JPH0344074A - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
固体撮像装置の製造方法Info
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- JPH0344074A JPH0344074A JP1179622A JP17962289A JPH0344074A JP H0344074 A JPH0344074 A JP H0344074A JP 1179622 A JP1179622 A JP 1179622A JP 17962289 A JP17962289 A JP 17962289A JP H0344074 A JPH0344074 A JP H0344074A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は固体撮像装置の製造方法、特に、固体撮像装置
の最終保護用絶縁膜の製造方法に関するものである。
の最終保護用絶縁膜の製造方法に関するものである。
従来の技術
従来、固体撮像装置の最終保護用絶縁膜の形成方法は第
２図に示すような構成てあった。
２図に示すような構成てあった。
第２図において、１はＮ型半導体基板、２はＰウェル層
、３はフォトダイオードのＮ型不純物層、４はＮウェル
層、５は素子分離用のＰ′不純物層、６は多結晶シリコ
ンゲート電極、７は層間絶縁膜、８は遮光アルミニウム
電極、９はＣＶＤ酸化膜を示す。すなわち、第２図のよ
うに、Ｎ型半導体基板１上にＰウェル層２、フォトダイ
オードのＮ型不純物層３、Ｎウェル層４、素子分離用の
Ｐ→不純物層５、多結晶シリコン）、’ ｌ、電極６
、層間絶縁膜７、遮光アルミニウム電極８を形成する。
、３はフォトダイオードのＮ型不純物層、４はＮウェル
層、５は素子分離用のＰ′不純物層、６は多結晶シリコ
ンゲート電極、７は層間絶縁膜、８は遮光アルミニウム
電極、９はＣＶＤ酸化膜を示す。すなわち、第２図のよ
うに、Ｎ型半導体基板１上にＰウェル層２、フォトダイ
オードのＮ型不純物層３、Ｎウェル層４、素子分離用の
Ｐ→不純物層５、多結晶シリコン）、’ ｌ、電極６
、層間絶縁膜７、遮光アルミニウム電極８を形成する。
さらに、最終保護用絶縁膜としてＣＶＤ酸化膜９を形成
する。
する。
発明が解決しようとする課題
このような従来例では、光電変換部上の表面凹凸が著し
いため、カラーフィルター材料を全面に塗布した際に、
カラーフィルターの着色膜の膜厚むらが発生し、色むら
を増大させるという問題があった。また、光電変換部」
二の表面凹凸が著しいため、最終保護膜としてのＣＶＤ
酸化膜の段差被覆性（ステップカバレージ〉も低下し、
固体撮像装置の信頼性、特に耐湿性を低下させるという
問題もあった。
いため、カラーフィルター材料を全面に塗布した際に、
カラーフィルターの着色膜の膜厚むらが発生し、色むら
を増大させるという問題があった。また、光電変換部」
二の表面凹凸が著しいため、最終保護膜としてのＣＶＤ
酸化膜の段差被覆性（ステップカバレージ〉も低下し、
固体撮像装置の信頼性、特に耐湿性を低下させるという
問題もあった。
本発明はこのような課題を解決するもので、カラーフィ
ルター着色膜の膜厚むらを防止すると共に、固体撮像装
置の耐湿性、耐環境性等の信頼性を向上させることので
きる固体撮像装置の製造方法を提供することを目的とす
るものである。
ルター着色膜の膜厚むらを防止すると共に、固体撮像装
置の耐湿性、耐環境性等の信頼性を向上させることので
きる固体撮像装置の製造方法を提供することを目的とす
るものである。
課題を解決するための手段
この課題を解決するために、本発明は、−導電型半導体
基板の表面に形成した光電変換部上にプラズマＣＶＤ法
により、第１のシリコン酸化膜を形成する工程と、前記
第１のシリコン酸化膜上に燐を含有するエタノールを主
溶媒としたシラノール系溶液を回転塗布した後熱処理を
施すことによって第２のシリコン酸化膜を形成して前記
光電変換部上の表面凹凸を平坦化する工程と、前記第２
のシリコン酸化股上にプラズマＣＶＤ法によりシリコン
オキシナイトライド膜を形成する工程とを具備した固体
撮像装置の製造方法を提供するものである。
基板の表面に形成した光電変換部上にプラズマＣＶＤ法
により、第１のシリコン酸化膜を形成する工程と、前記
第１のシリコン酸化膜上に燐を含有するエタノールを主
溶媒としたシラノール系溶液を回転塗布した後熱処理を
施すことによって第２のシリコン酸化膜を形成して前記
光電変換部上の表面凹凸を平坦化する工程と、前記第２
のシリコン酸化股上にプラズマＣＶＤ法によりシリコン
オキシナイトライド膜を形成する工程とを具備した固体
撮像装置の製造方法を提供するものである。
作用
本発明では、光電変換部上の表面凹凸が、燐を含有する
シラノール系溶液を回転塗布して得られる被膜（ＳＯＧ
膜）により平坦化されるため、カラーフィルター材料を
塗布した際のカラーフィルターの着色膜の膜厚むらを抑
制でき、また、ＳＯＧ股上には、耐湿性、耐環境性の高
いプラズマオキシナイトライド膜を形成することにより
固体撮像装置の信頼性を向上させることができる。
シラノール系溶液を回転塗布して得られる被膜（ＳＯＧ
膜）により平坦化されるため、カラーフィルター材料を
塗布した際のカラーフィルターの着色膜の膜厚むらを抑
制でき、また、ＳＯＧ股上には、耐湿性、耐環境性の高
いプラズマオキシナイトライド膜を形成することにより
固体撮像装置の信頼性を向上させることができる。
実施例
以下、本発明の一実施例について、第１図に裁づいて説
明する。
明する。
第１図において、Ｎ型半導体基板１上にＰウェル層２、
フォトダイオードのＮ型不純物層３、Ｎウェル層４、素
子分離用のＰ＋不純物層５、多結晶シリコンゲート電極
６、層間絶縁膜７、遮光アルミニウム膜８を形成する。
フォトダイオードのＮ型不純物層３、Ｎウェル層４、素
子分離用のＰ＋不純物層５、多結晶シリコンゲート電極
６、層間絶縁膜７、遮光アルミニウム膜８を形成する。
次に、光電変換部上に、プラズマＣＶＤ法によりプラズ
マシリコン酸化膜１０を２０００〜３０００Ａ程度成長
した後、燐を含有するエタノールを主溶媒としたシラノ
ール系溶液を全面に滴下後、５０００〜８０００回／分
の回転数で同基板を回転させることにより塗布し、続い
て、１００〜４００℃程度の温度て熱処理して得られる
被膜（ＳＯＧ膜１１〉により光電変換部上の表面凹凸を
平坦化する。さらに、原料ガスとして、シラン（Ｓ ｉ
Ｈ４） 、アンモニア（Ｎ Ｈ３）、亜酸化窒素（Ｎ
ｅｏ）を用いて、プラズマＣＶＤ法により、屈折率が１
．７０〜１．８０のプラズマオキシナイトライド膜１２
を２０． ＯＯ〜３０００Ａ程度成長して、プラズマシ
リコン酸化膜１０、ＳＯＧ膜１１、プラズマオキシナイ
トライド膜１２の３層の絶縁膜から成る最終保護用絶縁
膜を形成する。
マシリコン酸化膜１０を２０００〜３０００Ａ程度成長
した後、燐を含有するエタノールを主溶媒としたシラノ
ール系溶液を全面に滴下後、５０００〜８０００回／分
の回転数で同基板を回転させることにより塗布し、続い
て、１００〜４００℃程度の温度て熱処理して得られる
被膜（ＳＯＧ膜１１〉により光電変換部上の表面凹凸を
平坦化する。さらに、原料ガスとして、シラン（Ｓ ｉ
Ｈ４） 、アンモニア（Ｎ Ｈ３）、亜酸化窒素（Ｎ
ｅｏ）を用いて、プラズマＣＶＤ法により、屈折率が１
．７０〜１．８０のプラズマオキシナイトライド膜１２
を２０． ＯＯ〜３０００Ａ程度成長して、プラズマシ
リコン酸化膜１０、ＳＯＧ膜１１、プラズマオキシナイ
トライド膜１２の３層の絶縁膜から成る最終保護用絶縁
膜を形成する。
発明の効果
以上のように本発明によれば、遮光アルミニウム膜形成
後に光電変換部上の表面凹凸がＳＯＧ膜で平坦化され、
その結果、カラーフィルター材料を塗布した際のカラー
フィルターの着色膜の膜厚むらを抑制できるだけでなく
、ＳＯＧ膜上には、耐湿性、耐環境性の高いプラズマオ
キシナイトライド膜を形成することにより固体撮像装置
の信頼性を著しく向上させる効果が得られ、所望の特性
の固体撮像装置を提供することができる。
後に光電変換部上の表面凹凸がＳＯＧ膜で平坦化され、
その結果、カラーフィルター材料を塗布した際のカラー
フィルターの着色膜の膜厚むらを抑制できるだけでなく
、ＳＯＧ膜上には、耐湿性、耐環境性の高いプラズマオ
キシナイトライド膜を形成することにより固体撮像装置
の信頼性を著しく向上させる効果が得られ、所望の特性
の固体撮像装置を提供することができる。
第１図は本発明の一実施例を示す構成断面図、第２図は
従来例を示す構成断面図である。 １・・・・・・Ｎ型半導体基板、２・・・・・・Ｐウェ
ル膚、３・・・・・・フォトダイオードのＮ型不純物層
、４・・・・・・Ｎウェル層、５・・・・・・素子分離
用のＰ十不純物層、６・・・・・・多結晶シリコンゲー
ト電極、７・・・・・・層間絶縁膜、８・・・・・・遮
光アルミニウム膜、９・・・・・・ＣＶＤ酸化膜、１０
・・・・・・プラズマシリコン酸化膜、１１・・・・・
・ＳＯＧ膜、１２・・・・・・プラズマオキシナイトラ
イド膜。
従来例を示す構成断面図である。 １・・・・・・Ｎ型半導体基板、２・・・・・・Ｐウェ
ル膚、３・・・・・・フォトダイオードのＮ型不純物層
、４・・・・・・Ｎウェル層、５・・・・・・素子分離
用のＰ十不純物層、６・・・・・・多結晶シリコンゲー
ト電極、７・・・・・・層間絶縁膜、８・・・・・・遮
光アルミニウム膜、９・・・・・・ＣＶＤ酸化膜、１０
・・・・・・プラズマシリコン酸化膜、１１・・・・・
・ＳＯＧ膜、１２・・・・・・プラズマオキシナイトラ
イド膜。
Claims (1)
- 一導電型半導体基板の表面に形成した光電変換部上にプ
ラズマＣＶＤ法により、第１のシリコン酸化膜を形成す
る工程と、前記第１のシリコン酸化膜上に燐を含有する
エタノールを主溶媒としたシラノール系溶液を回転塗布
した後熱処理を施すことによって第２のシリコン酸化膜
を形成して前記光電変換部上の表面凹凸を平坦化する工
程と、前記第２のシリコン酸化膜上にプラズマＣＶＤ法
によりシリコンオキシナイトライド膜を形成する工程と
を具備する固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1179622A JPH0344074A (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | 固体撮像装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1179622A JPH0344074A (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | 固体撮像装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0344074A true JPH0344074A (ja) | 1991-02-25 |
Family
ID=16068984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1179622A Pending JPH0344074A (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | 固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0344074A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010116063A (ja) * | 2008-11-13 | 2010-05-27 | Nissin Kogyo Co Ltd | センタバルブ型液圧マスタシリンダ |
-
1989
- 1989-07-11 JP JP1179622A patent/JPH0344074A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010116063A (ja) * | 2008-11-13 | 2010-05-27 | Nissin Kogyo Co Ltd | センタバルブ型液圧マスタシリンダ |
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