JPS60209149A - 水素感知器 - Google Patents
水素感知器Info
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- JPS60209149A JPS60209149A JP59064216A JP6421684A JPS60209149A JP S60209149 A JPS60209149 A JP S60209149A JP 59064216 A JP59064216 A JP 59064216A JP 6421684 A JP6421684 A JP 6421684A JP S60209149 A JPS60209149 A JP S60209149A
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- JP
- Japan
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- hydrogen
- thin film
- substrate
- detector
- refractive index
- Prior art date
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- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/75—Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated
- G01N21/77—Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated by observing the effect on a chemical indicator
- G01N21/7703—Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated by observing the effect on a chemical indicator using reagent-clad optical fibres or optical waveguides
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Non-Biological Materials By The Use Of Chemical Means (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By The Use Of Chemical Reactions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、水素を感知する為の水素感知器に関するもの
である。
である。
石油プラント等では、石油製品の改質等の為に水素が多
用されており、安全で且つ信頬性の高い水素感知器が要
求されている。
用されており、安全で且つ信頬性の高い水素感知器が要
求されている。
第１図は、この様な水素感知器の１つの従来例を示して
いる。この従来例では、誘電体基板１の一方の表面にＳ
ｎＯ□やＺｎＯ等の酸化物半導体２が膜状に配されてお
り、この半導体２に２個の電極３゜４が接続されている
。また、基板ｌの反対側の表面には、２個の電極５，６
に接続されているヒータ７が配されている。
いる。この従来例では、誘電体基板１の一方の表面にＳ
ｎＯ□やＺｎＯ等の酸化物半導体２が膜状に配されてお
り、この半導体２に２個の電極３゜４が接続されている
。また、基板ｌの反対側の表面には、２個の電極５，６
に接続されているヒータ７が配されている。
水素ガスの様な還元性ガスは、酸化物半導体２の様なｎ
型半導体に吸着され易い。酸化物半導体２に水素が吸着
されると、この水素と半導体２との間で一般に電子の授
受が行われ、半導体２の表面からある深さの所までキャ
リア濃度が増加する。
型半導体に吸着され易い。酸化物半導体２に水素が吸着
されると、この水素と半導体２との間で一般に電子の授
受が行われ、半導体２の表面からある深さの所までキャ
リア濃度が増加する。
すると、半導体２の電気抵抗が減少して、電極２．３を
流れる電流が増加するので、この電流の変化によって水
素ガスの濃度を知ることができる。
流れる電流が増加するので、この電流の変化によって水
素ガスの濃度を知ることができる。
なお、ヒータ７は、この様な反応を促進する為のもので
ある。
ある。
また、水素感知器の他の従来例として、金属−半導体接
触の整流作用やＭＯＳＦＥＴのゲート作用を利用したも
のがある。これは、金属と半導体との間の電子エネルギ
ー準位差（ショットキ障壁）が水素の吸着によって変化
することを利用したものである。
触の整流作用やＭＯＳＦＥＴのゲート作用を利用したも
のがある。これは、金属と半導体との間の電子エネルギ
ー準位差（ショットキ障壁）が水素の吸着によって変化
することを利用したものである。
ところが、以上の従来例の様に水素を電気的に感知しよ
うとすると、爆発の危険性がある為に感知器からの配線
等に対して耐圧防爆等の特別工事をしなければならず、
また電磁誘導によって誤動作する可能性もある。
うとすると、爆発の危険性がある為に感知器からの配線
等に対して耐圧防爆等の特別工事をしなければならず、
また電磁誘導によって誤動作する可能性もある。
本発明は、これらの問題点に鑑み、安全で且つ信頼性の
高い水素感知器を提供することを目仰としている。
高い水素感知器を提供することを目仰としている。
以下、本発明の第１〜第３実施例を第２図〜第９図を参
照しながら説明する。
照しながら説明する。
第２図は、本発明の第１実施例を示している。
この第１実施例では、ＬｉＮｂＯ３から成る基板１１中
にＴｉを選択的に熱拡散させることによって、単一モー
ド光導波路１２が形成されている。
にＴｉを選択的に熱拡散させることによって、単一モー
ド光導波路１２が形成されている。
光導波路１２は、
ｎ（ｚ）＝ｎｏ＋Δｎ ０ｅｘｐ（−ｚ／ｄ）なる式で
表される屈折率ｎ （ｚ）を有している。ここで００は
、基板１１の屈折率であり、２．２０である。またΔｎ
は、基板１１の表面つまりＴｉの濃度が最も高い部分の
屈折率＝２．３０と基板１１の屈折率ｎ。＝２．２０と
の差、つまり０．１０である。そして、Ｚは基板１１の
表面からの深さであり、ｄは基板１１との屈折率差がΔ
ｎ／ｅｘｐとなる深さである５μｍである。
表される屈折率ｎ （ｚ）を有している。ここで００は
、基板１１の屈折率であり、２．２０である。またΔｎ
は、基板１１の表面つまりＴｉの濃度が最も高い部分の
屈折率＝２．３０と基板１１の屈折率ｎ。＝２．２０と
の差、つまり０．１０である。そして、Ｚは基板１１の
表面からの深さであり、ｄは基板１１との屈折率差がΔ
ｎ／ｅｘｐとなる深さである５μｍである。
基板１１の表面には、２．５０の屈折率を有する誓０３
の薄膜１３が、１０００人の厚さに真空蒸着されている
。この間、の薄膜１３は、水素と反応して吸光係数が変
化する性質を有している。第３図は、薄膜１３の表面か
ら基板１１の深さ方向への屈折率の変化を示している。
の薄膜１３が、１０００人の厚さに真空蒸着されている
。この間、の薄膜１３は、水素と反応して吸光係数が変
化する性質を有している。第３図は、薄膜１３の表面か
ら基板１１の深さ方向への屈折率の変化を示している。
薄膜１３の真空蒸着は、アルミナでコートされたＷ線用
ツボ中をＩ Ｘ １０−５Ｔｏｒｒ以下の真空状態にす
ると共にこのルツボ中で基板１１の温度を１００℃に保
って、純度９９．９９９％の粉末Ｗ０３を使用して行っ
た。真空蒸着された間、の薄膜１３は、非晶質であり、
比較的短波長の領域の光を吸収する様な分光感度を有し
ている。なお、真空蒸着後に基板１１を２００℃でアニ
ーリングすることによって、す０３の薄膜１３を安定化
させた。
ツボ中をＩ Ｘ １０−５Ｔｏｒｒ以下の真空状態にす
ると共にこのルツボ中で基板１１の温度を１００℃に保
って、純度９９．９９９％の粉末Ｗ０３を使用して行っ
た。真空蒸着された間、の薄膜１３は、非晶質であり、
比較的短波長の領域の光を吸収する様な分光感度を有し
ている。なお、真空蒸着後に基板１１を２００℃でアニ
ーリングすることによって、す０３の薄膜１３を安定化
させた。
薄膜１３上には、Ｐｄの薄膜１４がスパツタリングによ
って５００人の厚さに積層されている。このＰｄの薄膜
１４は、水素を吸着して、この吸着した水素を陽子と電
子とに分離する触媒作用を有している。
って５００人の厚さに積層されている。このＰｄの薄膜
１４は、水素を吸着して、この吸着した水素を陽子と電
子とに分離する触媒作用を有している。
以上の様な構成を有する水素感知器１５の光導波路１２
の夫々の端面には、入力用及び出力用の光ファイバ１６
．１７が接続されている。
の夫々の端面には、入力用及び出力用の光ファイバ１６
．１７が接続されている。
次に、水素感知器１５の作用について説明する。
水素感知器１５の周囲の水素が薄膜１４に吸着されると
、この水素は薄膜１４の触媒作用によって陽子と電子と
に分離される。分離された陽子と電子とは更に薄膜１３
と下記の様に反応し、エレクトロクロミック作用によっ
て問３がタングステンブロンズとなって着色し、薄膜１
３の吸光係数が増大する。
、この水素は薄膜１４の触媒作用によって陽子と電子と
に分離される。分離された陽子と電子とは更に薄膜１３
と下記の様に反応し、エレクトロクロミック作用によっ
て問３がタングステンブロンズとなって着色し、薄膜１
３の吸光係数が増大する。
ＷＯ３＋ ｘＨ” ＋ ｘｅ−−）１ｘＷ（ｈこの結果
、単一モード先導波路１２中を伝播する光の内で薄膜１
３に吸収されるエバネッセント波の割合が増加し、伝播
光量が減少する。従って、薄膜１３．１４に覆われてい
る光導波路１２の長さを適当な値に設定すれば、伝播光
量が十分に減少して、水素を高感度で惑知することがで
きる。
、単一モード先導波路１２中を伝播する光の内で薄膜１
３に吸収されるエバネッセント波の割合が増加し、伝播
光量が減少する。従って、薄膜１３．１４に覆われてい
る光導波路１２の長さを適当な値に設定すれば、伝播光
量が十分に減少して、水素を高感度で惑知することがで
きる。
第４図は、水素感知器１５を適用して実際に水素を惑知
する為の装置を示している。水素感知器１５は感知すべ
き水素ガス雰囲気中に配置されており、入力用の光ファ
イバ１６にはＨｅ−Ｎｅ レーザ１８から６３２８人の
波長を有する単一モードレーザ光が入力され、出力用の
光ファイバ１７にはＰＩＮフォトダイオード１９が接続
されている。
する為の装置を示している。水素感知器１５は感知すべ
き水素ガス雰囲気中に配置されており、入力用の光ファ
イバ１６にはＨｅ−Ｎｅ レーザ１８から６３２８人の
波長を有する単一モードレーザ光が入力され、出力用の
光ファイバ１７にはＰＩＮフォトダイオード１９が接続
されている。
第５図は、水素ガス濃度と伝播光量との関係の一例を示
しており、この様に既知の水素ガス濃度で予めグラフを
作成しておけば、伝播光量から水素ガス濃度を知ること
ができる。このグラフの１０〜１１０００ｐｐの範囲で
は、±５％の精度で水素ガス濃度を知ることができた。
しており、この様に既知の水素ガス濃度で予めグラフを
作成しておけば、伝播光量から水素ガス濃度を知ること
ができる。このグラフの１０〜１１０００ｐｐの範囲で
は、±５％の精度で水素ガス濃度を知ることができた。
以上の第１実施例では、波長６３２８人の可視光を導波
光として用いたが、波長０．８〜１．５μｍと比較的長
波長の赤外域の光を用いても同様の効果を得ることがで
きる。但し、この場合には比較的長波長の領域の光を吸
収する様な分光感度を有する様に、薄膜１３を形成する
間。は、非晶質よりも多結晶の方が良い。多結晶間、の
薄膜１３を形成する為には、真空蒸着時に基板１１の温
度を２５０〜３００℃に保ち、その後３６０℃でアニー
リングを行う。
光として用いたが、波長０．８〜１．５μｍと比較的長
波長の赤外域の光を用いても同様の効果を得ることがで
きる。但し、この場合には比較的長波長の領域の光を吸
収する様な分光感度を有する様に、薄膜１３を形成する
間。は、非晶質よりも多結晶の方が良い。多結晶間、の
薄膜１３を形成する為には、真空蒸着時に基板１１の温
度を２５０〜３００℃に保ち、その後３６０℃でアニー
リングを行う。
また、薄膜１３の材料として、エレクトロクロミック作
用を示す同、以外の無機材料、例えばＭＯＯ３、ＶｚＯ
ｓ 、Ｔｉ０ｚ 、 Ｉｒ （ＯＨ）ｎ ＋ １？ｈｚ
０３・ｘＨｚＯ等を用いてもよく、薄膜１４の材料とし
て、Ｐｄ以外にｐｔ等を用いてもよい。
用を示す同、以外の無機材料、例えばＭＯＯ３、ＶｚＯ
ｓ 、Ｔｉ０ｚ 、 Ｉｒ （ＯＨ）ｎ ＋ １？ｈｚ
０３・ｘＨｚＯ等を用いてもよく、薄膜１４の材料とし
て、Ｐｄ以外にｐｔ等を用いてもよい。
またこの第１実施例の単一モード光導波路１２は二次元
形であるが、埋め込み形やリッジ形等の三次元形の光導
波路を用いても同様の効果を得ることができる。
形であるが、埋め込み形やリッジ形等の三次元形の光導
波路を用いても同様の効果を得ることができる。
また、光ファイバ１６．１７を使用せずに、プリズム結
合器やレンズ等で先導波路１２中へ光を直接に入力した
り、非晶質Ｓｉの様な光検出器を光導波路１２の出力端
へ直接に取り付けてもよい。
合器やレンズ等で先導波路１２中へ光を直接に入力した
り、非晶質Ｓｉの様な光検出器を光導波路１２の出力端
へ直接に取り付けてもよい。
以上の様な第１実施例によれば、光学的な作用のみで水
素を感知することができるので、爆発の危険性や電磁誘
導による誤動作がなく、安全で且つ信頼性の高い水素感
知器１５を得ることができる。
素を感知することができるので、爆発の危険性や電磁誘
導による誤動作がなく、安全で且つ信頼性の高い水素感
知器１５を得ることができる。
しかも光ファイバによるローカルエリアネットワークが
導入されつつあり、光信号を電気信号へ変換することな
く光だけで感知することができる技術は、上記の光ファ
イバによるローカルエリアネットワークとの整合性も極
めて良い。
導入されつつあり、光信号を電気信号へ変換することな
く光だけで感知することができる技術は、上記の光ファ
イバによるローカルエリアネットワークとの整合性も極
めて良い。
第６図は、本発明の第２実施例を示している。
この第２実施例では、１．５５の屈折率を有するガラス
の基板２１中に、１．５６７の屈折率を有する厚さ２μ
ｍの単一モード光導波路２２が形成されている。
の基板２１中に、１．５６７の屈折率を有する厚さ２μ
ｍの単一モード光導波路２２が形成されている。
先導波路２２は、電子分極率の大きなイオン、例えばＴ
Ｉイオンと、ガラス中に含まれている電子分極率の小さ
なイオン、例えばにイオンとを、Ｔ１イオンを含む溶融
塩中でイオン交換することによって形成したものである
。
Ｉイオンと、ガラス中に含まれている電子分極率の小さ
なイオン、例えばにイオンとを、Ｔ１イオンを含む溶融
塩中でイオン交換することによって形成したものである
。
基板２１上には、１．５５の屈折率を有するＣ７０ 。
５９と称されるガラスの薄膜２３が、スパッタリングに
よって１μｍの厚さに積層されている。
よって１μｍの厚さに積層されている。
薄膜２３上には、同３の薄膜２４が２μｍの厚さに積層
されている。この薄膜２４は、第１実施例に於ける薄膜
１３と同様に、基板２１の温度を１００℃に保って真空
蒸着を行い、その後２００℃でアニーリングを行ったも
のである。第７図は、薄膜２４の表面から基板２１の深
さ方向への屈折率の変化を示している。
されている。この薄膜２４は、第１実施例に於ける薄膜
１３と同様に、基板２１の温度を１００℃に保って真空
蒸着を行い、その後２００℃でアニーリングを行ったも
のである。第７図は、薄膜２４の表面から基板２１の深
さ方向への屈折率の変化を示している。
また、薄膜２４上には、Ｐｄの薄膜２５がスパッタリン
グによって５００人の厚さに積層されている。
グによって５００人の厚さに積層されている。
この様な第２実施例の水素感知器２６では、光導波路２
２と薄膜２４とが薄膜２３によってエバネッセント波結
合されている。この為に、光導波路２２中を伝播する光
のエバネソセント波が、薄膜２３を介して薄膜２４に吸
収される。
２と薄膜２４とが薄膜２３によってエバネッセント波結
合されている。この為に、光導波路２２中を伝播する光
のエバネソセント波が、薄膜２３を介して薄膜２４に吸
収される。
薄膜２５の触媒作用によって水素が陽子と電子とに分離
され、この分離された陽子と電子とが薄膜２４と反応す
ると、６３２８人の波長に対する薄膜２４の吸光係数が
変化する。
され、この分離された陽子と電子とが薄膜２４と反応す
ると、６３２８人の波長に対する薄膜２４の吸光係数が
変化する。
この結果、光導波路２２中を伝播する光の量が減少する
ので、第１実施例の水素感知器１５と同様に、出力光量
を測定することによって、水素ガス濃度を知ることがで
きる。
ので、第１実施例の水素感知器１５と同様に、出力光量
を測定することによって、水素ガス濃度を知ることがで
きる。
第８図は、本発明の第３実施例を示している。
この第３実施例では、２．３６〜２．３８の屈折率を有
するＺｎＳの基板３１上に、２．４３の屈折率を有する
厚さ５μｍの薄膜３２が付着されている。この薄膜３２
は、２．７６の屈折率を有するＺｎＴｅと２．３の屈折
率を有するＺｎ５ｅとの１対２．５混晶を、ＣＶＤ法で
成長させたものである。
するＺｎＳの基板３１上に、２．４３の屈折率を有する
厚さ５μｍの薄膜３２が付着されている。この薄膜３２
は、２．７６の屈折率を有するＺｎＴｅと２．３の屈折
率を有するＺｎ５ｅとの１対２．５混晶を、ＣＶＤ法で
成長させたものである。
薄膜３２上には、ＺｎＴｅとＺｎ５ｅとの１対２混晶を
３μｍの厚さに積層させることによって、１．２μｍの
波長に対して２．４５の屈折率を有する単一モード光導
波路３３が形成されている。
３μｍの厚さに積層させることによって、１．２μｍの
波長に対して２．４５の屈折率を有する単一モード光導
波路３３が形成されている。
先導波路３３上には、１．２μｍの波長に対して２．４
３の屈折率を有する間、の薄膜３４が、５μｍの厚さに
積層されている。この薄膜３４は、基板３１の温度を３
００℃に保って真空蒸着を行い、その後３６０℃でアニ
ーリングを行ったものである。この結果、罰、の薄膜３
４は、多結晶化しており、１．２〜１．５μｍの比較的
長波長の領域の光を吸収する様な分光感度を有している
。第９図番よ、薄膜３４の表面から基板３１の深さ方向
への屈折率の変化を示している。
３の屈折率を有する間、の薄膜３４が、５μｍの厚さに
積層されている。この薄膜３４は、基板３１の温度を３
００℃に保って真空蒸着を行い、その後３６０℃でアニ
ーリングを行ったものである。この結果、罰、の薄膜３
４は、多結晶化しており、１．２〜１．５μｍの比較的
長波長の領域の光を吸収する様な分光感度を有している
。第９図番よ、薄膜３４の表面から基板３１の深さ方向
への屈折率の変化を示している。
また、薄膜３４上には、Ｐｄの薄膜３５がスノ々・ツタ
リングによって５００人の厚さに積層されてし）る。
リングによって５００人の厚さに積層されてし）る。
この第３実施例の水素感知器３６では、基板３１と光導
波路３３との中間の屈折率を有する薄膜３２を、基板３
１と光導波路３３との間に設けているので、光導波路１
２中を伝播する光の内で薄膜３４に吸収されるエバネ・
ノセント波の割合が多い。
波路３３との中間の屈折率を有する薄膜３２を、基板３
１と光導波路３３との間に設けているので、光導波路１
２中を伝播する光の内で薄膜３４に吸収されるエバネ・
ノセント波の割合が多い。
この為に、薄膜３４の吸光係数の変化によって、光導波
路１２中を伝播する光の量が大きく変化し、水素を高感
度で感知することができる。
路１２中を伝播する光の量が大きく変化し、水素を高感
度で感知することができる。
なお、以上の第１〜第３実施例の何れに於し）でも、Ｗ
Ｏ３の薄膜１３，２４．３４の上にＰｄの薄膜１４．２
５．３５を積層させたが、間。の薄膜１３．２４．３４
を水素と直接に反応させる様にすれば、Ｐｄの薄膜１４
，２５．３５は必ずしも必要ではない。
Ｏ３の薄膜１３，２４．３４の上にＰｄの薄膜１４．２
５．３５を積層させたが、間。の薄膜１３．２４．３４
を水素と直接に反応させる様にすれば、Ｐｄの薄膜１４
，２５．３５は必ずしも必要ではない。
上述の如く、本発明は、単一モード先導波路を覆ってい
る薄膜を水素と反応させ、この反応によって薄膜の吸光
係数を変化させ、単一モード光導波路中を伝播する光の
量の変化によって、水素を光学的に感知する様にしてい
るので、爆発の危険性や電磁誘導による誤動作がなく、
安全で且つ信頼性の高い水素感知器を提供することがで
きる。
る薄膜を水素と反応させ、この反応によって薄膜の吸光
係数を変化させ、単一モード光導波路中を伝播する光の
量の変化によって、水素を光学的に感知する様にしてい
るので、爆発の危険性や電磁誘導による誤動作がなく、
安全で且つ信頼性の高い水素感知器を提供することがで
きる。
第１図は本発明の一従来例を示す概略的な斜視図である
。 第２図は本発明の第１実施例を示す概略的な側面図、第
３図は第１実施例の屈折率を示すグラフ、第４図は第１
実施例を適用した装置を示す概略図、第５図は水素ガス
濃度と伝播光量との関係の一例を示すグラフ、第６図は
第２実施例を示す概略的な側面図、第７図は第２実施例
の屈折率を示すグラフ、第８図は第３実施例を示す概略
的な側面図、第９図は第３実施例の屈折率を示すグラフ
である。 なお図面に用いられた符号において、 １１ 、２１ 、３１−−−−−−−−一・・一基板１
２．２２．３３−−−−−−−−−−・単一モード光導
波路１３．２４．３４−・−・−一一一一薄膜１４．２
５．３５−・−一〜−一−−−・薄膜１５．２６．３６
・−−−一一一−−−・水素感知器である。 代理人 上屋 勝 常包芳男 第１図 ３ 第４図 第５図 水源がス儂度（ｐｐｍ ） 第６図
。 第２図は本発明の第１実施例を示す概略的な側面図、第
３図は第１実施例の屈折率を示すグラフ、第４図は第１
実施例を適用した装置を示す概略図、第５図は水素ガス
濃度と伝播光量との関係の一例を示すグラフ、第６図は
第２実施例を示す概略的な側面図、第７図は第２実施例
の屈折率を示すグラフ、第８図は第３実施例を示す概略
的な側面図、第９図は第３実施例の屈折率を示すグラフ
である。 なお図面に用いられた符号において、 １１ 、２１ 、３１−−−−−−−−一・・一基板１
２．２２．３３−−−−−−−−−−・単一モード光導
波路１３．２４．３４−・−・−一一一一薄膜１４．２
５．３５−・−一〜−一−−−・薄膜１５．２６．３６
・−−−一一一−−−・水素感知器である。 代理人 上屋 勝 常包芳男 第１図 ３ 第４図 第５図 水源がス儂度（ｐｐｍ ） 第６図
Claims (1)
- 透光性の基板と、この基板中に形成されている単一モー
ド光導波路と、この単一モード先導波路を覆う様に前記
基板上に配されており且つ水素と反応することによって
吸光係数が変化する薄膜とを夫々具備し、前記単一モー
ド先導波路中を伝播する光の量の変化によって前記水素
を感知する様にした水素感知器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59064216A JPS60209149A (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | 水素感知器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59064216A JPS60209149A (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | 水素感知器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60209149A true JPS60209149A (ja) | 1985-10-21 |
| JPH046895B2 JPH046895B2 (ja) | 1992-02-07 |
Family
ID=13251669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59064216A Granted JPS60209149A (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | 水素感知器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60209149A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61204545A (ja) * | 1985-03-08 | 1986-09-10 | Agency Of Ind Science & Technol | 水素検知光センサ− |
| JPS61207950A (ja) * | 1985-03-13 | 1986-09-16 | Agency Of Ind Science & Technol | 水素検知光センサ− |
| JPS62257047A (ja) * | 1986-04-30 | 1987-11-09 | Hochiki Corp | 水素センサ |
| WO1988000696A2 (en) * | 1986-07-17 | 1988-01-28 | Prosumus Ag | Chemodetector and its use |
| JPS63307335A (ja) * | 1987-05-22 | 1988-12-15 | アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー | 広域センサ、広域検出方法及びその装置 |
| JPH03152446A (ja) * | 1989-11-09 | 1991-06-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 分布型光ファイバガスセンサ |
| JP2003329592A (ja) * | 2002-05-08 | 2003-11-19 | Shinji Okazaki | ガスセンサ用の膜の製造方法 |
| JP2007278744A (ja) * | 2006-04-04 | 2007-10-25 | Japan Atomic Energy Agency | 水素ガス検知材とその被膜方法 |
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| JPS5879141A (ja) * | 1981-11-05 | 1983-05-12 | Hochiki Corp | 光学式ガス検知器 |
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-
1984
- 1984-03-31 JP JP59064216A patent/JPS60209149A/ja active Granted
Patent Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH046895B2 (ja) | 1992-02-07 |
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