JPH0382068A - 半導体リードフレーム - Google Patents
半導体リードフレームInfo
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- JPH0382068A JPH0382068A JP21962389A JP21962389A JPH0382068A JP H0382068 A JPH0382068 A JP H0382068A JP 21962389 A JP21962389 A JP 21962389A JP 21962389 A JP21962389 A JP 21962389A JP H0382068 A JPH0382068 A JP H0382068A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/4809—Loop shape
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置の組立工程に使用するフレームに
関するものである。
関するものである。
第4図および第5図は従来の方法にて組立てる半導体装
置を示す。
置を示す。
半導体フレームのダイパッド@ Illに搭載した半導
体チップは)上の電極より外部インナーリード(31間
を金属細41!+41にて接合するワイヤボンディング
を実施しボンディング工程を完了する。
体チップは)上の電極より外部インナーリード(31間
を金属細41!+41にて接合するワイヤボンディング
を実施しボンディング工程を完了する。
半導体チップ(!i上の電極よりインナーリード;31
間を金属細線を接合させるためにワイヤボンディング装
置にボンディング位置を半導体チップ電極→インナーリ
ードをN回Cピン数による)繰り返しボンディング点を
ティーチングする必要がある。
間を金属細線を接合させるためにワイヤボンディング装
置にボンディング位置を半導体チップ電極→インナーリ
ードをN回Cピン数による)繰り返しボンディング点を
ティーチングする必要がある。
また、リードgm検出のターゲットがなく、ティーチン
グに時間t−aす。
グに時間t−aす。
従来の半導体装置は以上のように構成されていたので、
40ピン以上の半導体装置になるとボンディング点のテ
ィーチングが増加する。
40ピン以上の半導体装置になるとボンディング点のテ
ィーチングが増加する。
その場合インナーリードはほぼ同一形状の為ボンディン
グ点の誤ティーチング等による再ティーチングの時間の
ロス、及びボンディング点ズレによる金属細線の切断的
がり等の問題が発生していた。
グ点の誤ティーチング等による再ティーチングの時間の
ロス、及びボンディング点ズレによる金属細線の切断的
がり等の問題が発生していた。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので一定間隔にインナーリード先端部を持A形状を
設けることにようボンディング点の誤ティーチングを防
ぎ時間短縮、金属細線の切断0曲がり等発生しない信頼
性の高い半導体装置を得ることを目的とする。
たもので一定間隔にインナーリード先端部を持A形状を
設けることにようボンディング点の誤ティーチングを防
ぎ時間短縮、金属細線の切断0曲がり等発生しない信頼
性の高い半導体装置を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体装置は、フレームの一部のインナ
ーリード先端部を特異形状にかえたものである。
ーリード先端部を特異形状にかえたものである。
筐た。リード認識のターゲットとなるインナーリードを
◆箇所(各コーナー)に設けた。
◆箇所(各コーナー)に設けた。
この発明にかける半導体装置はインナーリード先端部t
−持異形状したためツイヤボンディング工程でのボンデ
ィング点の誤ティーチングはなくなう再ティーチングあ
るいはボンディング点ズレ等の問題は発生しなくなる 各コーナ一番箇所にターゲットになるインナーリードを
設けたためリード認識が容易になりティーチング時間短
縮も計れる。
−持異形状したためツイヤボンディング工程でのボンデ
ィング点の誤ティーチングはなくなう再ティーチングあ
るいはボンディング点ズレ等の問題は発生しなくなる 各コーナ一番箇所にターゲットになるインナーリードを
設けたためリード認識が容易になりティーチング時間短
縮も計れる。
この発明の一実施Plt−図について説明する。
第1図は仁の発明の一実施例による半導体装置の平面図
、第8図#−1第1図の側面図、第8図はIx1図の部
分拡大斜視図である。
、第8図#−1第1図の側面図、第8図はIx1図の部
分拡大斜視図である。
図において、田はダイパッド部、1引は半導体チップ、
131はインナーリード、141は金属細線、+61は
電極、(61バターゲツトリードを示す。
131はインナーリード、141は金属細線、+61は
電極、(61バターゲツトリードを示す。
次に動作について説明する。
一定間隔にインナーリード先端部(第1図の1ピン、1
1ピン、j11ピン、31ピン、41ピン、51ピン)
1に特異形状にする。
1ピン、j11ピン、31ピン、41ピン、51ピン)
1に特異形状にする。
ピン数が増加しても、一定間隔でインナーリード先端部
を特異形状にしているためボンディング点の誤ティーチ
ングは発生しない。
を特異形状にしているためボンディング点の誤ティーチ
ングは発生しない。
筐た各コーナー411r所にターゲットになるインナー
リード161t−設けることによりリード認識が容品に
なり時間短縮にもなる。
リード161t−設けることによりリード認識が容品に
なり時間短縮にもなる。
以上のように、この発明によればインナーリード先端部
一部に特異形状を設けたことによう誤ティーチングの発
生はなくなり、信頼性の高い半導体装置t−得ることが
できるとともに短時間でティーチングができめ。
一部に特異形状を設けたことによう誤ティーチングの発
生はなくなり、信頼性の高い半導体装置t−得ることが
できるとともに短時間でティーチングができめ。
第1図はこの発明の一実施例による半導体装置の平面図
、第3図は第1図の側面図、第3図は第1図の一部拡大
斜視図、第4図は従来の半導体装置の平面図、IXs図
は第4図の側面図である。 1−−−フレームダイパッド部、1−−−半導体チップ
、3−m−インナーリード、◆−−−金属細線、5−−
−電極、a−−−g織ターゲット用インナーリード。 なか1図中、同一符号は一部、または相当部分金層す。
、第3図は第1図の側面図、第3図は第1図の一部拡大
斜視図、第4図は従来の半導体装置の平面図、IXs図
は第4図の側面図である。 1−−−フレームダイパッド部、1−−−半導体チップ
、3−m−インナーリード、◆−−−金属細線、5−−
−電極、a−−−g織ターゲット用インナーリード。 なか1図中、同一符号は一部、または相当部分金層す。
Claims (1)
- 40ピン以上の半導体装置において、インナーリード先
端形状が一定間隔の本数毎に他のインナーリード形状と
異なることを特徴とした半導体リードフレーム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21962389A JPH0382068A (ja) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | 半導体リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21962389A JPH0382068A (ja) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | 半導体リードフレーム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0382068A true JPH0382068A (ja) | 1991-04-08 |
Family
ID=16738430
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21962389A Pending JPH0382068A (ja) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | 半導体リードフレーム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0382068A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5844779A (en) * | 1995-04-27 | 1998-12-01 | Lg Semicon Co., Ltd. | Semiconductor package, and semiconductor device using the same |
-
1989
- 1989-08-24 JP JP21962389A patent/JPH0382068A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5844779A (en) * | 1995-04-27 | 1998-12-01 | Lg Semicon Co., Ltd. | Semiconductor package, and semiconductor device using the same |
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