JPH0368893B2 - - Google Patents

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JPH0368893B2
JPH0368893B2 JP58156363A JP15636383A JPH0368893B2 JP H0368893 B2 JPH0368893 B2 JP H0368893B2 JP 58156363 A JP58156363 A JP 58156363A JP 15636383 A JP15636383 A JP 15636383A JP H0368893 B2 JPH0368893 B2 JP H0368893B2
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JP
Japan
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acid
formula
dicarboxylic acid
aromatic
dicarboxylic
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JP58156363A
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Yasuyuki Shimozato
Hiroharu Ikeda
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JSR Corp
Original Assignee
Japan Synthetic Rubber Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH0368893B2 publication Critical patent/JPH0368893B2/ja
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Description

【発明の詳細な説明】
本発明はホリアミツク酸溶液の製造方法に関す
る。 一般にポリイミドは優れた耐熱性を有している
ため、高温下で使用するフイルム、電線被覆、接
着剤、塗料などの原料として非常に有用である。 従来のポリイミドとしては無水ピロメリツト酸
などの芳香族テトラカルボン酸2無水物と芳香族
ジアミンとを、極性溶媒中で反応させて芳香族ポ
リアミツク酸を得、次にこの溶液を基材に塗布
し、フイルム状にした後、加熱などの方法により
脱水閉環して得られるフイルム状芳香族ポリイミ
ド化合物が知られている。しかし、従来の芳香族
ポリイミド化合物は、その前駆体である芳香族ポ
リアミツク酸の安定性が悪く、室温で放置する
と、ポリアミツク酸溶液の粘度が低下し、さらに
長期間放置すると一部が脱水閉環してポリイミド
となり、不溶化して白濁を生じるなどの欠点を有
している。このため、従来の芳香族ポリアミツク
酸の溶液は低温で保存する必要があり、その取扱
いには注意を要するという欠点があつた。 また従来これらポリアミツク酸溶液の溶媒とし
ては、N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)、
N,N−ジメチルアセトアミド(DMAC)、ジメ
チルスルホキシド(DMSO)、ヘキサメチルホス
ホルトリアミド(HMPA)などの双極子極性溶
媒が溶解力に優れているため好んで使用されてい
る。しかしながらこれらの溶媒は毒性が強く、か
つ吸湿性であるため使用が制限される場合があ
る。 本発明は、これらの技術的課題を背景にしてな
されたもので、溶液安定性が良好でかつ毒性の少
ない化合物を溶媒として採用したポリアミツク酸
溶液の製造方法を提供することを目的とする。 かくて本発明者らは、鋭意検討した結果、特定
の芳香族テトラカルボン酸2無水物とジアミンと
をセロソルブ類を主成分とする溶媒中で反応させ
ることにより均一でかつ安定性の優れたポリアミ
ツク酸溶液を得られることを見出し本発明に到達
したものである。 本発明は、下記一般式 〔ただし、式中、mは0または1、Xは−CO−、
−O−、−CH2−、−S−、−SO2−、
【式】または
【式】を示す〕 で表される芳香族テトラカルボン酸二無水物と、
一般式H2N−R−NH2〔ただし、式中、Rは
【式】
【式】
【式】
【式】 (ここで、X1〜X4は、同一でも異なつていても
よく、−H、−CH3または−OCH3、Yは−CH2
−、−C2H4−、−O−、−S−、
【式】
【式】−SO2−または−CONH −、nは0または1である)で示される芳香族基
である〕で表される芳香族ジアミンとを、一般式
CH3OCH2CH2(OCH2CH2)nOH(式中、nは0
または1である)で表されるセロソルブ類80〜
100重量%ならびにメタノールおよびセロソルブ
アセテートの群から選ばれた少なくとも1種20重
量%以下からなる溶媒中で反応させることを特徴
とするポリアミツク酸溶液の製造方法である。 本発明で使用される芳香族テトラカルボン酸2
無水物としては、前記一般式で示されるものであ
れば如何なるものでもよく、例えば、3,3′,
4,4′−ベンゾフエノンテトラカルボン酸2無水
物、3,3′,4,4′−ジフエニルスルホンテトラ
カルボン酸2無水物、3,3′,4,4′−ジフエニ
ルメタンテトラカルボン酸2無水物、3,3′,
4,4′−ジフエニルスルフイドテトラカルボン酸
2無水物、3,3′,4,4′−ピリデンジフエニル
テトラカルボン酸2無水物、3,3′,4,4′−パ
ーフルオロイソプロピリデンジフエニルテトラカ
ルボン酸2無水物などを挙げることができるが、
溶解性の点で前2社が特に良好である。また前記
芳香族テトラカルボン酸2無水物と反応させるジ
アミンは、一般式:H2N−R−NH2で示される
化合物(Rは2価の芳香族基を示す)である。前
記一般式における好ましいRとしては、例えば
【式】
【式】
【式】
【式】 (式中X1、X2、X3およびX4は同一でも異なつて
もよく、−H,−CH3または−OCH3、Yは−
CH2,−C2H4−、−O−、−S−、
【式】
【式】−SO2−または−CONH −、nは0または1を示す) で示される芳香族基が挙げられる。 前記ジアミンの具体例としては、パラフエニレ
ンジアミン、メタフエニレンジアミン、4,4′−
ジアミノジフエニルメタン、4,4′−ジアミノジ
フエニルエタン、ベンジジン、4,4′−ジアミノ
ジフエニルスルフイド、4,4′−ジアミノジフエ
ニルスルホン、4,4′−ジアミノジフエニルエー
テル、1,5−ジアミノナフタレン、3,3′−ジ
メチル−4,4′−ジアミノビフエニル、3,4′−
ジアミノベンズアニリド、3,4−ジアミノジフ
エニルエーテル、メタキシリレンジアミン、パラ
キシリレンジアミンなどを挙げることができる。
これらは単独または混合して用いることができ
る。 これらジアミンの中、特に好ましいジアミンと
しては、4,4′−ジアミノジフエニルメタン、
4,4′−ジアミノジフエニルエーテル、4,4′−
ジアミノジフエニルスルフイド、4,4′−ジアミ
ノジフエニルスルホンである。 本発明に使用される溶媒は、一般式 CH3OCH2CH2(OCH2CH2)nOH(式中、nは
0または1である)で表されるセロソルブ類80〜
100重量%ならびにメタノールおよびセロソルブ
アセテートの群から選ばれた少なくとも1種20重
量%以下からなる溶媒である。メタノールおよび
ジグライム(CH3OCH2CH2OCH2CH2OCH3)か
ら選ばれた少なくとも1種からなる溶剤を20重量
%以下程度前記溶媒に添加することにより更に得
られるポリアミツク酸の溶解性を向上させること
ができる。またセロソルブアセテートを20重量%
以下程度前記溶媒に添加することにより得られる
ポリアミツク酸の分子量を向上させることができ
る。 芳香族テトラカルボン酸2無水物とジアミンと
の反応割合は、当モルで行なうのが好ましいが、
目的とするポリアミツク酸が得られる限り、これ
らのモノマーの比率を若干変動させてもよい。例
えば高分子量のポリアミツク酸を得るためには、
芳香族テトラカルボン酸2無水物1モルに対して
ジアミン0.7〜1.3モル程度使用することが好まし
い。またモノアミンやジカルボン酸無水物を添加
してポリアミツク酸の分子量を調整することもで
きる。 ポリアミツク酸溶液を製造する際の反応温度は
0〜150℃であり、好ましくは0〜100℃である。 ポリアミツク酸溶液製造時の反応溶液における
芳香族テトラカルボン酸2無水物とジアミンとの
合計量の濃度は1〜50重量%、特に1〜30重量%
が好ましい。 このようにして得られるポリアミツク酸溶液中
のポリアミツク酸のジメチルホルムアミド
(DMF)中30℃(0.5g/dl)の固有粘度ηinhは
通常0.05dl/g以上であり好ましくは0.1dl/g
以上である。 なお、本発明のポリアミツク酸溶液のポリアミ
ツク酸をイミド化して得られるポリイミドが溶媒
に対して不溶であつてもよい場合には、ポリアミ
ツク酸溶液にポリカルボン酸とポリアミンとから
得られる塩をポリアミツク酸溶液中に固形分が析
出しない程度添加することができる。この場合の
ポリアミツク酸と塩との割合は、ポリアミツク
酸:塩=10〜90:90〜10(重量部)が好ましい。 上記ポリカルボン酸としては、ジカルボン酸、
トリカルボン酸、テトラカルボン酸などが挙げら
れる。またポリアミンとしては、ジアミン、トリ
アミン、テトラアミン、ペンタアミン、ヘキサア
ミンなどを挙げることができる。前記ジカルボン
酸としては、例えばシユウ酸、マロン酸、メチル
マロン酸、エチルマロン酸、n−プロピルマロン
酸、コハク酸、2,3−ジメチルコハク酸、グル
タール酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン
酸、アゼライン酸、セバシン酸、トデカンニ酸、
テトラデカンニ酸、アセチレンジカルボン酸、シ
トラコン酸、イタコン酸、メサコン酸、2−ブテ
ン−1,4−ジカルボン酸、ムコン酸、3−メチ
ルアジピン酸、シクロプロパン−1,1−ジカル
ボン酸、シクロプロパン−1,2−ジカルボン
酸、シクロブタン−1,1−ジカルボン酸、シク
ロブタン−1,2−ジカルボン酸、シクロブタン
−1,3−ジカルボン酸、シクロペンタン−1,
1−ジカルボン酸、シクロペンタン−1,2−ジ
カルボン酸、シクロペンタン−1,3−ジカルボ
ン酸、シクロペンタン−1,1−−ジアセチツク
アシツド、シクロペンタン−1,2−ジアセチツ
クアシツド、シクロヘキサン−1,1−ジカルボ
ン酸、シクロヘキサン−1,3−ジカルボン酸、
シクロヘキサン−1,4−ジカルボン酸、シクロ
ヘキサン−1,1−ジアセチツクアシツド、1−
シクロヘキセン−1,6−ジカルボン酸、1−シ
クロヘキセン−3,6−ジカルボン酸、1−シク
ロヘキセン−4,5−ジカルボン酸、1,3−シ
クロヘキサジエン−2,3−ジカルボン酸、シク
ロヘプタン−1,1−ジアセチツクアシツド、テ
トラヒドロナフタレン−2,3−ジカルボン酸、
パーヒドロフエニン酸、ビシクロ〔2,2,1〕
ヘプタン−2,3−ジカルボン酸、5−ビシクロ
〔2,2,1〕ヘプテン−2,3−ジカルボン酸、
ビシクロ〔2,2,2〕オクタン−2,3−ジカ
ルボン酸、5−ビシクロ〔2,2,2〕オクテン
−2,3−ジカルボン酸、ジカルボキシ−トリシ
クロ〔5,2,1,02,6〕デカン、フタール酸、
イソフタール酸、テレフタール酸、ビフエニル−
4,4′−ジカルボン酸、ビフエニル−3,4′−ジ
カルボン酸、ビフエニル−2,3′−ジカルボン
酸、ビフエニル−3,3′−ジカルボン酸、ビフエ
ニル−3,5−ジカルボン酸、ナフタレン−1,
2−ジカルボン酸、ナフタレン−1,3−ジカル
ボン酸、ナフタレン−1,4−ジカルボン酸、ナ
フタレン−1,5−ジカルボン酸、ナフタレン−
1,6−ジカルボン酸、ナフタレン−1,7−ジ
カルボン酸、ナフタレン−2,6−ジカルボン
酸、ピリジン−2,3−ジカルボン酸、ピリジン
−2,4−ジカルボン酸、ピリジン−2,5−ジ
カルボン酸、ピリジン−2,6−ジカルボン酸、
ピリジン−3,4−ジカルボン酸、ピリジン−
3,5−ジカルボン酸などが挙げられる。トリカ
ルボン酸としては、例えば1,1,2−エタント
リカルボン酸、1,1,2−プロパントリカルボ
ン酸、1,2,3−プロパントリカルボン酸、
1,1,2−ブタントリカルボン酸、2,2,3
−ブタントリカルボン酸、1,2,3−ブタント
リカルボン酸、2−メチルプロパン−1,1,2
−トリカルボン酸、1,2,3−ペンタントリカ
ルボン酸、2,4,4−ヘキサントリカルボン
酸、1,2,3−ヘキサントリカルボン酸、4−
メチルペンタン−1,2,3−トリカルボン酸、
2,4,4−ヘプタントリカルボン酸、1,1,
2−シクロプロパントリカルボン酸、1,2,3
−シクロプロパントリカルボン酸、1,1,2−
シクロブタントリカルボン酸、1,2,3−シク
ロブタントリカルボン酸、1,1,2−シクロペ
ンタントリカルボン酸、1,2,3−シクロペン
タントリカルボン酸、1,2,4−シクロペンタ
ントリカルボン酸、1,1,3−シクロペンタン
トリカルボン酸、1,1,2−シクロヘキサント
リカルボン酸、1,2,3−シクロヘキサントリ
カルボン酸、1,2,3−テトラリントリカルボ
ン酸、1,2,4−テトラリントリカルボン酸、
1,2,3−デカリントリカルボン酸、2,3,
6−デカリントリカルボン酸、2,3,8−デカ
リントリカルボン酸、ヘミメリツト酸、トリメリ
ツト酸、トリメシツク酸、1,4,3−ナフタレ
ントリカルボン酸、2,3,8−ナフタレントリ
カルボン酸、2,3,6−ナフタレントリカルボ
ン酸、1,2,3−ナフタレントリカルボン酸、
3,4,4′−ビフエニルトリカルボン酸、3,
4,3′−ビフエニルトリカルボン酸などが挙げら
れる。テトラカルボン酸としては、1,2,3,
4−ブタンテトラカルボン酸、2,2,6,6−
ヘプタンテトラカルボン酸、シクロブタンテトラ
カルボン酸、シクロペンタンテトラカルボン酸、
テトラヒドロフランテトラカルボン酸、5−(2,
5−ジオキソテトラヒドロフリル)−3−メチル
−3−シクロヘキセン−1,2−ジカルボン酸、
2,3,5−トリカルボキシシクロペンチル酢
酸、ビシクロ〔2,2,2〕−オクト−7−エン
−2,3,5,6−テトラカルボン酸、ピロメリ
ツト酸、ベンゾフエノンテトラカルボン酸、3,
3′,4,4′−ビフエニルテトラカルボン酸、2,
2′,3,3′−ビフエニルテトラカルボン酸、1,
8,4,5−ナフタレンテトラカルボン酸、2,
3,7,6−ナフタレンテトラカルボン酸、3,
4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸、2,
3,5,6−ピラジンテトラカルボン酸、2,
2,−ビス(3,4−ジカルボキシフエニル)プ
ロパン、ビス(3,4−ジカルボキシフエニル)
エーテル、ビス(3,4−ジカルボキシフエニ
ル)スルホンなどが挙げられる。 一方、ジアミンの具体例としてはパラフエニレ
ンジアミン、メタフエニレンジアミン、4,4′−
ジアミノジフエニルメタン、4,4′−ジアミノジ
フエニルエタン、4,4′−ジアミノジフエニルプ
ロパン、ベンジジン、4,4′−ジアミノジフエニ
ルスルフイド、4,4′−ジアミノジフエニルスル
ホン、4,4′−ジアミノジフエニルエーテル、
1,5−ジアミノナフタレン、3,3′−ジメチル
−4,4′−ジアミノビフエニル、3,4′−ジアミ
ノベンズアニリド、3,4′−ジアミノジフエニル
エーテル、メタキシリレンジアミン、パラキシリ
レンジアミン、2,3,−ジアミノトルエン、2,
4−ジアミノトルエン、3,4−ジアミノトルエ
ン、2,6−ジアミノトルエン、3,5−ジアミ
ノトルエン、2,5−ジアミノトルエン、2,4
−ジアミノアニソール、3,4−ジアミノアニソ
ール、2,5−ジアミノアニソール、2,3−ジ
アミノピリジン、2,5−ジアミノピリジン、
2,6−ジアミノピリジン、3,4−ジアミノピ
リジン、4,5−ジアミノピリジン、4,4′−ジ
アミノスチルベンなどの芳香族第1アミン、N−
メチル−p−フエニレンジアミン、N,N′−ジ
メチル−p−フエニレンジアミンなどの芳香族第
2アミン、エチレンジアミン、トリメチレンジア
ミン、テトラメチレンジアミン、ペンタメチレン
ジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ヘプタメチ
レンジアミン、オクタメチレンジアミン、ノナメ
チレンジアミン、4,4′−ジメチルヘプタメチレ
ンジアミン、1,4−ジアミノシクロヘキサン、
4,4′−メチレンビス(シクロヘキシルアミン)、
4,4′−イソプロピリデンビス(シクロヘキシル
アミン)、4,4′−オキシビス(シクロヘキシル
アミン)、4,4′−スルホンビス(シクロヘキシ
ルアミン)、テトラヒドロジシクロペンタジエニ
レンジアミン、トリシクロ〔6,2,1,02.7〕−
ウンデシレンジメチルジアミンなどの脂肪族また
は脂環族の第1アミン、ピペラジン、2,5−ジ
メチルピペラジンなどの脂環族第2アミンなどが
挙げられる。さらに、トリアミン、テトラアミ
ン、ペンタアミン、ヘキサアミンなどとしては、
例えば1,2,3−トリアミノベンゼン、1,
2,4−トリアミノベンゼン、1,3,5−トリ
アミノベンゼン、1,2,3,4−テトラアミノ
ベンゼン、1,2,3,5−テトラアミノベンゼ
ン、1,2,4,5−テトラアミノベンゼン、
2,3,7,8−テトラアミノフエナジン、3,
3′,4,4′−テトラアミノビフエニル、ペンタア
ミノベンゼン、ヘキサアミノベンゼンなどの芳香
族アミン、1,2,3−トリアミノシクロプロパ
ン、1,2,3−トリアミノシクロヘキサン、
1,2,4−トリアミノシクロヘキサン、1,
3,5−トリアミノシクロヘキサン、1,2,
3,4−テトラアミノシクロヘキサン、1,2,
3,5−テトラアミノシクロヘキサン、1,2,
4,5−テトラアミノシクロヘキサン、ペンタア
ミノシクロヘキサン、ヘキサアミノシクロヘキサ
ンなどの脂環族アミン、1,2,3−トリアミノ
プロパン、トリス(2−アミノエチル)アミン、
テトラ(アミノメチル)メタン、テトラキス(ジ
メチルアミノメチル)メタン、テトラキス(2−
アミノエチルアミノメチル)メタン、一般式
H2N〔(CH2o″NH(CH2n″NH〕x′Hで表わされる
ポリアルキレンポリアミン、例えばジエチレント
リアミン、トリエチレンテトラアミン、テトラエ
チレンペンタアミン、ヘプタエチレンオクタアミ
ン、ノナエチレンデカアミン、トリエチレン−ビ
ス(トリメチレン)ヘキサアミン、ビス(3−ア
ミノエチル)アミン、1,3−ビス(3′−アミノ
プロピルアミノ)プロパン、スペルミン、スペル
ミジン、asym−ホモペルミジンなどの脂肪族ア
ミンが挙げられる。 また本発明のポリアミツク酸溶液には、銀、
銅、アルミニウムなどの金属粉、ケツチエンブラ
ツク、アセチレンブラツク、フアーネスブラツク
などのカーボンブラツク、グラフアイトなどを添
加することができ、これにより導電性のポリイミ
ドを得ることができる。 以上の様に本発明によれば、特定の芳香族テト
ラカルボン酸2無水物と芳香族ジアミンとよりポ
リアミツク酸を製造するにあたり、安全性の高い
セロソルブ類を溶媒として採用することによつて
容易に反応が進行すると共に、溶液中のポリアミ
ツク酸の安定性が極めて高いという数々の工業的
効果を奏する。 また本発明のポリアミツク酸溶液のポリアミツ
ク酸をイミド化して得られるポリイミドは、耐熱
性、機械的特性、電気特性、耐薬品特性等に優
れ、しかもフイルム製造時の作業性に優れ、フイ
ルム化時の収縮が少なく、高温下で使用するフイ
ルム、接着剤、塗料などに有用であり、具体的に
はプリント配線基板、フレキシブルプリント配線
基板、半導体集積回路素子の表面保護膜、エナメ
ル電線用被覆剤、各種積層板などの電気絶縁材料
液晶配向膜などの広範囲の用途に使用することが
できる。 以下本発明を実施例により詳細に説明するが本
発明はこれらの実施例により制約されるものでは
ない。 実施例 1 20mlのフラスコ中に10mlのメチルセロソルブを
加え、3,3′,4,4′−ベンゾフエノンテトラカ
ルボン酸2無水物1.59g(0.0049モル)とジアミ
ノジフエニルメタン0.97g(0.0049モル)とを加
えて室温で20時間反応させたところ均一なポリア
ミツク酸溶液が得られた。この反応物を大量のア
セトンに注いでポリアミツク酸を回収した後、80
℃の真空乾燥器で12時間乾燥した。得られたポリ
アミツク酸のDMF中30℃でのηinhは0.51dl/g
であつた。なお、前記ポリアミツク酸溶液を1週
間室温で放置したが安定であつた。 実施例 2 3,3′,4,4′−ジフエニルスルホンテトラカ
ルボン酸2無水物1.60gを用いた他は実施例1と
同様に反応させた。得られたポリアミツク酸溶液
は均一かつ安定であり、ポリアミツク酸のηinhは
0.42dl/gであつた。 実施例 3 ジアミノジフエニルメタンの代りにジアミノジ
フエニルエーテル0.98gを用い、70℃で1.5時間
反応させた他は実施例1と同様に反応させた。得
られたポリアミツク酸溶液は均一かつ安定であ
り、ポリアミツク酸のηinhは0.41dl/gであつ
た。 比較例 1 ピロメリツト酸無水物2.27gとジアミノジフエ
ニルメタン2.07gをメチルセロソルブ20mlに加
え、実施例1と同様に反応させた。重合反応は不
均一であり、さらに長時間撹拌しても均一にはな
らなかつた。 実施例 4 溶媒としてメチルセロソルブの代りにジエチレ
ングリコールメチルエーテルを使用する以外は実
施例1と同様に反応させた。得られたポリアミツ
ク酸溶液は均一であり、1週間室温で放置したが
安定であつた。またポリアミツク酸のηinhは0.56
dl/gであつた。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 下記一般式 〔ただし、式中、mは0または1、Xは−CO−、
    −O−、−CH2−、−S−、−SO2−、 【式】または【式】を示す〕 で表される芳香族テトラカルボン酸二無水物と、 一般式H2N−R−NH2〔ただし、式中、Rは 【式】【式】 【式】 【式】 (ここで、X1〜X4は、同一でも異なつていても
    よく、−H、−CH3または−OCH3、Yは−CH2
    −、−C2H4−、−O−、−S−、 【式】【式】−SO2−または−CONH −、nは0または1である)で示される芳香族基
    である〕で表される芳香族ジアミンとを、一般式
    CH3OCH2CH2(OCH2CH2)nOH(式中、nは0
    または1である)で表されるセロソルブ類80〜
    100重量%ならびにメタノールおよびセロソルブ
    アセテートの群から選ばれた少なくとも1種20重
    量%以下からなる溶媒中で反応させることを特徴
    とするポリアミツク酸溶液の製造方法。
JP15636383A 1983-08-29 1983-08-29 ポリアミツク酸溶液の製造方法 Granted JPS6049031A (ja)

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