JPH0371704A - ハイブリッドicの実装ケース - Google Patents

ハイブリッドicの実装ケース

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JPH0371704A
JPH0371704A JP20827089A JP20827089A JPH0371704A JP H0371704 A JPH0371704 A JP H0371704A JP 20827089 A JP20827089 A JP 20827089A JP 20827089 A JP20827089 A JP 20827089A JP H0371704 A JPH0371704 A JP H0371704A
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JP
Japan
Prior art keywords
waveguide
hic
high frequency
frequency signal
case body
Prior art date
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Pending
Application number
JP20827089A
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English (en)
Inventor
Fumio Kawasaki
川崎 富美雄
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は高周波帯で使用されるハイブリッドIC(以下
HICと称する)を実装するためのケースに関し、特に
高周波信号入出力特性を改善した実装ケースに関する。
〔従来の技術〕
従来、この種の実装ケースの一例を第5図に示す。この
実装ケースは、金属製ベースプレート21とキャップ2
2と同軸型フィードスルー23を有している。フィード
スルー23は、前記ベースプレート21に穴をあけて中
心導体24を通し、ガラス等の誘電体物質を充填するこ
とにより中心導体を支持した構造をしている。
HIC用誘電体基板25やその他電気部品はベースプレ
ート21上にろう付けされHICが形成される。高周波
信号は前記誘電体基板25上の導体膜26から導電性ワ
イヤ又はリボン27を経由してフィードスルーの中心導
体24を伝って外部回路に伝達される。
更に、この実装ケースでは、アース板28に貫通穴をあ
け、ケースのフィードスルー23の中心導体24をこの
貫通穴に通し導電性リボン又はワイヤ29によりマイク
ロストリップ線路30に接続している。
また、従来の他の実装ケースを第6図に示す。
この実装ケースは、角形容器状をした金属製のケース本
体31とキャップ32を有し、かつケース本体31の側
面に中心導体34を有する同軸型フィードスルー33を
設けている。高周波信号はケース本体31の底面にろう
付けされた誘電体基板35上の導体膜36から導電性ワ
イヤ又はリボン37を経由してフィードスルー33の中
心導体34を伝って外部回路に伝達される。
この実装ケースでは、アース板38の上にケースとマイ
クロストリップ線路用誘電体基板39をできるだけ近づ
けて固定し、フィードスルーの中心導体34の先端をマ
イクロストリップ線路用導体膜40にろう付けしている
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来のHI Cの実装ケースは、いずれも高周
波信号の外部回路との接続部はHICケースの外壁面上
でかつ同軸型フィードスルーの外壁面」二の出口となっ
ている。この接続部にはケースと外部回路の位置合わせ
誤差等による不確定な伝送線路形状不連続が入り込みや
すい。そして、同軸型フィードスルーの外導体の内径、
即ちベースやケース本体にあけたフィードスルー用貫通
穴の直径や中心導体の太さは通常小さく作られるため、
フィードスル一部は電界、磁界が集中しており、この近
傍に上述した不確定な伝送線路形状不連続が存在すると
、高周波電磁界が不確定に乱れて高周波信号が反射、減
衰し人出力特性が劣化するという問題が生じる。
例えば、第5図に示した構成では、高周波信号の外部回
路との接続面はHICケースのベースプレート21の裏
面となる。この場合、ベースプレート21の裏面とアー
ス板28との間の微小な隙間や、フィードスルー23の
中心導体24の位置とアース板28にあけた貫通穴の中
心との位置ズレ等の不確定な伝送線路形状不連続が高周
波信号の反射・減衰を引き起こすことになる。
また、第6図に示した構成では、高周波信号の外部回路
との接続面は、ケース本体31の側壁外面となる。そし
て、中心導体34とマイクロストリップ線路40の高さ
を合わせる為に、アース板38に段差を形成している。
しかしながら、ケース本体31の側壁外面とアース板3
8の段差部に生じる微小な隙間や、フィードスルーの中
心導体34とマイクロストリップ線路40との接続部の
位置のバラツキ等により不確定な伝送線路形状不連続が
存在し、高周波信号の反射、減衰が発生することになる
本発明の目的は、接続部における高周波信号の反射、減
衰を抑制したHICの実装ケースを提供することにある
〔課題を解決するための手段〕
本発明のHI Cの実装ケースは、HICの収納部を有
する上端開放型の金属性ケース本体と、このケース本体
を覆うように接合されてHICを気密封止するキャップ
を備えており、ケース本体及びキャップは両端部にそれ
ぞれ短絡面を有する導波部を構成し、かつケース本体は
HIC収納部と導波部との隔壁を貫通してその中心導体
が前記導波部内に突出された同軸形フィードスルーを有
している。
そして、収納したHICをこの同軸形フィードスルーに
電気接続し、かつ導波部に設けたフランジ面を接続面と
して外部回路に接続を行なっている。
〔作用〕
この構成では、ケース本体と一体に設けた導波部を外部
回路に接続し、かつHICの収納部と導波部とをフィー
ドスルーを介して接続しているので、導波部と外部回路
との接続面に微小な隙間や位置が生じても、これらが原
因とされる電磁界の乱れは少ないため、高周波信号の反
射、減衰を抑制する。
〔実施例〕
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第1図は本発明の第1実施例の分解斜視図である。図に
おいて、1はケース本体、2はキャップであり、これら
ケース本体1とキャップ2は接合面10同士を溶接、ろ
う付は等により接着し、実装ケースが形成される。
前記ケース本体1は、中央に角形容器状に形成した)I
IC収納部3を有し、その両側に一側面を除去した角形
容器状の導波部4を有している。この導波部4にはフラ
ンジ9を一体に形成している。
また、キャップ2は前記HIC収納部3を覆う板状に形
成され、その両側には、前記導波部4と略対称形をした
導波部7を有している。この導波部7にはフランジ8を
一体に有している。
高周波信号入出力用フィードスルー6は、前記HIC収
納部3と導波部4との隔壁にあけられた貫通穴に中心導
体5を通し、これを誘電体で支持した構造をしている。
中心導体5は前記導波部4の内部に突き出ている。
HIC収納部3には、図示を省略するプリント基板、電
気部品等が実装されてHIC回路が形成され、更にプリ
ント基板上の導体膜は導体リボンやワイヤ等により前記
中心導体5に電気接続される。そして、キャップ2とケ
ース本体1が接着されることにより密封される。これと
同時に、導波部4は導波部7と共に短絡面を有する導波
管を形成する。
この構成によれば、高周波電磁波信号はHIC収納部3
のプリント基板上の導体膜から導体リボン、ワイヤ等を
経由してフィードスルー6の中心導体5を伝わり、導波
部4内に突出された中心導体5がアンテナとなって導波
部4に伝播される。
したがって、この実装ケースの場合、高周波信号の外部
回路との接続面はフランジ8,9における接続面となる
。このため、導波管壁面においてフランジ8.9の接続
面と外部回路との接続面との間に微小な隙間や位置ずれ
が生じても、これら不確定要素に起因する導波管主要伝
達モード(例えばTEIOモード)の電磁界の乱れは少
ないため、高周波信号の反射、減衰等を抑制することが
できる。
なお、この実施例においては、第2図に示すようにキャ
ップ2及びこれと一体の導波部7′をそれぞれ平板で構
成してもよい。
第3図は本発明の第2実施例の分解斜視図である。なお
、第1図と等化な部分には同一符号を付しである。
この実装ケースは、ケース本体1のHIC収納部3と高
周波信号入出力用フィードスルー6の構成は前記第1の
実施例と同じである。
ケース本体1の導波部4Aは上面と下面が外部空間に解
放した直方枠状に形成され、外部導波管との接続用フラ
ンジ9が導波部4Aの下部に設けられている。また、こ
れに対応するキャップ2と一体の導波部7Aは、前記導
波部4Aの上面を閉塞する構成となっている。したがっ
て、キャップ2とケース本体1が接着されると前記導波
部4A。
7Aは片側、即ち導波部7Aの上側内面を短絡面とした
導波管を形成することになる。
高周波(電磁波)信号はHICからフィードスルー6を
伝播して、導波部に突き出たフィードスルーの中心導体
5がアンテナとなり、導波管に放射され伝播される。
なお、この構成においてもフランジ9の接続面が高周波
信号の外部回路との接続面となり、第1実施例と同様に
高周波信号の反射、1112衰を抑制する効果が得られ
る。
また、この第2実施例においても、第4図に示すように
、キャップ2と一体の導波部7A’を平板で構成しても
よい。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、ケース本体に導波部を一
体に設け、HICの収納部と導波部とをフィードスルー
を介して接続し、かつ導波部を外部回路に接続している
ので、導波部と外部回路との接続面に微小な隙間や位置
が生じても、これらが原因とされる電磁界の乱れは少な
いため、高周波信号の反射、減衰を小さくすることがで
きる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1出力の分解斜視図、第2図はその
変形例の分解斜視図、第3図は本発明の第2実施例の分
解斜視図、第4図はその変形例の分解斜視図、第5図及
び第6図はそれぞれ異なる従来の一部破断正面図である
。 ■・・・ケース本体、2・・・キャップ、3・・・HI
C収納部、4,4A・・・導波部、5・・・中心導体、
6・・・フィードスルー、7.7’、7A、7A’・・
・導波部、8.9・・・フランジ、10・・・接着面、
21・・・ベースプレート、22・・・キャップ、23
・・・フィードスルー 24・・・中心導体、25・・
・HIC用誘電体基板、26・・・導体膜、27・・・
導電性ワイヤ等、28・・・アース板、29・・・導電
性リボン等、30・・・マイクロストリップ線路、31
・・・ケース本体、32・・・キャップ、33・・・フ
ィードスルー、34・・・中心導体、35・・・誘電体
基板、36・・・導体膜、37・・・導電性ワイヤ等、
38・・・アース板、39・・・マイクロストリップ線
路用誘電体基板、40・・・マイクロストリップ線路用
導体膜。 第2 図 第3 8つランン 第4 図 第5 図 第6 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1. ハイブリッドICの収納部を有する上端開放型の
    金属性ケース本体と、このケース本体を覆うように接合
    されて前記ハイブリッドICを気密封止するキャップを
    備え、前記ケース本体及びキャップは両端部にそれぞれ
    短絡面を有する導波部を構成し、かつ前記ケース本体は
    ハイブリッドIC収納部と導波部との隔壁を貫通してそ
    の中心導体が前記導波部内に突出された同軸形フィード
    スルーを有し、収納したハイブリッドICをこの同軸形
    フィードスルーに電気接続し、かつ前記導波部に設けた
    フランジ面を接続面として外部回路に接続を行うことを
    特徴とするハイブリッドICの実装ケース。
JP20827089A 1989-08-11 1989-08-11 ハイブリッドicの実装ケース Pending JPH0371704A (ja)

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JP20827089A JPH0371704A (ja) 1989-08-11 1989-08-11 ハイブリッドicの実装ケース

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JP20827089A Pending JPH0371704A (ja) 1989-08-11 1989-08-11 ハイブリッドicの実装ケース

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5775454A (en) * 1980-10-29 1982-05-12 Nec Corp Complementary type mos integrated circuit device
JPS60140477A (ja) * 1983-12-28 1985-07-25 Hitachi Ltd 図形入力方式

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5775454A (en) * 1980-10-29 1982-05-12 Nec Corp Complementary type mos integrated circuit device
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