JPH0361243B2 - - Google Patents

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JPH0361243B2
JPH0361243B2 JP57213856A JP21385682A JPH0361243B2 JP H0361243 B2 JPH0361243 B2 JP H0361243B2 JP 57213856 A JP57213856 A JP 57213856A JP 21385682 A JP21385682 A JP 21385682A JP H0361243 B2 JPH0361243 B2 JP H0361243B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は薄膜磁気ヘツドに係り、特に磁性膜が
二層構造である薄膜磁気ヘツドおよびその製造方
法に関する。
〔従来技術〕
薄膜磁気ヘツドはめつき、蒸着、スパツタリン
グ等の薄膜形成技術とフオトリソグラフイと称す
る高精度パターニング技術を用いて作製される。
この代表的な構成は特開昭55−84020号公報に記
載されている。このような薄膜磁気ヘツドにおい
て、読取時の分解能を高め且つ記録時の磁化飽和
を緩和すると共にヘツドの変換効率を高めるため
には、各磁気コアの媒体対向面側すなわち磁気ギ
ヤツプ部分とこれにつながる後側部分で膜厚を換
える必要のあること、すなわち各磁気コアの後側
部分の厚さを磁気ギヤツプ部分より厚くして二段
構造とする必要のあることが特開昭55−84019号
公報に記載されている。
磁気コアの形成法としてはめつき法、蒸着法お
よびスパツタリング法が一般に用いられており、
めつき法においては前述したような形状が比較的
作製し易いという利点があるが、わずかなめつき
条件の変動で磁気特性が大きく変動し、磁気ヘツ
ド特性が安定しないという欠点および膜厚の制御
が難かしいという欠点がある。一方蒸着法あるい
はスパツタリング法を用いた場合には、磁性膜の
特性にバラツキが少なく、膜形成時の膜厚制御も
容易であるという利点があるが、堆積した薄膜を
エツチングして前記二段構造の磁気コアを形成す
るにあたつては膜厚精度を劣化させるという欠点
があつた。即ち、蒸着法あるいはスパツタ法で二
段構造の磁気コアを形成する場合には、第１図に
示したように、基板１上に堆積した磁性膜２を湿
式あるいは乾式のエツチング法により所定形状に
し、更にこの上に磁性膜３を重ねて堆積し、これ
を所定形状にエツチングする第１の方法と、第２
図に示したように第１図における磁性膜２と磁性
膜３の形成順序を変えた第２の方法及び第３図に
示したように、基板４上に厚い磁性膜５を堆積
し、この一部分を所定の厚さだけ減らし、次に所
定形状にエツチングする第３の方法が一般に用い
られる。前記第１の方法では磁性膜２のエツチン
グの際にエツチングの進行に伴なつて露出する基
板（あるいは下地膜）を損傷するという問題があ
る。
この方法を用いた薄膜磁気ヘツドの製造工程を
第４図に示す。まず第４図ａに示すように基板１
０上に磁性膜１２を形成し所定の形状にパターニ
ングを行う。次に磁性膜１２上に二層目の磁性膜
１３を形を形成する。次に磁気ギヤツプ膜１４を
形成し、層間絶縁膜１５、導体コイル１６と順次
形成してゆき層間絶縁膜１５をエツチングして所
定形状にする。次に磁性膜１７を形成する。そし
て第４図ｂに示すようにイオンミリング法などの
乾式のエツチング法を用いて上部磁性膜１７の前
部（磁気ギヤツプ部）を除去し、第４図ｃの如く
二層目の上部磁性膜１９を形成し、第４図ｄの如
く上部磁性膜１９のパターニングを行う。このよ
うにして磁気コアの後側部分の厚さが磁気ギヤツ
プ部分より厚い二段構造の薄膜磁気ヘツドを得る
ことができるが、第４図ｂに示される上部磁性膜
１７のパターニングの段階で正確な膜厚制御が必
要となる磁気ギヤツプ膜１４の膜厚を減少させる
という不都合が生じる。特に高精度なエツチング
が期待できる手法であるイオンミリング法などの
乾式のエツチング法を用いた場合にこの欠点は顕
著となる。これは湿式のエツチング法が化学的で
あるのに対し、乾式のエツチング法は概して物理
的であり、エツチングの選択性が低いためであ
る。一方、前記第２の方法では磁性膜２のエツチ
ングの際に磁性膜３の露出した部分をエツチング
して膜厚を減少させるという欠点がある。磁性膜
３の露出部分は磁気コアの中でも特に正確な膜厚
制御を必要とする部分に相当し、この部分の膜厚
変動はヘツド特性の変動につながる。前記第３の
方法においても第２の方法と同じ欠点を有する。
以上に述べたように従来、磁気ギヤツプ部分で
所定の厚さを持ち、磁気ギヤツプ部分につながる
後側部分で磁気ギヤツプ部分よりも厚い二段構造
となる磁気コアを有し、かつ磁気コアおよび磁気
ギヤツプの膜厚精度が良くヘツド特性に優れた薄
膜磁気ヘツドを実現することは困難であつた。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、上述の従来技術の問題を除去
し、読取時の分解能を高め且つ記録時の磁化飽和
を緩和すると共にヘツドの変換効率を高めるよう
な構造の薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法を提
供することにある。
〔発明の概要〕
本発明の特徴は、第２の磁気コアを構成する２
つの磁性膜層の間にエツチング速度の遅い無機絶
縁膜層を設けた点にある。この無機絶縁膜によつ
て、磁性膜の磁気ギヤツプ部分の膜厚減少を防止
できる。従つて、磁気ギヤツプ部分で所定の厚さ
を持ち、磁気ギヤツプ部分につながる後側部分で
磁気ギヤツプ部分よりも厚い二段構造となる磁気
コアを有し、かつ磁気コア及び磁気ギヤツプの膜
厚精度が良くヘツド特性に優れた薄膜磁気ヘツド
を得ることができる。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の一実施例を第６図を用いて説明
する。
基板１０上に下地膜１１となるアルミナをスパ
ツタリングにより形成する。次に、パーマロイを
蒸着あるいはスパツタリングにより堆積し、イオ
ンミリングあるいはスパツタエツチングなどのド
ライエツチング法によりパターン形成し磁性膜１
２を形成する。次に、磁性膜１２を完全に覆うよ
うに、磁性膜１２と同様の方法で磁性膜１３を形
成し、後側部分Ｂが磁気ギヤツプ部分Ａより厚い
第１の磁気コアを形成する。次に磁気ギヤツプ膜
１４を形成し、層間絶縁膜１５、導体コイル１６
と順次形成してゆき層間絶縁膜１５をエツチング
して所定形状を得る。
次に、スパツタリングによりパーマロイ膜を堆
積し前記ドライエツチング法によりパターン形成
し磁性膜１７を形成する。この磁性膜１７は磁気
ギヤツプ部分Ａを覆い、第１の磁気コアの後部２
０に接続するように形成し、この磁性膜１７上に
無機絶縁膜１８を形成する。無機絶縁膜１８の材
質はドライエツチング時のエツチング速度が遅
く、かつ安定な化合物であるアルミナ、チタニア
等の酸化物が最適である。無機絶縁膜１８を形成
する工程は磁性膜１７を形成する際、同一真空槽
内で連続堆積しドライエツチングにより連続して
エツチングしパターン形成することにより工程を
短縮することも可能である。次にパーマロイ膜を
スパツタし媒体対向面から所定量離れたところに
位置合わせしてドライエツチングし、磁性膜１９
を形成する。このとき無機絶縁膜１８は磁性膜１
９のエツチングストツパーの役割を果たし、必要
膜厚は磁性膜１９をエツチングする際のエツチン
グ終点のバラツキを吸収できるだけの厚さが必要
である。例えばイオンミリング法を用いて2μmの
パーマロイ膜をエツチングするとして、無機絶縁
膜としてアルミナ膜を用いた場合には0.3〜0.6μm
程度の厚さが必要である。
なお本発明を実施した場合には、磁気ヘツドの
媒体対向面側に前記無機絶縁膜が露出することに
なるが、浮上型磁気ヘツドで問題となる耐摺動強
さなどの特性については無機絶縁膜の材質をアル
ミナなどの安定な酸化物とすることにより何ら問
題は発生しない。また、無機絶縁膜を設けたこと
により、第２の磁気コアが分割されるため、磁気
特性の劣化が懸念されるが、第５図に示すように
無機絶縁膜を2μm程度まで厚くしても記録再生時
の出力低下は少ない。第５図は横軸に無機絶縁膜
の膜厚を、縦軸に記録再生時のヘツドの出力の相
対値を取つた図である。
〔発明の効果〕
以上述べたように、本発明によれば、後側部分
が磁気ギヤツプ部分より厚い形状の磁気コアを膜
厚精度良く形成できるので、読取時の分解能を高
め且つ記録時の磁化飽和を緩和するとともにヘツ
ドの変換効率を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図〜第３図は従来技術を用いて基板上に磁
気コアを形成する工程を示す縦断面図、第４図は
従来技術を用いて基板上に薄膜磁気ヘツドを形成
する工程を示す縦断面図、第５図は本発明による
無機絶縁膜の厚さとヘツド出力の関係を示す図、
第６図は本発明の一実施例による薄膜磁気ヘツド
を示す縦断面図である。 １２……磁性膜、１３……磁性膜、１４……磁
気ギヤツプ膜、１５……層間絶縁膜、１６……導
体コイル、１７……磁性膜、１８……無機絶縁
膜、１９……磁性膜、２０……コア接続部、Ａ…
…磁気ギヤツプ部分、Ｂ……後側部分。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 基板上に形成された第１の磁気コアと、該磁
    気コアの上に絶縁膜を介して形成された巻線と、
    該巻線上に前記第１の磁気コアの後部で当該磁気
    コアに接続され、第１の磁気コアの前部で当該コ
    アとの間に磁気ギヤツプを形成するように形成さ
    れた第２の磁気コアとからなる薄膜磁気ヘツドに
    おいて、前記第２の磁気コアを前記磁気ギヤツプ
    部から磁気コア接続部まで連続する磁性膜と、磁
    気ギヤツプ部から磁気コア接続部方向へ所定量後
    退させた位置から磁気コア接続部まで連続する磁
    性膜の二層構造とし、これら磁性膜間に無機絶縁
    膜を介在させたことを特徴とする薄膜磁気ヘツ
    ド。 ２ 基板上に磁気コアを形成し、該磁気コア上に
    絶縁膜を介して巻線を形成し、該巻線上に前記磁
    気コアの後部で当該磁気コアに接続され、磁気コ
    アの前部で当該磁気コアとの間に磁気ギヤツプを
    形成するように第１の磁性膜を形成し、該磁性膜
    上に無機絶縁膜を形成し、該無機絶縁膜上に第２
    の磁性膜を形成し、該第２の磁性膜の磁気ギヤツ
    プ上に存在する部分をエツチングにて除去してな
    ることを特徴とする薄膜磁気ヘツドの製造方法。
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