JP7240666B2 - 赤外線吸収体および赤外線吸収体を備えるガスセンサ - Google Patents
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Description
実施例1~9の赤外線吸収体として、図2に示される赤外線吸収体1を作製した。作製した実施例1~9の赤外線吸収体の各層の材料および膜厚は、以下の通りであった。
第1の金属層2:Au、15nm(成膜方法:抵抗加熱蒸着)
接着層B1:Cr、5nm(成膜方法:抵抗加熱蒸着)
第1の誘電層4:Si(成膜方法:電子ビーム蒸着)を以下の表1の条件で成膜
第2の誘電層5:SiO2(成膜方法:スパッタリング)を以下の表1の条件で成膜
接着層B2:Cr、5nm(成膜方法:抵抗加熱蒸着)
第2の金属層3:Au、200nm(成膜方法:抵抗加熱蒸着)
接着層B3:Cr、10nm(成膜方法:抵抗加熱蒸着)
基板S:Si
上述した実施例および比較例の赤外線吸収体に対して、赤外線反射スペクトルを測定することにより、赤外線吸収体による赤外線の吸収率を評価した。赤外線反射スペクトルの測定は、赤外線吸収体の表面(第1の金属層2)に対して略垂直に赤外線を照射し、赤外線吸収体の表面(第1の金属層2)に対して略垂直に反射した赤外線の反射率を測定することにより行なった。
上述した実施例の赤外線吸収体に対して、赤外線放射スペクトルを測定した。赤外線放射スペクトルの測定は、赤外線吸収体を300℃に加熱したときの赤外線の放射率を測定することにより行なった。
実施例1~9の赤外線吸収体から得られた赤外線反射スペクトルを図3に示し、比較例の赤外線吸収体から得られた赤外線反射スペクトルを図5および図6に示す。
実施例1~9の赤外線吸収体から得られた赤外線放射スペクトルを図4に示す。
2 第1の金属層
3 第2の金属層
4 第1の誘電層
5 第2の誘電層
B1、B2、B3 接着層
L 光
M ガス検知器
M1 操作部
M2 表示部
N ガスセンサ
N1 筐体
N2 光源
N3 反射構造体
N4 光検出部
N5 回路部
S 基板
T 熱電変換素子
V 内部空間
Claims (5)
- 赤外線を吸収または放射することが可能な赤外線吸収体であって、
前記赤外線吸収体が、
前記赤外線が照射され、または前記赤外線を放射する表面側に配置される第1の金属層と、
前記第1の金属層との間で前記赤外線を反射する第2の金属層と、
前記第1の金属層と前記第2の金属層との間に配置され、前記赤外線が透過する誘電層とを備え、
前記誘電層が、前記第2の金属層の全面を直接または間接的に被覆するように、
前記第1の金属層の側に設けられ、第1の屈折率を有する第1の誘電層と、
前記第2の金属層の側に設けられ、第1の屈折率よりも小さい第2の屈折率を有する第2の誘電層と
が互いに直接接触して積層されて形成され、
前記第1の金属層と前記第1の誘電層とは、前記第1の金属層が前記第1の誘電層の全面を被覆するように、互いに直接接触して積層されるか、または接着層を介して間接的に積層される、
赤外線吸収体。 - 前記第1の金属層および前記第2の金属層のそれぞれが、金、銀、銅、白金、パラジウムからなる群から選択される1種または2種以上を含んで構成される、
請求項1に記載の赤外線吸収体。 - 前記第1の誘電層が、シリコン、ゲルマニウム、ガリウムヒ素からなる群から選択される1種または2種以上を含んで構成される、
請求項1または2に記載の赤外線吸収体。 - 前記第2の誘電層が、酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化亜鉛からなる群から選択される1種または2種以上を含んで構成される、
請求項1~3のいずれか1項に記載の赤外線吸収体。 - 請求項1~4のいずれか1項に記載の赤外線吸収体を備えるガスセンサ。
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JP2014044164A (ja) * | 2012-08-28 | 2014-03-13 | Hamamatsu Photonics Kk | ボロメータ及びボロメータアレイ |
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Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
木股雅章,赤外イメージング技術の現状,光学,1998年,27巻8号,P.418-422 |
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