JPH0366145A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分町コ 本発明は半導体装置に関する。史に詳細には、本発明は
フィールド酸化膜のような大面積酸化膜を使用する半導
体装置に関する。

［従来の技術］ 様々な電Ｙ素了において、比較的大面積、例えば、素ｒ
表面桔の２０〜９０％に請゛市体を使用し、成る素子の
能動領域を別の素子の能動領域と分離し、および／また
は、成る領域の；Ｕ異が別の領域の能動素子に悪影響を
及ぼすことを防止している。

このような大面積酸化膜領域は例えば、ＭＯ８技術にお
けるフィールド酸化膜およびバイポーラ技術におけるフ
ィールド酸化膜分離領域である。ＭＯ８技術におけるフ
ィールド酸化膜の代表的な形状を第１図に示す。第１図
において、符号１０および１１は電界効果トランジスタ
８および９の各ドレインである。一方、符号１２および
１３はソースであり、符号１５および１６はこれらトラ
ンジスタのゲートである。

ゲート間の相互接続は、これらの接続を行う電気導体が
素子動作に悪影響を及ぼさず、また、成る電界効果トラ
ンジスタの動作は他のトランジスタの動作に不利にＴ渉
しないように形成されなけ５− 一〇− ればならない。−・般的に、このような要望はフィール
ド酸化膜１７により満たされる。このフィールド酸化膜
は通常、十分な１７さ（一般的に、１００〜１１０００
ｎの範囲出）にまで熱成長され、フィールド酸化膜−Ｌ
を横断することによりゲーｌ−ワよび接合部を繋ぐラン
ナから牛しる電界が、酸化膜下に電荷反転領域を生成す
ることを防止している。この反転は、漏れ電流がトラン
ジスタ間のフィールド酸化膜領域下を流れることを可能
にする。

同様に、バイポーラトランジスタでも、同じ理由により
大面積酸化膜が−・般的に使用されている。

［発明が解決しようとする課Ｂ］ デザインルールが厳しくなるにつれて、すなわち、デザ
インルールが１μｍから０．８μｍ以下にまで低下する
につれて、大面積の誘電体領域に伴う大きな非平坦面を
加工することは著しく困難になっている。例えば、非平
川面に付着されたホトレジストは−・般的に、Ｊ１平坦
而とほぼ同し輪郭をとる。従って、ホトレジスト上に焦
点合わせされた像は、レジスト面の成る点では焦点があ
っているが、最初の点と同−平面にないレジスト面の他
の領域では焦点が合わない。従って、リソグラフィの解
像度は低下する。

史に、非（Ｖ坦面をエツチングした場合、別の困難性が
生じる。領域４のゲート材料がエラグ・ングされ、そし
て、取り除かれるにつれて、一般的にストリンガ−と呼
ばれる部分が残る。ゲート材料が表面２０および２１か
ら除よされた後に更にエツチングすることによりこのス
トリンガ一部分も除去しなければならない。しかし、こ
の除去により表面２０および２１は更にエツチングに曝
され、従って、恐らく劣化するであろう。その結果、厳
格なデザインルールでは非平坦化は避けることが好まし
い。

使用される誘電体（例えば、酸化物）をン専くすること
により、大面積誘電体により導入される非ｉ１７．ｊｊ
ｊ化を制限、する試みがなされた。これらの試みは不満
足な結果しかもたらさなかった。特に、薄いフィールド
酸化膜のような薄い誘電体の場合、：・１部の′上気的
ランチ中に牛じた、Ｕ界は酸化膜ド部のシリコンに著し
い悪影響を及ぼす。この相−ｎ作用の結果は二組の作用
をもたらす。キャパシタンスは増大ｒるが、これにより
デバイス速度は低下する。史に、ランナからのミルは、
領域２が不十分に反転され、素子８と９の間に相当な漏
れ電流（例えば、１０−７〜１０−？アンペア）を光中
するように制限しなければならない。基板中におけるド
ーパント濃度を高めることにより薄膜化フィールド酸化
膜の効果を補償する試みも為されたが、結合キャパシタ
ンスの増大をもたらしただけであった。このため、フィ
ールド酸化膜が有する非平面性は望ましからざる効果を
生起するが、その改善は未だ不可能である。

［課題を解決するための手段］ 特定の幾何パ？的要件を満たすＩ・レンチ内に形成され
た大面積誘電体（例えば、フィールド酸化膜）を使用す
ることにより、誘電体の分ａｎ的を達成しながら、甲面
性とそれにイ１４．う利点も得られる。

特に、酸化膜側壁とほぼ同一の広がりをもつ埋置４宙領
域３０を第３は１に示されるように形成しなければなら
ない場合、または、このような領域が作７「ルない場合
のりずれも、フィールド酸化膜の表面は、能動領域が第
２図に示されるように画成されるシリコンの表面よりも
２０ｎｍ以−Ｌでなければならず、かつ、表面から少な
くともｔｏｏｏ入の深さまでのシリコン能動領域中にお
けるドーパント濃度は、シリコン／フィールド酸化膜界
面において少なくとも１０ノ７原子／ｃｍａでなければ
ならない。

所望の形状を形成するのに様々な方法を使用することが
できる。成る実施例では、トレンチは能動領域内に形成
される。トレンチの表面を酸化し、ポリシリコン層を被
着し、トレンチ内のポリシリコン層−Ｌにフィールド酸
化膜を被着し、その後、所望の幾何″゛？的形状にエッ
チバックする。

［丈施例］ 以−ド、図面を参照しながら本発明について更に詳細に
説明する。

前記のように、特定の形状を有する大面積誘電体が充填
されたトレンチは漂遊キャパシタンスま９− −１０＝ たは望ましからざる空乏作用を避けながら、はぼ平坦な
領域を形成することができる。（本発明においては、“
トレンチ充１ｉ′という用語は製造−１−程を不すため
に使用されているのではなく、単に、製造が完了した後
の外観を示すために使用されている。従って、例えば、
フィールド酸化膜領域を形成し、この領域を能動領域で
取り囲むか、または、最初にトレンチをエツチングし、
そして、このトレンチに適当なフィールド酸化膜領域を
充填することにより素子を形成できる。更に、トレンチ
フィールド酸化膜は、基板表面Ｆのフィールド酸化膜よ
りも基板表面上の酸化物量が少ないフィールド酸化膜で
ある。）必要な特定の幾何学的形状を第２図および第３
図に示す。導電領域は側壁とほぼ同じ広がりを有しなけ
ればならない。第３因において、誘電体領域３４と３５
の間に１ｌｌｉ置導電領域３０が存在する。この形状で
は、導電領域は一般的に、トレンチの最下部点とシリコ
ンの１要上面との間の中間点におけるトレンチ側壁に対
して垂直な方向に沿って測定して、２０ｎＩＢ〜２０Ｏ
ｎｍの範囲内の断面を有しなければならない。２０ｎＩ
１１よりも薄い領域はピンホールまたはボイドを全く有
しないように形成することが困難である。

・方、２００ｎｍよりも１ソ、い領域はゲートランナに
対して容量を不当に増大しやすくなったり、および／ま
たは、著しく深いトレンチを必要とするようになる。　
　・膜内に、この領域の抵抗率は０゜１Ω−ｃｍ以下で
なければならない。０．１Ω−ＣＩ１１超の抵抗率はト
ランジスタ電荷蓄積と基板に対する接触不良を起こし易
くなる。導電領域がポリシリコンである場合、抵抗率は
−・膜内に、ホウ素、ヒ素、アンチモンおよび／または
リンのようなｎ−またはｐ−形のドーパントを導入する
ことにより調節される。（ｎ−形ドーパントは−・膜内
に、ｎ−タブで使用され、ｐ−形ドーパントはｐ−タブ
で使用される。）・膜内に、１０１６〜１０２１ｃＩ１
１３の範囲内のドーパント濃度は望ましい抵抗率をもた
らす。側壁に沿って導電領域が存在することに意義があ
る。この領域はトレンチの底部に沿って存在しても殆ど
重要な効果を有しないし、また、電気導体により形成さ
れた電界は、側壁に導体領域がイｆｔＥする場合、能動
素子間で漏れ電流を発生しないので、必須要件ではない
。従って、トレンチの底部に沿って導゛市領域が／？　
ｌ＋：することはしばしば望ましいが、必須要件ではな
い。

埋置導電層とトレンチ壁との間の酸化膜３５の厚さは・
膜内に、ｌＯ〜５０ｎｍの範囲内でなければならない。

更に、導電領域３０の上端３９は好ましくは酸化し、導
電領域とゲート相互接続との間の短絡を避けなければな
らない。埋置導電領域を使用する場合、フィールド酸化
膜の上部領域３４はゲート相互接続における過度な寄生
キャパシタンスを避けるのに十分な厚さでなければなら
ない。例えば、寄生キャパシタンスに対して１０％以上
宵与しない厚さでなければならない。実際には、導電層
をタブ電位に維持するために、導電領域は符号３７にお
けるように、タブ領域に電気的に接続されている。この
接続は、例えば、タブと導電領域との間の薄い酸化膜を
標準的なリングラフィ技術を用いてエツチングし、続い
て、相互接続を含む導電層を形成するような方法により
行われる。ＣＭＯＳデバイスでは、この接続は（１）　
ｐタブまたは（２）ｐタブおよびｎタブの両方に行うこ
とが好ましい。史に、両方のタブに接続を行った場合、
（第３図において符号３０で仮想的に示されているよう
に）導電領域は切断しなければならない。

第２図に示される実施例では、埋置導電領域は使用され
ていない。この実施例における誘電体表面は入念にコン
トロールしなければならない。本発明により望ましい結
果を得るためには、誘電体（例えば、フィールド酸化膜
）の表面４１は能動領域の表面２２よりも２０ｎｍ以上
高くなければならず、かつ、表面から少なくとも１００
０入の深さまでのシリコン能動領域におけるドーパント
濃度はシリコン／フィールド酸化膜界面において１０１
１原子／Ｃｌ１３でなければならない。（本明細書で使
用されているように、このことは上部の酸化膜の方向に
向かってシリコン表面から測定したことを意味する。能
動領域はコンデンサ、トラン１３− １４− マスク、ダイオードおよび抵抗のような能動素子を含む
全ての領域を意味する。）大きな非平坦面は望ましくな
いので、２０量ｍの段差要件を過度に超えないことが好
ましい。

何れの実施例においても、誘電体領域２１または３４の
厚さは一般的に、１００量ｍ　〜１０００量ｍの範囲内
でなければならない。１１００ｎ大満の厚さでは過大な
キャパシタンスになる。一方、１１０００ｎよりも大き
な厚さは平坦性を維持するのが困難になる。誘電体領域
（例えば、フィールド酸化膜）用の好適な材料は熱酸化
膜、スピンオン酸化膜および化学的気相成長法（以下ｒ
ＣＶＤ法」という）により成膜された酸化膜のような蒸
着酸化膜などである。

第３図に示されるような構造物を製造するための好都合
な方法を第４図に示す。この方法で、トレンチ４０は所
望の位置にエツチングにより形成される。ＣＭＯ８用途
の場合、トレンチは一般的に、タブ内の能動素子間に配
置されるか、および／または、タブ４３と４４の間に配
置される。複音の場合、前記のように、フィールド酸化
膜の底部において電気導体中に開口を食刻することがで
きる。この目的は常用のホトリソグラフィにより成る実
施例で行われるか、または、スゼの前掲書箱１１章に記
載された方法により導体上のトレンチ側壁に沿って誘電
体（例えば、酸化物または窒化物）を地積することによ
り行われる。その後、この誘電体は、トレンチ底部の全
ての導体をエツチングするためのマスクとして使用する
か、または、酸化のような方法により導体を絶縁体に変
換するのに使用する。フィールド酸化膜により囲まれる
能動領域を有さす、かつ、ｐおよびｎタブ間の結合領域
」−にシリコン領域が存在する場合、フィールド酸化膜
の底部でタブ間の導体中に開口を食刻するのに使用され
るリングラフィマスクは使用する必要がない。このシリ
コン領域は元のトレンチエツチング中に画成できる。こ
の形状では、能動領域を有しないシリコン領域の側壁に
導電性領域が７？：７量、する５必要はない。

一般的に、トレンチの深さは１１００ｎ〜１１００Ｑｎ
の範囲内でなければならない。１１００ｎよりも浅いト
レンチはキャパシタンスが過大になり、一方、１０００
ｎ１１）（ａ＋よりも深いトレンチはエツチングするの
に都合が悪い。その後、誘電体を露出基板５２および５
３上に形成する。一般的に、この材料は、熱酸化膜、蒸
着酸化膜のような単独の誘電体またはこれら誘電体の組
み合わせであるか、または、ニス・エム・スゼ（Ｓ、Ｍ
、５ｚｅ）編著ｒＶＬＳＩテクノロジー」第２版、第３
章（マグロ−ヒル出版１９８８年発行）に記載されてい
るようにして生成されたシリコン窒化膜のような蒸着誘
電体である。表面４３および４４も、表面５２および５
３に形成されたものと同じ誘電体のような誘電体により
保護されていなければならない。

その後、前記の厚さを有するポリシリコン層４５を、第
４図Ｂに示されるように、酸化膜」二に被着する。ポリ
シリコンの好適な被着方法はスゼの前掲舎弟６章に記載
されているようなＣＶＤ法およびスパッターデポジショ
ン法である。米田特許第４８２５２７８号明細書に開示
されているような方法により、埋置導電領域をタブ領域
に電気的に接続することもできる。次いで、誘電体４８
を第４図Ｃに示されるように被着する。この誘電体の好
都合な形成方法は１９８８年２月２９日に出動された米
四特許出願第１６１８７６号明細書に開示されているよ
うなスピンオンガラスを用いることからなる。領域４８
の表面が領域４５のポリシリコンの表面よりも高くなる
ように、十分な厚さの誘電体を被着しなければならない
。

次いで、接近した地形を平坦化するために、酸化膜を平
坦化するのに十分な厚さの犠牲層を被着する。この犠牲
層はホトレジスト材料であることが好ましい。その後、
ホトレジスト材料を、スゼの前掲舎弟５章に記載されて
いるようなプラズマ補助法およびプラズマ組成物を用い
てエツチングする。十分な酸化膜が除去され、第４図り
に示されるような形状になるまでエツチングを続ける。

フィールド酸化膜領域の側壁および底部に沿ったポリシ
リコンは残すが、能動領域」―の露出ポリシリコンを、
例えば、常用の反応性イオンエッチン１７− １８− グにより除去する。その後、側壁上端の露出ポリシリコ
ン領域の端面を、例えば、熱酸化法により不働態化する
。

かけ離れた地形を（１ｉ、坦化する一つの効果的な方法
は、トレンチの深さと人体同じｊソ、さのフィールド酸
化膜層を、例えば、ＣＶＤ法により蒸着する。

そして、この酸化膜層の上にホトレジストまたはその他
の放射線画成可能材料を被着する。この材料はその後、
常法により描画される。描画パターンを入念に選択する
。特に、パターンはトレンチマスクのネガであり、この
ネガパターンは被着酸化膜の少なくとも厚さの距離まで
、企ての端部が減少される。（この減少後、二つの端部
がリングラフィ的に最小の解像可能寸法未満にまで分離
されている場合、これらは画成パターンから除去する。

） この描画を行った後、下部のポリシリコンが能動領域上
部の領域中に露出されるまで、マスクされなかった酸化
膜をエツチングする。（ポリシリコンは、酸化膜をエツ
チングするのに使用されるクロロフルオロカーボン系プ
ラズマのような通常のエツチング剤のエツチング停止剤
として機能する。従って、オーバーエソチングは問題で
はない。

）この酸化膜エツチングの結果、フィールド酸化膜中に
ノツチが形成される。これらのノツチ・は、トレンチ面
に沿った傾斜端部と、マスク端部により画成されるほぼ
垂直な端部を有する。これらのノツチは比較的小さい。

得られたノツチの幅は、最上部で測定して、酸化膜の厚
さと同じ最小幅からリングラフィ装置の最小解像可能寸
法に２枚の酸化膜厚さを足した値に等しい最人輔まで、
トレンチの寸法に応じて変化する。従って、−膜内に、
酸化膜の厚さが０．５μｍで最小解像可能寸法が１μｍ
の場合、ノツチの最上部における幅は約０゜５μｔｎか
ら約２．０μｍの範囲内で変化する。ノツチ底部の幅は
約ゼロから１．０μｍの範囲内で変化する。各ノツチの
少なぺとも１個の端部は傾斜している。従って、マスキ
ング材料を除去した後、酸化膜を再び被着することによ
り、これらのノツチを容易に埋め戻し、生成表面中にボ
イドを残したり、あるいは、生成表面中に顕著な非平坦
部分を形成したりしない。従って、この表面を工、１チ
ングすることにより、著しく大きな面積のフィールド酸
化膜領域であっても、平坦なフィールド酸化膜が得られ
る。能動領域上のポリシリコン層は好都合なエツチング
停止剤として、また、能動領域のプロテクターとして再
び機能する。露出したポリシリコン層を除去し、そして
、露出能動領域を加工して能動素子および相互接続を形
成することができる。露出ポリシリコンの除去により、
能動領域の平面上に延びるフィールド酸化膜領域の望ま
しい拡張も生じる。

別の方法では、エツチングし、第４図Ａに示されるよう
な形状を得る前に、窒化シリコン（または酸化物上の窒
化シリコン）のようなエツチング停止層５１をブランケ
ット被着し、そして、同時に一重部のシリコンと共にエ
ツチングし、第５図Ａに示されるような形状が残る。次
いで、トレンチ壁面に沿って熱酸化法により酸化膜を７
Ｌ成する。

続いて、蒸着法によりポリシリコン領域および誘電体領
域を形成する。その後、フィールド酸化膜領域および露
出ボ、リシリコンを第５図Ｂに示すようにエソチバック
し、窒化物領域５１を露出する。

選択的ポリシリコンエツチングおよび引き続く酸化によ
り、ポリシリコンの端部６５を除去し、そして、不働態
化することができる。（引き続いて、窒化物を除去する
こともできる。）埋置導電領域を形成するこの別法は、
フィールド酸化膜層がシリコン表面上に延び、そして、
導電層が酸化物により保護されることを確実にする利点
を有する。

前記のように、別の実施例は、基板表面に連続的なフィ
ールド酸化膜を形成し、この連続フィールド酸化膜中の
活性領域用部分をエツチングし、側壁導電領域を形成し
、次いで、選択的エピタキシャル法を用いて、前記エツ
チング領域中にシリコンの能動領域を形成することを含
む。

るには、同様な方法が使用される。但し、導電性ポリシ
リコン層の被着は除かれる。所望のデバイスを製造する
一連の方法は周知である。この加工２１− ２２− 法の具体例はスゼの前掲舎弟１１章のような文献中に記
載されている。

平坦な大面積酸化膜における埋置導電領域の使用はフィ
ールド酸化膜領域下の反転を防止するのに、バイポーラ
トランジスタにおいても付則である。このような領域を
形成するために必要な方法は、ＣＭＯ８）ランマスクに
ついて説明した方法とほぼ同一・である。

以下、具体例により本発明の方法を例証する。

丈胤鮭 シリコン基板（１００粘晶而が上要面である）を加工し
た。酸素雰囲気および約９００℃の温度で、基板の両主
要面に厚さ３５０Ａの熱酸化膜を成長させた。Ｓ　１Ｈ
２ＣＪ！２　＋ＮＨ３ガス流を含む減ＴｒＣＶ　Ｄ法を
用いて、熱成長酸化膜上に、厚さ約２０００Åの窒化シ
リコン層を蒸着した。次いで、酸素雰囲気中で９００℃
で、無酸化することにより、窒化物上に酸化物の薄膜を
形成した。

ウェハの能動側にスピン塗１＋ｉされた紫外線レジスト
の付近のポジ作用部に領域を開けた。これらの開口は、
フィールド酸化膜を最後に形成すべき箇所に設けた。常
用のリングラフィ技術により、レジストを露光し、そし
て、現像した。酸化物薄膜および下部の窒化物の露光部
分を、フレオン２３（ｃＨＦａ）１０ｓｅｃｍおよび０
２９０ｓｃｃＩ１１を含むプラズマガスと共に、常用の
反応性イオンエッチング方法を用いてエツチングした。

窒化物までのエツチングには約４．２分間要した。オー
バーエツチングにより、完全なりリーニングを行った。

エツチング後、レジストを除去した。

パターン形成されたシリコン窒化物をマスクとして用い
、シリコンウェハ中にトレンチを食刻した。トレンチエ
ツチングはＣＦ　ＣＪ！　ａ＜、８５ｓｅｃｍ。

ＣＪ！　２１６ｓｅｃｍおよびＡ　ｒ　９０ｓｅｃｍを
含むプラズマガスを用いて行った。深さが５０００Åに
達するまでエツチングを行った。その後、トレンチの露
出面を９００℃の気流中で８分間酸化した。この酸化に
より厚さが約５００Åの酸化膜層が形成された。清浄で
１！！（傷の表面を形成するために、ウェハを水とＨＦ
の３０＝１混合溶液に浸漬し、成長酸化膜を除去した。

酸素雰囲気と９００℃の温度条件下で、トレンチ壁面上
に酸化膜を再び成長させた。酸化膜の厚さが２５０入に
なるまで酸化を続けた。その後、水とＨＦの１００：１
混合溶液に３０秒間浸漬し、成長酸化膜を清浄にした。

清浄後、直ちに、先駆ガスとしてシランを用い゛Ｃ減圧
ＣＶＤ法によりポリシリコンをＪ７さ１０００入になる
まで蒸着した。酸素雰囲気中で９００℃で酸化すること
により、厚さ２００Åの二酸化ケイ素膜をポリシリコン
層の表面上に形成した。

ウェハを７５０℃の温度で、テトラエトキシシランと乾
燥Ｎ２の混合ガス流雰囲気に暴露することにより、厚さ
５０００Åの非ドープトニ酸化ケイ素膜を被着した。Ｃ
ＨＣＨＦ３７５ｓｅおよび０２１２ｓｃｃＩ１１を含有
する反応性イオンエツチング雰囲気にウェハを１２．５
分間暴露し、若干オーバーエツチングすることにより、
トレンチの側λ１１ｔ部を除いて、二酸化ケイ素膜を全
て除去した。残った二酸化ケイ素膜をマスクとして用い
ることにより、ポリシリコンの露出領域を分子状ル素中
で打たれたプラズマで除去した。ポリシリコンが除去さ
れるまでプラズマエツチングを続けた。フィールド酸化
股領域を形成するために、前記のテトラエトキシシラン
を用いる減１１ＣＶＩ）法により厚さ１μｍの二酸化ケ
イ素膜を蒸着した。そＱ後、機械研磨と化学研磨を同時
に用いて研磨することにより、この構造物を平坦化させ
た。

得られた構造物を断面透過型電子顕微鏡で観察したとこ
ろ、酸化物薄膜によりトレンチ側壁から分離された導電
領域と、埋置フィールド酸化膜を有するほぼ平坦な構造
が認められた。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、特定の幾何学的
要件を満たすトレンチ内に形成された大面積誘電体（例
えば、フィールド酸化膜）を使用することにより、誘電
体の分離目的を達成しながら、平面性とそれにイ゛１ミ
う利点も得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来技術で使用される代表的な形状の模式的断
面図である。 ２５− ２６− 第２図および第３図は本発明による形状を例証する模式
的断面図である。 第４図および第５図は本発明の半導体装置の製造工程を
段階的に例証する模式的断面図である。

Claims (19)

【特許請求の範囲】
1. （１）（ａ）基板、（ｂ）第１および第２の能動領域お
   よび（ｃ）誘電体の領域からなり、前記誘電体は前記基
   板からの電荷または電界の相互作用を制限するために配
   置され、かつ、形成されている半導体装置において、 前記誘電体は前記第１および第２の能動領域間のトレン
   チを占め、そして、導電領域が、前記能動領域に隣接す
   る前記トレンチの側壁に沿った前記誘電体中に存在する
   ことを特徴とする半導体装置。
2. （２）前記装置は前記能動領域中に電界効果トランジス
   タを含む集積回路からなる請求項１の半導体装置。
3. （３）前記装置は前記能動領域中にバイポーラトランジ
   スタを含む集積回路からなる請求項１の半導体装置。
4. （４）前記誘電体はシリコン酸化物からなる請求項１の
   半導体装置。
5. （５）前記導電領域はシリコンからなる請求項４の半導
   体装置。
6. （６）前記導電領域はシリコンからなる請求項１の半導
   体装置。
7. （７）前記導電領域の電位を前記基板の電位とほぼ同一
   の値に維持する手段を含む請求項６の半導体装置。
8. （８）前記導電領域の電位を前記基板の電位とほぼ同一
   の値に維持する手段を含む請求項１の半導体装置。
9. （９）前記能動領域の表面は誘電体の前記領域の表面と
   ほぼ同一平面にある請求項１の半導体装置。
10. （１０）前記半導体はシリコンからなる請求項１の半導
    体装置。
11. （１１）（ａ）基板、（ｂ）第１および第２の能動領域
    および（ｃ）誘電体の領域からなり、前記誘電体は前記
    基板からの電荷または電界の相互作用を制限するために
    配置され、かつ、形成されている半導体装置において、 前記誘電体は前記第１および第２の能動領域間のトレン
    チを占め、誘電体の前記領域の表面は前記能動領域の表
    面よりも少なくとも２００Å延びており、そして、シリ
    コン／フィールド酸化膜界面において、前記能動領域の
    表面から１０００Åの範囲内の前記シリコン能動領域中
    のドーパント濃度は少なくとも１０＾１＾７原子／ｃｍ
    ＾３であることを特徴とする半導体装置。
12. （１２）前記装置は前記能動領域中に電界効果トランジ
    スタを含む集積回路からなる請求項１１の半導体装置。
13. （１３）前記装置は前記能動領域中にバイポーラトラン
    ジスタを含む集積回路からなる請求項１１の半導体装置
    。
14. （１４）前記誘電体はシリコン酸化物からなる請求項１
    １の半導体装置。
15. （１５）前記導電領域はシリコンからなる請求項１４の
    半導体装置。
16. （１６）前記導電領域はシリコンからなる請求項１１の
    半導体装置。
17. （１７）（ａ）基板、（ｂ）第１および第２の能動領域
    および（ｃ）誘電体の領域からなる半導体装置の製造方
    法において、 前記能動領域間の前記基板中にトレンチを食刻し、続い
    て、前記トレンチの側壁に、導電性物質の領域と誘電体
    の領域を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装
    置の製造方法。
18. （１８）（ａ）基板、（ｂ）第１および第２の能動領域
    および（ｃ）前記能動領域間の誘電体間挿領域からなる
    半導体装置の製造方法において、 前記能動領域間の前記基板中にトレンチを食刻し、続い
    て、前記トレンチの側壁に、導電性物質の領域と誘電体
    の領域を形成し、前記マスクの周縁部が、エッチングの
    ためにマスクされる被着誘電体の厚さ以上に前記能動領
    域から離れるように誘電体の前記領域の一部分をマスク
    し、前記能動領域上の誘電体がほぼ完全に除去されるま
    で、前記非マスキング誘電体をエッチング除去し、前記
    マスクを除去し、そして、誘電体の第２の領域を形成し
    、前記能動領域間の前記誘電体の前記第１の領域をエッ
    チングで除去された容量だけ充填することからなる半導
    体装置の製造方法。
19. （１９）トレンチを含む非平坦面上に、エッチング剤に
    対して耐性を有する第１の物質の層を被着し、前記第１
    の物質の上に第２の物質を被着し、前記トレンチ上の領
    域中の前記第２の物質の前記表面を、少なくとも前記第
    ２の物質の層の厚さ分だけの距離で前記トレンチの端部
    から離された前記マスクの周縁部でマスクし、前記トレ
    ンチ外の部分の上の領域中の前記第２の物質がほぼ完全
    に除去され、そして、ノッチが形成されるまで、前記エ
    ッチング剤で前記第２の物質をエッチングし、前記マス
    クを除去し、そして、組成物を被着して前記ノッチを充
    満することを特徴とする半導体装置の製造方法。