JPH01283370A - ターゲットホルダ、イオンビームスパッタ装置およびその使用方法 - Google Patents
ターゲットホルダ、イオンビームスパッタ装置およびその使用方法Info
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- JPH01283370A JPH01283370A JP11274288A JP11274288A JPH01283370A JP H01283370 A JPH01283370 A JP H01283370A JP 11274288 A JP11274288 A JP 11274288A JP 11274288 A JP11274288 A JP 11274288A JP H01283370 A JPH01283370 A JP H01283370A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業−にの利用分野〕
本発明は、材料の表面改質や多層膜を形成するイオンビ
ームスパッタ装置に係り、スパッタされるターゲットの
利用率が高く、また、形成される膜の層数しこ応したタ
ーゲットを取付けることが可能なターゲットホルダ、そ
のターケラ1へホルダを備えたイオンビームスパッタ装
置およびその使用方法に関するものである。
ームスパッタ装置に係り、スパッタされるターゲットの
利用率が高く、また、形成される膜の層数しこ応したタ
ーゲットを取付けることが可能なターゲットホルダ、そ
のターケラ1へホルダを備えたイオンビームスパッタ装
置およびその使用方法に関するものである。
従来、例えば材料の表面に多層膜を形成する場合、特開
昭62−99460号公報に記載されているようt;、
水冷された中空多角柱状のターゲットホルダの表面にタ
ーケラ1へを取付け、このターゲットホルダを回転して
ターゲットの種類を選択するようにしたものが知られて
いる。
昭62−99460号公報に記載されているようt;、
水冷された中空多角柱状のターゲットホルダの表面にタ
ーケラ1へを取付け、このターゲットホルダを回転して
ターゲットの種類を選択するようにしたものが知られて
いる。
ところて、イオンビームによるスパッタ角度(ターゲラ
1へ粒子が飛び出す方向)はターケラ1−の種類(物質
)により異なる。したがって、上記従来技術によれば、
ターゲットホルダを回転して、ターケラト表面の法線に
対するイオンビーフ1人射角を調整し、これによりスパ
ッタ角度を試料力面に合わせることができる。
1へ粒子が飛び出す方向)はターケラ1−の種類(物質
)により異なる。したがって、上記従来技術によれば、
ターゲットホルダを回転して、ターケラト表面の法線に
対するイオンビーフ1人射角を調整し、これによりスパ
ッタ角度を試料力面に合わせることができる。
しかし、この場合、ターゲラ1〜自体も多角柱の軸心を
回転中心とする円に沿って移動されてしまう。このため
、イオンビーム照射域から外れる面積が大きくなり、タ
ーケラ1−の一部しか有効に利用できないという問題が
ある。
回転中心とする円に沿って移動されてしまう。このため
、イオンビーム照射域から外れる面積が大きくなり、タ
ーケラ1−の一部しか有効に利用できないという問題が
ある。
このことを、第8図〜第10図を用いて具体的に説明す
る。図示のものは4個のターケラ1−を取付は可能な4
角柱状のホルダの例である。第8図に示すように、ホル
タ1は中空の4角柱体からなるターゲット取付具2を回
転軸3回りに回転可能に形成し、ターゲット4を4つの
側面に取付ける構成とされている。また、回転軸3に穿
設された通流路5,6を介して冷却水7が循環されるよ
うになっている。
る。図示のものは4個のターケラ1−を取付は可能な4
角柱状のホルダの例である。第8図に示すように、ホル
タ1は中空の4角柱体からなるターゲット取付具2を回
転軸3回りに回転可能に形成し、ターゲット4を4つの
側面に取付ける構成とされている。また、回転軸3に穿
設された通流路5,6を介して冷却水7が循環されるよ
うになっている。
イオンビームとターゲット4の位置関係は第9図トこ示
す。イオンビームのビーム中心8は一般に固定されてお
り、これに対しターケラ1〜4ば同図実線位置が基準位
置として設置され、ビーム中心8はターゲット中心4a
に一致される。図中の符号9はターゲット粒子の飛出し
方向を示しており、この場合はイオンビーム入射角、ス
パッタ角ともに22.5°の例を示す。
す。イオンビームのビーム中心8は一般に固定されてお
り、これに対しターケラ1〜4ば同図実線位置が基準位
置として設置され、ビーム中心8はターゲット中心4a
に一致される。図中の符号9はターゲット粒子の飛出し
方向を示しており、この場合はイオンビーム入射角、ス
パッタ角ともに22.5°の例を示す。
この場合において、スパッタ角の変化に合わせてターゲ
ットホルダ2を図示2点鎖線の位置に回転(例えば15
°)したとすると、ターゲット中心4aは回転軸3の軸
線3aを中心として回転されて4− a ’ に移動し
、第10図に示すようにビーム中心8からLだけすれる
。なお、第10図はイオンビーム照射方向から見た図で
ある。
ットホルダ2を図示2点鎖線の位置に回転(例えば15
°)したとすると、ターゲット中心4aは回転軸3の軸
線3aを中心として回転されて4− a ’ に移動し
、第10図に示すようにビーム中心8からLだけすれる
。なお、第10図はイオンビーム照射方向から見た図で
ある。
このため、第10図斜線10で表わしたように、ターゲ
ット4にのみイオンビーl\が当るようにビーム径を絞
らなければならず、ターゲットの有効利用面積(又は有
効利用1)が減少することになるのである。
ット4にのみイオンビーl\が当るようにビーム径を絞
らなければならず、ターゲットの有効利用面積(又は有
効利用1)が減少することになるのである。
また、上記の問題は軸線3aとターゲラ1〜中心4aと
の距離Rに起因することから、ターゲラ)へ4の取付数
を増やすにつれて大きくなる。
の距離Rに起因することから、ターゲラ)へ4の取付数
を増やすにつれて大きくなる。
本発明の目的は、上記従来の問題点を解決すること、言
い換えれば、ターケラ1−の有効利用率を大きくするこ
と、またターゲットの取付は数を増加することができる
ターゲットホルダ、そのターケラ1−ホルダを用いたイ
オンビームスパッタ装置およびその使用方法を係供する
ことにある。
い換えれば、ターケラ1−の有効利用率を大きくするこ
と、またターゲットの取付は数を増加することができる
ターゲットホルダ、そのターケラ1−ホルダを用いたイ
オンビームスパッタ装置およびその使用方法を係供する
ことにある。
」−記目的を達成するため、本発明のターゲットホルダ
は、回転可能に設けられた支持具(以下、公転支持具と
称する)に対しイオンビームスパッタのターゲットがそ
れぞれ装着される複数のターゲット取付具を回転可能に
支持させてなり、該各ターゲット取付具の回転軸(以下
、自転軸と称する)は装着されるターゲットのイオンビ
ーム照射面のほぼ中心を通る法線に直交させてかつ当該
照射面に一致又は近接させて設けられ、また該各自転軸
は前記支持具の回転軸(以下、公転軸と称する)に平行
にかつ該公転軸から等距離に位置させてなるものである
。
は、回転可能に設けられた支持具(以下、公転支持具と
称する)に対しイオンビームスパッタのターゲットがそ
れぞれ装着される複数のターゲット取付具を回転可能に
支持させてなり、該各ターゲット取付具の回転軸(以下
、自転軸と称する)は装着されるターゲットのイオンビ
ーム照射面のほぼ中心を通る法線に直交させてかつ当該
照射面に一致又は近接させて設けられ、また該各自転軸
は前記支持具の回転軸(以下、公転軸と称する)に平行
にかつ該公転軸から等距離に位置させてなるものである
。
また、上記各ターゲット取付共が2個のターゲットを表
裏に装着可能な平板状部を有してなるものとすることが
できる。
裏に装着可能な平板状部を有してなるものとすることが
できる。
また、上記ターゲット取付具が多層膜形成に要する複数
のターゲットを取付可能な数以上設けられたものとする
ことができる。
のターゲットを取付可能な数以上設けられたものとする
ことができる。
また、上記ターゲット取付具がターゲットをイオンビー
ム照射面の中心を通る法線回りに回転させる機構を有し
てなるものとすることができる。
ム照射面の中心を通る法線回りに回転させる機構を有し
てなるものとすることができる。
また、前記自転軸が前記公転支持具に貫通させて軸支さ
れ、前記公転支持具の回転により所定位置に回動された
該自転軸の軸端に対向させてターゲット駆動軸を当該軸
方向に進退自在に固定部に設けるとともに、それらの対
向する両軸端に協働して係合する回転係止部を形成して
なるものとなることができる。
れ、前記公転支持具の回転により所定位置に回動された
該自転軸の軸端に対向させてターゲット駆動軸を当該軸
方向に進退自在に固定部に設けるとともに、それらの対
向する両軸端に協働して係合する回転係止部を形成して
なるものとなることができる。
また、上記ターゲット支持具が内部に冷媒の通流路を有
し、この冷媒は固定部と公転軸と公転支持具と自転軸の
内部にそれぞれ穿設された通流路と、少なくとも固定部
と公転軸および公転支持具と自転軸間の相対回転部に設
けられたロータリージヨイントを介して外部から供給す
る構成とすることができる。
し、この冷媒は固定部と公転軸と公転支持具と自転軸の
内部にそれぞれ穿設された通流路と、少なくとも固定部
と公転軸および公転支持具と自転軸間の相対回転部に設
けられたロータリージヨイントを介して外部から供給す
る構成とすることができる。
一方、本発明のイオンビームスパッタ装置は、上記のよ
うに構成されたターゲットホルダを、前記ターゲット取
付具を回転することにより各ターゲットをイオンビーム
照射位置に移動可能に、かつ前記自転軸がイオンビーム
中心軸を通るように配置したものである。
うに構成されたターゲットホルダを、前記ターゲット取
付具を回転することにより各ターゲットをイオンビーム
照射位置に移動可能に、かつ前記自転軸がイオンビーム
中心軸を通るように配置したものである。
また、本発明のイオンビームスパッタ装置の使用方法は
、上記ターゲット取付具を自転軸回りに所定角度範囲内
で揺動させて試料表面にスパッタ処理を均一に行なうよ
うにしたことにある。
、上記ターゲット取付具を自転軸回りに所定角度範囲内
で揺動させて試料表面にスパッタ処理を均一に行なうよ
うにしたことにある。
このように構成される本発明の作用は、以下のとおりで
ある。
ある。
本発明のターゲットホルダによれば、イオンビームスパ
ッタのターゲットが装着されるターゲット取付具の自転
軸を、ターゲットのイオンビーム照射面のほぼ中心を通
る法線に直交させ、かつ照射面に一致又は近接させてな
ることから、スパッタ角度に合わせてイオンビーム照射
面の角度を変化させても、ターゲット中心とイオンビー
ムの中心とのずれはわずかである。したがって、ターゲ
ットの有効利用面積は殆ど減少しない。
ッタのターゲットが装着されるターゲット取付具の自転
軸を、ターゲットのイオンビーム照射面のほぼ中心を通
る法線に直交させ、かつ照射面に一致又は近接させてな
ることから、スパッタ角度に合わせてイオンビーム照射
面の角度を変化させても、ターゲット中心とイオンビー
ムの中心とのずれはわずかである。したがって、ターゲ
ットの有効利用面積は殆ど減少しない。
そして、公転支持具を回転することにより、所望ターゲ
ットをイオンビーム照射域に移動することができる。
ットをイオンビーム照射域に移動することができる。
また、各ターゲット取付具が2個のターゲットを装着可
能な平行状部を有するものによれば、取付具の数に対し
取付けられるターゲットの数が2倍に増加される。これ
により、多層膜形成が一層容易になる。
能な平行状部を有するものによれば、取付具の数に対し
取付けられるターゲットの数が2倍に増加される。これ
により、多層膜形成が一層容易になる。
また、ターゲット取付具がターゲットをイオンビーム照
射面の中心を通る法線回りに回転させる機構を有してな
るものによれば、ターゲット表面の消費量分布を均一に
して、有効利用率を大きくすることができる。
射面の中心を通る法線回りに回転させる機構を有してな
るものによれば、ターゲット表面の消費量分布を均一に
して、有効利用率を大きくすることができる。
また、ターゲット取付具の自転軸が前記公転支持具に貫
通させて軸支され、前記公転支持具の回転により所定位
置に回動された該自転軸の軸端に対向させてターゲット
駆動軸を当該軸方向に進退自在に固定部に設けるととも
に、それらの対向する両軸端に協働して係合する回転係
止部を形成してなるものによれば、まず、公転軸を廓動
して所望ターゲットが装着されている取付具をイオンビ
ーム照射位置に回動した後、ターゲット駆動軸を軸方向
に押し込んで自転軸端に係合させ、これ髪回転させるこ
とによりイオンビーム照射面の角度を調整する。つまり
、自転駆動機構が1つでよいので、構成が簡単になる。
通させて軸支され、前記公転支持具の回転により所定位
置に回動された該自転軸の軸端に対向させてターゲット
駆動軸を当該軸方向に進退自在に固定部に設けるととも
に、それらの対向する両軸端に協働して係合する回転係
止部を形成してなるものによれば、まず、公転軸を廓動
して所望ターゲットが装着されている取付具をイオンビ
ーム照射位置に回動した後、ターゲット駆動軸を軸方向
に押し込んで自転軸端に係合させ、これ髪回転させるこ
とによりイオンビーム照射面の角度を調整する。つまり
、自転駆動機構が1つでよいので、構成が簡単になる。
また、自転する構成としても、ターゲラ1〜の冷却は、
ロータリージヨイントを介して連通された通流路を通じ
て提供される冷媒によって十分になされる。
ロータリージヨイントを介して連通された通流路を通じ
て提供される冷媒によって十分になされる。
また、上記のターゲットホルダを用いたイオンビームス
パッタ装置によれば、ターゲット交換のために装置の真
空を破ることなく、必要な種類の多層膜処理等を行なう
ことが可能になるとともに、ターゲット種類により定ま
るスパッタ角度の調整を行なっても、その有効利用字は
殆んど低下することがなくなる。
パッタ装置によれば、ターゲット交換のために装置の真
空を破ることなく、必要な種類の多層膜処理等を行なう
ことが可能になるとともに、ターゲット種類により定ま
るスパッタ角度の調整を行なっても、その有効利用字は
殆んど低下することがなくなる。
また、ターゲット支持具を揺動させながらスパッタ処理
すると、広い表面積を有する試料に対しても均一な処理
を行なうことが可能となる。
すると、広い表面積を有する試料に対しても均一な処理
を行なうことが可能となる。
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
第1図に本発明に係るターゲットホルダの一実施例の正
面図を示し、第2図に本実施例のターゲラ1〜ホルダを
用いてなる一実施例のイオンビー11スパツタ装置の全
体構成図を示す。
面図を示し、第2図に本実施例のターゲラ1〜ホルダを
用いてなる一実施例のイオンビー11スパツタ装置の全
体構成図を示す。
第1図に示すようしこ、ターゲットホルダ20は複数(
図示例では4個)のターケラト取付具21を公転する公
転支持具22に自転軸23を介して回転自在に取付けた
構成となっている。
図示例では4個)のターケラト取付具21を公転する公
転支持具22に自転軸23を介して回転自在に取付けた
構成となっている。
ターゲラ1〜取付具21は円板状のターゲット取付部2
4の周側縁に自転軸23を取イ」げた団扇状のものとさ
れている。自転軸23の軸線はターゲy1・取付部24
に装着されるターゲットのイオンビーム照射面(円板面
)の中心を通る法線に直交され、かつ2枚のターゲット
4間の中心位置を通るようtこ設定されている。
4の周側縁に自転軸23を取イ」げた団扇状のものとさ
れている。自転軸23の軸線はターゲy1・取付部24
に装着されるターゲットのイオンビーム照射面(円板面
)の中心を通る法線に直交され、かつ2枚のターゲット
4間の中心位置を通るようtこ設定されている。
公転支持具22は公転軸25に取付けられ、その軸径方
向に放射状に張り出された複数(図示例では4個)の腕
部2Gを有している。この各腕部26の先端部にターゲ
ラ1〜取付具21の自転軸23を貫通して軸支した構成
とされ、各自転軸23は公転軸25に対し平行、かつ等
距離(同一公転11一 円周上)に配設されている。
向に放射状に張り出された複数(図示例では4個)の腕
部2Gを有している。この各腕部26の先端部にターゲ
ラ1〜取付具21の自転軸23を貫通して軸支した構成
とされ、各自転軸23は公転軸25に対し平行、かつ等
距離(同一公転11一 円周上)に配設されている。
そして、公転支持具22は図示していない原動手段しこ
より公転軸25を介して回転され、一方、ターゲット取
付具21は自転軸23の端部に係合された歯車27.2
8を介し、図示していない自転駆動手段により回転され
るようになっている。
より公転軸25を介して回転され、一方、ターゲット取
付具21は自転軸23の端部に係合された歯車27.2
8を介し、図示していない自転駆動手段により回転され
るようになっている。
なお、ターゲット取付具21はターゲット取付部24の
中央にネジ穴が設けられており、このネジ穴を利用して
両面にターゲラI〜4が取付けられる。また、図示して
いないが、ターゲット取付具21には冷却水の通流路が
設けられ、同じく公転軸25.公転支持具22.自転軸
23に穿設された通流路を介して、冷却水を循環供給可
能になっている。この冷却機構については他の実施例に
よりさらに後述する。
中央にネジ穴が設けられており、このネジ穴を利用して
両面にターゲラI〜4が取付けられる。また、図示して
いないが、ターゲット取付具21には冷却水の通流路が
設けられ、同じく公転軸25.公転支持具22.自転軸
23に穿設された通流路を介して、冷却水を循環供給可
能になっている。この冷却機構については他の実施例に
よりさらに後述する。
このように構成されたターゲラI・ホルダ2oを用い、
第2図に示すイオンビームスパッタ装置30を構成する
ことができる。イオンビームスパッタ装置30は真空容
器31内に試料ホルダ32とターゲットホルダ20を対
向させて配置するとともに、真空容器壁にスパッタイオ
ン源33とミキシングイオン源34を設けて構成されて
いる。そして、スパッタイオン源33から出力されるイ
オンビー1135をターゲラ1〜4に照射すると、ター
ゲラ+−4の表面からスパッタ粒子36かスパッタされ
(はね飛ばされ)る。このスパッタ粒子36は試料ホル
ダ32に取付けられた試料37に到達し、ミキシングイ
オン源34からのミキシングイオンビーム38により試
料表面に打込まれる。
第2図に示すイオンビームスパッタ装置30を構成する
ことができる。イオンビームスパッタ装置30は真空容
器31内に試料ホルダ32とターゲットホルダ20を対
向させて配置するとともに、真空容器壁にスパッタイオ
ン源33とミキシングイオン源34を設けて構成されて
いる。そして、スパッタイオン源33から出力されるイ
オンビー1135をターゲラ1〜4に照射すると、ター
ゲラ+−4の表面からスパッタ粒子36かスパッタされ
(はね飛ばされ)る。このスパッタ粒子36は試料ホル
ダ32に取付けられた試料37に到達し、ミキシングイ
オン源34からのミキシングイオンビーム38により試
料表面に打込まれる。
また、ターゲラ1−ホルダ20は公転支持具22を公転
させることにより各ターゲラ1へ取付具21がイオンビ
ー1135の照射位置に移動可能に配置され、かつ第3
図に示すようにイオンビーム35の中心軸8が自転軸2
3を通りかつ紙面しこ直交する方向はターゲット4の中
心4aを通るように配置されている。自転軸23と公転
軸25は図示していない手段により真空容器31の外部
から駆動できるようになっている。
させることにより各ターゲラ1へ取付具21がイオンビ
ー1135の照射位置に移動可能に配置され、かつ第3
図に示すようにイオンビーム35の中心軸8が自転軸2
3を通りかつ紙面しこ直交する方向はターゲット4の中
心4aを通るように配置されている。自転軸23と公転
軸25は図示していない手段により真空容器31の外部
から駆動できるようになっている。
このように構成されることから、スパッタ処理に必要な
種類および数のターゲット4をターゲッI・ホルダ20
に取付け、公転軸25を回転して所定のターゲット4の
中心4aをイオンビーム中心8の位ffl&こ合わせ、
次に自転軸23を回転してスパッタ粒子36のスパッタ
方向が試料37の方向になるように、ターゲラ1〜4の
照射面とイオンビーム35のなす角度を調整する。なお
、スパッタ角度はターゲットの物質固有の値であるから
、予め調べておけば外部の駆動手段により簡単に調整設
定できる。このとき、ターゲット4は照射面に近接され
た自転軸23回りに回転されるので、第3図に示すよう
にその中心4aは殆んど変位されない。したがって、ビ
ーム中心8とのずれ量L′は第4図に示すように極くわ
ずかであるため、図中斜線で示したように、ターゲット
の有効利用面積10は殆んど減少されない。例えば、1
50φのターゲラ1−を使用して角度を15°調整した
場合、第10図従来例では有効利用面積が38.5dで
あったのに対し、本実施例によれば95στとなり、約
2.5倍利用率が向上する。
種類および数のターゲット4をターゲッI・ホルダ20
に取付け、公転軸25を回転して所定のターゲット4の
中心4aをイオンビーム中心8の位ffl&こ合わせ、
次に自転軸23を回転してスパッタ粒子36のスパッタ
方向が試料37の方向になるように、ターゲラ1〜4の
照射面とイオンビーム35のなす角度を調整する。なお
、スパッタ角度はターゲットの物質固有の値であるから
、予め調べておけば外部の駆動手段により簡単に調整設
定できる。このとき、ターゲット4は照射面に近接され
た自転軸23回りに回転されるので、第3図に示すよう
にその中心4aは殆んど変位されない。したがって、ビ
ーム中心8とのずれ量L′は第4図に示すように極くわ
ずかであるため、図中斜線で示したように、ターゲット
の有効利用面積10は殆んど減少されない。例えば、1
50φのターゲラ1−を使用して角度を15°調整した
場合、第10図従来例では有効利用面積が38.5dで
あったのに対し、本実施例によれば95στとなり、約
2.5倍利用率が向上する。
1つのターゲット4が消耗したりあるいは他の種類に切
換えるにあたり、同じターゲット取付具21に取付けら
れている他のターゲット4に切換えるときは自転軸23
を180°回転し、他のターゲット取付具21の場合は
公転軸25を90゜又は1800回転することにより行
なう。
換えるにあたり、同じターゲット取付具21に取付けら
れている他のターゲット4に切換えるときは自転軸23
を180°回転し、他のターゲット取付具21の場合は
公転軸25を90゜又は1800回転することにより行
なう。
本実施例によれば、1つのターゲット取付具21に表裏
2枚のターゲット4を取付ける構成としていることから
、8枚のターゲット4を取付けることができ、多角柱形
の従来例に比べ、同一外形寸法の場合でも2倍の枚数を
取付けることができる。逆に同一枚数とすれば外形寸法
を小形化することが可能になる。
2枚のターゲット4を取付ける構成としていることから
、8枚のターゲット4を取付けることができ、多角柱形
の従来例に比べ、同一外形寸法の場合でも2倍の枚数を
取付けることができる。逆に同一枚数とすれば外形寸法
を小形化することが可能になる。
なお、本実施例の変形例として、第5図に示すようにタ
ーゲット取付具に取付けるターゲラ1〜を1枚とし、か
つ自転軸23をそのターゲット4の表面に一致させれば
、第4図に示すずれ量L′を零にすることが可能である
。
ーゲット取付具に取付けるターゲラ1〜を1枚とし、か
つ自転軸23をそのターゲット4の表面に一致させれば
、第4図に示すずれ量L′を零にすることが可能である
。
また、ターゲット4をその中心を通る法線回りに回転さ
せてターゲット表面を回転させるようにすれば、ターゲ
ットの消耗量を均一化することができる。
せてターゲット表面を回転させるようにすれば、ターゲ
ットの消耗量を均一化することができる。
また、第6図に示すように、大きな試料37に対しては
、自転軸23を一定角度範囲内で矢印39のように往復
回転させてターゲット4を揺動させることにより、均一
な膜体を形成するなどのスパッタ処理を行なうことがで
きる。
、自転軸23を一定角度範囲内で矢印39のように往復
回転させてターゲット4を揺動させることにより、均一
な膜体を形成するなどのスパッタ処理を行なうことがで
きる。
次に、第7図に示した自転、公転の具体的な駆動手段と
ターゲット冷却機構の一実施例について説明する。
ターゲット冷却機構の一実施例について説明する。
ターゲラ1−4は、内部に冷却用の通水路21aが設け
られたターゲット取付金具21に取付けられている。
られたターゲット取付金具21に取付けられている。
このターゲット取付具21は、公転支持具22の腕部2
6を貫通する自転軸23に取付けられている。角度調整
の際にターゲット取付具21を回転させる場合は、スラ
イドナツト41を廻し、ターゲラ1へ駆動軸42を前進
させ、自転軸23のインロ一部23aにはめ合せ、自転
レバー43を回して、適切な角度に合せる。
6を貫通する自転軸23に取付けられている。角度調整
の際にターゲット取付具21を回転させる場合は、スラ
イドナツト41を廻し、ターゲラ1へ駆動軸42を前進
させ、自転軸23のインロ一部23aにはめ合せ、自転
レバー43を回して、適切な角度に合せる。
ターゲラ1−4を交換するため公転を行なう場合は、ス
ライドナツト41を廻してターゲット駆動軸42を後退
させ、自転軸23とのはめ合いを解除する。解除された
状態で、公転レバー44を廻すことにより、ターゲット
取付金具21の位置を変更でき、所望のターゲット4を
所望の角度位置に設定することが可能である。
ライドナツト41を廻してターゲット駆動軸42を後退
させ、自転軸23とのはめ合いを解除する。解除された
状態で、公転レバー44を廻すことにより、ターゲット
取付金具21の位置を変更でき、所望のターゲット4を
所望の角度位置に設定することが可能である。
公転軸25は真空容器31の開口部を閉塞するフランジ
45を貫通して設けられた軸受46により軸支されてい
る。ターゲット駆動軸42はその軸線をイオンビーム照
射位置に回動されたターゲット取付具21の自転軸23
の軸線に一致させて、フランジ45に固定されている。
45を貫通して設けられた軸受46により軸支されてい
る。ターゲット駆動軸42はその軸線をイオンビーム照
射位置に回動されたターゲット取付具21の自転軸23
の軸線に一致させて、フランジ45に固定されている。
ターゲット4の冷却水は、まず軸受46に穿設さ九た給
水口47から公転軸25の外周に沿って設けられたリン
グ状の通水路48に導入される。
水口47から公転軸25の外周に沿って設けられたリン
グ状の通水路48に導入される。
次にこれに連通させて公転軸25内に穿設された通水路
49を通り、公転支持具22内に穿設された通水路50
に導びかれる。この通水路50を通った冷却水は自転軸
23の外周に沿って設けられたリング状の通水路51に
導びかれ、さらにこの通水路51から自転軸23内に穿
設された通水路52を通って、ターゲット取付具21の
通水路21aに導入されるようになっている。一方、排
水は上記各通水路と並列に設けられた通水路53゜54
、.55,56.57を通って排水口58から外部へ排
出されるようになっている。なお、少なくとも軸受46
と公転軸25間、公転支持具22と自転軸21間は相対
的に回転するので、リング状の通水路を介して連通する
構成のロータリージヨイントとされている。また、図示
実施例では公転支持具22と公転軸25の接合部もロー
タリージヨイントにしている。これにより、組立て時の
位置合せが不要となる。
49を通り、公転支持具22内に穿設された通水路50
に導びかれる。この通水路50を通った冷却水は自転軸
23の外周に沿って設けられたリング状の通水路51に
導びかれ、さらにこの通水路51から自転軸23内に穿
設された通水路52を通って、ターゲット取付具21の
通水路21aに導入されるようになっている。一方、排
水は上記各通水路と並列に設けられた通水路53゜54
、.55,56.57を通って排水口58から外部へ排
出されるようになっている。なお、少なくとも軸受46
と公転軸25間、公転支持具22と自転軸21間は相対
的に回転するので、リング状の通水路を介して連通する
構成のロータリージヨイントとされている。また、図示
実施例では公転支持具22と公転軸25の接合部もロー
タリージヨイントにしている。これにより、組立て時の
位置合せが不要となる。
なお、人気と真空、冷却水と真空のシールにはオーリン
ク59を使用し、また、自転軸23と公転軸25の軸受
は偏荷重がかからないように、両端にポールベアリング
を使用している。
ク59を使用し、また、自転軸23と公転軸25の軸受
は偏荷重がかからないように、両端にポールベアリング
を使用している。
また、本実施例は手動により、回転操作を行なうものを
示したが、即動力として、モータあるいは他の手段を採
用することも可能である。
示したが、即動力として、モータあるいは他の手段を採
用することも可能である。
上述した本実施例によれば、冷却機能を具備した自転、
公転するターゲラI・ホルダを実現できる。
公転するターゲラI・ホルダを実現できる。
また、ターゲラ)・駆動軸42をその軸方向に進退させ
て自転軸23と係脱する構成としたことから、ターゲッ
ト取付具21の数にかかわらず自転即動手段は1組設け
ればよく、構成を簡単化できる。
て自転軸23と係脱する構成としたことから、ターゲッ
ト取付具21の数にかかわらず自転即動手段は1組設け
ればよく、構成を簡単化できる。
以上説明したように本発明によれば、ターゲット角度調
整のための自転軸をターゲットのイオンビーム照射面に
平行にかつ一致又は近接させたことから、角度調整の回
転に伴うイオンビーム中心とターゲット中心のずれを大
幅に減少することができ、これによりターゲットの有効
利用率を高くすることができる。
整のための自転軸をターゲットのイオンビーム照射面に
平行にかつ一致又は近接させたことから、角度調整の回
転に伴うイオンビーム中心とターゲット中心のずれを大
幅に減少することができ、これによりターゲットの有効
利用率を高くすることができる。
また、同時に装着できるターゲットの数を増加すること
ができ、多層膜等のスパッタ処理が可能になる。特に、
平板状のターゲラI・取付具にすれば、外形寸法を増大
させることなく、さらに多くのターゲットを取付けられ
るので、多層膜形成が一層容易になるとともに、装置を
小形化できる。
ができ、多層膜等のスパッタ処理が可能になる。特に、
平板状のターゲラI・取付具にすれば、外形寸法を増大
させることなく、さらに多くのターゲットを取付けられ
るので、多層膜形成が一層容易になるとともに、装置を
小形化できる。
また、ターゲラ1へをイオンビーム照射面内で回転する
ものによれば、ターゲットの消費量分布を均一化でき、
有効利用率がさらし;向上する。
ものによれば、ターゲットの消費量分布を均一化でき、
有効利用率がさらし;向上する。
また、自転陳動手段の構成を簡単化でき、冷却機能をも
充たすことができる。
充たすことができる。
また、ターゲットの自転軸を軸として一定範囲で揺動さ
せることにより、広い表面積の試料に対しても、均一な
スパッタ処理を行なうことができる。
せることにより、広い表面積の試料に対しても、均一な
スパッタ処理を行なうことができる。
第1図は本発明のターゲットホルダの一実施例の正面図
、第2図は第1図のターゲットホルダを用いてなるイオ
ンビームスパッタ装置の一実施例の全体構成図、第3図
と第4図は第1図実施例の作用を説明するための図、第
5図と第6図はそれぞれ第1図実施例の変形例を示す図
、第7図は本発明のターゲットホルダに係る自転、公転
駆動手段の一実施例を示す図、第8図は従来例のターゲ
ットホルダの正面図、第9図と第10図は第8図従来例
の問題点を説明するための図である。 4・ターゲット、4a −ターゲット中心、8 ビーム
中心、20 ターゲットホルダ、21・−・ターケラト
取付具、21 a ・通水路、22 公転支持具、2
3・・・自転軸、24 ターゲット取付部、25 公転
軸、30 イオンビームスパッタ装置、 32 試料ホルダ、33 スパッタイオン源、35 イ
オンビーム、36・スパッタ粒子、37 試料、4]
スライドナツト、 42 ターゲラ1〜駆動軸、43 自転レバー、44・
公転レバー、45・ フランジ、47 給水口、48〜
57 通水路、 S8・排水口。
、第2図は第1図のターゲットホルダを用いてなるイオ
ンビームスパッタ装置の一実施例の全体構成図、第3図
と第4図は第1図実施例の作用を説明するための図、第
5図と第6図はそれぞれ第1図実施例の変形例を示す図
、第7図は本発明のターゲットホルダに係る自転、公転
駆動手段の一実施例を示す図、第8図は従来例のターゲ
ットホルダの正面図、第9図と第10図は第8図従来例
の問題点を説明するための図である。 4・ターゲット、4a −ターゲット中心、8 ビーム
中心、20 ターゲットホルダ、21・−・ターケラト
取付具、21 a ・通水路、22 公転支持具、2
3・・・自転軸、24 ターゲット取付部、25 公転
軸、30 イオンビームスパッタ装置、 32 試料ホルダ、33 スパッタイオン源、35 イ
オンビーム、36・スパッタ粒子、37 試料、4]
スライドナツト、 42 ターゲラ1〜駆動軸、43 自転レバー、44・
公転レバー、45・ フランジ、47 給水口、48〜
57 通水路、 S8・排水口。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、回転可能に設けられた支持具に対しイオンビームス
パッタのターゲットがそれぞれ装着される複数のターゲ
ット取付具を回転可能に支持させてなり、該各ターゲッ
ト取付具の回転軸は装着されるターゲットのイオンビー
ム照射面のほぼ中心を通る法線に直交させてかつ当該照
射面に一致又は近接させて設けられ、また該各ターゲッ
ト取付具の回転軸は前記支持具の回転軸に平行にかつ該
回転軸から等距離に位置させて設けられてなるターゲッ
トホルダ。 2、前記各ターゲット取付具が2個のターゲットを表裏
に装着可能な平板状部を有してなる請求項1記載のター
ゲットホルダ。 3、前記ターゲット取付具が多層膜形成に要する複数の
ターゲットを取付可能な数以上設けられた請求項1又は
2記載のターゲットホルダ。 4、前記ターゲット取付具がターゲットをイオンビーム
照射面の中心を通る法線回りに回転させる機構を有して
なる請求項1、2又は3記載のターゲットホルダ。 5、前記ターゲット取付具の回転軸が前記支持具に貫通
させて軸支され、前記支持具の回転により所定位置に回
動された前記ターゲット取付具の回転軸の軸端に対向さ
せてターゲット駆動軸を当該軸方向に進退自在に固定部
に設けるとともに、それらの対向する両軸端に協働して
係合する回転係止部を形成してなる請求項1、2、3又
は4記載のターゲットホルダ。 6、前記ターゲット取付具が内部に冷媒の通流路を有し
、この冷媒は固定部と前記支持具の回転軸と前記支持具
と前記ターゲット取付具の回転軸の内部にそれぞれ穿設
された通流路と、少なくとも固定部と前記支持具の回転
軸および前記支持具と前記ターゲット取付具の回転軸の
相対回転部に設けられたロータリージョイントを介して
外部から供給する構成とされた請求項1、2、3、4又
は5記載のターゲットホルダ。 7、請求項1、2、3、4、5又は6記載のターゲット
ホルダを、前記支持具を回転することにより各ターゲッ
トをイオンビーム照射位置に移動可能に、かつ前記ター
ゲット取付具の回転軸がイオンビームの中心軸をほぼ通
るように配置してなるイオンビームスパッタ装置。 8、前記ターゲット取付具を自転軸回りに所定角度範囲
内で揺動させて試料表面にスパッタ処理を均一に行なう
ようにする請求項7記載のイオンビームスパッタ装置の
使用方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11274288A JPH01283370A (ja) | 1988-05-10 | 1988-05-10 | ターゲットホルダ、イオンビームスパッタ装置およびその使用方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11274288A JPH01283370A (ja) | 1988-05-10 | 1988-05-10 | ターゲットホルダ、イオンビームスパッタ装置およびその使用方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01283370A true JPH01283370A (ja) | 1989-11-14 |
Family
ID=14594414
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11274288A Pending JPH01283370A (ja) | 1988-05-10 | 1988-05-10 | ターゲットホルダ、イオンビームスパッタ装置およびその使用方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01283370A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04308083A (ja) * | 1991-04-06 | 1992-10-30 | Japan Steel Works Ltd:The | 薄膜の作成方法 |
US6224718B1 (en) * | 1999-07-14 | 2001-05-01 | Veeco Instruments, Inc. | Target assembly for ion beam sputter deposition with multiple paddles each having targets on both sides |
CN102400105A (zh) * | 2010-09-10 | 2012-04-04 | 佳能安内华股份有限公司 | 旋转接头以及溅射装置 |
US20130014700A1 (en) * | 2011-07-11 | 2013-01-17 | Hariharakeshava Sarpangala Hegde | Target shield designs in multi-target deposition system. |
JP2014506629A (ja) * | 2011-02-08 | 2014-03-17 | セントレ・ナショナル・デ・ラ・レシェルシェ・サイエンティフィーク | イオンビームスパッタリングのための装置及び方法 |
-
1988
- 1988-05-10 JP JP11274288A patent/JPH01283370A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04308083A (ja) * | 1991-04-06 | 1992-10-30 | Japan Steel Works Ltd:The | 薄膜の作成方法 |
US6224718B1 (en) * | 1999-07-14 | 2001-05-01 | Veeco Instruments, Inc. | Target assembly for ion beam sputter deposition with multiple paddles each having targets on both sides |
CN102400105A (zh) * | 2010-09-10 | 2012-04-04 | 佳能安内华股份有限公司 | 旋转接头以及溅射装置 |
JP2014506629A (ja) * | 2011-02-08 | 2014-03-17 | セントレ・ナショナル・デ・ラ・レシェルシェ・サイエンティフィーク | イオンビームスパッタリングのための装置及び方法 |
US20130014700A1 (en) * | 2011-07-11 | 2013-01-17 | Hariharakeshava Sarpangala Hegde | Target shield designs in multi-target deposition system. |
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