JPH0377333A - パッケージ成形装置 - Google Patents

パッケージ成形装置

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JPH0377333A
JPH0377333A JP21296389A JP21296389A JPH0377333A JP H0377333 A JPH0377333 A JP H0377333A JP 21296389 A JP21296389 A JP 21296389A JP 21296389 A JP21296389 A JP 21296389A JP H0377333 A JPH0377333 A JP H0377333A
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JP
Japan
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mold
package
sub
molding
metal
Prior art date
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Pending
Application number
JP21296389A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroyuki Kitasako
北迫 弘幸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyushu Fujitsu Electronics Ltd
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Kyushu Fujitsu Electronics Ltd
Fujitsu Ltd
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Publication date
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  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は半導体装置のパッケージ成形Vll12に関す
る。
近年、半導体装置の信頼性の向上のため、バッケージを
形成する合成樹脂として接着力の強いものが使用されて
きている。
しかし、この種の合成樹脂を使用すると、成形後、パッ
ケージを金型から離型させにくくなる。
そこで、パッケージ成形装置としては、wi型がし易い
構成とすることが望ましい。
〔従来の技術〕
第8図は従来の1例のパッケージ成形装@1を示す。
2は上金型、3は下金型である。
4〜7はエジェクタピンである。
8.9はエジェクタピン突き出し機構であり、夫々エジ
ェクタビン4,5及び6.7を突き出す。
10は、下金型3を昇降させる機構である。
同図(A>はキャビティ11内に合成樹脂が注入されて
半導体チップ12を封止してパッケージ13が成形され
た状態を丞す。
成形後、まず、同図(B)に示すように、機構10によ
り、下金型3が下降される。パッケージ13は、機構8
により突き出されたエジェクタピン4.5により上金型
2よりIll型されて、下金型3と共に下降する。
その後、同図(C)に示すように、機構9によりエジェ
クタピン6.7が突ぎ出され、パッケージ13がエジェ
クタピン6.7により突き上げられて下金型3より離型
される。
〔発明が解決しようとする課題〕
同図(B)に示す状態において、パッケージ13は、符
号14で示す部分、即ち下面全体が下金型3の型彫部1
7の表面に接着している。従って、パッケージ13の型
彫部17への接着力は強力である。
このため、エジェクタピン6.7の突き上げ力は相当に
強くする必要がある。
このように、強く接着しているところを強く突き上げる
ため、パッケージ13は強い応力が作用して二点鎖線で
誇張して示すように反ってしまったり、また半導体チッ
プ12にクラックが生じて、不良品となってしまうこと
があった。
本発明は離型時にパッケージに生じる応力の軽減を可能
としたパッケージ成形装置を提供することを目的とする
して後退させる。
エジェクタピン突き出しv4構9は、副金型部24が後
退された後に、エジェクタピン6.7を突き出す。
〔課題を解決するための手段〕
第1図は本発明のパッケージ成形装置20を示す同図中
、第8図に示す構成部分と対応する部分には同一符号を
付す。
21は下金型であり、型彫部22を有する金型本体23
と、副金型部24とよりなる。
副金型部24は、略円柱形状を有し、金型本体23の中
央に形成されている開口25内に嵌合してあり、矢印へ
方向に移動可能である。
成形時には、副金型部24は、第1図に示す位置にあり
、その上面24aは、ギャビテイ11に露出して型彫部
22の一部を形成している。
26は後退手段であり、成形後であってエジェクタピン
6.7が突き出される竹に、副金型部24を矢印へ方向
に移動させて金型本体23に対(作31 ) 第1図に示す状態で、キャビティ11内に合成樹脂が注
入されて半導体チップ12を封止してパッケージ13が
成形される。
成形後、第2図(A)に示すように、機構10により、
下金型21が下降される。パッケージ13は、機構8に
より突き出されたエジェクタピン4.5により上金型2
より離型されて、下金型21と共に下降する。
この後、最初に後退手段26が動作し、同図<8)に示
すように、副金型部24が矢印へ方向に移動される。
この移動により、副金型部24の上面24aが苧彫部2
2に対して凹み、パッケージ13の下面より強ア目的に
剥離されて引き離される。
この引き離し時に、パッケージ13には、靜I金型24
が対向する部分である中火部分に、矢印へ方向、即ら型
彫部22内に引き込む方向の強い力が0用する。
しかし、パッケージ13の上記の部分以外の部分が全体
に母って早彫部22により受は正められているため、パ
ッケージ13(二反り変形は起きない。
次いで、[i1図(C)に示すように、機構9により上
ジ■クタビン6,7が突き出され、パッケージ13がエ
ジェクタビン6.7により突き上げられてト金型21よ
り離型される。
このとぎ、パッケージ13が不金型21に接触している
部分は、副金型部24の部分は除かれ金型全体23の部
分、即ら、n027で示寸部分となる。
この部分27の面積は、従来の場合の部分14の面積よ
りも、副金型部24の上面24aの面積の分狭くなり、
離型のための【ジIクタピン6゜7の突き上げツノはそ
の分従来の場合より弱くて足りる。
このため、離型時にパッケージ13に作用する応力が従
来に比べて緩和され、半導体装置27の品質が向上し、
パッケージ13の反り、半導体デーツブ12のクラック
客の不良も起きない。
〔実施例〕
第3図は本発明の一実施例になるパック−−ジ酸形装置
30を示す。
31は上金型であり、固定t−ルドベース32に固定し
である。
33は下金型であり、可動モールドベース34に固定し
である。
下金型33は金型本体35と、この中央にあって金型本
体35に対して上下に移動可能な副金型136とよりな
る。、副金型部36は、上部にあって金型の一部を構成
する例えば円板形状の副金型本体36aと、これより下
方に延在する柱部36aと、この下端の7リンク部36
cとよりなる。
第3図U成形時の状態を示し、可動モールドベース34
は、昇降機構37により上品された位6゜にある。
J−金型31と下金型33とは当接しており、キトどテ
ィ38が形成しである。
プレート39は、そのビン40を可動モールドベース3
4上のビン41により押されて、ばね42に抗して押し
上げられており、Jジ1クタビン43.44は上金型3
1内に没入している。
エジェクタプレート46はばね47により可動モールド
ベース34上に押し付けられており、■ジLクタビン4
8.49はト金型33(金型本体35)内に没入してい
る。
副金型部36は強力な引張りばね5oにより矢印(31
73向に付勢され、可動モールドベース34土のストッ
パ51により下端のフラノンPJ 36 cを係正され
て付置規υ1されており、副金型本体36aが金型本体
35の型彫部52の表面と同−而に(り置している。
上記の引張りばね50が第1図の後退手段26を構成す
る。
55は第1のリンクであり、その略中央部を、可動モー
ルドベース34上のビン56に支持されて矢印C1,、
C2方向に回動切部に支持されている。第1のリンク5
5は、上端に検出部57をイjし、ばね5Bにより矢印
C+力方向回動付勢されている。
59は第2のリンクであり、第1のリンク55の下端に
連結してあり、その先端に上記のストッパ51が設けで
ある。
第3図の状態では、検出部57が上金型31の側面31
aに当接しており、第1のリンク55は略垂直の@初位
置にあり、ストッパ51はフランジ部36eの下側に位
置している。
31bは側面31aの凹部である。
60は突き出しロッドであり、第1のリンク55の下端
側に対向して、可動モールドベース34に水平方向であ
る矢印D+ 、C2方向に移動可能に設けである。この
突き出しロッド60は、第3図の状態では、第1のリン
ク55の矢印C+方向の回動を許容すべく矢印D2方向
に後退しており、検出スイッチ61が可動モールドベー
ス34が下降したことを検出したときに作動する突き出
し機構62により矢印D1プノ向に突き出される。
基台63上にブロック64が固定してあり、ここに、突
き上げビン65,66.67が植設しである。ビン65
.66はプレート68に対向して、ビン67はフランジ
部36cに対向しており、可動モールドベース34が最
終位置に下降したときに、プレート68及びフランジ部
36cを相対的に突き上げる。
ビン65.66の高さhlは、エジェクタビン48.4
9を型彫部52内に突き上げるだけの寸法に定めである
。ビン67の高さhlは、フランジ部36cの下側にス
トッパ51が入り込むだけの隙間を形威しつる寸法に定
めてあり、ビン65゜66の高さhlより低い。
突き上げビン65.66及びプレート68等が第1図中
のニジIクタビン突き出し機構9を構成する。
次に上記構成の装置30の動作について説明する。
成形は第1図の状態で行われ、パッケージ70が成形さ
れる。
この後、機構37により可動モールドベース34が下降
する。
下降を開始すると、ばね42によりプレート3つを介し
てエジェクタビン43.44が下動して突き出し、パッ
ケージ70が上金型31より離型される。
また、検出部57が上金型31の側面31aより外れ、
第1のリンク55がばね58により矢印CI方向に回動
し、ストッパビン51がフランジ部36Cの下面より外
れる。これにより、a1金型部36がばね50により引
っ張られて矢印B1方向に移動して後退し、副金型本体
36aがパッケージ70より引き離される。
パッケージ70のうち副金型本体36aに対向する部分
以外は全体に亘って金型本体35に接触して受は止めら
れており、上記の引き離し時に、パッケージ70に反り
は1じない。
また、副金型本体36aがパッケージ7oより引き離さ
れており、パッケージ70と下金型33との接触面積が
副金型本体36aの9減る。
可動モールドベース34が第5図に示す最終位置まで下
降されると、ビン65.66がプレート68を相対的に
突ぎ士げ、プレート68がプレート46を突き上げ、エ
ジェクタビン43.44が突き出し、パッケージ70は
その両端近傍を突き上げられて下金型33の金型本体3
5より離型され、取り除かれる。
このとき、パッケージ70の下金型33への接触面積は
減っており、接着性の強い合成樹脂により成形されてい
る場合にも、パッケージ70の離型は、パッケージ70
にこれを反らせたり、半導体チップにクラックを生じさ
せたりする程に強い応力を作用させずに行われる。
また、別のビン67が副金型部36を相対的に突き上げ
る。副金型部36は副金型本体36aの上面がグ1彫部
52の表面と同一高さとされる状態まで押し上げられる
。突き出しロンドロoの突き出しによって また、突き出し84m62により突き出しロッド60が
矢印D1方向に突き出され、ストッパ51がフランジ部
36cの下側に入り込んでこれを係止する。
パッケージ70が取り除かれると、可動モールドベース
34が上昇し、第3図に示すように金型31.33が組
み合わされ、次の成形が行われる。。
第6図は本発明の第2実施例を示す。
中央の突き上げビン8oを他のビン65.66と同じ高
さhlとしである。
このようにすると、同図に示すように、副金型部36も
、エジェクタビン48.49と同様に突き上げられる。
これにより、最初にaI全金型36が後退してパッケー
ジ70より離れ、その後、エジェクタビン48.49と
副金型部36とがパッケージ7oを突き上げてパッケー
ジ70を離型させる。
これによれば、バック゛−シフ0は、中央部分の型への
接着力が零とされた状態で、両端側に加えて中央部の計
三個所でより平均的に突き上げられることになり、パッ
ケージ70に作用する応力は十記実施例の場合に比べて
史に減する。
また、L記第3図乃至第5図に示す実施例において、1
ジ丁クタビン4.8.49と副金型部36εの配釘を入
れ換えた構成、即ち、副金型部を型彫部の両端近傍の(
37置、1ジエクタビンを中央の位置に配設した構成と
してもよい。
史には、第7図に尽すように、エジェクタビン48.4
.9は削除し、副金型部36だけを設(J、1別金彎1
部36がパッケージ70より引き離され、ぞ゛の後、そ
の副金型部36がパッケージ70を突きJげて離型させ
る構成としてもよい。
副金型部を1“金型に設けてもよい。
副金型部を、パッケージが最後に離型する側の金型に適
用して効果が太きい。
〔発明の効果) 以上説明した様に、本発明によれば、パッケージを型彫
部まり突き出す段r@C″は、パッケージの金型へ接着
面梢が副金型部の分だけ少なくなっており、離型時にパ
ッケージに作用する応力を試用することが出来、パッケ
ージの反り、半導性デツプのクラック等の不良を無くす
ることが出来、パッケージの品質を向上させることが出
来る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のパッケージ成形装置の原理図、第2図
G、を本発明のパッケージ成形装置の竹田を説明する図
、 第3図は本発明のパッケージ成形装置の一実施例を示す
図、 第4図はモールドベースの下降途中の状態を后す図、 第5図はモールドベースの下降終了時の状態を示す図、 第6図は本発明のパッケージ成形装置の第2実膿例を示
す図、 第7図は本発明のパッケージ成形装置の第3実膿例を示
す図、 第8図は従来のパッケージ成形装置の1例を示す図であ
る。 図において、 10.37は昇降機構、 12は半導体チップ、 13.70はパッケージ、 20はパッケージ成形装買、 21.33は下金型、 22.52は型彫部、 23.35は金型本体、 24.36はa1重要部、 26u後退手段、 34は再訪モールドベース、 3.63は副金型本体、 36bは柱部、 36cGi7ランジ部、 50は引張りばね、 51はストッパ、 65.66.67.80は突き上げピンを示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 金型を使用して、半導体チップ(12)を合成樹脂によ
    り封止したパッケージ(13)を成形する装置において
    、 上記金型(33)を、型彫部(52)を有する金型本体
    (35)と、該金型本体に対して移動可能であり、成形
    時には上記型彫部の一部を形成する副金型部(36)と
    よりなる構成とし、 且つ、成形後、成形されたパッケージを上記型彫部より
    突き出す前に、上記パッケージより引き離すべく上記副
    金型部を上記金型本体より後退させる手段を有してなる
    構成としたことを特徴とするパッケージ成形装置。
JP21296389A 1989-08-21 1989-08-21 パッケージ成形装置 Pending JPH0377333A (ja)

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JP21296389A JPH0377333A (ja) 1989-08-21 1989-08-21 パッケージ成形装置

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JP21296389A JPH0377333A (ja) 1989-08-21 1989-08-21 パッケージ成形装置

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JPH0377333A true JPH0377333A (ja) 1991-04-02

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ID=16631195

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5725819A (en) * 1994-07-21 1998-03-10 Hitachi Maxell, Ltd. Injection molding method for board for IC card
KR100456082B1 (ko) * 1997-05-08 2005-06-20 삼성전자주식회사 반도체패키지의제조방법
KR100537716B1 (ko) * 1998-12-18 2006-05-25 삼성전자주식회사 리드 프레임 및 그를 이용한 반도체 패키지
CN102328444A (zh) * 2011-07-18 2012-01-25 国电联合动力技术(连云港)有限公司 一种风机叶片模具的修补工艺

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