JPH0367218B2 - - Google Patents
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- JPH0367218B2 JPH0367218B2 JP58147749A JP14774983A JPH0367218B2 JP H0367218 B2 JPH0367218 B2 JP H0367218B2 JP 58147749 A JP58147749 A JP 58147749A JP 14774983 A JP14774983 A JP 14774983A JP H0367218 B2 JPH0367218 B2 JP H0367218B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/75—Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、触媒金属内に解離吸着した水素原子
をもつ強い還元作用により微量の水素又は含水素
化合物ガスの存在下に触媒金属に近接して併置し
た固体化合物が還元され、その光吸収が変化する
ことを利用したガスセンサに関する。
をもつ強い還元作用により微量の水素又は含水素
化合物ガスの存在下に触媒金属に近接して併置し
た固体化合物が還元され、その光吸収が変化する
ことを利用したガスセンサに関する。
従来のガスセンサは、触媒燃焼式もしくは半導
体式のものが主流であり、接触燃焼式のガスセン
サはPt，Pd等の触媒金属をヒータにより加熱し、
ガスの接触による燃焼で生ずる導電率の変化を電
気的に検出しており、また半導体式のガスセンサ
にあつてもガスの選択性、応答性、素子の特性等
の種々の理由から加熱した状態で使用され、ガス
の吸着による半導体の電気特性の変化を検出して
いる。
体式のものが主流であり、接触燃焼式のガスセン
サはPt，Pd等の触媒金属をヒータにより加熱し、
ガスの接触による燃焼で生ずる導電率の変化を電
気的に検出しており、また半導体式のガスセンサ
にあつてもガスの選択性、応答性、素子の特性等
の種々の理由から加熱した状態で使用され、ガス
の吸着による半導体の電気特性の変化を検出して
いる。
しかしながら、このような従来の接触燃焼式お
よび半導式のガスセンサは、可燃性、爆発性のガ
スを検知するにも係わらず、加熱燃焼を伴なうも
のがほとんどであり、安全性の点で問題があり、
更に検知素子を加熱しているために素子の劣化が
早いと共に特性が不安定になり易く、信頼性が充
分でないという問題があつた。
よび半導式のガスセンサは、可燃性、爆発性のガ
スを検知するにも係わらず、加熱燃焼を伴なうも
のがほとんどであり、安全性の点で問題があり、
更に検知素子を加熱しているために素子の劣化が
早いと共に特性が不安定になり易く、信頼性が充
分でないという問題があつた。
本発明は、このような従来の問題点に鑑みてな
されたもので、検知素子に加熱通電を行なわない
ことから本質的に安全であり、常温において検知
ガスの濃度に応じた検知出力を安定的に得られる
ようにした信頼性の高いガスセンサを提供するこ
とを目的とする。
されたもので、検知素子に加熱通電を行なわない
ことから本質的に安全であり、常温において検知
ガスの濃度に応じた検知出力を安定的に得られる
ようにした信頼性の高いガスセンサを提供するこ
とを目的とする。
この目的を達成するため本発明は、水素又は含
水素化合物ガスを解離吸着する触媒金属と、該金
属中に生成した水素原子により還元される固体化
合物とを近接して併置した構造とし、ガス吸着に
よる固体化合物の光吸収の変化を光学的に検出す
るようにしたものである。
水素化合物ガスを解離吸着する触媒金属と、該金
属中に生成した水素原子により還元される固体化
合物とを近接して併置した構造とし、ガス吸着に
よる固体化合物の光吸収の変化を光学的に検出す
るようにしたものである。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。
る。
第１図は本発明のガスセンサに用いる素子の一
実施例を示した構造説明図である。
実施例を示した構造説明図である。
素子１は被検知ガスとしての還元性ガス、例え
ば水素H2、アンモニアガスNH3、硫化ガスH2S、
シランガスSiH4が接触したときにこれらガス分
子の解離により水素原子を生成する触媒金属２
と、触媒金属２中で生成される水素原子の還元作
用により光吸収が変化する固体化合物半導体３と
の積層構造を備え、ここで触媒金属２としてはパ
ラジウムPdが用いられ、また固体化合物３とし
ては三酸化タングステンWO3が用いられる。
ば水素H2、アンモニアガスNH3、硫化ガスH2S、
シランガスSiH4が接触したときにこれらガス分
子の解離により水素原子を生成する触媒金属２
と、触媒金属２中で生成される水素原子の還元作
用により光吸収が変化する固体化合物半導体３と
の積層構造を備え、ここで触媒金属２としてはパ
ラジウムPdが用いられ、また固体化合物３とし
ては三酸化タングステンWO3が用いられる。
この触媒金属２と固体化合物３の積層構造でな
る素子１の製造は、透明なガラス基板の上に
WO3でなる固体化合物３を所定の厚さに蒸着し
続いて固体化合物３の上にPdでなる触媒金属２
を透明性を保つ程度に薄く蒸着することで素子１
を作り出すことができる。この第１図に示した本
発明に使用する素子は次のようにして光吸収が変
化する。
る素子１の製造は、透明なガラス基板の上に
WO3でなる固体化合物３を所定の厚さに蒸着し
続いて固体化合物３の上にPdでなる触媒金属２
を透明性を保つ程度に薄く蒸着することで素子１
を作り出すことができる。この第１図に示した本
発明に使用する素子は次のようにして光吸収が変
化する。
水素ガスが接触すると触媒金属２により水素は
解離吸着して水素原子を触媒金属２中に生成し、
この水素原子が固体化合物３の中に注入される。
触媒金属２によるプロトンH+の注入を受けた固
体化合物３は還元されて色中心密度が変化し、光
吸収が変化する。上記の実施例のように固体化合
物３としてWO3を使用したときには固体化合物
３は光吸収を増大させ、その増大の度合はガス濃
度の増加に応じて強くなる。勿論、水素ガスがな
くなれば固体化合物３に注入されたプロトンH+
が再び抜け出して固体化合物３は光吸収を減じ元
のより透明な状態に戻る。
解離吸着して水素原子を触媒金属２中に生成し、
この水素原子が固体化合物３の中に注入される。
触媒金属２によるプロトンH+の注入を受けた固
体化合物３は還元されて色中心密度が変化し、光
吸収が変化する。上記の実施例のように固体化合
物３としてWO3を使用したときには固体化合物
３は光吸収を増大させ、その増大の度合はガス濃
度の増加に応じて強くなる。勿論、水素ガスがな
くなれば固体化合物３に注入されたプロトンH+
が再び抜け出して固体化合物３は光吸収を減じ元
のより透明な状態に戻る。
このような素子１の光吸収現象は水素ガスの他
に前記したNH3、T2S、SiH4等の含水素化合物
ガスの接触に対しても同様である。また、素子１
の光吸収は常温において数百ppmの水素ガスに対
し応答を充分に示し、水素ガスの接触後の応答速
度も速いことが実験的に確認されている。更にヒ
ータにより素子１を加熱することにより更に応答
速度を速めることができる。
に前記したNH3、T2S、SiH4等の含水素化合物
ガスの接触に対しても同様である。また、素子１
の光吸収は常温において数百ppmの水素ガスに対
し応答を充分に示し、水素ガスの接触後の応答速
度も速いことが実験的に確認されている。更にヒ
ータにより素子１を加熱することにより更に応答
速度を速めることができる。
尚、第１図の実施例は触媒金属２としてパラジ
ウムPd、固体化合物３としてWO3を例にとるも
のであつたが、このほかに触媒金属２としては白
金Ptを使用することができ、また固体化合物３
としては三酸化モリブデンMoO3、二酸化チタン
TiO2、水酸化イリジウムIr（OH）ｎ、五酸化バ
ナジウムＶ 2O5を用いても固体化合物３により定
まる光波長帯域に光吸収の変化を起こす素子１を
得ることができる。
ウムPd、固体化合物３としてWO3を例にとるも
のであつたが、このほかに触媒金属２としては白
金Ptを使用することができ、また固体化合物３
としては三酸化モリブデンMoO3、二酸化チタン
TiO2、水酸化イリジウムIr（OH）ｎ、五酸化バ
ナジウムＶ 2O5を用いても固体化合物３により定
まる光波長帯域に光吸収の変化を起こす素子１を
得ることができる。
第２図は、第１図の素子１を用いた本発明のガ
スセンサの一実施例を示した説明図である。
スセンサの一実施例を示した説明図である。
まず、構成を説明すると、素子１は外気の流入
が可能なセンサ筐体４の内部に設置され、素子１
を間に介して発光ダイオードを用いた光源５と、
フオトダイオードを用いた受光素子６とを相対し
て配置し、光源５よりの光を素子１を介して受光
素子６に入射させるようにしている。光源５には
電源７が外部接続され、光源５を連続発光もしく
はパルス発光している。受光素子６は検出回路１
２に接続され、受光素子６で得られた透過光量の
変化に応じた受光出力を電気的に検出し、警報を
行なうようにしている。
が可能なセンサ筐体４の内部に設置され、素子１
を間に介して発光ダイオードを用いた光源５と、
フオトダイオードを用いた受光素子６とを相対し
て配置し、光源５よりの光を素子１を介して受光
素子６に入射させるようにしている。光源５には
電源７が外部接続され、光源５を連続発光もしく
はパルス発光している。受光素子６は検出回路１
２に接続され、受光素子６で得られた透過光量の
変化に応じた受光出力を電気的に検出し、警報を
行なうようにしている。
この第２図の実施例によるガス検出は、定常監
視状態にあつては触媒金属２と固体化合物３の積
層構造をもつ素子１は透過した光を受光素子６に
入射し、規定の受光出力が得られる。この状態で
センサ筐体４内に被検知ガスが流入すると、素子
１の触媒金属２で水素の解離により生成した水素
原子が固体化合物を還元し、固体化合物３として
酸化タングステンWO3を使用した場合には、光
吸収が増大し、ガス濃度に対応して透過光量は減
少する。このため検出回路１２における受光素子
の信号レベルが減少し、予め定めた閾値以下とな
つたときにガス警報を行なうようになる。
視状態にあつては触媒金属２と固体化合物３の積
層構造をもつ素子１は透過した光を受光素子６に
入射し、規定の受光出力が得られる。この状態で
センサ筐体４内に被検知ガスが流入すると、素子
１の触媒金属２で水素の解離により生成した水素
原子が固体化合物を還元し、固体化合物３として
酸化タングステンWO3を使用した場合には、光
吸収が増大し、ガス濃度に対応して透過光量は減
少する。このため検出回路１２における受光素子
の信号レベルが減少し、予め定めた閾値以下とな
つたときにガス警報を行なうようになる。
尚、固体化合物３としてWO3を用いた素子１
を使用する場合には、還元により光波長1.4μｍを
中心とした波長帯域で光を吸収するようになるこ
とから、素子１の光吸収による光量変化を充分に
とるため、光源５としては素子１の吸収量の大き
い近赤外領域の波長の光を送出する光源を使用す
ることが望ましい。また、第２図の実施例では光
源５よりの光を素子１を１回通過させて受光素子
６に入射しているが、素子１の光吸収による光量
変化を大きくしてガス検出感度を高めるために
は、ミラー反射により素子１に対する光の通過回
数を増加させればよい。
を使用する場合には、還元により光波長1.4μｍを
中心とした波長帯域で光を吸収するようになるこ
とから、素子１の光吸収による光量変化を充分に
とるため、光源５としては素子１の吸収量の大き
い近赤外領域の波長の光を送出する光源を使用す
ることが望ましい。また、第２図の実施例では光
源５よりの光を素子１を１回通過させて受光素子
６に入射しているが、素子１の光吸収による光量
変化を大きくしてガス検出感度を高めるために
は、ミラー反射により素子１に対する光の通過回
数を増加させればよい。
第３図は、本発明の他の実施例を示した説明図
であり、遠隔的にガス検出を行なうようにしたこ
とを特徴とする。
であり、遠隔的にガス検出を行なうようにしたこ
とを特徴とする。
即ち、光源５と受光素子６を受信機１０に設
け、警戒区域に素子１を内蔵したセンサ筐体４を
設置し、センサ筐体４に内蔵した素子１に対して
は光フアイバケーブル８によつて光源５よりのの
光を伝送すると共に、、素子１を通過した光も同
様に光フアイバケーブル８により伝送して受信機
１０の受光素子６に入射させるようにしたもので
ある。
け、警戒区域に素子１を内蔵したセンサ筐体４を
設置し、センサ筐体４に内蔵した素子１に対して
は光フアイバケーブル８によつて光源５よりのの
光を伝送すると共に、、素子１を通過した光も同
様に光フアイバケーブル８により伝送して受信機
１０の受光素子６に入射させるようにしたもので
ある。
第４図は、本発明の他の実施例を示した説明図
であり、この実施例は素子１を光フアイバケーブ
ル８を介して入射する光源５よりの光の反射体と
して設け、素子１で反射した光を同じく光フアイ
バケーブル８を介して受信機１０の受光素子６に
入射させるようにしたことをを特徴とし、素子１
に被検知ガスが接触していない状態では素子１の
光吸収は小さいことから素子１で反射して受光素
子６に入射する受光光量が多く、一方、被検知ガ
スの流入で素子１が光吸収を増加させると、受光
素子６への反射光量が減少し、この受光出力の減
少に基づいてガス濃度を検出するようになる。
であり、この実施例は素子１を光フアイバケーブ
ル８を介して入射する光源５よりの光の反射体と
して設け、素子１で反射した光を同じく光フアイ
バケーブル８を介して受信機１０の受光素子６に
入射させるようにしたことをを特徴とし、素子１
に被検知ガスが接触していない状態では素子１の
光吸収は小さいことから素子１で反射して受光素
子６に入射する受光光量が多く、一方、被検知ガ
スの流入で素子１が光吸収を増加させると、受光
素子６への反射光量が減少し、この受光出力の減
少に基づいてガス濃度を検出するようになる。
第５図は、本発明の他の実施例を示したもの
で、この実施例は光フアイバーの端面直接第１図
の素子構造を蒸着したことを特徴とする。
で、この実施例は光フアイバーの端面直接第１図
の素子構造を蒸着したことを特徴とする。
即ち、光フアイバーケーブル８の端面にWO3
等の固体化合物３とPd等の触媒金属２を蒸着し
て素子１を形成し、光源５からの照射光を光フア
イバーケーブル８を介してフアイバー端面の素子
１に与え、素子１の反射光を方向性結合器１２で
分離して受光素子６に入射させるようにしたもの
で、被検知ガスにより素子１の光吸収が増大する
と受光素子５の受光量が減少し、これによつてガ
ス濃度を検出することができる。また、光フアイ
バーケーブル８の端面に一体に素子１を蒸着して
いることから、コンパクトで遠方監視が可能とな
る素子を得ることができる。
等の固体化合物３とPd等の触媒金属２を蒸着し
て素子１を形成し、光源５からの照射光を光フア
イバーケーブル８を介してフアイバー端面の素子
１に与え、素子１の反射光を方向性結合器１２で
分離して受光素子６に入射させるようにしたもの
で、被検知ガスにより素子１の光吸収が増大する
と受光素子５の受光量が減少し、これによつてガ
ス濃度を検出することができる。また、光フアイ
バーケーブル８の端面に一体に素子１を蒸着して
いることから、コンパクトで遠方監視が可能とな
る素子を得ることができる。
第６図は本発明の他の実施例を示した説明図で
あり、この実施例は第１図に示した本発明で用い
る素子の積層構造を光フアイバーのクラツドに使
用したことを特徴とする。
あり、この実施例は第１図に示した本発明で用い
る素子の積層構造を光フアイバーのクラツドに使
用したことを特徴とする。
すなわち、中心に配置した光フアイバー９の外
周に固体化合物３を蒸着し、更に、触媒金属２を
蒸着することで光フアイバー９のクラツド層を形
成し、光フアイバー９内に光源よりの光を通過さ
せ、受光素子に入射させるようにしている。
周に固体化合物３を蒸着し、更に、触媒金属２を
蒸着することで光フアイバー９のクラツド層を形
成し、光フアイバー９内に光源よりの光を通過さ
せ、受光素子に入射させるようにしている。
この第６図のガスセンサ構造にあつては、被検
知ガスの接触がない状態では、光フアイバー９の
クラツドを形成する固体化合物３および触媒金属
２の光吸収が小さいことから、光フアイバー９内
を反射して進行する光源よりの光は効率良く伝送
され受光素子に十分な光量が到達する。一方、被
検知ガスが接触すると、触媒金属２で生成した水
素原子げが固体化合物３を還元し、固体化合物３
が例えばWO3であるときには光吸収が増大し、
クラツドの透過率が低下することで光フアイバー
９内を伝送する光量が減少し、この光フアイバー
９内を伝送される光量の減少を受光素子で検出す
るようになる。
知ガスの接触がない状態では、光フアイバー９の
クラツドを形成する固体化合物３および触媒金属
２の光吸収が小さいことから、光フアイバー９内
を反射して進行する光源よりの光は効率良く伝送
され受光素子に十分な光量が到達する。一方、被
検知ガスが接触すると、触媒金属２で生成した水
素原子げが固体化合物３を還元し、固体化合物３
が例えばWO3であるときには光吸収が増大し、
クラツドの透過率が低下することで光フアイバー
９内を伝送する光量が減少し、この光フアイバー
９内を伝送される光量の減少を受光素子で検出す
るようになる。
第７図は透過方式をとる本発明の他の実施例を
示した説明図であり、第２，３図のの実施例では
素子１における触媒金属２と固体化合物３の積層
方向に光を透過させているが、この実施例では、
光フアイバーよりの透過光を薄膜光導波路を形成
する固体化合物内を通過させるようにしたことを
特徴とする。
示した説明図であり、第２，３図のの実施例では
素子１における触媒金属２と固体化合物３の積層
方向に光を透過させているが、この実施例では、
光フアイバーよりの透過光を薄膜光導波路を形成
する固体化合物内を通過させるようにしたことを
特徴とする。
即ち、基板１６上ににWO3等の固体化合物３
とPd等の触媒金属２を蒸着して素子１を作り、
固体化合物３は基板１６および触媒金属２をクラ
ツド層とした薄膜光導波路を形成し、固体化合物
３の両端に光フアイバー８を結合して光源よりの
光を固体化合物３でなる薄膜光導波路内を伝搬さ
せるようにしたものである。
とPd等の触媒金属２を蒸着して素子１を作り、
固体化合物３は基板１６および触媒金属２をクラ
ツド層とした薄膜光導波路を形成し、固体化合物
３の両端に光フアイバー８を結合して光源よりの
光を固体化合物３でなる薄膜光導波路内を伝搬さ
せるようにしたものである。
この構造によれば、被検知ガスによる固体化合
物３の光吸収の増加でガス濃度に応じて素子１の
透過光量を減少させることができる。
物３の光吸収の増加でガス濃度に応じて素子１の
透過光量を減少させることができる。
第８図は本発明の他の実施例を示したもので、
この実施例は第７図の実施例における光フアイバ
ーによる光の伝送の代わりに発光ダイオード等の
光源５とフオトダイオード等の受光素子６を直接
素子１に設け、光源５よりの光を素子１の固体化
合物３で形成される薄膜光導波路を伝搬して受光
素子６へ入射させるようにしたものであり、素
子、光源、受光素子を一体化できる利点を有す
る。
この実施例は第７図の実施例における光フアイバ
ーによる光の伝送の代わりに発光ダイオード等の
光源５とフオトダイオード等の受光素子６を直接
素子１に設け、光源５よりの光を素子１の固体化
合物３で形成される薄膜光導波路を伝搬して受光
素子６へ入射させるようにしたものであり、素
子、光源、受光素子を一体化できる利点を有す
る。
次に、本発明の効果を説明すると、触媒金属で
吸着された水素原子により還元される固体化合物
を用いた素子における光吸収の変化を光学的に検
出するようにしたため、電気信号の供給や加熱が
不要であるために可燃性、爆発性の被検知ガスに
対し本質的に安全構造をもち、また素子自体のも
つ水素の還元作用による光吸収の変化を利用して
いることから電気的特性に左右されず、加熱も不
要であることから安定したガス検知を行なうこと
ができ、繰り返して使用することができ、耐久性
も極めて高い。更に、光フアイバーによる光伝送
を用いることによりガス爆発の誘因となる電気入
出力のない状態で遠隔的なガス検知を容易に行な
うことができ、このためガス漏れ警報設備やガス
濃度測定設備に用いるガスセンサとして極めて優
れた検出特性を実現することができる。
吸着された水素原子により還元される固体化合物
を用いた素子における光吸収の変化を光学的に検
出するようにしたため、電気信号の供給や加熱が
不要であるために可燃性、爆発性の被検知ガスに
対し本質的に安全構造をもち、また素子自体のも
つ水素の還元作用による光吸収の変化を利用して
いることから電気的特性に左右されず、加熱も不
要であることから安定したガス検知を行なうこと
ができ、繰り返して使用することができ、耐久性
も極めて高い。更に、光フアイバーによる光伝送
を用いることによりガス爆発の誘因となる電気入
出力のない状態で遠隔的なガス検知を容易に行な
うことができ、このためガス漏れ警報設備やガス
濃度測定設備に用いるガスセンサとして極めて優
れた検出特性を実現することができる。
第１図は本発明で用いる素子の基本構造を示し
た説明図、第２図は本発明の一実施例を示した説
明図、第３，４，５，６．７，８図は本発明の他
の実施例を示した説明図である。 １…素子、２…触媒金属、３…固体化合物、４
…センサ筐体、４…光源、６…受光素子、７…電
源、８…光フアイバーケーブル、９…光フアイバ
ー、１０…受信機、１２…検出回路、１４…方向
性結合器、１６…基板。
た説明図、第２図は本発明の一実施例を示した説
明図、第３，４，５，６．７，８図は本発明の他
の実施例を示した説明図である。 １…素子、２…触媒金属、３…固体化合物、４
…センサ筐体、４…光源、６…受光素子、７…電
源、８…光フアイバーケーブル、９…光フアイバ
ー、１０…受信機、１２…検出回路、１４…方向
性結合器、１６…基板。
Claims (1)
- １ 水素又は含水素化合物ガスを解離吸着する触
媒金属と、該触媒金属中の前記解離吸着により生
成した水素原子により還元されると共に該水素原
子が存在しなくなつた場合に還元される前の状態
に戻る固体化合物との積層構造を備えた素子と、
還元による前記固体化合物の光吸収の変化を検出
する光学手段とを備えたことを特徴とするガスセ
ンサ。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58147749A JPS6039536A (ja) | 1983-08-12 | 1983-08-12 | ガスセンサ |
| AU31351/84A AU568389B2 (en) | 1983-08-12 | 1984-07-31 | Gas sensor |
| US06/636,962 US4661320A (en) | 1983-08-12 | 1984-08-02 | Gas sensor |
| CH3830/84A CH658911A5 (fr) | 1983-08-12 | 1984-08-09 | Detecteur de gaz. |
| DE19843429562 DE3429562A1 (de) | 1983-08-12 | 1984-08-10 | Gassensor |
| GB08420501A GB2144849B (en) | 1983-08-12 | 1984-08-13 | Gas sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58147749A JPS6039536A (ja) | 1983-08-12 | 1983-08-12 | ガスセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6039536A JPS6039536A (ja) | 1985-03-01 |
| JPH0367218B2 true JPH0367218B2 (ja) | 1991-10-22 |
Family
ID=15437271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58147749A Granted JPS6039536A (ja) | 1983-08-12 | 1983-08-12 | ガスセンサ |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4661320A (ja) |
| JP (1) | JPS6039536A (ja) |
| AU (1) | AU568389B2 (ja) |
| CH (1) | CH658911A5 (ja) |
| DE (1) | DE3429562A1 (ja) |
| GB (1) | GB2144849B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003329592A (ja) * | 2002-05-08 | 2003-11-19 | Shinji Okazaki | ガスセンサ用の膜の製造方法 |
| JP2016075661A (ja) * | 2014-10-08 | 2016-05-12 | 現代自動車株式会社Ｈｙｕｎｄａｉ Ｍｏｔｏｒ Ｃｏｍｐａｎｙ | 水素検出彩色センサー |
Families Citing this family (72)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60209149A (ja) * | 1984-03-31 | 1985-10-21 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 水素感知器 |
| US4718747A (en) * | 1984-04-27 | 1988-01-12 | Societa Cavi Pirelli S.P.A. | Optical fiber and cable with hydrogen combining layer |
| NO156306C (no) * | 1984-07-19 | 1987-09-02 | Elektrisk Bureau As | Infrar fiberoptisk gassdetektor. |
| JPS61201141A (ja) * | 1985-03-04 | 1986-09-05 | Agency Of Ind Science & Technol | 水素検知光センサ− |
| JPS61201140A (ja) * | 1985-03-04 | 1986-09-05 | Agency Of Ind Science & Technol | 水素検知光センサ− |
| US4682895A (en) * | 1985-08-06 | 1987-07-28 | Texas A&M University | Fiber optic probe for quantification of colorimetric reactions |
| GB2178841A (en) * | 1985-08-08 | 1987-02-18 | Graviner Ltd | Gas detection systems |
| DE3608122A1 (de) * | 1986-03-12 | 1987-09-17 | Pierburg Gmbh & Co Kg | Messvorrichtung zur analyse der abgaszusammensetzung von brennkraftmaschinen und verfahren zum betreiben einer solchen vorrichtung |
| ATE77483T1 (de) * | 1986-04-23 | 1992-07-15 | Avl Medical Instr Ag | Sensorelement zur bestimmung von stoffkonzentrationen. |
| GB8617430D0 (en) * | 1986-07-17 | 1986-08-28 | Atomic Energy Authority Uk | Sensor |
| WO1988000696A2 (en) * | 1986-07-17 | 1988-01-28 | Prosumus Ag | Chemodetector and its use |
| AT390677B (de) * | 1986-10-10 | 1990-06-11 | Avl Verbrennungskraft Messtech | Sensorelement zur bestimmung von stoffkonzentrationen |
| US4839767A (en) * | 1987-02-02 | 1989-06-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Element and device for detecting internal faults in an insulating gas charged electrical apparatus |
| DE3869237D1 (de) * | 1987-07-07 | 1992-04-23 | Siemens Ag | Sensor fuer gase oder ionen. |
| JPH01116446A (ja) * | 1987-10-30 | 1989-05-09 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 還元性物質のセンサー |
| JPH0197249U (ja) * | 1987-12-21 | 1989-06-28 | ||
| DE3743684A1 (de) * | 1987-12-23 | 1989-07-06 | Draegerwerk Ag | Vorrichtung zur messung der konzentration gas- bzw. dampffoermiger bestandteile eines fluidgemisches |
| US4866681A (en) * | 1988-03-09 | 1989-09-12 | Mine Safety Appliances Company | Photo-acoustic detector |
| US5055267A (en) * | 1988-08-19 | 1991-10-08 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Department Of Health And Human Services | Thin film environmental monitor |
| JP2646141B2 (ja) * | 1989-11-24 | 1997-08-25 | 佐藤 進 | 異常検出装置 |
| US5218212A (en) * | 1989-11-24 | 1993-06-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Device for optically detecting a chemical change in fluid |
| US5082629A (en) * | 1989-12-29 | 1992-01-21 | The Board Of The University Of Washington | Thin-film spectroscopic sensor |
| US5264368A (en) * | 1990-10-10 | 1993-11-23 | Boston Advanced Technologies, Inc. | Hydrocarbon leak sensor |
| US5153931A (en) * | 1991-04-01 | 1992-10-06 | Buchanan Bruce R | Fiber optic hydrogen sensor |
| JP2838333B2 (ja) * | 1991-10-30 | 1998-12-16 | 日本特殊陶業株式会社 | グルコース濃度測定装置及びグルコース濃度測定方法 |
| US5225679A (en) * | 1992-01-24 | 1993-07-06 | Boston Advanced Technologies, Inc. | Methods and apparatus for determining hydrocarbon fuel properties |
| US5341649A (en) * | 1993-03-05 | 1994-08-30 | Future Controls, Inc. | Heat transfer system method and apparatus |
| US5436167A (en) * | 1993-04-13 | 1995-07-25 | Board Of Regents, University Of Texas System | Fiber optics gas sensor |
| AUPM551994A0 (en) * | 1994-05-09 | 1994-06-02 | Unisearch Limited | Method and device for optoelectronic chemical sensing |
| DE4440572C2 (de) * | 1994-11-14 | 1997-05-07 | Fraunhofer Ges Forschung | Verglasungselement mit variabler Transmission |
| GB2302731B (en) * | 1995-06-16 | 1997-11-12 | Sun Electric Uk Ltd | Method and apparatus for gas monitoring |
| US5872359A (en) * | 1995-07-27 | 1999-02-16 | American Sterilizer Company | Real-time monitor and control system and method for hydrogen peroxide vapor decontamination |
| JPH09133631A (ja) * | 1995-08-07 | 1997-05-20 | Texas Instr Inc <Ti> | 多重板薄膜一酸化炭素センサ |
| US5917966A (en) * | 1995-12-14 | 1999-06-29 | Motorola Inc. | Interferometric optical chemical sensor |
| US5708735A (en) * | 1996-03-29 | 1998-01-13 | Benson; David K. | Fiber optic device for sensing the presence of a gas |
| US7276675B2 (en) * | 1997-04-07 | 2007-10-02 | Patented Medical Solutions, Llc | Medical item thermal treatment systems and method of monitoring medical items for compliance with prescribed requirements |
| DE19741335C1 (de) * | 1997-09-19 | 1999-06-10 | Bosch Gmbh Robert | Sensormembran einer Optode sowie Verfahren, Vorrichtung und deren Verwendung zur Bestimmung von Gasen in Gasgemischen |
| US6027760A (en) * | 1997-12-08 | 2000-02-22 | Gurer; Emir | Photoresist coating process control with solvent vapor sensor |
| US6006582A (en) * | 1998-03-17 | 1999-12-28 | Advanced Technology Materials, Inc. | Hydrogen sensor utilizing rare earth metal thin film detection element |
| US6277589B1 (en) * | 1998-05-12 | 2001-08-21 | Midwest Research Institute | Method and apparatus for rapid biohydrogen phenotypic screening of microorganisms using a chemochromic sensor |
| DE19943887A1 (de) | 1998-09-15 | 2000-03-23 | Bosch Gmbh Robert | Optischer Sensor |
| AU755600B2 (en) * | 1998-09-15 | 2002-12-19 | Robert Bosch Gmbh | Optical sensor |
| DE19845553C2 (de) * | 1998-10-02 | 2003-10-16 | Bosch Gmbh Robert | Brandmelder |
| EP1200813A4 (en) * | 1999-06-08 | 2003-01-08 | Midwest Research Inst | METHOD AND DEVICE FOR DETERMINING THE CONCENTRATION OF DIFFUSABLE HYDROGEN |
| AU1614101A (en) * | 1999-11-18 | 2001-05-30 | Advanced Technology Materials, Inc. | Optical hydrogen detector |
| WO2001086266A2 (en) * | 2000-05-05 | 2001-11-15 | Midwest Research Institute | Pd/v2 05 device for colorimetric h2 detection |
| EP1279030A2 (en) * | 2000-05-05 | 2003-01-29 | Midwest Research Institute | Pd/ni-wo3 anodic double layer colorimetric gas sensor |
| US8084265B2 (en) | 2001-05-05 | 2011-12-27 | Alliance for Sustianable Energy, LLC | Method and Pd/V2 O5 device for H2 detection |
| US7116421B2 (en) * | 2002-03-15 | 2006-10-03 | Jose Agustin Garcia | Device and method for differential sensing of hydrogen gas using thermoabsorptance or thermoreflectance |
| AU2003231417A1 (en) * | 2002-05-14 | 2003-11-11 | Airex Co., Ltd. | Condensation sensor and method of controlling condensate film in sealed space with condensation sensor |
| JP2005114360A (ja) * | 2003-10-02 | 2005-04-28 | Alps Electric Co Ltd | 水素センサ及び水素検出器 |
| US7425310B2 (en) * | 2004-01-29 | 2008-09-16 | Bryan Truex | Apparatus, system, and method of detecting an analyte utilizing pyroelectric technology |
| US7560409B2 (en) * | 2005-08-19 | 2009-07-14 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Photo-oxidation catalysts |
| JP4644869B2 (ja) * | 2005-10-26 | 2011-03-09 | 独立行政法人 日本原子力研究開発機構 | 光学式水素ガス検出素子及びその製造方法と、その素子を使用した光学式水素ガス検知装置及び方法 |
| TWI291021B (en) * | 2005-11-11 | 2007-12-11 | Ind Tech Res Inst | Apparatus for sensing plural gases |
| JP2007248367A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Atsumi Tec:Kk | 水素ガス検知装置 |
| DE102006018767A1 (de) * | 2006-04-20 | 2007-10-25 | Hochschule Wismar | Wasserstoffsensor |
| JP4928865B2 (ja) * | 2006-08-11 | 2012-05-09 | 株式会社アツミテック | 水素ガス濃度センサ及び水素ガス濃度測定装置 |
| DE102006054165B3 (de) * | 2006-11-16 | 2008-04-17 | Tyco Electronics Raychem Gmbh | Langzeitstabile optische Sensoranordnung, insbesondere Wasserstoffsensor, und kombinierte Gassensoranordnung |
| JP4840773B2 (ja) * | 2006-11-22 | 2011-12-21 | 株式会社アツミテック | 水素センサおよび水素ガス検知装置 |
| JP4919228B2 (ja) | 2007-05-15 | 2012-04-18 | 独立行政法人日本原子力研究開発機構 | 水素ガス検知膜 |
| SG178187A1 (en) * | 2009-08-03 | 2012-03-29 | Nitto Denko Corp | A sensor element |
| JP5452140B2 (ja) * | 2009-09-03 | 2014-03-26 | 日本航空電子工業株式会社 | 水素検出用表面プラズモン共鳴素子、表面プラズモン共鳴式光学水素検出器及び表面プラズモン共鳴を利用して光学的に水素を検出する方法 |
| US8547553B2 (en) * | 2010-03-17 | 2013-10-01 | General Electric Company | Fiber optic hydrogen purity sensor and system |
| JP2012021938A (ja) * | 2010-07-16 | 2012-02-02 | Japan Atomic Energy Agency | 環状飽和炭化水素化合物の検知素子及びそれを用いた光学式検知装置 |
| US9322705B2 (en) | 2012-08-28 | 2016-04-26 | Seagate Technology Llc | Sensing a selected ambient environment |
| CN107949788B (zh) * | 2015-05-18 | 2021-05-04 | Abb瑞士股份有限公司 | 用于确定氢的光学感测系统 |
| WO2017104813A1 (ja) * | 2015-12-17 | 2017-06-22 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 複合粒子及びその製造方法 |
| US11313796B2 (en) * | 2017-03-06 | 2022-04-26 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | Optical waveguide and optical concentration measuring apparatus comprising a support with a shifted connecting portion |
| CN110426420B (zh) * | 2019-08-08 | 2020-09-22 | 东北大学 | 一种由纳米棒自组装而成的wo3微米梭的nh3气敏元件及其制备方法 |
| EP3783341A1 (de) * | 2019-08-20 | 2021-02-24 | FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Gassensor und verfahren zur detektion eines zielgases |
| CN114280011B (zh) * | 2021-12-28 | 2023-11-28 | 岭南师范学院 | 一种表面等离子体共振二氧化氮气体传感装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS556033B2 (ja) * | 1976-12-07 | 1980-02-13 | ||
| JPS5879141A (ja) * | 1981-11-05 | 1983-05-12 | Hochiki Corp | 光学式ガス検知器 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3754867A (en) * | 1970-12-11 | 1973-08-28 | Bjorksten Res Lab Inc | Carbon dioxide sensing system |
| US3734631A (en) * | 1971-05-28 | 1973-05-22 | Hewlett Packard Co | Nondispersive infrared gas analyzer employing solid state emitters and photodetectors |
| DE2425877C3 (de) * | 1974-05-28 | 1981-01-29 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Trübungsmeßvorrichtung |
| JPS556033U (ja) * | 1978-06-28 | 1980-01-16 | ||
| DE3143480A1 (de) * | 1981-11-03 | 1983-05-11 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Sensor zur optischen beobachtung von gasen |
| US4484818A (en) * | 1982-03-05 | 1984-11-27 | General Electric Company | Apparatus and method for detecting the loss of vacuum |
| SU1038840A1 (ru) * | 1982-04-16 | 1983-08-30 | Ростовский Ордена Трудового Красного Знамени Государственный Университет | Способ вы влени топографии 180-градусных @ -доменов в пластинчатых кристаллах титаната бари |
| CH665719A5 (de) * | 1983-03-23 | 1988-05-31 | Cerberus Ag | Vorrichtung zum nachweis von gasfoermigen verunreinigungen in luft mittels eines gassensors. |
-
1983
- 1983-08-12 JP JP58147749A patent/JPS6039536A/ja active Granted
-
1984
- 1984-07-31 AU AU31351/84A patent/AU568389B2/en not_active Ceased
- 1984-08-02 US US06/636,962 patent/US4661320A/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-08-09 CH CH3830/84A patent/CH658911A5/fr not_active IP Right Cessation
- 1984-08-10 DE DE19843429562 patent/DE3429562A1/de active Granted
- 1984-08-13 GB GB08420501A patent/GB2144849B/en not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS556033B2 (ja) * | 1976-12-07 | 1980-02-13 | ||
| JPS5879141A (ja) * | 1981-11-05 | 1983-05-12 | Hochiki Corp | 光学式ガス検知器 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003329592A (ja) * | 2002-05-08 | 2003-11-19 | Shinji Okazaki | ガスセンサ用の膜の製造方法 |
| JP2016075661A (ja) * | 2014-10-08 | 2016-05-12 | 現代自動車株式会社Ｈｙｕｎｄａｉ Ｍｏｔｏｒ Ｃｏｍｐａｎｙ | 水素検出彩色センサー |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4661320A (en) | 1987-04-28 |
| GB8420501D0 (en) | 1984-09-19 |
| GB2144849B (en) | 1986-11-26 |
| CH658911A5 (fr) | 1986-12-15 |
| AU3135184A (en) | 1985-02-14 |
| DE3429562C2 (ja) | 1993-03-25 |
| GB2144849A (en) | 1985-03-13 |
| JPS6039536A (ja) | 1985-03-01 |
| AU568389B2 (en) | 1987-12-24 |
| DE3429562A1 (de) | 1985-02-28 |
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