KR950004047B1 - 아미노아릴 β-설페이토에틸설폰 화합물의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

아미노아릴 β-설페이토에틸설폰 화합물의 제조 방법

제 1 도는 유동층 분무 과립기의 작동 개략도이다.

제 2 도는 분무 건조기의 작동 개략도이다.

제 3 도는 통합된 유동층을 갖는 분무 건조기의 작동 개략도이다.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

(1) : 환기 장치 (2) : 기체 가열기

(3) : 시이브 플레이트(Sieve plate) (4) : 유동층 분무 과립기

(5) : 스타 휠(Star wbeel) (6) : 출발 반응 혼합물용 용기

(7) : 펌프

(8) : 분무 노즐(1-성분 또는 2-성분 노즐) 또는 분무 디스크

(9) : 기체 가열기 (10) : 분진 여과기

(11) : 응축기

(12) : "미세한 최종생성물"(설페이토 최종 생성물)용 용기

(13) : 압력 조절기(13a)가 설치된 압력 유지 장치

(14) : 스타휠 (15) : 분무건조기

(16) : 사이클론 (17) : 기체 세척기

(18) : 과립(최종생성물)수집 용기 (19) : 기체 가열기

(20) : 통합 유동층을 갖는 분무 건조기 (21) : 미세한 최종 생성물 주입구

(22) : 탑 천장을 통한 기체의 방출 (23) : 슬라이드 벨브

(24) : 미세한 최종 생성물 주입구 (25) : 파쇄기

(26) : 교반기 (F) : 유동층

(G) : 기체(열 운반 기체 : 건조 및/또는 유동 기체) (N) : 운반 기체

(S) : 분무 기체 (K) : 응축물

본 발명은 특히 섬유-반응성 염로에 대한 중간 물질의 합성 기술 분야에 관한 것이다.

최근에 와서 아미노아릴 β-설페이토에틸설폰 화합물은, 예를 들어, 진한 수성 황산 또는 100% 황산 또는 삼산화황을 함유하는 황산과 같은 설페이트화제를 사용하여 상응하는 아미노아릴-β-하이드록시에틸설폰 화합물 또는 이의 아실아미노 유도체(예 : 아세틸아미노 화합물)를 설페이트화시킴과 동시에, 존재할수 있는 모든 아실아미노 그룹을 가수분해시키는 두가지 변형 방법을 통하여 주로 산업적으로 제조되고 있다[참조 문현 : Angewandte Chemic74, 966(1962)].

한 변형 방법에서는, 아미노- 또는 아실아미노아릴-β-하이드록시에딜설폰 화합물을 실온 또는 약간의 승온, 예를 들어, 35 내지 50℃의 온도하에 과량, 약 95 내지 96중량% 또는 100중량%의 황산 또는 상이한 함량의 유리 삼산화황을 함유하는 올레음 중에서 교반시킨다. 통상적으로, 1,000몰% 이하의 과량의 황산을 사용하며, 이러한 황산은 동시에 용매로서 빛 반응 결합수로서 작용한다. 이러한 방법은 많은 단점이 있다. 물 밋 얼음을 사용하여 희석함으로써 에스테르화 생성물이 내부염으로서 또는, 중화후 중성염으로서 침전되는 경우, 두 경우중 어느 경우에서든 염으로 많이 오염된 폐수가 공정 중에 형성된다. 에스테르화 생성물을, 예를 들어, 디아조화 반응 중에 아조 염료를 제조하려는 경우와 같이 용액중에서 추가로 가공하는 경우, 에스테르사 반응과 염료의 제조 반응은 시간적인 측면에서 생산 과정이 서로 협조적이어야 한다. 염료용액을, 예를 들어. 탄산나트륨, 수산화나트륨 용액 또는 탄산칼슘을 사용하여 중화시키면 저온에서 염료용액으로부터 황산나트륨 수화물(글라우버 염)로서 결정화되거나 황산칼슘으로서 침전되어 추가로 사용되거나 위생적으로 매립하여 저장해야 하는 상당량의 염이 생 성된다.

다른 변형 방법에서는, 에스테르화 반응은 화학양론적 양의 황산 또는 2 내지 30몰% 과량의 황산을 사용하여 약 120 내지 약 150℃의 온도에서, 예를 들어, 건조 팬과 같은 접촉식 건조기 중에서 수행한다. 이러한 반응을 수행하기 위하여 제안된 다른 장치로는 가열된 혼련기 및 컨베이어 건조기가 있다. 아미노아릴-β-하이드록시에틸설폰 출발 화합물 또는 이의 아세틸아미노 유도체를 통상적으로 건조시키고 황산 1 수화물 또는 진한 황산 중에서 교반시킨다. 이어서, 모든 혼합물을 특정 생성물에 대한 최적 반응 온도로 가열하고, 반응수 및 유리된 아세트산을 대기압 또는 감압하에 제거한다. 이러한 과정을 수행하는 동안, 에스테르화 생성물이 고체 형태로 수득된다. 이러한 방법도 단점이 었다. 그러므로, 반응기의 가열된 영역으로부터 생성 물질로, 특히 당해 물질이 고체상에 도달한 경우, 열 전달이 불충분하기 때문에 수시간 정도의 긴반응 시간이 요구된다. 긴 반응 시간에 따른 정체적인 과도한 열 응력으로 인해 부산물이 형성됨으로써 생성물의 등급에 해로운 영향을 미친다. 고체 상태에 도달하기 전에, 반응 혼합물을 가능한 한--특정 출발 아미노아릴-β-히이드록시에틸설폰의 작용으로서-장치가 높은 기계적 응력을 받는 고점성 상을 통하여 통과하며, 이런 다음 이것은 더 큰 수선이 요구된다, 추가로, 이러한 목적을 위하여 사용되고 통상적으로 오스테나이트 강(austenitic steels)으로부터 제조된 반응기는 약 120℃ 이상의 온도에서 20 내지 80중량% 황산과 같은 묽은 황산에 의해 상당히 부식되기 시작하며, 이 동안에 연간 10mm 이하의 벽 부식율이 발생할수 있다. 형성된 최종 생성물은 불균질한 입자 크기 분포, 즉 파쇄기 또는 분쇄기 중에서 추가로 분쇄해야하는 덩어리 형태의 응집물과 분말을 동시에 함유한다. 또한, 내부염으로서 수득된 에스테르화 생성물이 기계적으로 단단한 형태로 생성되어 주가의 가공을 해야 하는 단점이 있으며, 알칼리제로 중화시켜 물에 용해시키는 경우 더 긴 반응 시간이 요구된다.

놀랍게도, 황산 중의 아미노아릴-β-하이드록시에틸설폰 화합물 또는 이의 아실아미노 화합물의 용액 또는 현탁액 또는 페이스트를 내류 건조기 중의 뜨거운 기류(공기, 불활성화 공기, 질소) 내로 분무하고, 이러한 대류 건조기 내에서 건조, 에스테르화 반응 및 존재할 수 있는 모든 아실아미노 그룹의 가수분해 반응을 동시에 수행하는 방법으로 아미노아릴-β-하이드록시에틸설폰 화합물 또는 이의 아실아미노 유도체의 설페이트화 반응을 수행함으로써, 공지된 두가지 변형 방법의 상기 언급한 단점이 극복될 수 있다는 사실이 본 발명에 의해 밝혀졌다.

상기와 같은 대류 건조기는 수차례에 걸쳐 문헌[참조 : Verfahrenstechnik 10, 758-763(1976), in Chem., Ing. Techn.51, 266-277(1979) 및 Chem. Ing. Techn.59, 112-117(1987)]에 기술되어 있다. 통상적으로, 본 발명에 사용된 대류 건조기는 공업 분야에 통상적으로 사용되는 장치들, 예를 들어, 유동층을 기력학적으로 및/또는 기계적으로 생성하는 유동층 분무 과립기, 유동층 건조기, 분무 건조기 및 또한 외부 또는 통합된 유동층을 갖는 분무 건조기 및 방사 플래쉬 건조기이다.

본 발명에 따라, 유동층 분무 과립기, 분무 건조기 및 통합된 유동층을 갖는 분무 건조기를 사용하는 것이 바람직하다. 이들 대류 건조기를 사용하여 수행할 수 있는 본 발명에 따른 방법의 조작의 도식적인 개략도를 제 1 도, 제 2 도 및 제 3 도에 나타냈다.

사용된 기체는 통상적으로 공기 또는 질소이거나 바람직하게는 산소 함량이 낮은 공기/질소 혼합물이다. 건조 및 에스테르화 반응 및 또한 존재할 수 있는 모든 아실아미노 그룹의 가수분해는 통상적으로 100 내지 200℃, 바람직하게는 110 내지 180℃에서 수행한다. 온도는 통상적으로 뜨거운 기류로의 반응 혼합물의 분무 속도에 의해 고정되며 일정하게 유지시킨다. 기체(G)의 주입 온도는 통상적으로 150 내지 360℃, 바람직하게는 180 내지 300℃이다. 기체 주입 온도의 선택은 예를 들어, 사용된 대류 건조기의 선택 및/또는 기체의 선택된 용적류의 양 및/또는 반응 혼합물의 분무 속도- 및 농도의 함수일 수 있다. 실시예에 언급된 최대 기체 주입 온도는 실험에 사용된 온도이며, 각각의 장치를 사용하는 기술 공정에 대하여 어떠한 제한도 없다.

황산은 화학양론적 양으로 사용될 수 있으며, 바람직하게는 β-하이드록시에틸설포닐 출발 화합물에 대하여 약간의 과량, 예를 들어, 15몰% 이하의 과량으로 사용될 수 있다. 바람직하게는 β-하이드록시에틸설포닐 출발 화합물 대 H₂SO⁴의 몰비는 1 : 1 내지 1 : 1.05의 범위이며, 이러한 경우에도 완전한 에스테르화는 보장되며 출발 화합를 및 황산으로부터 용액 또는 현탁액 또는 페이스트를 제조할 수 있으며, 용액, 현탁액 또는 페이스트는 분무에 의해 가공시킬 수 있으며, 바람직하게는 용액을 80 내지 115℃에서 제조한다.

출발 화합물의 무수 공업 등급 물질 또는 함수 공업 등급 물질중 어느 것으로서 사용되느냐에 따라, 100% 황산 뿐만 아니라 90중량% 이하 함량의 물을 함유하는 수성 황산도 사용될 수 있다. 통상적으로, H₂SO₄농도가 20중량% 이상인 수성 황산이 사용되며 ; 출발 화합물의 개별적인 건조를 막기 위하여, 출발화합물은 제조 과정중에 형성되는 바와 같이 50 내지 95중량%의 고체 함량을 갖는 공업용 함후물로서 사용하는 것이 바람직하며, 35 내지 95중량%의 H₂SO₄농도를 갖는 황산이 사용되며 건조와 에스테르화 반응은 한 단계로 수행한다. β-하이드록시에틸설포닐 출발 화합물 대 황산의 몰비가 1 : 1.15 이하 또는 바람직하게는 1 : 1.05 이하로 유지되는 경우, 용액, 페이스트 또는 현탁액 중의 β-하이드록시에틸설포닐 출발 화합물 및 황산의 농도는 다양할 수 있다.

본 발명에 따라, 통상적으로 황산 중의 아미노- 또는 아실아미노-아릴-β-하이드록시에틸설폰 출발 화합물의 용액, 현탁액 또는 페이스트로부터 출발하는 방법의 경우, 펌프를 사용하여 상기 화합물을 반응기내로 도입하고 노즐 또는 분무 디스크를 사용하여 뜨거운 기류(G) 내로 분무한다. 거대한 생성물 표면적이 형성됨으로 인해, 아실 그룹이 즉시 가수분해 제거되며, 동시에 완전히 건조 및 에스테르화(설페이트화)시켜 반응 생성물을 수득한다. 반응 장치의 디자인이 허용되는 한, 설페이토 최종 생성물의 유동층이 기류중에 형성되도록 반응 혼합물을 기류 중에 공급하는 것이 유리하다. 유동층이 형성됨으로써 분무된 반응 혼합물이 유동층의 미세한 최종 생성물을 박층으로 피복시키거나 미세 입자가 응집되어 무분진 과립을 생성하는 장점이 생긴다. 필요하다면, 미세한 최종 생성물 측정 장치 및/또는 파쇄기를 사용하여, 예를 들어, 입자크기가 100 내지 3,000μm인 과립의 형성을 조절한다. 과립은 반응기로부터 방출시킬 수 있고 적절한 분리장치를 사용하여 목적하는 입자 크기로 분리시킬 수 있다. 초 미세 입자("fines") 및/또는 분쇄한 거친 응집물("oversize")을 반응기 또는 반응기의 유동층내로 재도입하여 목적하는 입자 크기의 최종 생성물을 수득할 수 있다. 뜨거운 기류에 의해 사용된물질 및 반응물로부터 증발하는 물을 존재할 수 있는 모든 제거된 아실 그룹의 산, 예를 들어 아세틸 그룹으로부터의 아세트산과 함께 방출사킬 수 있고, 냉각시켜 응축기중에 침전시킨다. 응축물이 없는, 기체를 목적하는 주입 온도로 재가열하여 열 운반 기체로서 반응기 내에 재도입한다. 분무 건조기 중의 유동층 온도 또는 가스 배출 온도를 예를 들어, 반응 혼합물 측정 속도에 의해 설정하고 일정하게 유지시킨다.

놀랍게도 예기치 않게, 100 내지 200℃의 온도 범위에서 매우 짧은 정지 체류 시간은 분무된 반응 혼합물로부터의 물의 증발 및 완전한 에스테로화 반응을 동시에 진행시키기 위한 반응에 대해 충분하다. 즉, 출발반응 혼합물이 분무되는 속도와 동일한 속도로반응기로부터 반응 생성물을 방출시킬 수 있다. 그 결과, 본 발명에 따른 반응을 연속적으로 수행할 수 있다. 부산물의 형성을 억세시킴으로써 높은 에스테르화도 및 높은 생성물 등급을 갖는 최종 생성물이 형성되며, 이 최종 생성물은 또한 상대 조절된 생성물, 즉 분진에 의해 전혀 오염되지 않거나 또는 심각할 정도로 오염되지 않은 미세 과립으로서 직접 수득되며, 이의 추가 가공을 위한 훨씬 개선된 특성, 예를 들어 더 용이안 물에 의한 습윤성 및 내부염으로서 존재하는 설페이토 화합물의 알칼리에 의한 중화시 수중에서의 고용해도를 갖는다.

본 발명은 특히 하기 일반식(2)의 상응하는 출반 화합물을 사용하여 하기 일반식(1)의 아미노아릴--β-설페이토에틸설폰 화합물을 제조하는 방법에 관하 것이다.

상기 식에서, m은 1 또는 2의 수이고, A는 페닐렌 또는 나프틸렌 라디칼이며, 두 라디칼 모두는 메틸 및 에틸 등의 탄소수 1 내지 4의 알킬, 메톡시 및 에톡시 등의 탄소수 1 내지 4의 알콕시, 불소. 및 특히 브롬 및 염소 등의 할로겐, 카복시 및 하이드록시로 이르어진 그룹 중에서 선택된 치환체 1, 2 또는 3개, 바람직하게는 1 뜨는 2개로 치환될 수 있으며, R은 수소원자 또는 특히 저급 알칸 카복실산의 아실 그룹(예 : 아세틸 그룹)이다.

바람직하게는 m은 1이고, A가 니치환되거나 1개의 브롬 원자 또는 1 또는 2개의 메톡시 그룹 또는 1개의 메틸 그룹 및 1개의 메톡시 그룹에 의해 치환되는 1,3- 또는 1,4-페닐렌 라디칼이거나 A가 나프틸렌라디칼, 바람직하게는 2,6- 또는, 2,8-나프틸렌 라디칼인 일반식(2)의 화합물을 설페이트화시키는 방법을 사용한다.

본 발명에 따라서 황산 반에스테르(실페이토 화합물)로 전환시킬 수 있는 일반식(2)의 출발 화합물에는, 예를 들어, 4-(β-하이드록시에틸설포닐)아닐린, 3-(β-하이드록시에틸설포닐)아닐린, 2-메톡시-5-(β--하이드록시에틸설포닐)아닐린, 4-메톡시-5-β-하이드록시에틸설포닐)아닐린, 2-하이드록시-5-(β-하이드록시에틸설포닐)아닐린, 2-메톡시-5-메틸-4-(β-하이드록시에틸설포닐)아닐린, 2,5-디메톡시-4-(β-하이드록시에틸설포닐)아닐린, 2-브로모-4-(β-하이드록시에틸설포닐)아닐린, 6-(β-하이드록시에틸설포닐)-2-아미노나프탈렌 및 8-(β-하이드록시에틸설포닐)-2-아미노나프탈렌 및 이의 N-아세틸 유도체가 있다.

하기 실시예는 본 발명을 설명한다. 언급된 부 및 %는 달리 언급하지 않는 한 중량 기준이다. ℓ가 kg에 부합되는 바와 같이 용량부는 중량부에 부합된다.

본 발명에 따른 방법의 과정은 첨부된 제1도, 제2도 및 제3도에서 기술된 작동의 반응 도식에 따라 실시예에서 기술될 것이다. 이들 작동 도식은 단지 실시예를 나타낸 것이고 본 발명에 따른 방법의 필수적인 부분은 아니다

유동층 분무 과립기의 작동 원리(제1도)

통풍기(1)는 기체(G)를, 예를 들어, 전기적으로 및/또는 뜨거운 스팀에 의해 및/또는 기체 또는 오일 버너에 의해 가열될 수 있는 기체 가열기(2), 및 시이브 플레이트(3)를 통하여 송풍하고, 이 위에 반응을 위해 필요한 유동층(F)을 형성하고, 필요한 경우, 이를 교반기(26)를 사용하여 과립기(4) 내에서 추가로 교반시킬 수 있다. 먼저, 미세하게 분쇄된 최증 생성물, 즉 아미노아릴-β-설페이토에틸설폰 화합물(이후에는 "미세한 최종 생성물"로서 지칭됨), 및/또는 불활성 ㅁ;세 물질, 예를 들어 활성 탄소, 실리카 또는 염(예 : 황산나트륨)을 초기에 스타 휠(5) 및/또는 이들을 운반 기체(N)와 함께 용기(12)로부터 송풍시켜 유동층(F) 내로 도입시켜 열 유동화 기체(=기체 G)와 함께 유동층을 제조한다. 일단 유동층이 100℃ 이상의 반응 온도에 도달하면 아미노아릴-β-하이드록시에틸설폰 출발 화합물의 황산 용액, 현탁액 또는 페이스트를 펌프(7)를 사용하여 2-성분 노즐(8)을 통하여 용기(6)로부터 과립기(4) 내로 송풍시키고 분무 기체(S)를 사용하여 분무시키며, 필요한 경우, 이를 기체 가열기(9)에서, 예를 들어 90℃까지 가열한다. 대형의 항상 재생된 표면적으로 인해 건조 및 반응이 최대 속도로 진행될 수 있도록, 박층을 갖는 유동층 내의 초기에 도입되고 미세하게 분쇄된 미세한 최종 생성물에 분무된 반응 혼합물을 피복시킨다. 이 단계동안, 뜨거운 유동화 기체를 물중에 용해시키고 특정의 휘발성 부산물이 반응시 존재한다. 물이 제거된 분진 필터(10) 중의 생성물 분진 및 응축기(11) 중의 휘발성 분해 생성물로부터 정제하고 송풍기(1) 및 기체 가열기(2)를 통하여 공정에 재도입시킨다. 공정 내로 일정하게 흐르는 분무 기체는 압력 유지용 장치(13)를 통하여 자동적으로 유출된다. 수득된 최종 생성물은 스타 휠(14)을 통하여 과립기(4)로부터 입자의 형태로 제거된다. 입자 크기의 범위가 작은 입자는 예를 들어 반응 혼합물을 분무하면서, 용기(12)로부터 미세한 최종생성물을 유동층에 도입하거나 파쇄기(25)를 간헐적으로 또는 연속적으로 작동시킴으로써 유동층의 미세한 최종 생성물을 제조함으로써 선택적으로 제조할 수 있다.

분무 건조기의 작동 원리(제 2 도)

뜨거운 기체(G)를 송풍기(1)를 사용하여 기체 가열기(2)를 통하여 분무 탑(15) 및 사이클론(16) 내로 흡입시키고, 이어서 가스 세척기(17) 내에 주입하며 거기에서 미세한 분진 및 휘발성 반응 생성물로부터 정제시킨다. 동시에, 아미노아릴-β-하이드록시에틸설폰 출발 화합물의 황산 용액, 현탁액 또는 페이스트를 용기(6)로부터, 예를 들어 펌프(7)를 사용하여, 2-성분 노즐(8)을 통해 분무 탑(15)으로 운반하고, 뜨거운 분무 기체(S)를 사용하여 분무하며, 필요한 경우 가열시킨다(2-성분 노즐(8) 대신, 1-성분 노즐 또는 분무 디스크 또한 사용할 수 있다). 반응 혼합물을 분무하는 동시에, 필요한 경우, 용기(12)로부터 스타 휠(5)을 통하여 탑 천정으로 미세한 최종 생성물을 도입할 수 있다. 뜨거운 기체를 사용하여 분무된 반응 혼합물로부터 물과 특정의 휘발성 반응 부산물을 병류하에 제거하고, 사이클론(16) 내로 운반시키며 용기(18)에서 입자의 형태로 침전시킨다. 사이클론 내로 통과한 최종 생성물의 미세한 분진 입자는 기체 세척기(17)내에서 세칙 제거된다. 기체 세척기 기저에, β-실페이토에틸설폰 최종 화합물의 수성 현탁액이 형성되고, 이로부더 분리할 수 있다. 분진 필터(10) 및 응축기(11)를 사용하여, 제1도에서 기재된 재순환 공정 또한 작동 가능하다. 이러한 경우, 기체 세척기를 사용하지 않을 수 있다.

통합된 유동층을 갖는 분무 건조기의 작동 원리(제 3 도)

송풍기(1)를 사용하여, 건조 및 반응 기체로서의 기체(G)를 기체 가열기(19a)를 통하여 분무 탑(10)으로 송풍하고 ; 또한 기체(G)를 기체 가열기(19b)를 사용하여 가열하고 유동화 기체로서 시이브 플레이트(3)를 사용하여 형성된 유동층(F) 내로 주입한다. 유출류는 미세한 최종 생성물을, 예를 들어, 사이클론(16) 또는 용기(12)로부터 미세한 최종 생성물 주입구(24)를 통하여 반응기(20) 내로, 특히 유동층(F)내로 도입하여 반응 개시시 유동층을 형성하거나 파쇄기(25)를 추가로 사용하거나 사용하지 않는 분무 공정 동안 입자의 크기를 조절하기 위한 운반 기체로서 사용할 수 있다. 답 천정을 통한 미세한 최종 생성물의 임의의 추가 "분무"는 예릍 들어 제 2 도에서 기술된 미세한 최종 생성물 주입구(21)를 사용하여 실시할 수 있다.

아미노아릴-β-하이드록시에틸설폰 출발 화합물의 황산 용액, 현탁액 또는 페이스트를 예를 들어 펌프(7)를 사용하여 용기(6)로부터 분무 건조기(20)의 2-성분 노즐(8) 내로 수송하고, 필요한 경우, 예열된 분무 기체(S)를 사용하여 분무한다. 생성된 최종 생성물의 입자를 분무 탑으로부더 용기(18) 내로 방출시킨다. 물 및 특정의 휘발성 반응 부산물을 함유한 기체는 탑 천정(22)을 통해 분무 탑(20)에서 이동되어 아직 과립화되지 않은 최종 생성물로부터 사이클론(16) 내에서 정제되고 분진 및 휘발성 부산물로부터 기체 세척기(17)에서 정제된다. 기체류로부터 사이클론(16) 내에서 미세한 최종 생성물의 형태로 분리된 최종 생성물은 스타 휠(5) 및 주입구(24)를 통하여 과립화용 유동층 내로 재도입될 수 있다.

(실시예)

1. 배치 공정에 의한 4-(β-설페이토에틸설포닐)-아닐린의 제조

1. a 반응 혼합물의 제조

공업용 함수 또는 공업용 무수 4-(β-하이드록시에틸설포닐)-아세트아닐리드를 설포닐 화합물과 황산의 몰비가, 예를 들어, 1 : 1 또는 1 : 1.02 또는 1 : 1.05 또는 1 : 1.07인 50 내지 95% 농도의 수송 황산 중에 교반시킨다. 이로써 대류 건조기에 공급되는, 100℃에서의 용액, 또는 20 내지 25℃에서의 현탁액을 수득한다. 바람직하게는, 50 내지 66%의 4-(β-하이드록시에틸설포닐)-아세트아닐리드 및 21 내지 28%의 황산(100% 농도로서 산정됨)을 함유하는 반응 혼합물을 사용한다.

1. b 방법 실시예

1. b 1방법 원리

유동층 분무 과립제(예를 들면, 제1도에 따름) 내에 기체(G) 및 입자 크기가 100μm 이하인 4-(β-설페이토에틸설포닐)-아닐린인 미세한 최종 생성물을 사용하여 유동층을 구성시킨다. 기체(G)의 유입 온도를, 예를 들어, 실시예 1.b.2 내지 1.b 5에서 기술된 바와 같이 선택하고 유동층 온도(=반응 온도)를 1.a에서 제조된 설포닐 출발 화합물의 용액 또는 현탁액 중 어느 하나를 유동층 내로 연속적으로 분무함으로써 실시예 1.b.2 내지 1.b.5에 기술된 바와 같이 일정하게 유지된다. 유동층 내에 설페이토 화합물의 미세한 최종 생성물을 도입하고/하거나 파쇄기(25)를 사용하여 파쇄하여 예를 들어 100 내지 800μm 또는 100 내지 2000μm 또는 100 내지 3000μm의 입자를 수득함으로써 입자 크기가 조절된 입지를 수득한다. 당해 반응은 예를 들어 2 또는 3 또는 4 또는 5시간 후에, 즉, 유동층 내의 입자량이 너무 다량이어서 입자의 최적 "유동"이 더 이상 지속될 수 없을때 중단된다. 그후 유동층이 비면, 반응은 재개된다.

(실시예 1.b.2)

200℃의 기체(G) 주입 온도 및 120℃의 유동층 온도(반응 온도)를 사용하여 방법 원리 1.b.1에서 기술된 바와 같은 방법을 수행한다. 1.c에서 기술된 바와 같은 조성 및 등급 특성을 갖는 과립이 수득된다.

(실시예 1.b.3)

200℃의 기체(G) 주입 온도 및 150℃의 유동층 온도(반응 온도)를 사용하여 방법 원리 1.b 1에서 기술된 바와 같은 방법을 수행한다. 1.c에서 기술된 바와 같은 조성 및 등급 특성을 갖는 과립이 수득된다.

(실시예 1.b.4)

240℃의 기체(G) 주입 온도 및 170℃의 유동층 온도(반응 온도)를 사용하여 방법 원리 1 b.1에서 기술된 바와 같은 방법을 수행한다. 1.c에서 기술된 바와 같은 조성 및 등급 특성을 갖는 과립이 수득된다.

(실시예 1.b.5)

170℃의 기체(G) 주입 온도, 및 115℃의 유동층 온도(반응 온도)를 사용하여 방법 원리 1.b.1에서 기술된 바와 같은 방법을 수행한다. 1 c에서 기술된 바와 같은 조성 및 등급 특성을 갖는 과립이 수득된다.

1c 결과

유동층으로부터 설포닐 출발 화합물의 황산 용액의 분무 도중 제거된 샘플의 분석을 근거로 하여, 분무도중 에스테르화 반응(설페이트화)이 후반응시간("가열 처리")이 필요하지 않도록 자발적으로 및 실질적으로 완전히 진행되었음을 밝혀내었다. 이는 유동증에서 선택된 반응 온도에서 4시간 이하로 열 처리한 입자 샘틀의 분석에 의해 확인되었고, 이의 생성물 조성은 설페이트 최종 생성물의 양의 측면에서 더 이상 변하지 않았다. 평균적으로, 실시예 1.b.2 내지 1.b.5의 입자는 98%의 4-(β-설페이토에틸설포닐)-아닐린, 0.1 내지 0.5%의 4--(β-하이드록시에틸설포닐)-아세트아닐리드 및 0.2 내지 0.5%의 4-(β-하이드록시에틸설포닐) -아닐린을 함유한다.

실질적으로 분진이 제거된 입자는 pH 7까지 무수 탄산나트륨을 가하면서 수성 현탁액 중에서 더 고속으로 용해시킴으로서 접촉시 건조기, 예를 들어 건조 팬에서 제조한 생성물과 비교하면 구별된다.

2. 연속 공정 의한 4-(β-설페이토에틸설포닐)-아닐린의 제조

2. a 반응 혼합물의 제조

반응 혼합물은 1.a에서 기술된 바와 같이 제조한다.

2. b 방법 실시예

방법 원리 1.b.1에 기술된 바와 같이, 기체(G) 및 설페이토 화합물의 미세한 최종 생성물을 사용하여 유동층을 구성시킨다. 기체(G)의 주입 온도 및 사용된 유동층 온도를 실시예 1.b.2 내지 1.b.4에서 기술 된바와 같이 선택한다. 배치 제조 방법과 대조적으로, 연속 공정에서는 제조된 과립을, 유동층 내에 존재하는 과립의 양이 일정하게 유지되도록 스타 휠(14)을 사용하여 연속적으로, 1.a에서 기술된 바와 같이 반응 혼합물을 분무하면서 상응하게 제거한다. 유동층 내의 일정량의 과립 및 일정한 입자 크기로 인해 반응이 최적 "유동화 범위"에서 수행되도록 "미세 최종 생성물"(설페이토 화합물)을 계량하고/하거나 파쇄기(25)를 사용하여 과립을 파쇄함으로써 배치 공정에서와 같이 과립의 입자 크기를 조절한다. 사용된 연속 공정은 중단없이 98시간 이하 동안 수행된다.

2.c 결과

먼저 매시간마다 이어서 장시간 간격에서 제거된 과립 샘플의 분석 및 시험은 1.c에서 기술된 바와 같이 등급 특성을 나타낸다.

3. 분무 건조기(예를 들어 제2도에 따름) 내에서 4-(β-설페이토에틸설포닐)-아닐린의 제조

3. a 반응 혼합물의 제조

반응 혼합물은 1.a에서 기술된 바와 같이, 교반시킴으로써 제조된다.

3. b 방법 실시예

3. b.1 방법 원리

기체(G)를 실시예 3.b.2 내지 3.b.5에서 기술된 바와 같이, 유입 온도까지 가열한다. 1.a에서 기술된 반응 혼합물을 실시예 3.b.2 내지 3.b.5에 기술된 기체(G)의 방출 온도가 일정하게 유지되는 속력으로 뜨거운 기류에 연속적으로 분무한다. 반응 혼합물을 분무하는 동시에 "미세한 최종 생성물"(설페이토 화합물, 예를 들면, 입자 크기가 100μm 이하임)을, 필요한 경우 스타 휠(5)을 사용하여 탑 천정을 통하여 용기(12)로부터 분무 건조기 내로 이동시킨다.

(실시예 3.b.2)

220℃의 기체(G) 주입 온도, 및 150℃의 기체 유출 온도를 사용하여 방법 원리 3.b.1에서 기술된 바와 같은 방법을 수행한다. 1 c에서 기술된 바와 같은 조성 및 등급 특성을 갖는 과립이 수득된다.

(실시예 3.b.3)

260℃의 기체(G) 주입 온도, 및 200℃의 기체 방출 온도를 사용하여 방법 원리 3.b.1에서 기술된 바와같은 방법을 수행한다. 1.c에서 기술된 바와 같은 조성 및 등급 특성을 갖는 과립이 수득된다.

(실시예 3.b.4)

230℃의 기체(G) 수입 온도, 및 180℃의 기체 방출 온도를 사용하여 방법 원리 3.b.1에서 기술된 바와 같은 방법을 수행한다. 1.c에서 기술된 바와 같은 조성 및 등급 특성을 갖는 과립이 수득된다.

(실시예 3.b.5)

200℃의 기체(G) 주입 온도, 및 125℃의 기체 방출 온도를 사용하여 방법 원리 3.b.1에서 기술된 바와같은 방법을 수행한다. 1c에서 기술된 바와 같은 조성 및 등급 특성을 갖는 과립이 수득된다.

4. 통합된 유동층을 갖는 분무 건조기(예를 들어 제3도에 따름) 내에서 4-(β-설페이토에틸설포닐)-아닐린의 제조

4. a 반응 혼합물의 제조

반응 혼합물은 1.a에서 기술된 바와 같이, 교반시킴으로써 제조된다.

4. b 방법 실시예

4.b.1방법 원리

당해 방법은 통합된 유동층을 갖는 분무 건조기의 작동 원리에서 기술된 바와 같이 진행된다. 건조 및 열운반 기체를 기체 가열기(19b)에디 실시예 4.b.2 내지 4.b.5에서 제시된 유동층 온도까지 가열한다. 유동층에 필요한 유동 기체는 기체 가열기(19b)에서 실시예 4 b.2 내지 4.b.5에서 제시된 유동층 온도까지 가열한다. 휘발성 반응 생성물 및 생성물 분진으로 충전되고 탑 천정을 통하여 건조기 내로 이동된 기류(22)의 온도(방출 온도)는 실시예 4.b.2 내지 4.b.5에 기술된 바와 같이 조절하고 반응 혼합물을 적절한 속도로 연속적으로 분무 건조기 내에 분무함으로써 일정하게 유지시킨다. 과립의 입자 크기는 "미세한 최종 생성물"(설페이토 화합물, 입자 크기가 100μm 이하임)을 미세한 최종 생성물 주입구(24) 및/또는 미세한 최종 생성물 주입구(21)를 통하여 도입하고/하거나 파쇄기(25)를 사용하여 파쇄함으로써 조절시킨다.

(실시예 4.b.2)

300℃의 기체(G) 주입 온도, 135℃의 유동층 온도, 및 150℃의 기체 방충 온도를 사용하여 방법 원리 4.b.1에서 기술된 바와 같은 방법을 수행한다. 1 c에서 기술된 바와 같은 조성 및 등급 특성을 갖는 과립이 수득된다.

(실시예 4.b.3)

350℃의 기체(G) 주입 온도, 190℃의 유동층 온도, 및 200℃의 기체 방출 온도를 사용하여 방법 원리 4.b.1에서 기술된 바와 같은 방법을 수행한다. 1 c에서 기술된 바와 같은 조성 및 등급 특성을 갖는 과립이 수득된다.

(실시예 4.b.4)

160℃의 기체(G) 주입 온도, 160℃의 유동층 온도, 및 160℃의 기체 방출 온도를 사용하여 방법 원리 4.b.1에서 기술된 바와 같은 방법을 수행한다. 1.c에서 기술된 바와 같은 조성 및 등급 특성을 갖는 과립이 수득된다.

(실시예 4.b.5)

210℃의 기체(G) 주입 온도, 140℃의 유동층 온도, 및 160℃의 기체 방출 온도를 사용하여 방법 원리 4.b.1에서 기슬된 바와 같은 방법을 수행한다. 1.c에서 기술된 바와 같은 조성 및 등급 특성을 갖는 과립이 수득된다.

5. 배치 공정에 의한 2-브로모-4-(β-설페이토에틸렌설포닐)-아닐린의 제조

5. a 반응 혼합물의 제조

공업용 함습 또는 공업용 무수 2-브로모-4-(β-하이드록시에틸설포닐)-아닐린을 설포닐 화합물과 황산의 몰비가, 예를 들어, 1 : 1 또는 1 : 1.02 또는 1 : 1.05인 30 내지 95% 농도의 수성 황산 중에서 교반시킨다. 이로써, 80 내지 90℃에서 용액을 수득하거나, 20 내지 25℃에서 현탁액을 수득하여, 이를 대류 건조기에 공급한다.

바람직하게는,49 내지 68%의 2-브로모-4-(β-하이드록시에틸설포닐)-아닐린 및 175 내지 25%의 황산(100% 농도로서 산정됨/을 함유하는 반응 혼합물을 사용한다.

5.b 방법 실시예

5.b.1 방법 원리

유동층 분무 과립기(예를 들면, 제1도에 따름) 내에 기체(G) 및 입자 크기가 100μm 이하인 2-브로모-4-(β-실페이토에틸설포닐)-아닐린인 미세한 최종 생성물을 사용하여 유동층을 구성시킨다. 기체(G)의 주입 온도를 예를 들어 실시예 5.b.2 내기 5.b 5에서 기술된 바와 같이 선택하고 유동층 온도(=반응온도)를 5.a에서 제조된 설포닐 출발 화합물의 용액 또는 현탁액중 어느 하나를 유동층 내로 연속적으로 분무함으로 실시예 5.b.2 내지 5.b.5에 기술된 바와 같이 일정하게 유지한다. 이로써 유동층 내에 과립이 생성되며, 이의 입자 크기는 설페이토 화합물이 미세한 최종 생성물을 도입하고/하거나 파쇄기(25)를 사용하여 파쇄함으로써 조절하여, 예를 들어, 100 내지 800μm 또는 100 내지 200μm 또는 100 내지 3000μm의 과립을 수득한다. 반응은, 예를 들어, 2, 3, 4 또는 5시간 후에, 즉, 유동층 내의 과립량이 너무 다량이어서 입자의 최적 "유동"이 더 이상 지속될 수 없을 때 중단된다. 그후 유동층이 비면, 반응은 재개된다.

(실시예 5.b.2)

200℃의 기체(G) 주입 온도, 및 140℃의 유동층 온도(반응 온도)를 사용하어 방법 원리 5.b.1에서 기술된 바와 같은 방법을 수행한다. 5,c에서 기술된 바와 갈은 조성 및 등급 특성을 갖는 과립이 수득된다.

실시예 5.b.3

230℃의 기체(G) 주입 온도, 및 160℃의 유동층 온도(반응 온도)를 사용하여 방법 원리 5.b.1에서 기술된 바와 같은 방법을 수행한다. 5.c에서 기술된 바와 같은 조성 및 등급 특성을 갖는 과립이 수득된다.

(실시예 5,b,4)

170℃의 기체(G) 주입 온도, 및 115℃의 유동층 온도(반응 온도)를 사용하여 방법 원리 5.b.1에서 기술된 바와 같은 방법을 수행한다. 5.c에서 기술된 바와 같은 조성 및 등급 특성을 갖는 과립이 수득된다.

(실시예 5.b.5)

210℃의 기체(G) 주입 온도, 및 130℃의 유동층 온도(반응 온도)를 사용하여 방법 원리 5.b.1에서 기술된 바와 같은 방법을 수행한다. 5.c에서 기술된 바와 같은 조성 및 등급 특성을 갖는 과립이 수득된다.

5. c 결과

유동층으로부터 설포닐 출발 화합물의 황산 용액 또는 현탁액의 분무 도중 제거된 과립 샘플의 분석을 근거로 하여, 후반응시간("열 처리")이 필요하지 않도록 분무 도중 에스테르화 반응(설페이트화)이 자발적으로 및 실질적으로 완전히 진행되었음을 밝혀내었다. 이는 선택된 반응 온도에서 유동층에서 2시간 이하로 "열 처리"한 과립 샘플의 분석에 의해 확인되었고 이의 생성물 조성은 설페이토 최종 생성물의 양의 측면에서 더이상 변하지 않았다. 평균적으로, 실시예 5.b.2 내지 5.b.5의 과립은 96 내지 98%의 2-브로모-4-(β-설페이토에틸설포닐)-아닐린, 1.5 내지 2.5%의 2-브로모-4-(β-하이드록시에틸설포닐)-아닐린 및 1 내지 1.5%의 4-(β-설페이토에틸설포닐)-아닐린을 함유한다.

실질적으로 분진이 없는 과립은 pH 7까지 무수 탄산나트륨을 가하면서 수성 현탁액 중에서 더 고속으로 용해시킴으로써 접촉식 건조기, 예를 들어 건조 팬에서 제조한 생성물과 비교해서 구별된다.

6. 연속 공정에 의한 2-브로모-4-(β-설페이토에틸설포닐)-아닐린의 제조

6. a 반응 혼합물의 제조

반응 혼합물은 5.a에서 기술된 바와 같이 제조한다.

6. b 방법 실시예

방법 원리 5.b.1에서 기술된 바와 같이, 기체(G) 및 설페이토 화합물의 미세한 최종 생성물을 사용하여 유동층을 설치한다. 사용된 기체(G)의 구입 온도 및 사용된 유동층의 온도는 예를 들어 200℃/140℃ 또는 210℃/130℃ 또는 190℃/150℃로 선택한다. 배치 제조 공정과는 대조적으로, 연속 공정에서는 제조된 과립을 유동층 내에 존재하는 과립의 양이 일정하게 유지되도록 스타 휠(14)을 사용하여 연속적으로, 5.a에서 기술된 바와 같이 반응 혼합물을 분무하면서 상응하게 제거한다. 유동층 내의 일정량의 과립 및 일정한 입자 크기로 인해 반응이 최적 "유동화 범위"에서 수행되도록 "미세한 최종 생성물"(설페이토 화합물)을 계량하고/하거나 파쇄기(25)를 사용하여 과립을 파쇄함으로써 배치 공정에서와 같이 과립의 입자 크기를 조절한다.

6. c 결과

유동층으로부터 설포닐 출발 화합물의 황산 용액 또는 현탁액의 분무 도중 제거된 과립의 샘플 분석을 근거로 하여, 후반응시간("열 처리")이 필요하지 않도록 분무 도중 에스테르화 반응(설페이트화)이 자발적으로 및 실질적으로 완전히 진행되었음을 밝혀내었다. 이는 유동층에서 선택된 반응 온도에서 3시간 이하로 열 처리한 과립 샘플의 분석에 의해 확인되었고 이의 생성물 조성은 설페이토 최종 생성물의 양의 측면에서 더이상 변하지 않았다. 평균적으로, 실시예 6.b에 기재된 기체 주입 온도 및 유동층 온도를 갖는 실시예의 과립은 98%의 2-브로모-4-(β-설페이토에틸설포닐)-아닐린, 1%의 2-브로모-4-(β-하이드록시에틸설포닐)-아닐린 및 출발 화합물의 불순물인 4-(β-하이드록시에틸설포닐)-아닐린으로부터 형성된 1%의 4-(β-설페이토에틸설포닐) -아닐린을 함유한다.

실질적으로 분진이 없는 입자는 pH 7까지 무수 탄산나트륨을 가하면서 수성 현탁액 중에서 더 고속으로 용해시킴으로써 접촉식 건조기, 예를 들어 건조 팬에서 제조한 생성물과 비교해서 구별된다.

7. 2,5-디메톡시 -4-(β-설페이토에틸설포닐)-아닐린의 제조

7. a 반응 혼합물의 제조

공업용 함수 또는 공업용 무수 2,5-디메톡시-4-(β-하이드록시에틸설포닐)-아세트아닐리드를 설포닐 화합물과 황산의 몰비가 예를 들어, 1 : 1 또는 1 : 1.02 또는 1 : 1.04인 20 내지 95% 농도의 수성 황산 중에서 교반시킨다. 이로써 예를 들면, 90 내지 100℃에서 용액을 수득하거나 20 내지 25℃에서 현탁액을 수득하여, 이를 대류 건조기에 공급한다. 바람직하게는, 50 내지 68%의 2,5-디메톡시-4-(β-하이드록시에틸설포닐)-아세트아닐리드 및 16 내지 23%의 황산(100% 농도로서 산정됨)을 함유하는 반응 혼합물을 사용한다.

7. b 방법 살시예

7. b.1 방법 원리

유동층 분무 과립기(예를 들면, 제1도에 따름) 내에, 기체(G) 및 입자 크기가 100μm 이하인, 2.5-디메톡시-4-(β-설페이토에틸설포닐)-아닐린인 미세한 최종 생성물을 사용하여 유동층을 구성시킨다. 기체(G)의 주입 온도를, 예를 들어, 실시예 7.b.2 내지 7.b.5에서 기술된 바와 같이 선택하고, 7.a에서 제조된 설포닐 출발 화합물의 용액 또는 현탁액중 어느 하나를 유동층 내에 연속적으로, 분무함으로써 유동층 온도(=반응 온도)를 실시예 7.b.2 내지 7.b.5에 기술된 바와 같이 일정하게 유지한다. 이로써 유동층 내에서 과립을 수득하고, 이의 크기는 설페이토 화합물의 미세한 최종 생성물을 도입하고/하거나 파쇄기(25)를 사용하여 파쇄함으로서 조절하여, 예를 들면 100 내지 800μm 또는 100 내지 2000μm 또는 100 내지 3000μm의 과립을 수득한다.

(실시예 7.b.2)

200℃의 기체(G) 주입 온도 및 130±5℃의 유동층 온도(반응 온도)를 사용하여 방법 원리 7.b1에서 기술된 바외 같은 방법을 수행한다. 7 c에서 기술된 바와 같은 조성 및 등급 특성을 갖는 과립이 수독된다.

(실시예 7.b.3)

220℃의 기체(G) 주입 온도, 및 165±5℃의 유동층 온도(반응 온도)를 사용하여 방법 원리 7.b.1에서 기술된 바와 같은 방법을 수행한다. 7.c에서 기술된 바와 같은 조성 및 등급 특성을 갖는 과립이 수득된다.

(실시예 7.b.4)

180℃의 기체(G) 주입 온도, 및 145℃의 유동층 온도(반응 온도)를 사용하여 방법 원리 7.b 1에서 기술된 바와 같은 방법을 수행한다. 7.c에서 기술된 바와 같은 조성 및 등급 특성을 갖는 과립이 수득된다.

(실시예 7.b.5)

220℃의 기체(G) 주입 온도, 및 150℃의 유동층 온도(반응 온도)를 사용하여 방법 원리 7.b.1에서 기술된 바와 같은 방법을 수행한다. 7.c에서 기술된 바와 같은 조성 및 등급 특성을 갖는 과립이 수득된다.

7.c결과

유동층으로부터 설포닐 출발 화합물의 황산 용액 또는 현탁액의 분무 도중 제거된 입자 샘플의 분석 결과를 근거로 하여, 후반응시간("열 처리")이 필요하지 않도록 분무 도중 에스테르화 반응(설페이트화)이 자발적으로 및 실질적으로 완전히 진행되었음을 밝혀내었다. 이러한 사실은 또한 유동층 중에서 선택된 반응 온도에서 2시간 이하로 "열 처리"한 입자 샘플의 분석에 의해 확인되었고 이의 생성물 조성은 설페이토 최종 생성물의 양의 측면에시 더 이상 변하지 않았다. 평균적으로, 실시예 7.b.2 내지 7.b.5의 입자는 96% 이상의 2,5-디메톡시-4-(β-설페이토에틸설포닐)-아닐린, 2.5% 미만의 2,5-디메톡시-4-(β-하이드록시에틸설포닐)-아세트아닐리드 및 0.3%의 2,5-디메톡시-4 -(-하이드록시에틸설포닐)-아닐린을 함유한다.

실질적으로 분진이 없는 입자는 pH 7까지 무수 탄산나트륨을 가하면서 수성 현탁액 중에서 더 고속으로 용해시킴으로써, 접촉식 건조기, 예를 들어 건조 팬에서 제조된 생성물과 비교해서 구별된다.

8.2-메톡시-5-메틸-4-(β-설페이토에틸설포닐)-아닐린의제조

8. a 반응 혼합물의 제조

공업용 함수 또는 공업용 무수 2-메톡시-5-메틸-4-(β-하이드록시에틸실포닐)-아세트아닐리드를 설포닐 화합물과 황산의 몰비가 예를 들어, 1 : 1 또는 1 : 1.02 또는 1 : 1.05인 10 내지 95% 농도의 수성황산 중에서 교반시킨다. 이로써 예를 들어, 90 내지 100℃에서 용액을 수득하거나 20 내지 25℃에서 현탁액을 수득하여, 이를 대류 건조기에 공급한다. 바람직하게는, 37 내지 55%의 2-메톡시-5-메틸-4-(β-하이드록시에틸설포닐)-아세트아닐리드 및 13 내지 20%의 황산(100% 농도로서 산정됨)을 함유하는반응 혼합물을 사용한다.

8. b 방법 실시예

8.b.1방법 원리

유동층 분무 과립기(예를 들어, 제1도에 따름) 내에 기체(G) 및 미세한 최종 생성물, 즉 예를 들어 입자 크기가 100μm 이하인 2-메톡시-5-메틸-4-(β-설페이토에틸설포닐)-아닐린을 사용하여 유동층을 구성시킨다. 기체(G)의 주입 온도를, 예를 들면, 실시예 8.b.2 내지 8.b.5에 기술된 바와 같이 선택하고 8.a에서 제조된 설포닐 출발 화합물의 용액 또는 현탁액 중 하나를 유동증에 연속적으로 분무시킴으로써 유동층 온도(=반응 온도)를 실시예 8.b.2 내지 8.b.5에 기술된 바와 같이 일정하게 유지시킨다. 설페이토화합물의 미세한 최종 생성물을 도입하고/하거나 파쇄기(25)를 사용하여 파쇄시킴으로써 입자 크기가 조절되고, 이로써 수득된 과립 크기가 예를 들어 100 내지 800μm 또는 100 내지 2000μm 또는 100 내지 3000μm인 입자가 유동층 중에 생성된다.

(실시예 8.b.2)

220℃의 기체(G) 주입 온도 및 165℃의 유동층 온도(=반응 온도)를 사용하여 방법 원리 8.b.1에 기술된 방법을 수행한다. 이로써 8.c에 기술된 바와 같은 조성 및 등급 특성을 갖는 과립이 수득된다.

(실시예 8.b.3)

200℃의 기체(G) 주입 온도 및 145℃의 유동층 온도(=반응 온도)를 사용하여 방법 원리 8.b.1에 기술된 방법을 수행한다. 이로써 8.c에 기술된 바와 같은 조성 및 등급 특성을 갖는 과립이 수득된다.

(실시예 8.b.4 )

180℃의 기체(G) 주입 온도 및 130℃의 유동층 온도(=반응 온도)를 사용하여 방법 원리 8.b.1에 기술된 방법을 수행한다. 이로써 8.c에 기술된 바와 같은 조성 및 등급 특성을 갖는 과립이 수득된다.

(실시예 8.b.5)

220℃의 기체(G) 주입 온도 및 155℃의 유동층 온도(=반응 온도)를 사용하여 방법 원리 8.b.1에 기술된 방법을 수행한다. 이로써 8.c에 기술된 바와 같은 조성 및 등급 특성을 갖는 과립이 수득된다.

8. c 결과

유동층으로부터 설포닐 출발 화합물의 황산 용액 또는 현탁액의 분무 도중 제거된 입자 샘플의 분석 결과를 근거로 하여, 후반응시간("열 처리")이 필요하지 않도록 분무 도중 에스테르화 반응(설페이트화)이 자발적으로 및 실질적으로 완전히 진행되었음을 밝혀내었다. 이러한 사실은 또한 유동층 중에서 선택된 반응 온도에서 4시간 이하로 "열 처리"한 입자 샘믈의 분석에 의해 확인되었고 이의 생성물 조성은 설페이토 최종생성물의 양의 측면에서 더 이상 변하지 않았다. 평균적으로, 실시예 8 b.2 내지 8.b.5의 과립은 92 내지 96%의 2-메톡시-5-메틸-4-(β-설페이토에틸설포닐)-아닐린, 0.4% 미만의 2-메톡시-5-메틸-4-(β-하이드록시에틸설포닐)-아세트아닐리드 및 2 내지 5%의 2-메톡시-5-메틸-4-(β-하이드록시에틸설포닐)-아닐린 및 또한 이의 제조에 기인하여 공업용 출발 화합물 중에 함유된 2 내지 3%의 부산물을 함유한다.

실질적으로 분진이 없는 입자는, pH 7까지 무수 탄산나트륨을 가하면서 수성 현탁액 중에서 더 고속으로 용해시킴으로써, 접촉식 건조기, 예를 들어 건조기, 팬에서 제조된 생성물과 비교하여 구별된다.

9. 2-메톡시-5-(β-설페이토에틸설포닐)-아닐린의 제조

9. a 반응 혼합물의 제조

공업용 함수 또는 공업용 무수 2-메톡시-5-(β-하이드록시에틸설포닐)-아세트아닐리드를 설포닐 화합물과 황산의 몰비가 예를 들어, 1 : 1.05 또는 1 : 1.1 또는 1 : 1.15인 20 내지 95% 농도의 수성 황산 중에서 교반시킨다. 이로써 예를 들어, 110 내지 115℃에서 용액을 수득하거나 20 내지 25℃에서 현탁액을 수득하여, 이를 대류 건조기에 공급한다.

바람직하게는, 50 내지 65%의 2-메톡시-5-(β-하이드록시에틸설포닐)-아세트아닐리드 및 19 내지 26%의 황산(100% 농도로서 산정됨)을 함유하는 반응 혼합물을 사용한다.

9.b 방법 실시예

9.b.1 방법 원리

유동층 분무 과립기(예를 들어, 제1도에 따름) 내에, 기체(G) 및 미세한 최종 생성물, 즉 예를 들어 입자 크기가 100μm 이하인 2-메톡시-5-(β-설페이토에틸설포닐)-아닐린을 사용하여 유동층을 구성시킨다. 기체(G)의 주입 온도를, 예를 들어, 실시예 9.b 2 내지 9.b.5에 기술된 바와 같이 선택하고 9.a에서 제조된 설포닐 출밭 화합물의 용액 또는 현닥액중 하나를 유동층에 연속적으로 분무시킴으로써 유동충 온도(=반응 온도)를 실시예 9.b.2 내지 9.b.5에 기술된 바와 같이 일정하게 유지시킨다. 설페이토 화합물의 미세한 최종 생성물을 도입하고/하거나 파쇄기(25)를 사용하여 파쇄시킴으로써 입자 크기가 조절되고, 이로써 수득된 과립의 크기가 예를 들어 100 내지 800μm 또는 100 내지 2000μm 또는 100 내지 3000μm인 입자가 유동층 중에 생성된다.

(실시예 9.b.2)

200℃의 기체(G) 주입 온도 및 150℃의 유동층 온도(=반응 온도)를 사용하여 방법 원리 9.b.1에 기술된 방법을 수행한다. 이로써 9.c에 기술된 바와 같은 조성 및 등급 특성을 갖는 과립을 수득한다.

(실시예 9.b.3)

220℃의 기체(G) 주입 온도 및 165℃의 유동층 온도(=반응 온도)를 사용하여 방법 원리 9.b.1에 기술된 방법을 수행한다. 이로써 9.c에 기술된 바와 같은 조성 및 등급 특성을 갖는 과립을 수득한다.

(실시예 9.b.4)

180℃의 기체(G) 주입 온도 및 140℃의 유동층 온도(=반응 온도)를 사용하여 방법 원리 9.b.1에 기술된 방법을 수행한다. 이로써 9.c에 기술된 바와 같은 조성 및 등급 특성을 갖는 과립을 수득한다.

(실시예 9.b.5)

200℃의 기체(G) 주입 온도 및 130℃의 유동층 온도(= 반응 온도)를 사용하여 방법 원리 9.b.1에 기술된 방법을 수행한다. 이로써 9.c에 기술된 바와 같은 조성 및 등급 특성을 갖는 과립을 수득한다.

9. c 결과

유동층으로부터 설포닐 출발 화합물의 황산 용액 또는 현탁액의 분무 도중 제거된 입자 샘플의 분석 결과를 근거로 하여, 후반응시간("열 처리")이 필요하지 않도록 분무 도중 에스테르화 반응(설페이트화)이 자발적으로 및 실질적으로 완전히 진행되었음을 밝혀내었다. 이러한 사실은 또한 유동층 중에서 선택된 반응 온도에서 3시간 이하로 "열 처리" 한 입자 샘플의 분석에 의해 확인되었고, 이의 생성물 조성은 설페이토 최종 생성물의 양의 측면에서 더 이상 변하지 않았다. 평균적으로, 실시예 9.b.2 내지 9.b.5의 입자는 94 내지 96%의 2-메톡시 -5-(β-설페이토에틸설포닐)-아닐린, 1 내지 2.5%의 2-메톡시 -5-(β-하이드록시에틸설포닐)-아닐린 및 이의 제조에 기인하여 공업용 출발 화합물 중에 함유된 3.5%의 불변 부산물을 함유한다.

실질적으로 분진이 없는 입자는, pH 7까지 무수 탄산나트륨을 가하면서 수성 현탁액 중에서 더 고속으로 용해시킴으로써, 접촉식 건조기, 예를 들어 건조 팬에서 제조된 생성물과 비교하여 구별된다.

Claims (12)

1. 아미노아릴-β-하이드록시에틸설포닐 출발 화합물 대 H₂SO₄몰비가 1 : 1 내지 1 : 1 .05인 100% 황산 또는 80중량% 이하의 수 함량을 갖는 수성 황산 중의 아미노아릴-β-하이드록시에틸설폰 화합물 또는 이의 아실아미노 화합물의 용액 또는 현탁액 또는 페이스트를 제조하고, 이후 이를 유동층 분무 과립기 또는 분무 건조기 또는 통합 유동층을 갖는 분무 건조기의 뜨거운 기류 내로 분무시키고, 100 내지 200℃에서 동시에 건조, 에스테르화 반응 및 존재할 수 있는 아실아미노 그룹의 가스분해 반응을 수행함을 포함하여, 아미노아릴-β--하이드록시에틸설폰 화합물 또는 이의 아실아미노 유도체를 황산과 빈응시켜 아미노아릴-β-설페이토에틸설폰 화합물을 제조하는 방법.
2. 제 1 항에 있어서, 반응이 110 내지 180℃의 온도에서 수행되는 방법.
3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 대류 건조기가 기력학적으로, 기계적으로 또는 기력학적 및 기계적으로 유동층을 생성하는 유동층 분무 과립기인 방법.
4. 제 1항 또는 제 2 항에 있어서, 대류 건조기가 분무 디스크 또는 분무 노즐(들)을 함유하는 분무 탑인 방법.
5. 제 1 항 또는 제 1 항에 있어서, 대류 건조기가 통합된 유동층을 갖는 분무 건조기인 방법.
6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 일반식(2)의 β-하이드록시에틸설포닐 화합물이 일반식(1)의 황산 반에스테르(half-ester) 화합물로 전환되는 방법.

   

   상기식에서, m은 1 또는 2이고, A는 페닐렌 또는 나프틸렌 라디칼이며, 두 라디칼 모두 탄소수 1 내지 4의 알킬, 탄소수 1 내지 4의 알콕시, 할로겐, 카복시 및 하이드록시로 이루어진 그룹 중에서 선택된 치환체, 1, 2 또는 3개에 의해 치환될 수 있으며, R은 수소원자 또는 아실 그룹이다.
7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 4-(β-하이드록시에틸설포닐)-아세트아닐리드가 4-(β-설페이토에틸설포닐)-아닐린으로 전환되는 방법.
8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 3-(β-하이드록시에틸설포닐)-아닐린이 3-(β-설페이토에틸설포닐)-아닐린으로 전환되는 방법.
9. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 2-브로모-4-(β-하이드록시에틸설포닐) -아닐린이 2-브로모-4-(β-설페이토에틸설포닐) 아닐린으로 전환되는 방법.
10. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 2-메톡시-5-메틸-4-(β-하이드록시에틸설포닐)-아세트아닐리드가 2-메톡시-5-메틸-4-(β-설페이토에틸설포닐)-아닐린으로 전환되는 방법.
11. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 2,5-디메톡시-4-(β-하이드록시에틸설포닐)-아세트아닐리드가 2,5-디메톡시-4-(β-설페이토에틸설포닐)-아닐린으로 전환되는 방법.
12. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 2-메톡시-5-(β-하이드록시에틸설포닐)-아세트아닐리드가 2-메톡시-5-(β-설페이토에틸설포닐)-아닐린으로 전환되는 방법.

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