターゲッ
トＴＩ、Ｔ、に確実に対向させて正確な成膜処理を行う
ことができるとともに、基板Ｗの不用意なぶれをなくし
て安定した成膜を得ることができる。

そして、基板Ｗを反転させる場合には、基板反転機構５
１の第１及び第２ピン４８．４９を上記基板ホルダ３４
と回転一体のゼネバ４３の周回軌跡上の反転位置に位置
付けておき、ゼネバ４３がピン４８．４９と交差する反
転ステージＳに移動したときに、基板反転モータ５２を
ＯＮ作動させて反転レバー４７を回転軸４５回りに９０
″回転させる。この反転レバー４７の回転に伴い、上記
第１及び第２反転ピン４８．４９がそれぞれゼネバ４３
の隣り合う２つの係合？Ｍ４４．４４に順に係合しなが
ら回転し、このことによりゼネバ４３がストッパ機構４
２の停止保持力に抗して所定角度（１８０＠）だけ回転
して、それと一体の基板ホルダ３４が反転し、それまで
チャンバ２中心側にあった基板Ｗ、　Ｗ、・・・がチャ
ンバ２外側を向き、その基板Ｗ、　Ｗ、・・・が成膜さ
れる。

また、このような基板Ｗの反転を停にする場合には、上
記基板反転モータ５２を作動させて基板反転機構５１の
反転ピン４８．４９をゼネバ４３の周回軌跡上から離れ
た退避位置に位置付ける。

この退避位置では、ゼネバ４３が反転ステージＳに近付
いてもその係合溝４４．４４にピン４８゜４９は係合せ
ず、基板ホルダ３４は反転されずにそのまま周回するこ
ととなる。

したがって、この実施例の場合、基板ホルダ３４の反転
又はその停止の切換えを自在に行うことができるため、
上記の如く基板ホルダ３４の一側の基板Ｗ、　Ｗ、・・
・のみを続けて成膜した後、基板ホルダ３４の反転によ
り反対側の基板Ｗ、Ｗ、・・を成膜することも可能で、
成膜のパターンを拡大することができる。また、基板ホ
ルダ３４両側の基板Ｗ、Ｗ、・・・を異なった条件で成
膜する場合にも、Ｍ　、ＩＮ　Ｗの１周毎にターゲット
ＴＩ、Ｔ、やシャッタ５３を切り換える必要はなく、構
造を簡単にすることができる。

また、各基板ホルダ３４は真空チャンバ２内を周回中、
ゼネバ４３がピン４８．４９と交差する反転ステージＳ
の１箇所のみで反転し、それ以外の部分では回転？ｄ１
２４．，２９回りに全く揺動しないので、基板Ｗがぶれ
ることはなく、延板Ｗを安定して成膜することができる
。

さらに、基板ホルダ３４の反転によりその表裏面の基板
Ｗ、Ｗ、・・・を成膜することができるので、２面の基
板ホルダ３４の使用により２而成膜が可能となり、基板
ホルダが反転しない構造のスパッタリング装置に比べ、
−度に２倍の数の基板Ｗ。

Ｗ、・・・を成膜処理でき、成膜効率を向上させること
ができる。

第１０図及び第１１図は本発明の第２実施例を示しく尚
、第１実施例と同じ部分については同じ符号を付してそ
の詳細な説明は省略する）、上記実施例では基板ホルダ
３４を１８０°回転させるようにしたのに対し、１２０
０だけ回転させて３面処理を行うようにしたものである
。

すなわち、この実施例では、第１１図に示す如く、ホル
ダ取付治具２１は、３辺の側面にそれぞれホルダ固定ビ
ン２５．　２５．・・・が取り付けられた三角板状の吊
下げ部２６′をＨするホルダ吊り部材２２′と、上記吊
下げ部２６′と同じ三角板状の支持部３０′を有するホ
ルダ支持部材２７′とからなり、上記各ホルダ吊り部材
２２′の吊下げ部２６′とホルダ支持部材２７′の支持
部３０′とは上下に対応するようにＪ（通の回転軸５６
によって一体的に連結固定されている。そして、上記支
持部３０’の３辺の側面にはそれぞれ支持部３０’　と
の間に湾状のホルダ係合凹部３２’、３２′、・・・を
形成する係合片３３，３３．・・・が取り付けられてお
り、ホルダ支持部材２７′の固定ピン２５．２５．・・
・とホルダ支持部材２７’、２７・・・の係合凹部３２
’　　３２’　　・・・との間に３つの基板ホルダ３４
’　、３４’　　・・・が掛は渡されるようになされて
いる。また、上記基板ホルダ３４′は、上記実施例とは
異なり、その−面のみに複数の基板Ｗ、　Ｗ、・・・を
取付保持するようになっている。

また、第１０図に示す如く、ホルダ取付治具２１の回転
軸５６下端に取り付けられるゼネバ４３′は、その外周
縁に３つの係合ｍ４４．４４．・・・が固層方向に等間
隔（１２０＠間隔）をあけて形成されている。また、真
空ＩＩ！１１の底壁１ｃに回転自在に支持されている回
転軸４５の上端には置板からなる反転レバー４７′がそ
の一端部にて回転一体に取り付けられ、この反転レバー
４７′の他端部に上記ゼネバ４３′の係合溝４４，４４
．・・に係合する１つの反転ピン５０が取付固定されて
おり、反転ビン５０がゼネバ４３′の周回軌跡と交差す
る反転位置にある状態において、各ゼネバ４３′が反転
ステージＳに移動したとき、それと開明して回転軸４５
を９０′回転させて反転レバー４７′を回転させ、反転
ビン５０をゼネバ４３′の１つの係合溝４４に係合させ
なからゼネバ４３′及びそれと一体の３つの基板ホルダ
３４′３４′、・・・を１２０°だけ回転させるように
した基板反転機構５１′が構成されている。

尚、第１０図中、５７は基板治具６の上部及び下部円板
７，８の外周縁間において隣り合うホルダ取付治具２１
，２１間位置に配設された連結部材で、これは真空槽１
の側壁１ａに向いている基板ホルダ３４′の基板Ｗ、　
Ｗ、・・・がターゲットＴ１、Ｔ２に対し影にならない
ように板状のもので構成されている。

したがって、この実施例では、基板Ｗを反転させる場合
、基板治具６の回転によりゼネバ４３′が反転ステージ
Ｓに移動したとき、それに伴って反転レバー４７′を９
０”回転させると、その反転ピン５０がゼネバ４３′の
１つの係合溝４４に出入しながら回転し、このことによ
りゼネバ４３′が１２０°回転して３つの基板ホルダ３
４′３４′、・・・が反転し、その位置が切り換えられ
る。

また、基板ホルダ３４′を反転させないときには、反転
ピン５０を退避位置に位置付ければよい。よって、この
実施例でも上記第１実施例と同様の作用効果を奏するこ
とができる。

特に、この場合、上記実施例の如き２而戊膜でなくて、
基板ホルダ３４′の反転によりその３面の基板Ｗ、　Ｗ
、・・・を成膜することができるので、３而成膜が可能
となり、基板ホルダが反転しない構造のスパッタリング
装置に比べ、−度に３倍の基板Ｗ、Ｗ、・・・を成膜処
理でき、成膜効率をさらに向上させることができる。

尚、上記実施例では、各基板Ｗについてみるとその一面
のみを成膜するようにしたが、本発明は各基板の表裏両
面を成膜する場合にも適用でき、基板を自在に反転させ
ることができる。

また、上記実施例では、２而戊膜及び３面成膜の場合で
あるが、４面以上の多面成膜も可能である。しかし、そ
の場合、隣接する基板ホルダ３４゜３４の反転時の干渉
を避けるためのデッドスペースが大きくなり、スペース
上のロスが大きいので、３面成膜を限度とするのが好ま
しい。

さらに、本発明はスパッタリング装置人以外の成膜装置
にも適用できるのは勿論のことである。

（発明の効果） 以上説明した如く、請求項（１）記載の発明によると、
真空槽内で基板を周回させて成膜するようにした成膜装
置において、基板を保持する基板ホルダの回転軸にゼネ
バを取り付ける一方、真空槽の壁部にゼネバの係合溝に
出入してゼネバを所定角度回転させる反転ピンを設け、
このピンとゼネバとによ゛って基板を所定角度だけ反転
させるようにしたことにより、基板を真空槽内での周回
と無関係に自在に反転制御でき、基板の表裏面を異なっ
た条件で成膜して異種成膜を容易にかつ節１ｉな構造で
実現することができるとともに、基板をｆ′Ｆ、ｆ：ｒ
。

の反転角度で反転できるので、３面以上の基板ホルダの
使用により多面成膜を可能として、−度に多数の基板を
成膜処理でき、成膜効率を向上させることができる。さ
らには走行時の基板のぶれをなくして成膜性能を向上さ
せることができる。

また、請求項（２）に係る発明によると、基板が蒸発源
に対向するように基板ホルダを所定回転位置に位置決め
保持するストッパ手段を設けたことにより、基板を反転
しない状態で常に蒸発源に対向する位置に位置付けるこ
とができ、基板を蒸発源に確実に対向させて正確な成膜
処理を行うことができるとともに、基板の不用意なぶれ
をなくして、成膜をより一層安定させることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第９図は本発明の第１実施例を示し、第１図は
基板反転機構の拡大正面断面図、第２図は同平面図、第
３図は払板冶ニーＬの正面断面図、第４図は第３図のＴ
Ｖ−ＩＶ線断面図、第５図は基板ホルダの拡大正面図、
第６図は同側面図、第７図は同甲面図、第８図は真空冷
壁部を破断して示すスパッタリング装置の正面図、第９
図は同平面図である。第１０区及び第１１図は本発明の
第２実施例を示し、第１０図は第２図相当図、第１１図
はホルダ取付治具の斜視図である。 Ａ・・・スパッタリング装置（成膜装置）１・・・真空
槽 ２・・・真空チャンバ Ｔ、、Ｔ２・・・ターゲット（蒸発源）６・・・基板治
具（回転部材） １８・・・公転モータ ２１．２１’　・・・ホルダ取付治具 ３４．３４’・・・基板ホルダ ３８・・・ストッパ部材 ４０・・・板ばね ４２・・・ストッパ機構 ４３・・・ゼネバ ４４・・・係合溝 ４５・・・回転軸 ４７、４７’・・・反転レバー ４８．４９．５０・・・反転ピン ５１．５１’　・・・基板反転ｍｌ詐）５２・・・基板
反転モータ（ピン駆動手段）Ｗ・・・基板 Ｓ・・・反転ステージ 第２図 第１ 図 第４ 図 鳴 ５− 第３図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）側面に蒸発源を有する真空槽と、該真空槽内に回
   転可能に支持され、多数の基板を支持する回転部材とを
   有し、回転部材の回転により基板を順次蒸発源に対向さ
   せて成膜するようにした成膜装置において、上記回転部
   材の外周に回転可能に支持され、基板を保持する基板ホ
   ルダと、該基板ホルダの回転軸に回転一体に取り付けら
   れ、外周縁に半径方向中心側に延びる複数の係合溝が円
   周方向に所定間隔をあけて形成されたゼネバと、真空槽
   の壁部の所定位置に上記回転部材の回転中心と平行な回
   転中心をもって回転軸回りに回転可能に支持され、回転
   軸回りの回転により上記ゼネバの各係合溝に順に係合し
   て基板ホルダを所定角度だけ回転させる反転ピンと、該
   反転ピンを回転駆動するピン駆動手段とを備えたことを
   特徴とする基板の反転装置。
2. （２）基板ホルダを基板が蒸発源に対向するように所定
   回転位置に位置決め保持するストッパ手段が設けられて
   いることを特徴とする請求項（１）記載の基板の反転装
   置。