JPH03501608A - アミノアリール‐β‐スルファトエチルスルホン‐化合物の製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 アミノアリール−β−スルファトエチルスルホン−化合物の製法一 本発明は中間生成物、特に繊維反応性染料用中間生成物の合成の工業的分野にあ る。

アミノアリール−β−スルファトエチルスルホン−化合物は、現今工業的に主と して２種の方法によって対応するアミノアリール−β−ヒドロキシエチルスルホ ン−化合物又はそのアシルアミノ−誘導体、例えばそのアセチルアミノ−化合物 を硫酸化剤、例えば水性濃硫酸又は１００％硫酸又は三酸化硫黄を含有する硫酸 により、場合により存在するアシルアミノ基の同時的加水分解下硫酸化すること により製造される（Ａｎｇｅｗａｎｄｔｅ　Ｃｈｅｍｉｅ　７４．９６６　（１ ９６２）も参照）。

一方の方法に於いては、アミノ−又はアシルアミノアミノアリール−β−ヒドロ キシエチルスルホン−化合物が過剰の、約９５乃至９６重量％又は１００重量％ 硫酸又は低含有率の遊離三酸化硫黄を有するオレウム中に室温又は多少高い温度 、例えば３５乃至５０゛Ｃの温度に於いてかき混ぜられる。通例１０００モル％ までの過剰の硫酸が使用され、これは同時に溶剤として及び反応水の結合に役立 つ。

この方法は種々な欠点を有する。エステル化生成物が水及び氷による稀釈により 分子内塩として沈澱されるか又は中和後中性塩として単離されるなら、いずれに せよ高い塩公害を有する工程瘉水が生ずる。

エステル化生成物が、例えばジアゾ化反応に於いてアゾ染料を製造するために、 溶液中でさらに処理されるなら、エステル化反応及び染料製造が製造過程に於い て時間的に調整されねばならない。例えば炭酸すＩ・リウム、苛性ソーダ液又は 炭酸カルシウムによる染料溶液の中和により水和硫酸ナトリウム（ポウ硝）とし て染料溶液から低温に於いて晶出されるか又は硫酸カルシウムとして沈澱され、 さらに利用されるか又はごみ捨て場に滞積されねばならない、著量の塩が生成す る。

他方の方法に於いては、エステル化が化学量論的量の硫酸又は過剰の２乃至３０ モル％の硫酸を用いていわゆる接触乾燥器、例えば乾燥子なべ中で約１２０°Ｃ 乃至約１５０°Ｃの温度に於いて実施される。この反応の実施が提案された別の 装置は加熱混練機及び乾燥ベルトである。アミノアリール−β−ヒドロキシスル ホン−出発化合物又はそのアセチルアミノ−誘導体は通例乾燥し、−水和物又は 濃硫酸中にかき混ぜられる。その後全部が夫々の生成物に関して最適な反応温度 に加熱し、反応水及び遊離した酢酸は常圧又は減圧に於いて排出される。この場 合エステル化生成物は固体形で得られる。この方法も欠点を有する。例えばこの ために数時間の長い反応時間が、反応器の加熱表面から生成物塊への悪い熱伝導 に基づいて−特に該塊が固体相に達する場合−必要である。生成物の品質は、長 い反応時間と関連して一定不変の熱的負荷に基づいて副生成物の生成によりそこ なわれる。反応混合物は、固体状態の到達前場合により一夫々の出発−アミノア リール−β−ヒドロキシエチルスルホン次第で一装置の高い機械的負荷（これは 再び高い修復不能に導く）を有する高粘稠な粘相を通過する。その上この場合使 用される反応器（これは通常オーステナイト鋼から製造されている）は、稀硫酸 、例えば２０乃至８０重量％硫酸により１２０°Ｃ以上の温度に於いて著しく腐 食され、その際１年当たり１０ｍｍまでの壁が取りさられる。最終生成物は、粒 子分布に於いて不均質で得られ、しかも同時に粉末及びもろい凝集体として得ら れ、これは破砕機又はミルに於ける付加的粉砕を必要とする。さらにこれをさら に加工するために、分子内塩として得られるエステル化生成物を機械的に硬い形 で得られ、これを水中に溶解する際アルカリ作用性剤による中和により長い反応 時間を必要とするという欠点がある。

本発明により本発明者は、アミノアリール−β−ヒドロキシエチルスルホン−化 合物又はそのアシルアミノ−誘導体の硫酸化反応を、硫酸中のこのアミノアリー ル−β−ヒドロキシエチルスルホン−化合物又はそのアシルアミノ−化合物の溶 液又は懸濁液又はペーストを対流乾燥器の熱いガス流（空気、不活性化空気、窒 素）中に噴射し、この場合この対流乾燥器中で乾燥、エステル化反応及び場合に より存在するアシルアミノ−基の加水分解を同時に実施する様に実施すれば、両 方の公知な方法の上記の欠点が驚くべきことに避けられることを見出した。

この様な対流乾燥器は、文献、例えば　Ｖｅｒｆａｈ−ｒｅｎｓｔｅｃｈｎｉｋ 　１０．　７５８−７６３（１９７６）、Ｃｈｅｍ、Ｉｎｇ。

Ｔｅｃｈｎ、５Ｌ　２６６−２７７　（１９７９）及びＣｈｅｍ、　Ｉｎｇ。

Ｔｅｃｈｎ、５９．１１２−１１７　（１９８７）中に多数記載されている。本 発明により使用される対流乾燥器は、通例工業的に通常使用される装置、例えば 流動層を圧搾空気により及び／又は機械的に生じさせる流動層噴霧造粒機、流動 床乾燥器、噴霧乾燥器並びに外部又は組み込まれた流動床を有する噴霧乾燥器及 びスピン−フラッシュ−乾燥器である。

殊に本発明により流動層噴霧造粒機、噴霧乾燥器及び組み込まれた流動床を有す る噴霧乾燥器が使用される。本発明による方法をこの様な対流乾燥器を用いて実 施することができる工程図は、添付した第１回、第２図及び第３図から明らかで ある：第１図＝流動層噴霧造粒機の工程図、 第２図＝噴霧乾燥器の工程図、 第３図＝組み込まれた流動床を有する噴霧乾燥器の工程図。

これらの図面に於いて各記号は次の意味を有する＝（１）＝通風筒 （２）＝ガス加熱器 （３）＝有孔底 （４）＝流動層噴霧造粒機 （５）＝揚水車 （６）＝出発−反応混合物を有する貯蔵器（７）＝ポンプ （８）＝スプレーノズル（−成分−又は二成分ノズル）又はスプレー円板 （９）＝ガス加熱器 （１０）−粉末ろ過器 （１１）＝凝縮器 （１２）＝ｒ微細体」　（スルファト−最終生成物）を有する貯蔵器 （１３）−圧調節器（１３ａ）を有するガス定流量装置（１４）＝揚水車 （１５）　＝噴霧乾燥器 （１６）　＝サイクロン （１７）　＝ガス洗浄器 （１８）＝顆粒（最終生成物）用収集器（１９）　＝ガス加熱器 （２０）　＝組み込まれた流動床を有する噴霧乾燥器（２１）＝微細体導管 （２２）　＝塔デツキに通ずるガス排出管（２３）＝すベリ弁 （２４）＝微細体導入管 （２５）　＝チョッパー （２６）＝攪拌器 （Ｆ）＝流動床 （Ｇ）＝ガス（熱媒体ガス、乾燥−及び／又は渦流ガス） （Ｎ）＝搬送ガス （Ｓ）＝噴霧ガス （Ｋ）＝凝縮体。

使用されるガスは、通例空気又は窒素又は、殊に低い酸素含有率を有する空気／ 窒素−混合物である。

乾燥及びエステル化反応並びに場合により存在するアシルアミノ基の加水分解は 、通例１００乃至２００°Ｃ１殊に１１０乃至１８０°Ｃで実施される。温度は 、通例反応混合物の熱いガス流への噴射速度により調整され、一定に保たれる。

ガス（Ｇ）の導入温度は、通例１５０乃至３６０°Ｃ１殊に１８０乃至３００° Ｃである。ガス導入温度の選択は、例えば使用される対流乾燥器の選択及び／又 はガス流の選択された容積の大きさ及び／又は反応混合物の噴射速度及び濃度に 左右され得る。例中で記載される最高ガス導入温度は実験的に適用される温度で あり、これは個別的装置に於ける工業的実施に関する限界を意味しない。

硫酸は、化学量論的量で使用することができ、殊にこれはβ−ヒドロキシエチル スルホニル、出発化合物に対し小過剰で、例えば１５％モルまでの過剰で使用さ れる。殊にβ−ヒドロキシエチルスルホニル−出発化合物対Ｈ２ＳＯ，のモル比 は１：１乃至１：１．０５なる範囲であって、ここでも完全なエステル化が保証 され、噴霧により加工可能な、出発化合物及び硫酸からなる溶液又は懸濁液又は ペーストが製造可能であり、溶液は殊に８０乃至１１５°Ｃで製造される。

硫酸として、出発化合物が工業的に乾燥された物又は工業的に水で湿潤された物 として使用されるかどうか次第で、１００％硫酸も９０重量％までの含水率を有 する水性硫酸も使用することができる。通例Ｈ２ＳＯ４２０重量％より大なる濃 度を有する水性硫酸を使用し、殊に出発化合物の別々の乾燥を回避するために、 ５０乃至９０重量％の固体含有率を有する工業的に水で湿潤された出発化合物（ 製造工程から得られる如き）を使用し、ＬＳＯａ　３５乃至９５重景％の濃度を 有する硫酸を使用し、乾燥及びエステル化反応を１段階で実施する。溶液、ペー スト又は懸濁液中のβ−ヒドロキシエチルスルホニル−出発化１１＆び硫酸の濃 度は、１：１．１５又は好ましくは１：１．０５までのβ−ヒドロキシエチルス ルホニル−出発化合物対硫酸のモル比が保たれる場合、可変である。

通例本発明により、硫酸中アミノ−又はアシルアミノ−アリール−β−ヒドロキ シエチルスルホン−出発化合物の溶液、懸濁液又はペーストから出発し、これを ポンプを経て反応器に導入し、そこではノズル又はスプレー円板により熱いガス 流（Ｇ）中にスプレーする様にして実施する。この場合生成した大なる生成物表 面に基づいてアシル基のさっそくの加水分解及び同時的の完全な乾燥及び反応生 成物へのエステル化（硫酸化）が行われる。有利には反応混合物のガス流への供 給は、これが反応装置の設計を妨げない場合、流動するガス中でスルファト−最 終生成物が生成する様に実施される。流動床の開発により、スプレーした反応混 合物は流動床の微細体を薄層で覆うか又は微細粒子を凝集し、このように粉末の ない顆粒が得られるという長所が生じる。例えば１００乃至３０００μｍの粒度 を有する顆粒の生成は、場合により微細物配量器及び／又はチョッパーにより制 御される。顆粒は、反応装置から導出し、適切な分離装置により場合により所望 の粒子破片に分けることができる。非常に微細な粒子（「微細粒子」）及び／又 は粉砕した粗凝集体く「過粗粒子」）は、再び反応装置又は反応装置の流動床に 供給し、最終生成物を所望な粒度で得ることができる。使用生成物及び反応から の蒸発水を、場合により存在するアシル基の脱離酸、例えばアセチル基からの酢 酸と共に熱いガス流により導出し、凝集器に於いて冷却により沈降させる。凝縮 体のないガスを再び所要の導入温度に加熱し、再び反応器に熱媒体ガスとして供 給する。噴霧乾燥器に於ける流動床温度又はガス導出温度は、例えば反応混合物 の配置速度により調整され、一定に保たれる。

１００乃至２００　”Ｃの温度範囲に於いて反応に関する非常に短い固定滞留時 間は、噴霧した反応混合物からの水蒸発の同時的進行及び完全なエステル化反応 を達成させるために、十分である。それゆえに出発−反応混合物を噴射するのと 同じ程度で反応生成物を反応器から取り出すことが可能である。その結果本発明 による反応は、連続的に実施することができる。高いエステル化度及び高い生成 物品質を有する最終生成物が副生成物の生成の抑制により達成され、その上該生 成物は、直接規格化生成物、すなわち微細顆粒が著しい塵埃公害なしに得られ、 その再処理に関する著しく改善された性質、例えば水による品温潤性及び分子内 塩として存在するスルファト化合物のアルカリによる中和の際の水への高い溶解 速度を有する。

本発明は、特に一般式（１） ％式％（１） （式中ｍは１又は２なる数を意味し、Ａはフェニレン−又はナフチレン残基であ り、該残基は１乃至４個のＣ−原子を有するアルキル、例えばメチル及びエチル 、１乃至４個のＣ−原子を有するアルコキシ、例えばメトキシ及びエトキシ、ハ ロゲン、例えば弗素、特に臭素及び塩素、カルボキシ及びヒドロキシよりなる群 から選ばれた１、２又は３、殊に１又は２個の置換基により置換されていること ができる） に相当するアミノ−アリール−β−スルファトエチルスルホン−化合物を、一般 式（２） （式中ｍ及びＡは上記の意味を有し、Ｒは水素原子又はアシル基、特に低級アル カンカルボン酸の一つ、例えばアセチル基を示す） で示される、対応する出発化合物の使用下、製造することに関する。殊に一般式 （２）一式中ｍが１なる数であり、八が１，３−又は１．４−フェニレン残基を 意味し、該残基は置換されていないか又は１個の臭素原子又は１又は２個のメト キシ基により又は１個のメチル基及び１個のメトキシ基により置換されているか 、又は八がナフチレン残基、殊に２，６−又は２，８−ナフチレン残基を意味す る−で示される化合物の硫酸化法が使用される。

本発明により硫酸半エステル（スルファト化合物）に変えることができる、−ｉ 式（２）に相当する出発化合物は、例えば４−（β−ヒドロキシエチルスルホニ ル）−アニリン、３−（β−ヒドロキシエチルスルホニル）−アニリン、２−メ トキシ−５−（β−ヒドロキシエチルスルホニル）−アニリン、４−メトキシ− ５−（β−ヒドロキシエチルスルホニル）−アニリン、２−ヒドロキシ−５−（ β−ヒドロキシエチルスルホニル）−アニリン、２−メトキシ−５−メチル−４ −（β−ヒドロキシエチルスルホニル）−アニリン、２，５−ジメトキシ−４− （β−ヒドロキシエチルスルホニル）−アニリン、２−ブロム−４＝（β−ヒド ロキシエチルスルホニル）−アニリン、６−（β−ヒドロキシエチルスルホニル ）−２−アミノ−ナフタリン及び８−（β−ヒドロキシエチルスルホニル）＝２ −アミノ−ナフタリン並びにそれらのＮ−アセチル−誘導体である。

以下の例は本発明を説明するために使用される。

特記しない限り、記載した部は重量部であり、百分率の記載は重量パーセントで ある。容量部は重量部に対しリットル対キログラムの割合になっている。

例 本発明による方法の実施を以下の例に於いて添付した第１図、第２図及び第３図 中で記載した工程図に基づいて説明する。この工程図は、単に説明する例であり 、それ自体本発明による方法の発明上重要な構成要素でない。

流動層噴霧造粒機（第１図）の機能原理：通風筒（１）は、ガス（Ｇ）をガス加 熱器（２）−これは、例えば電気的に及び／又は加熱蒸気及び／又はガス又は石 油バーナーにより加熱することができる−及び有孔底（３）〜この上に反応に望 ましい流動床（Ｆ）（これは場合により付加的に攪拌器（２６）により揺動する ことができる）が生じるーを経て造粒機（４）に搬送する。揚水車（５）を経て 及び／又は搬送ガス（Ｎ）による送入によりまず微細磨砕最終生成物、すなわち アミノアリール−β−スルファトエチルスルホン−化合物（以下「微細体」と称 する）及び／又は不活性な微細材料、例えば活性炭、けい酸又は塩、例えば硫酸 ナトリウムを貯蔵器（１２）から流動床（Ｆ）中に仕込み、熱い渦流ガス（＝ガ スＧ）と共に流動床を生じさせる。流動床が少なくとも１００°Ｃの反応温度を 達したら、アミノアリール−β−ヒドロキシエチルスルホン〜出発化合物の硫酸 溶液、懸濁液又はペーストを貯蔵器（６）からポンプ（７）により二成分ノズル （８）を経て造粒機（４）中に搬送し、噴霧ガス（Ｓ）−これは場合によりガス 加熱器（９）中で、例えば９０°Ｃに加温される−と共にスプレーする。スプレ ーした反応混合物は仕込んだ、微ｍｓ砕した微細体を流動床中で薄層で覆うので 、乾燥及び反応を大きな、くり返し新たな表面に基づいて最高速度で進行させる ことができる。この場合熱い渦流ガスは、反応からの水及び場合により揮発性の 副生成物を吸収する。これから粉末ろ過器（１０）に於いて生成物粉末を除き、 凝縮器（１１）に於いて水及び揮発性分解生成物を除去し、通風筒（１）及びガ ス加熱器（２）を経て再び工程にこれを供給する。絶えず工程中に流入する噴霧 ガスをガス定流装置（１３）を経て自動的に排出する。得られる最終生成物を顆 粒として造粒機（４）から揚水車（１４）を経て導出する。狭い粒子スペクトル を有する顆粒を適切に製造するために、例えば、反応混合物の噴射と平行して、 微細体を貯蔵器（１２）から流動床中に導入するか又は微細体を流動床に於いて 、チョッパーを間欠的に又は連続的に作動させることによって、チョッパー（２ ５）により製造することができる。

噴霧乾燥器（第２図）の機能原理： ガス加熱器（２）を経て通風筒（１）により噴霧塔（１５）及びサイクロン（１ ６）を経て熱いガス（Ｇ）を吸弓■し、引き続いてガス洗浄器（１７）中に圧入 し、そこでは微細粉末及び揮発性反応生成物を除く。同時にアミノアリール−β −ヒドロキシエチルスルホン−出発化合物の硫酸溶液、懸濁液又はペーストを貯 蔵器（６）から、例えばポンプ（７）を用いて二成分−ノズル（８）を経て噴霧 塔（１５）中に搬送し、熱い噴霧ガス（Ｓ）−これは場合により加温されるーに より噴霧する（二成分−ノズル（８）の代りに一成分一ノズル又は円板式スプレ ーも使用することができる）。

反応混合物の噴射と同時に場合により微細体を貯蔵器（１２）から揚水車（５） を介して塔デツキを経て導入することができる。噴霧した反応混合物から並流さ せて熱いガスにより反応の水及び場合により揮発性副生成物を除去し、サイクロ ン（１６）に搬送し、そこで貯蔵器（１８）に於いて顆粒として分離する。サイ クロンを通過する、最終生成物の微細粉末粒子をガス洗浄器（１７）に於いて洗 出する。ガス洗浄器のポンプ底部に於いてβ−スルファトエチルスルホン−最終 化合物の水性懸濁液が生成し、酸液から該化合物を単離することができる。粉末 ろ過器（１０）及び凝縮器（１１）の使用下ここても、第１図中に記載の如き、 循環法に於ける操作が可能である。この場合にガス洗浄器を省くことができる。

組み込まれた流動床を有する噴霧乾燥器（第３図）の機能原理： 通風筒（１）により乾燥ガス及び反応ガスとしてのガス（Ｇ）をガス加熱器（１ ９ａ）を経て噴霧塔（２０）中にブローし、更にガス（Ｇ）をガス加熱器（１９ ｂ）を介して加熱し、有孔底（３）を介して渦流ガスとして、生ずる流動床（Ｆ ）中に圧入する。分流を搬送ガスとして、微細体を、例えばサイクロン（１６） 又は貯蔵器（１２）から微細体導入管（２４）を経て反応器（２０）、特に流動 床（Ｆ）中に供給するために、使用することができて、反応の始めに流動床を形 成するか又は、噴射中、場合によりチョッパー（２５）の付加的使用上粒度を制 御する。場合により付加的な「粉化」を微細体を用いて塔デツキを経て、例えば 第２図中に記載した微細体導入管（２１）を用いて行なうことができる。

貯蔵器（６）から、例えばポンプ（７）によりアミノアリール−β−ヒドロキシ エチルスルホン−出発化合物の硫酸溶液、懸濁液又はペーストを噴霧乾燥器（２ ０）の二成分−ノズル（８）に搬送し、そこでは場合により予熱した噴霧ガス（ Ｓ）により噴霧する。最終生成物の生成顆粒を噴霧塔から貯蔵器（１８）に導出 する。反応の水及び場合により揮発性副生成物を付着したガスを噴霧塔（２０） から塔デツキ（２２）を経て導出し、サイクロン（１６）に於いてまだ造粒され ていない最終生成物を、ガス洗浄器（１７）に於いて粉末及び揮発性副生成物を 除く。サイクロン（１６）に於いてガス流から微細体として分離した最終生成物 を揚水束（５）及び導管（２４）を経て再び流動床に於ける造粒に供給すること ができる。

例　： １、バッチ操作法に於ける４−（β−スルファトエチルスルホニル）−１−アミ ノ−ベンゼンの製造１、ａ　反応混合物の製造 ４−（β−スルファトエチルスルホニル）−１−アセチルアミノ−ベンゼンを工 業的に水湿潤下又は工業的に乾燥下、スルホニル化合物と硫酸とのあいだのモル 比が、例えば１：１又は１８１．０２又は１：１．０５又は１：１．０７である 様な量の、例えば５０乃至９５％なる百分率含有率を有する水性硫酸と混ぜ合わ せる。例えば１００″Ｃに於いて溶液が又は２０乃至２５°Ｃに於いて懸濁液が 得られ、これらを対流乾燥器中に供給する。殊に５０乃至６６％の４−（β−ヒ ドロキシエチルスルホニル）−１−アセチルアミノ−ベンゼン及び２１乃至２８ ％の硫酸（１００％として計算）を含有する、反応混合物を用いて実施される。

１、ｂ　処理例 １、ｂ、１　処理原理 流動層噴霧造粒機（例えば第１図による）中でガス（Ｇ）及び最終生成物の微細 体、すなわち、例えば１００μｍより小さいか又は１００　μｍと等しい粒度を 有する４、（β−スルファトエチルスルホニル）−１−アミノ−ベンゼンと共に 流動床をつくる。

ガス（Ｇ）の導入温度は、例えば例１．ｂ、２乃至１３ｂ、５中に記載の如く、 選択し、流動床温度（＝反応温度）は、１．ａで製造した、スルホニル−出発化 合物の溶液又は懸濁液を絶えず流動床中に噴射することによって、例１．ｂ、２ 乃至１．ｂ、５中に記載の如く、一定に保つ。この場合流動床中で顆粒が生成し 、その粒度をスルファト−最終生成物の微細体の導入及び／又はチョッパー（２ ５）による粉砕により制御し、したがって、例えば１００乃至８００　ａｍ又は １００乃至２０００　Ｂ　ｍ又は１００乃至３０００μｍを有する顆粒を製造す る。工程を例えば２又は３又は４又は５時間後、すなわち流動床中の顆粒量が、 顆粒粒子の最適な「流動」がもはや保持することができない様に大きくなる場合 に中断する。

次に流動床を空にし、工程を始めから開始する。

例１．　ｂ、　２ 処理原理１．ｂ、１に記載の如く、２００°Ｃのガス（Ｇ）の導入温度及び１２ ０°Ｃの流動床温度（＝反応温度）の適用上実施する。１．Ｃに記載の如き、組 成及び品質特徴を有する顆粒が得られる。

例１．　ｂ、　３ 処理原理１．ｂ、１に記載の如＜、２００°Ｃのガス（Ｇ）の導入温度及び１５ ０°Ｃの流動床温度（＝反応温度）の適用上実施する。１．Ｃに記載の如き、組 成及び品質特徴を有する顆粒が得られる。

例１．　ｂ、　４ 処理原理１．ｂ、１に記載の如く、２４０°ＣＯガス（Ｇ）の導入温度及び１７ ０°Ｃの流動床温度（＝反応温度）の適用上実施する。１．Ｃに記載の如き、組 成及び品質特徴を有する顆粒が得られる。

例１．　ｂ、　５ 処理原理１．ｂ、１に記載の如く、１７０°ＣＯガス（Ｇ）の導入温度及び１１ ５’Ｃの流動床温度（＝反応温度）の適用上実施する。１．Ｃに記載の如き、組 成及び品質特徴を有する顆粒が得られる。

１、Ｃ結果 スルホニル−出発化合物の硫酸溶液の噴射中流動床から取り出される試料の分析 に基づき、エステル化反応（硫酸化）は噴射中白動的に及び実際上完全に進行す るので、後反応時間（「熱処理時間」）が必要でないことを確認した。このこと は付加的に、流動床中で選択した反応温度に於いて４時間までの「熱処理時間」 に付され、生成物組成がスルファト−最終生成物の含有率に関してもはや変化し ない顆粒試料の分析により確認される。例１．ｂ、２乃至１、ｂ、５の顆粒は平 均 ９８％の４−（β−スルファトエチルスルホニル）−１−アミノ−ベンゼン、 ０．１〜０．５％の４−（β−ヒドロキシエチルスルホニル）−１−アセチルア ミノ−ベンゼン及び０．２〜０．５％の４−（β−ヒドロキシエチルスルホニル ）−１−アミノ−ベンゼン を含有した。

実際上粉末のない顆粒は、接触乾燥器、例えば乾燥下なべ中で製造される生成物 と比較して７なるｐＨ−値までの焼成ソーダの添加の際の水性懸濁液中の高い溶 解速度で優れている。

２．連続的操作法に於ける４−（β−スルファトエチルスルホニル）−１−アミ ノ−ベンゼンの製造２、ａ　反応混合物の製造 反応混合物を１．ａに記載の如く製造する。

２、ｂ　処理例 処理原理１　ｂ、１中に記載の如く、ガス（Ｇ）及びスルファト−最終生成物の 微細体を用いて流動床をつくる。通用される、ガス（Ｇ）の導入温度及び流動床 温度を例１．ｂ、２乃至１．　ｂ、４中に記載の如く選択する。

バッチ法による製造の処理法と異なって連続的操作法の場合得られた顆粒を、例 １．ａに記載の如き、反応混合物の噴射と平行して揚水束（１４）により連続的 に導出するので、流動床中に存在する顆粒量が一定のままである。顆粒の粒度は バッチ操作法の場合と同様に「微細体」　（スルファ）−最終生成物）の配置に より及び／又はチョッパー（２５）による顆粒の粉砕により制御されるので、工 程は流動床中の顆粒量に基づいて及び不変である粒子スペクトルで最適な「渦流 範囲」に於いて進行する。

実施した連続的操作法は、９８時間まで中断せずに実施されている。

２、Ｃ結果 まず絶えず、次に大きな時間的間隔で取り出した顆粒試料は、例１．Ｃに記載の 如き品質特徴を示す。

３、噴霧乾燥器（例えば第２図による）に於ける４−（β−スルファトエチルス ルホニル）−１−アミノ−ベンゼンの製造 ３、　ａ　反応混合物の製造 反応混合物を、１．ａに記載の如く、かき混ぜる。

３、ｂ　処理例 ３、ｂ、１　処理原理 ガス（Ｇ）を、例３．　ｂ、２乃至３．ｂ、５中に記載の如く、導入温度に加熱 する。熱いガス流中に１．　ａに記載されている反応混合物を連続的に噴入し、 しかも例３．　ｂ、２乃至３、ｂ、５中に記載のガス（Ｇ）の出発温度が一定の ままである様な速度で噴入する。反応混合物の噴射と同時に場合により「微細体 ｊ　（スルファト−最終生成物、粒度、例えば１００μｍより小さいか又は１０ ０　μｍと等しい）を貯蔵器（１２）から揚水束（５）を用いて塔デツキを経て 噴霧乾燥器中に導入する。

例３．　ｂ、　２ 処理原理３．ｂ、１に記載の如り、２２０°ＣＯガス（Ｇ）の導入温度及び１５ ０°ＣＯガス導出温度の適用上実施する。１．Ｃに記載の如き、組成及び品質特 徴を有する顆粒が得られる。

例３．ｂ、　３ 処理原理３．ｂ、１に記載の如＜　、２６０°ＣＯガス（Ｇ）の導入温度及び２ ００°ＣＯガス導出温度の適用上実施する。ｌ、Ｃに記載の如き、組成及び品質 特徴を有する顆粒が得られる。

例３．ｂ、　４ 処理原理３．ｂ、１に記載の如＜、２３０°ＣＯガス（Ｇ）の導入温度及び１８ ０°ＣＯガス導出温度の適用上実施する。１．Ｃに記載の如き、組成及び品質特 徴を有する顆粒が得られる。

例３．ｂ、　５ 処理原理３．ｂ、１に記載の如＜、２００°ＣＯガス（Ｇ）の導入温度及び１２ ５°ＣＯガス導出温度の適用上実施する。１．Ｃに記載の如き、組成及び品質特 徴を有する顆粒が得られる。

４、組み込まれた流動床を有する噴霧乾燥器（例えば第３図による）に於ける４ −（β−スルファトエチルスルホニル）−１−アミノ−ベンゼンの製造４、ａ　 反応混合物の製造 反応混合物を、ｌ、ａに記載の如く、混ぜ合わせる。

４、ｂ　処理例 ４、ｂ、１　処理原理 処理は、組み込まれた流動床を有する噴霧乾燥器の機能原理に於いて記載の如く 、進行する。乾燥ガス及び熱媒体ガスをガス加熱器（１９ａ）に於いて例４．ｂ 、２乃至４．ｂ、５中に記載した導入温度に加熱する。流動床に必要な渦流ガス をガス加熱器（１９ｂ）に於いて例４．ｂ、２乃至４．ｂ。

５中に記載した流動床温度に加熱する。揮発性反応生成物及び生成物粉末を負荷 したガス流（２２）−これは乾燥器から塔デツキを経て導出する−の温度（出発 温度）を例４．ｂ、２乃至４゜ｂ、５中に記載の如く、反応混合物を適切な速度 で連続的に噴霧乾燥器中に配置（噴射）することによって、調整し、一定に保つ 。粒度を「微細体」゛　（スルファト−最終生成物、１００μｍより小さいか又 は１００μｍと等しい粒度）を微細体導管（２４）及び／又は微細体導管（２１ ）を経た導入及び／又はチョッパー（２５）による粉砕により制御する。

例４．　ｂ、　２ 処理原理４．ｂ、１に記載の如く、３００　’ＣＯガス（Ｇ）の導入温度、１３ ５°Ｃの流動床温度及び１５０°ＣＯガス導出温度の適用上実施する。１．Ｃに 記載の如き、組成及び品質特徴を有する顆粒が得られる。

例４．　ｂ、３ 処理原理４．ｂ、１に記載の如り、３５０°ＣＯガス（Ｇ）の導入温度、１９０ °Ｃの流動床温度及び２００°ＣＯガス導出温度の適用上実施する。１．０に記 載の如き、組成及び品質特徴を有する顆粒が得られる。

例４．　ｂ、　４ 処理原理４．ｂ、１に記載の如り、２６０°Ｃのガス（Ｇ）の導入温度、１６０ ”Ｃの流動床温度及び１６０　’ＣＯガス導出温度の適用上実施する。１．Ｃに 記載の如き、組成及び品質特徴を有する顆粒が得られる。

例４．１）、５ 処理原理４．ｂ、１に記載の如く、２１０°Ｃのガス（Ｇ）の導入温度、１４０ ’Ｃの流動床温度及び１６０°ＣＯガス導出温度の適用上実施する。１．Ｃに記 載の如き、組成及び品質特徴を有する顆粒が得られる。

５、バッチ操作法に於ける２−ブロム−４−（β−スルファトエチレンスルホニ ル）−アニリンの製造５、ａ　反応混合物の製造 ２−ブロム−４−（β−ヒドロキシエチルスルホニル）−アニリンを工業的に水 湿潤又は工業的に乾燥下、スルホニル化合物と硫酸とのあいだのモル比が、例え ば１：１又は１：１．０２又は１：１．０５である様な量の、例えば３０乃至９ ５％の百分率含有率を有する水性硫酸中で混ぜ合わせる。例えば８０〜９０°Ｃ に於いて溶液が又は２０〜２５°Ｃに於いて懸濁液が得られ、これを対流乾燥層 中に供給する。

殊に、４９〜６８％の２−ブロム−４−（β−ヒドロキシエチルスルホニル）− アニリン及び１７．５〜２５％の硫酸（１００％として計算）を含有する反応混 合物を用いて実施される。

５、ｂ　処理例 ５゜ｂ、１　処理原理 流動層噴霧造粒機（例えば第１図による）中でガス（Ｇ）及び最終生成物の微細 体、すなわち、例えば１００μｍより小さいか又は１００μｍと等しい粒度を有 する２−ブロム−４−（β−スルファトエチルスルホニル）−アニリンと共に流 動床をつくる。

ガス（Ｇ）の導入温度は、例えば例５．ｂ、２乃至５゜ｂ、５中に記載の如く、 選択し、流動床温度（−反応温度）は、５．ａで製造した、スルホニル−出発化 合物の溶液又は懸濁液を絶えず流動床中に噴射することによって、例５．ｂ、２ 乃至５．ｂ、５中に記載の如く、一定に保つ。この場合流動床中で顆粒が生成し 、その粒度をスルファト−最終生成物の微細体の導入及び／又はチリツバ−（２ ５〉による粉砕により制御し、したがって、例えば１００乃至８００μｍ又は１ ００乃至２０００μｍ又は１００乃至３０００μｍを有する顆粒を製造する。工 程を、例えば２又は３又は４又は５時間後、すなわち流動床中の顆粒量が、顆粒 粒子の最適な「流動」がもはや保持することができない様に大きくなる場合に中 断する。

次に流動床を空にし、工程を始めから開始する。

例５．　ｂ、　２ 処理原理５．ｂ、１に記載の如り、２００°ＣＯガス（Ｇ）の導入温度及び１４ ０°Ｃの流動床温度（−反応温度）の通用下実施する。５．Ｃに記載の如き、組 成及び品質特徴を有する顆粒が得られる。

例５．　ｂ、　３ 処理原理５．ｂ、１に記載の如く、２３０°ＣＯガス（Ｇ）の導入温度及び１６ ０°Ｃの流動床温度（＝反応温度）の適用上実施する。５．Ｃに記載の如き、組 成及び品質特徴を有する顆粒が得られる。

例５．　ｂ、　４ 処理原理５．ｂ、１に記載の如く、１７０°Ｃのガス（Ｇ）の導入温度及び１１ ５°Ｃの流動床温度（−反応温度）の適用上実施する。５．Ｃに記載の如き、組 成及び品質特徴を有する顆粒が得られる。

例５．１）、５ 処理原理５．ｂ、１に記載の如く、２１０″Ｃのガス（Ｇ）の導入温度及び１３ ０°Ｃの流動床温度（鴫反応温度）の適用上実施する。５．Ｃに記載の如き、組 成及び品質特徴を有する顆粒が得られる。

５、Ｃ結果 スルホニル−出発化合物の硫酸溶液又は懸濁液の噴射中流動床から取り出される 顆粒試料の分析に基づき、エステル化反応（硫酸化）は噴射中白動的に及び実際 上完全に進行するので、後反応時間（「熱処理時間」）が必要でないことを確認 した。このことは付加的に、流動床中で選択した反応温度に於いて２時間までの 「熱処理時間」に付され、生成物組成がスルファト最終生成物の含有率に関して もはや変化しない顆粒試料の分析により確認された。例５、ｂ、２乃至５．ｂ、 ５の顆粒は平均９６〜９８％の２−ブロム−４−（β−スルファトエチルスルホ ニル）−アニリン、 １．５〜２．５％の２−ブロム−４−（β−ヒドロキシエチルスルホニル）−ア ニリン及び １〜１．５％の４−（β−スルファトエチルスルホニル）−アニリン を含有した。

実際上粉末のない顆粒は、接触乾燥器、例えば乾燥子なべ中で製造される生成物 と比較して７なるｐ＋１−値までの焼成ソーダの添加の際の水性懸濁液中の高い 溶解速度で優れている。

６、連続的操作法に於ける２−ブロム−４−（β−スルファトエチルスルホニル ）−アニリンの製造６、ａ　反応混合物の製造 反応混合物を５．ａに記載の如く製造する。

６、ｂ　処理例 処理例５、ｂｌ中に記載の如く、ガス（Ｇ）及びスルファト−最終生成物の微細 体を用いて流動床をつ（る。

通用される、ガス（Ｇ）の導入温度及び流動床温度は、例えば２００°Ｃ／１４ ０°Ｃ又は２１０″Ｃ／１３０°Ｃ又は１９０　’Ｃ／１５０°Ｃに於いて選択 される。

バッチ式製造の処理法と異なり、連続的操作法に於いて得られた顆粒を５．ａに 記載の如き反応混合物の噴射と平行して揚水車（１４）を用いて連続的に導出す るので、流動床中に存在する顆粒量は一定のままである。顆粒の粒度はバッチ操 作法に於いて「微細体」　（スルファト最終生成物）の配置及び／又はチョッパ ー（２５）による顆粒の粉砕により制御されるので、工程は流動床中の一定の顆 粒量に基づいて及び一様の粒子スペクトルで最適な「渦流範囲」に於いて進行す る。

６、　Ｃ結果 スルホニル−出発化合物の硫酸溶液又は懸濁液の噴射中流動床から取り出される 顆粒試料の分析に基づき、エステル化反応（硫酸化）は噴射中白動的に及び実際 上完全に進行するので、後反応時間（「熱処理時間」）が必要でないことを確認 した。このことは付加的に、流動床中で選択した反応温度に於いて３時間までの 「熱処理時間」に付され、生成物組成がスルファト最終生成物の含有率に関して もはや変化しない顆粒試料の分析により確認された。６．ｂに記載したガス導入 温度又は流動床温度による例の顆粒は平均 ９８％の２−ブロム−４−（β−スルファトエチルスルホニル）−アニリン、 １％の２−ブロム−４−（β−ヒドロキシエチルスルホニル）−アニリン及び １％の４−（β−スルフ７トエチルスルホニル）−アニリン−これは４−（β− ヒドロキシエチルスルホニル）−アニリン、出発化合物の不純物から生ずる□ を含有した。

実際上粉末のない顆粒は、接触乾燥器、例えば乾燥下なべ中で製造される生成物 と比較して７なるｐＨ−値までの焼成ソーダの添加の際の水性懸濁液中の高い溶 解速度で優れている。

７．２．５−ジメトキシ−４−（β−スルファトエチルスルホニル）−アニリン の製造 ７、ａ　反応混合物の製造 ２．５−ジメトキシ−４−（β−ヒドロキシエチルスルホニル−１−アセチルア ミノ−ベンゼンを工業的に水湿潤又は工業的に乾燥下、スルホニル化合物と硫酸 とのあいだのモル比が、例えば１：１又は１：　１．０２又は１：１．０４テア ル様な量の、２ｏ乃至９５％の百分率含有率を有する水性硫酸中で混ぜ合わせる 。例えば９０〜１００°Ｃに於いて溶液が又は２０〜２５°Ｃに於いて懸濁液が 得られ、これを対流乾燥品中に供給する。

殊に、５０乃至６８％の２．５−ジメトキシ−４−（β−ヒドロキシエチルスル ホニル）−１−アセチルアミノ−ベンゼン及び１６乃至２３％の硫酸（１００％ として計算）を含有する反応混合物を用いて実施される。

７、ｂ　処理例 ７、ｂｌ　処理原理 流動層噴霧造粒機（例えば第１図による）中でガス（Ｇ）及び最終生成物の微細 体、すなわち、例えば１００μＭより小さいか又は１００μｍと等しい粒度を有 する２、５−ジメトキシ−４−（β−スルファトエチルスルホニル）−アニリン と共に流動床ヲつくる。ガス（Ｇ）の導入温度は、例えば例７．　ｂ、２乃至７ ．ｂ、５中に記載の如く、選択し、流動床温度（＝反応温度）は、７．ａで製造 した、スルホニル−出発化合物の溶液又は懸濁液を絶えず流動床中に噴射するこ とによって、例７．ｂ２乃至７、ｂ、５中に記載の如く、一定に保つ。この場合 流動床中で顆粒が生成し、その粒度をスルファト−最終生成物の微細体の導入及 び／又はチョッパー（２５）による粉砕により制御し、したがって・例えば１０ ０乃至８００　Ｂｔａ又は１００乃至２０００　ａ　ｍ又は１００乃至３０００ μｍを有する顆粒を製造する。

例７．ｂ、２ 処理原理７．ｂ、１に記載の如＜、２００°ＣＯガス（Ｇ）の導入温度及び１３ ０±５°Ｃの流動床温度（＝反応温度）の適用上実施する。７．Ｃに記載の如き 、組成及び品質特徴を存する顆粒が得られる。

例７．　ｂ、３ 処理原理７．ｂ、１に記載の如く、２２０°ＣＯガス（Ｇ）の導入温度及び１６ ５±５°Ｃの流動床温度（−反応温度）の適用上実施する。７．Ｃに記載の如き 、組成及び品質特徴を有する顆粒が得られる。

例７．ｂ、　４ 処理原理７．　ｂ、１に記載の如く、１８０°ＣＯガス（Ｇ）の導入温度及び１ ４５°Ｃの流動床温度（＝反応温度）の適用上実施する。７．Ｃに記載の如き、 組成及び品質特徴を有する顆粒が得られる。

例７．ｂ、　５ 処理原理７．ｂ、１に記載の如＜、２２０°ＣＯガス（Ｇ）の導入温度及び１５ ０°Ｃの流動床温度（−反応温度）の適用上実施する。７．Ｃに記載の如き、組 成及び品質特徴を有する顆粒が得られる。

７、Ｃ結果 スルホニル−出発化合物の硫酸溶液又は懸濁液の噴射中流動床から取り出される 顆粒試料の分析に基づき、エステル化反応（硫酸化）は噴射中白動的に及び実際 上完全に進行するので、後反応時間（「熱処理時間」）が必要でないことを確認 した。このことは付加的に、流動床中で選択した反応温度に於いて２時間までの 「熱処理時間」に付され、生成物組成がスルファト−最終生成物の含有率に関し てもはや変化しない顆粒試料の分析により確認された。例７．ｂ、２乃至７．ｂ 、５の顆粒は平均 〉９６％の２，５−ジメトキシ−４−（β−スルファトエチルスルホニル）−ア ニリン、 〈２．５％の２，５−ジメトキシ−４＝（β−ヒドロキシエチルスルホニル）− １−アセチルアミノ−ベンゼン及び ０．３％の２，５−ジメトキシ−４−（β−ヒドロキシエチルスルホニル−アニ リン を含有した。

実際上粉末のない顆粒は、接触乾燥器、例えば乾燥平なべ中で製造される生成物 と比較して７なるｐＨ−値までの焼成ソーダの添加の際の水性懸濁液中の高い溶 解速度で優れている。

８．２−メトキシ−５−メチル−４−（β−スルファトエチルスルホニル）−ア ニリンの製造 ８、ａ　反応混合物の製造 ２−メトキシ−５−メチル−４−（β−ヒドロキシエチルスルホニル）−１−ア セチルアミノ−ベンゼンを工業的に水湿潤又は工業的に乾燥下、スルホニル化合 物と硫酸とのあいだのモル比が、例えば１：１又は１：１．０２又はｌ：１．０ ５である様な量の、１０乃至９５％の百分率含有率を有する水性硫酸中で混ぜ合 わせる。例えば９０〜１００°Ｃに於いて溶液が又は２０〜２５°Ｃに於いて懸 濁液が得られ、これを対流乾燥８中に供給する。

殊ニ３７乃至５５％の２−メトキシ−５−メチル−４−（β−ヒドロキシエチル スルホニル）−１−アセチルアミノ−ベンゼン及び１３乃至２０％の硫酸（１０ ０％として計算）を含有する反応混合物を用いて実施される。

８、ｂ　処理例 ８、ｂｌ　処理原理 流動層噴霧造粒機（例えば第１図による）中でガス（Ｇ）及び最終生成物の微細 体、すなわち、例えば１００μｍより小さいか又は１００μｍと等しい粒度を有 する２−メトキシ−５−メチル−４−（β−スルファトエチルスルホニル）−ア ニリンと共にｌ［ＪＥをつくる。ガス（Ｇ）の導入温度は、例えば例８゜ｂ、２ 乃至８．ｂ、５中に記載の如く、選択し、流動床温度（＝反応温度）は、８．ａ で製造した、スルホニル−出発化合物の溶液又は懸濁液を絶えず流動床中に噴射 することによって、例８．ｂ２乃至８．　ｂ、５中に記載の如く、一定に保つ。

この場合流動床中で顆粒が生成し、その粒度をスルファト−最終生成物の微細体 の導入及び／又はチョッパー（２５）による粉砕により制御し、したがって、例 えば１００乃至８００μｍ又は１００乃至２０００μｍ又は１００乃至３０００ μｍを有する顆粒を製造す例８．　ｂ、　２ 処理原理８．ｂ、１に記載の如＜、２２０″ＣＯガス（Ｇ）の導入温度及び１６ ５°Ｃの流動床温度（＝反応温度）の適用下実施する。８．Ｃに記載の如き、組 成及び品質特徴を有する顆粒が得られる。

例８．　ｂ、３ 処理原理８．ｂ、１に記載の如り、２２０″ＣＯガス（Ｇ）の導入温度及び１４ ５°Ｃの流動床温度（−反応温度）の適用下実施する。８．Ｃに記載の如き、組 成及び品質特徴を有する顆粒が得られる。

例８．　ｂ、　４ 処理原理８．　ｂ、１に記載の如く、１８０″ＣＯガス（Ｇ）の導入温度及び１ ３０°Ｃの流動床温度（＝反応温度）の適用下実施する。８．０に記載の如き、 組成及び品質特徴を有する顆粒が得られる。

例８．１）、５ 処理原理８．ｂ、１に記載の如＜、２００″ＣＯガス（Ｇ）の導入温度及び１５ ５°Ｃの流動床温度（＝反応温度）の適用下実施する。８．Ｃに記載の如き、組 成及び品質特徴を有する顆粒が得られる。

８、Ｃ結果 スルホニル−出発化合物の硫酸溶液又は懸濁液の噴射中流動床から取り出される 顆粒試料の分析に基づき、エステル化反応（硫酸化）は噴射中目動的に及び実際 上完全に進行するので、後反応時間（「熱処理時間」）が必要でないことを確認 した。このことは付加的に、流動床中で選択した反応温度に於いて４時間までの 「熱処理時間」に付され、生成物組成がスルファト−最終生成物の含有率に関し てもはや変化しない顆粒試料の分析により確認された。例８．　ｂ、２乃至８． 　ｂ、５の顆粒は平均 ９２〜９６％の２−メトキシ−５−メチル−４−（β−スルファトエチルスルホ ニル）−アニリン、 ＜０．４％の２−メトキシ−５−メチル−４−（β−ヒドロキシエチルスルホニ ル）−１−アセチルアミノ−ベンゼン及び ２〜５％の２−メトキシ−５−メチル−４−（β−ヒドロキシエチルスルホニル ）−アニリン並びに２〜３％の副生成物−これは工業的出発化合物に於いて合成 次第で含まれている□ を含有した。

実際上粉末のない顆粒は、接触乾燥器、例えば乾燥平なべ中で製造される生成物 と比較して７なるｐＨ−値までの焼成ソーダの添加の際の水性懸濁液中の高い溶 解速度で優れている。

９．２−メトキシ−５−（β−スルファトエチルスルホニル）−アニリンの製造 ９、ａ　反応混合物の製造 ２−メトキシ−５−（β−ヒドロキシエチルスルホニル）−１−アセチルアミノ −ベンゼンを工業的に水湿潤又は工業的に乾燥下、スルホニル化合物と硫酸との あいだのモル比が、例えば１： １．０５又は１：１．１又は１：１．１５である欅な量の、２０乃至９５％の百 分率含有率を有する水性硫酸中で混ぜ合わせる。例えば１１０〜１１５°Ｃに於 いて溶液が又は２０〜２５°Ｃに於いて懸濁液が得られ、これを対流乾燥品中に 供給する。

殊に５０乃至６５％の２−メトキシ−５−（β−ヒドロキシエチルスルホニル） −１−アセチルアミノ−ベンゼン及び１９乃至２６％の硫酸（１００％として計 算）を含有する反応混合物を用いて実施される。

９、ｂ　処理例 ９、ｂｌ　処理原理 流動層噴霧造粒機（例えば第１図による）中でガス（Ｇ）及び最終生成物の微細 体、すなわち、例えば１００μｍより小さいか又は１００μｍと等しい粒度を有 する２−メトキシ−５−（β−スルファトエチルスルホニル）−アニリンと共に 流動床ヲつくる。

ガス（Ｇ）の導入温度は、例えば例９．ｂ、２乃至９、ｂ、５中に記載の如く、 選択し、流動床温度（＝反応温度）は、９．ａで製造した、スルホニル−出発化 合物の溶液又は懸濁液を絶えず流動床中に噴射することによって、例９．ｂ２乃 至９゜ｂ、５中に記載の如く、一定に保つ。この場合流動床中で顆粒が生成し、 その粒度をスルファト−最終生成物の微細体の導入及び／又はチョッパー（２５ ）による粉砕により制御し、したがって、例えば１００乃至８００　ｕｍ又は１ ００乃至２０００　／／　ｍ又は１００乃至３０００μｍを存する顆粒を製造す る。

例９．．ｂ、２ 処理原理９．ｂ、１に記載の如く、２００°ＣＯガス（Ｇ）の導入温度及び１５ ０″Ｃの流動床温度（＝反応温度）の適用上実施する。９．Ｃに記載の如き、組 成及び品質特徴を存する顆粒が得られる。

例９．ｂ、３ 処理原理９．ｂ、１に記載の如く、２２０°ＣＯガス（Ｇ）の導入温度及び１６ ５°Ｃの流動床温度（＝反応温度）の通用上実施する。９．Ｃに記載の如き、組 成及び品質特徴を有する顆粒が得られる。

例９．ｂ、　４ 処理原理９．ｂ、１に記載の如く、１８０°ＣＯガス（Ｇ）の導入温度及び１４ ０°Ｃの流動床温度（＝反応温度）の適用上実施する。９．０に記載の如き、組 成及び品質特徴を有する顆粒が得られる。

例９．　ｂ、　５ 処理原理９．ｂ、１に記載の如り、２００°ＣＯガス（Ｇ）の導入温度及び１３ ０°Ｃの流動床温度（＝反応温度）の適用上実施する。９．Ｃに記載の如き、組 成及び品質特徴を有する顆粒が得られる。

９、Ｃ結果 スルホニル−出発化合物の硫酸溶液又は懸濁液の噴射中流動床から取り出される 顆粒試料の分析に基づき、エステル化反応（硅酸化）は噴射中白動的に及び実際 上完全に進行するので、後反応時間（「熱処理時間」）が必要でないことを確認 した。このことは付加的に、流動床中で選択した反応温度に於いて３時間までの 「熱処理時間」に付され、生成物組成がスルファト−最終生成物の含有率に関し てもはや変化しない顆粒試料の分析により確認された。

例９．ｂ、２乃至９．ｂ、５の顆粒は平均９４〜９６％の２−メトキシ−５−（ スルファトエチルスルホニル）−アニリン、 １〜２．５％の２−メトキシ−５−（β−ヒドロキシエチルスルホニル）−アニ リン、 ３．５％の副生成物−これは工業的出発化合物に於いて合成次第で含まれている □ を変わっていない形で含有した。

実際上粉末のない顆粒は、接触乾燥器、例えば乾燥子なべ中で製造される生成物 と比較して７なるｐ）Ｉ−値までの焼成ソーダの添加の際の水性懸濁液中の高い 溶解速度で優れている。

補正書の翻訳文提出書 （特許法第１８４条の８） 平成２年６月８日

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. １．アミノアリール−β−ヒドロキシエチルスルホン−化合物又はそのアシルア ミノ−誘導体の反応によりアミノアリール−β−スルファトエチルスルホン−化 合物を製造するに当たり、硫酸中のこのアミノアリール−β−ヒドロキシエチル スルホン−化合物又はそのアシルアミノ−化合物の溶液又は懸濁液又はペースト を対流乾燥器の熱いガス流中に噴射し、この場合この対流乾燥器中で乾燥、エス テル化反応及び場合により存在するアシルアミノ−基の加水分解を同時に実施す ることを特徴とする方法。
2. ２．反応を１００乃至２００℃、好ましくは１１０乃至１８０℃の温度に於いて 実施する、請求項１記載の方法。
3. ３．硫酸が水性硫酸である、請求項１又は請求項２記載の方法。
4. ４．反応を１：１乃至１：１．１５、殊に１：１乃至１：１．０５のβ−ヒドロ キシエチルスルホニル−出発化合物対Ｈ２ＳＯ４なるモル比で実施する、請求項 １乃至請求項３の何れか一つに記載の方法。
5. ５．対流乾燥器が、流動層を圧搾空気により及び／又は機械的に生じさせる流動 層噴霧造粒機である、請求項１乃至請求項４の何れか一つに記載の方法。
6. ６．対流乾燥器がスプレー円板又はスプレーノズルを有する噴霧塔である、請求 項１乃至請求項４の何れか一つに記載の方法。
7. ７．対流乾燥器が組み込まれた流動床を有する噴霧乾燥器である、請求項１乃至 請求項４の何れか一つに記載の方法。
8. ８．一般式（２） ▲数式、化学式、表等があります▼（２）（式中ｍは１又は２なる数を意味し、 Ａはフェニレン−又はナフチレン残基であり、該残基は１乃至４個のＣ−原子を 有するアルキル、１乃至４個のＣ−原子を有するアルコキシ、ハロゲン、カルボ キシ及びヒドロキシよりなる群から選ばれた１、２又は３個の置換基により置換 されていることができ、Ｒは水素原子又はアシル基を示す） に相当するβ−ヒドロキシエチルスルホニル−化合物を、一般式（１） （ＨＯ３ＳＯ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳＯ２）ｍ−Ａ−ＮＨ２（１）（式中Ａ及びｍ は上記の意味を有する）に相当する硫酸半エステル化合物に変換する、請求項１ 乃至請求項７の何れか一つに記載の方法。
9. ９．４−（β−ヒドロキシエチルスルホニル）−１−アセチルアミノ−ベンゼン を４−（β−スルファトエチルスルホニル）−アニリンに変換する、請求項１乃 至請求項７の何れか一つに記載の方法。
10. １０．３−（β−ヒドロキシエチルスルホニル）−アニリンを３−（β−スルフ ァトエチル−スルホニル）−アニリンに変換する、請求項１乃至請求項７の何れ か一つに記載の方法。
11. １１．２−ブロム−４−（β−ヒドロキシエチルスルホニル）−アニリンを２− ブロム−４−（β−スルファトエチルスルホニル）−アニリンに変換する、請求 項１乃至請求項７の何れか一つに記載の方法。
12. １２．２−メトキシ−５−メチル−４−（β−ヒドロキシエチルスルホニル）− １−アセチルアミノ−ベンゼンを２−メトキシ−５−メチル−４−（β−スルフ ァトエチルスルホニル）−アニリンに変換する、請求項１乃至請求項７の何れか 一つに記載の方法。
13. １３．２，５−ジメトキシ−４−（β−ヒドロキシエチルスルホニル）−１−ア セチルアミノ−ベンゼンを２，５−ジメトキシ−４−（β−スルファトエチルス ルホニル）−アニリンに変換する、請求項１乃至請求項７の何れか一つに記載の 方法。
14. １４．２−メトキシ−５−（β−ヒドロキシエチルスルホニル）−１−アセチル アミノ−ベンゼンを２−メトキシ−５−（β−スルファトエチルスルホニル）− アニリンに変換する、請求項１乃至請求項７の何れか一つに記載の方法。