JPS61182646A - 光デイスクとその製造法 - Google Patents

光デイスクとその製造法

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JPS61182646A
JPS61182646A JP60023836A JP2383685A JPS61182646A JP S61182646 A JPS61182646 A JP S61182646A JP 60023836 A JP60023836 A JP 60023836A JP 2383685 A JP2383685 A JP 2383685A JP S61182646 A JPS61182646 A JP S61182646A
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JP
Japan
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adhesive
optical
uniform
film
recording film
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Granted
Application number
JP60023836A
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English (en)
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JPH0345460B2 (ja
Inventor
Hideaki Mochizuki
望月 秀晃
Toru Tamura
徹 田村
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、レーザーを用いた光ディスクとその製造方法
に関するものである。
従来の技術 レーザーを利用した光ディスク(以降、光ディスクと称
する)は、直径30cm足らずの円盤上にA4文書が1
万枚分以上も記憶できるほど大容量のメモリー媒体であ
り、一つのビットはわずか1μm前後の長さの小さなピ
ットに対応している。
また、情報の書き込み、読み出しなどは、1分間に10
00回転以上の高速回転しているディスク上に、直径1
μm前後に絞り込んだレーザー光を集光し、位置検出、
焦点調節を行ないながら実行されるものであり、極くわ
ずかな基板のソリ、平行度のズレ、変形、傷、異物など
も、信号エラーにつながってしまう。このため、光ディ
スクの製造には、半導体製造時に劣らない程、細心の注
意が要求されている。光ディスクは従来、信頼性を高め
る目的から、第6図に示すように、レーザー記録用薄膜
14を2枚の透明基板12.13の間にはさみ込んだ構
成となっている。(但し、第2第6図においては、片面
記録用光ディスクの例を示す。)このため、これら2枚
の透明基板12゜13を接着層16を介して貼り合わせ
る接着工程が重要であり、この工程により歩留りや光デ
ィスクの信頼性が左右されることも多い。従来、この接
着法としてはホットメルト系接着剤を用いる方式が知ら
れていた。(例えば特開昭58−6536号公報および
「ビデオディスクとDAD入門」岩村總−編著、コロメ
社に述べられている。)発明が解決しようとする問題点 このような従来の接着法を用いた光ディスクではホント
メルト接着剤の塗布時と貼合わせ時に、熱と圧力が同時
に加わるための基材のソリや歪み。
傷つきなどが発生しやすく、シかも記録膜によっては、
熱による変質などの発生も起りやすぐ、加えて高湿下で
は接着力低下による剥離も生じるなどの問題を有してい
た。本発明はかかる点に鑑みてなされたもので、簡単な
工程により信頼性が高く、精度の高い光ディスクを提供
することを目的とするものである。
問題点を解決するための手段 本発明は上記問題点を解決するため、光ディスクの接着
に反応により発泡性を有する接着剤を用いるというもの
である。
作  用 この技術的手段による作用は次のようになる。
すなわち、貼り合わせようとする2枚の基板のそれぞれ
に、2液を混合することにより反応を開始する接着剤の
各成分を塗シ分け、2枚の基板を、あらかじめ間隙を調
整したスペーサー中で貼り合わせて混合させる。反応を
開始した接着剤は発泡することにより2枚の基板を、ス
ペーサーのギャップ中で許容される厚みにまで押し拡げ
、この状態で接着固化する。すなわち、内部からの均等
な圧力によりあまり発熱させることなく接着が行なわれ
るため、常に均一で均質な厚みを保ち、しかも、膜への
悪影響がなく、基板を傷つけることもなく、強い接着力
をもった光ディスクを提供できるようになる。
実施例 以下実施例を示す。
(実施例1) 第3図に示すごとく直径200 trrrn +内径3
50聴、厚さ1間でTo 系相変化記録3を蒸着したメ
タクリル樹脂1上に2重量係の水を溶解したエチレング
リロール了を0.05+mn厚に塗布し、一方、前記メ
タクリル樹脂板と同一形状で未蒸着のメタクリル樹脂板
上2にはオクテン酸スズを0.1重量部混合した分子量
約170のジイソシアナート8を同じ(0,05問塗布
した。これらを貼り合わせて中心軸を一致させたのち間
隙人を2.5Mに保った平行平板状のスペーサー11中
にすばやく投入する。全体を60℃に加熱すると反応が
始まり、透明基板9.10が、発泡した接着剤によって
スペーサー壁に押しつけられた状態で接着した。この状
態を第4図に示す。1時間加熱後、スペーサーから取り
出し、ハミ出した接着剤を削り取り、加工して光ディス
クとした。このディスクの性能を表に示した。
(実施例2) 実施例1と同一形状の蒸着したメタクリル樹脂板16.
17上に、0.02mm厚の紫外線硬化型アクリル樹脂
による保護膜20.21をそれぞれ塗布、硬化させた。
この上から、実施例1と同一の組成になる接着剤A、B
を厚さ0.05mに各々塗布した。この状態を第6図に
示す。貼り合わせ以後は実施例1と同一の方法をとった
。こうしてできた光ディスクの性能を表に示す。
(実施例3)  一 実施例1と同一形状のポリカーボネイト樹脂板16.1
7上にTe系相変化型光記録膜18.19を形成しさら
にその上から、紫外線硬化性アクリル樹脂による保護膜
20.21を形成した。この後、接着剤A22として水
を2重量係官むトリノかも高い信頼性を有する光ディス
クを簡単な方法で製造することを可能にするものである
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の光ディスクの拡大断面図、
第2図はその断面の位置を示す光ディスクの切断斜視図
、第3図は本発明の一実施例の貼り合わせ直前の状態を
示す断面図、第4図はスペーサー中で接着される状態を
示す断面図、第6図は従来の光ディスクの断面図、第6
図は他の実施例の光ディスクの貼り合わせ直前の断面図
、第7図は光ディスクのソリについて説明した断面図で
ある。 1.2・・・・・・透明基板、3・・・・・・光記録膜
、4・・・・・・発泡性接着剤、6・・・・・・切断さ
れた光ディスク、7゜8・・・・・・接着剤。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)レーザー光により読み取りできる記録層を有する
    円盤同志、もしくは前記円盤と、同一形状であるが、前
    記記録膜を有しない円盤とをいずれも光記録膜が内側に
    なるように反応により発泡性を有する接着剤により貼り
    合わせてなる光ディスク。
  2. (2)光記録膜を有する円盤の光記録層上に5μm以上
    の透明保護膜を形成し、これを反応により発泡性を有す
    る接着剤により接着してなる特許請求の範囲第1項記載
    の光ディスク。
  3. (3)片面に光記録膜を形成した透明基板の記録膜測に
    2液を混合することにより反応して発泡する接着剤の一
    つの成分を塗布し、一方、他の同一形状の基板上に、前
    記接着剤の他の一成分を塗布したのち、接着剤の異った
    成分を塗布した基板同志を貼り合わせ、接着剤を反応さ
    せて発泡、膨張せしめ、あらかじめ間隙を調整したスペ
    ーサー中で基板を押し拡げさせて一定の厚みになるよう
    にした状態で接着させてなる光ディスクの製造法。
JP60023836A 1985-02-08 1985-02-08 光デイスクとその製造法 Granted JPS61182646A (ja)

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JP60023836A JPS61182646A (ja) 1985-02-08 1985-02-08 光デイスクとその製造法

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JPS61182646A true JPS61182646A (ja) 1986-08-15
JPH0345460B2 JPH0345460B2 (ja) 1991-07-11

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54153205U (ja) * 1978-04-17 1979-10-24
JPS58155546A (ja) * 1982-03-10 1983-09-16 Toshiba Corp 光デイスクメモリ

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54153205U (ja) * 1978-04-17 1979-10-24
JPS58155546A (ja) * 1982-03-10 1983-09-16 Toshiba Corp 光デイスクメモリ

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JPH0345460B2 (ja) 1991-07-11

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