JPH0345460B2 - - Google Patents

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JPH0345460B2
JPH0345460B2 JP60023836A JP2383685A JPH0345460B2 JP H0345460 B2 JPH0345460 B2 JP H0345460B2 JP 60023836 A JP60023836 A JP 60023836A JP 2383685 A JP2383685 A JP 2383685A JP H0345460 B2 JPH0345460 B2 JP H0345460B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
adhesive
recording layer
optical disk
optical recording
optical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP60023836A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS61182646A (ja
Inventor
Hideaki Mochizuki
Tooru Tamura
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP60023836A priority Critical patent/JPS61182646A/ja
Publication of JPS61182646A publication Critical patent/JPS61182646A/ja
Publication of JPH0345460B2 publication Critical patent/JPH0345460B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野 本発明は、レーザーを用いた光デイスクとその
製造方法に関するものである。 従来の技術 レーザーを利用した光デイスク(以降、光デイ
スクと称する)は、直径30cm足らずの円盤上に
A4文書が1万枚分以上も記憶できるほど大容量
のメモリー媒体であり、一つのビツトはわずか
1μm前後の長さの小さなビツトに対応している。
また、情報の書き込み、読み出しなどは、1分間
に1000回転以上の高速回転しているデイスク上
に、直径1μm前後に絞り込んだレーザー光を集
光し、位置検出、焦点調節を行ないながら実行さ
れるものであり、極くわずかな基板のソリ、平行
度のズレ、変形、傷、異物なども、信号エラーに
つながつてしまう。このため、光デイスクの製造
には、半導体製造時に劣らない程、細心の注意が
要求されている。光デイスクは従来、信頼性を高
める目的から、第5図に示すように、レーザー記
録用薄膜14を2枚の透明基板12,13の間に
はさみ込んだ構成となつている。(但し、第2図
は光デイスクを切断した斜視図であり、以下、断
面の一部6を拡大して積層状態を説明する。第1
図、第5図においては、片面記録用光デイスクの
例を示す。)このため、これら2枚の透明基板1
2,13を接着層15を介して貼り合わせる接着
工程が重要であり、この工程により歩留りや光デ
イスクの信頼性が左右されることも多い。従来、
この接着法としてはホツトメルト系接着剤を用い
る方式が知られていた。(例えば特開昭58−6536
号公報および「ビデオデイスクとDAD入門」岩
村總一編著、コロメ社に述べられている。) 発明が解決しようとする問題点 このような従来の接着法を用いた光デイスクで
はホツトメルト接着剤の塗布時と貼合わせ時に、
熱と圧力が同時に加わるための基材のソリや歪
み、傷つきなどが発生しやすく、しかも記録膜に
よつては、熱による変質などの発生も起りやす
く、加えて高湿下では接着力低下による剥離も生
じるなどの問題を有していた。本発明はかかる点
に鑑みてなされたもので、簡単な工程により信頼
性が高く、精度の高い光デイスクを提供すること
を目的とするものである。 問題点を解決するための手段 本発明は上記問題点を解決するため、光デイス
クの接着に反応により発泡性を有する接着剤を用
いるというものである。 作 用 この技術的手段による作用は次のようになる。 すなわち、貼り合わせようとする2枚の基板の
それぞれに、2液を混合することにより反応を開
始する接着剤の各成分を塗り分け、2枚の基板
を、あらかじめ間隙を調整したスペーサー中で貼
り合わせて混合させる。反応を開始した接着剤は
発泡することにより2枚の基板を、スペーサーの
ギヤツプ中で許容される厚みにまで押し拡げ、こ
の状態で接着固化する。すなわち、内部からの均
等な圧力によりあまり発熱させることなく接着が
行なわれるため、常に均一で均質な厚みを保ち、
しかも、膜への悪影響がなく、基板を傷つけるこ
ともなく、強い接着力をもつた光デイスクを提供
できるようになる。 実施例 以下実施例を示す。 (実施例 1) 第3図に示すごとく直径200mm、内径350mm、厚
さ1mmでTe系相変化記録3を蒸着したメタクリ
ル樹脂1上に2重量%の水を溶解したエチレング
リロール7を0.05mm厚に塗布し、一方、前記メタ
クリル樹脂板と同一形状で未蒸着のメタクリル樹
脂板上2にはオクテン酸スズを0.1重量部混合し
た分子量約170のジイソシアナート8を同じく
0.05mm塗布した。これらを貼り合わせて中心軸を
一致させたのち間隙Aを2.5mmに保つた平行平板
状のスペーサー11中にすばやく投入する。全体
を60℃に加熱すると反応が始まり、透明基板9,
10が、発泡した接着剤によつてスペーサー壁に
押しつけられた状態で接着した。この状態を第4
図に示す。1時間加熱後、スペーサーから取り出
し、ハミ出した接着剤を削り取り、加工して光デ
イスクとした。このデイスクの性能を表に示し
た。 (実施例 2) 実施例1と同一形状の蒸着したメタクリル樹脂
板16,17上に、0.02mm厚の紫外線硬化型アク
リル樹脂による保護膜20,21をそれぞれ塗
布、硬化させた。この上から、実施例1と同一の
組成になる接着剤A,Bを厚さ0.05mmに各々塗布
した。この状態を第6図に示す。貼り合わせ以後
は実施例1と同一の方法をとつた。こうしてでき
た光デイスクの性能を表に示す。 (実施例 3) 実施例1と同一形状のポリカーボネイト樹脂板
16,17上にTe系相変化型光記録膜18,1
9を形成しさらにその上から、紫外線硬化性アク
リル樹脂による保護膜20,21を形成した。こ
の後、接着剤A22として水を2重量%含むトリ
メチロールプロパンを0.05mm厚塗布し、一方、接
着剤B23として、0.1%のジアザビシクロオク
タンを含む分子量250の固形ジイソシアナート
をメチルエチルケトン中に溶解したものを板17
上に塗布して乾燥後0.05mmの厚さにした。板1
6,17を貼り合わせ後、スペーサー11中にセ
ツトし、80℃で1時間加熱し、発泡、接着させ
た。余分な接着剤硬化物を削り取つて完成した光
デイスクの性能を表に示す。 (比較例) 比較のため、ホツトメルト接着剤を用いて実験
した。図3に示すように、実施例1と同一の蒸着
3を施した同一形状のアクリル板1に対し、融点
50〜60℃のホツトメルト接着剤7を80℃のホツト
ロールを用いて0.05mm厚に塗布した。同一形状の
アクリル板2上にも同じくホツトメルト接着剤8
を0.05mm塗布したのち、両者を60℃の熱プレスに
セツトした加圧し密着させた。こうして出来た光
デイスクの性能を表に示す。 なお、完成した光デイスクのソリを測定した
が、その測定方法を第7図に示す。第7図は完成
した光デイスクを中心軸から4等分した部分の断
面図であり、ソリΔlは基準となる水平面からの
基板のソリの大きさを示すものである。
【表】 発明の効果 表に示したように本発明になる光デイスクは、
初期の基板のソリが少なく、それがライフテスト
後でも100μm以下に納まつている。加えて読み
取りエラーの発生も少ない。また、従来例と違つ
て高い接着信頼性を有している。 すなわち本発明は、優れた初期性能を有し、し
かも高い信頼性を有する光デイスクを簡単な方法
で製造することを可能にするものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の光デイスクの拡大
断面図、第2図はその断面の位置を示す光デイス
クの切断斜視図、第3図は本発明の一実施例の貼
り合わせ直前の状態を示す断面図、第4図はスペ
ーサー中で接着される状態を示す断面図、第5図
は従来の光デイスクの断面図、第6図は他の実施
例の光デイスクの貼り合わせ直前の断面図、第7
図は光デイスクのソリについて説明した断面図で
ある。 1,2……透明基板、3……光記録膜、4……
発泡性接着剤、5……切断された光デイスク、
7,8……接着剤。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 少くとも一方の基板の内側にレーザー光によ
    り読み取りできる光記録層を有する二枚の円盤
    を、発泡性を有する反応性接着剤により貼り合わ
    せてなる光デイスク。 2 光記録層を有する円盤の光記録層上に5μm
    以上の透明保護膜を形成し、これを反応により発
    泡性を有する接着剤により接着してなる特許請求
    の範囲第1項記載の光デイスク。 3 片面に光記録層を形成した透明基板の光記録
    層側に2液を混合することにより反応して発泡す
    る接着剤の一つの成分を塗布し、一方、他の同一
    形状の基板上に、前記接着剤の他の一成分を塗布
    したのち、接着剤の異つた成分を塗布した基板同
    志を貼り合わせ、接着剤を反応させて発泡、膨張
    せしめ、あらかじめ間隙を調整したスペーサー中
    で基板を押し拡げさせて一定の厚みになるように
    した状態で接着させてなる光デイスクの製造法。
JP60023836A 1985-02-08 1985-02-08 光デイスクとその製造法 Granted JPS61182646A (ja)

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JP60023836A JPS61182646A (ja) 1985-02-08 1985-02-08 光デイスクとその製造法

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JP60023836A JPS61182646A (ja) 1985-02-08 1985-02-08 光デイスクとその製造法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61182646A JPS61182646A (ja) 1986-08-15
JPH0345460B2 true JPH0345460B2 (ja) 1991-07-11

Family

ID=12121474

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58155546A (ja) * 1982-03-10 1983-09-16 Toshiba Corp 光デイスクメモリ

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54153205U (ja) * 1978-04-17 1979-10-24

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58155546A (ja) * 1982-03-10 1983-09-16 Toshiba Corp 光デイスクメモリ

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JPS61182646A (ja) 1986-08-15

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